JP6049152B2 - 光結合層を有する発光素子およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、光結合層を有する発光素子およびその製造方法に関する。

照明用途には通例、白熱電球又はガス入り電球を用いる。このような電球は通例、長い動作寿命を有しておらず、それ故、頻繁な交換を必要とする。蛍光又はネオン管等のガス入り管は、より長い寿命を有するが、高い電圧を用いて動作し、比較的高価である。更に、電球及びガス入り管は双方とも相当量のエネルギーを消費する。

発光ダイオード（ＬＥＤ）は、電子と正孔の再結合時に光を放射する素子である。ＬＥＤは通例、ｐ−ｎ接合を作り出すために不純物をドープされた半導体材料のチップを含む。電流がｐ側（すなわちアノード）から、ｎ側（すなわちカソード）へ流れる。電荷担体−電子及び正孔−が、異なる電圧を有する電極からｐ−ｎ接合内へ流れる。電子が正孔に出会うと、光子の形のエネルギー（ｈｖ）の放射放出を生じ得る過程で電子は正孔と再結合する。光子、すなわち光はＬＥＤの外部へ透過され、例えば、照明用途及びエレクトロニクス用途等の種々の用途で使用するために利用される。

ＬＥＤは、白熱電球又はガス入り電球とは対照的に、比較的安価であり、低い電圧で動作し、長い動作寿命を有する。加えて、ＬＥＤは消費電力が比較的少なく、コンパクトである。これらの特性はＬＥＤを特に望ましく、多くの用途にとって適切なものとする。

ＬＥＤの利点にもかかわらず、このような素子に付随する制限が存在する。このような制限には、ＬＥＤの効率を制限し得る材料的制限、ＬＥＤによって発生される光の素子外部への透過を制限し得る構造的制限、及び高いプロセスコストにつながり得る製造上の制限などがある。したがって、ＬＥＤ、及びＬＥＤの製造方法を改良する必要がある。

本発明の一態様では、発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む、発光素子が提供される。一実施形態では、発光素子が、基板と、基板に隣接するｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と、ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層に隣接する活性層と、活性層に隣接するｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と、を含む。ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層に、光結合構造が隣接する。光結合構造は１つ以上のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む。光結合構造の一部を通じて、電極がｎ形半導体層と電気的に導通している。状況によっては、光結合構造のせいぜい一部はｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層から形成される。

別の実施形態では、発光ダイオードが、基板と、基板に隣接する第１層とを含む。第１層は、ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体及びｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体のうちの一方を含む。第１層に隣接する第２層が、電子と正孔の再結合時に光を発生するように構成される活性材料を含む。第２層に隣接する第３層が、ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体及びｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体のうちの他方を含む。第３層に隣接する光結合構造が１つ以上のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む。場合によっては、光結合構造のせいぜい一部は第３層から形成される。第３層に隣接する電極が第３層と電気的に導通している。場合によっては、電極は第３層と直接接触する。

別の実施形態では、発光素子が、ｎ形半導体材料の第１層と、ｐ形半導体材料の第２層とを含む。第１層と第２層との間に活性層が配置される。第１層又は第２層のいずれかに隣接する光結合層がバッファ材料の層を含む。光結合層のせいぜい一部は第１層又は第２層のいずれかから形成される。場合によっては、光結合層は第１層又は第２層のいずれかから形成されない。光結合層の少なくとも一部を通じて、電極が第１層又は第２層のいずれかと電気的に導通している（例えば、オーミック接触している）。

別の実施形態では、発光素子が、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と、ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層とｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層との間の活性層とを含む。ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層及びｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層のうちの一方に隣接する光結合構造が１層以上のアルミニウム含有層を含む。光結合構造のせいぜい一部は、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層及びｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層のうちの一方から形成される。光結合構造の一部を通じて、電極がｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層及びｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層のうちの一方と電気的に導通している。

本発明の別の態様では、発光ダイオードを含む、発光素子の形成方法が提供される。一実施形態では、発光素子形成方法が、反応チャンバ（又は反応チャンバが複数の反応空間を含む場合には、反応空間）内に、基板であって、当該基板の上方に光結合層を有する、基板を提供することと、光結合層の一部の上に電極を形成することと、を含む。光結合層は１つ以上のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含むことができる。電極は、光結合層に隣接するｎ形半導体層及びｐ形半導体層のうちの一方と電気的に導通するように形成される。光結合層のせいぜい一部は、活性層に隣接して形成されるｎ形半導体層及びｐ形半導体層のうちの一方から形成される。活性層はｎ形半導体及びｐ形半導体層のうちの他方に隣接して形成される。ｎ形半導体層及びｐ形半導体層のうちの他方は基板に隣接して形成される。

別の実施形態では、発光素子形成方法が、反応チャンバ内に、基板であって、当該基板の上方にバッファ層を有する、基板を提供することと、光結合層を形成するためにバッファ層を粗面化することとを含み、光結合層はｎ形半導体層及びｐ形半導体層のうちの一方に隣接して形成される。光結合層は、活性層に隣接して形成されるｎ形半導体層及びｐ形半導体層のうちの一方のせいぜい一部から形成される。活性層はｎ形半導体層及びｐ形半導体層のうちの他方に隣接して形成される。ｎ形半導体層及びｐ形半導体層のうちの他方は基板に隣接して形成される。

別の実施形態では、発光素子形成方法が、反応チャンバ内の第１基板に隣接し、アルミニウム含有ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を有するバッファ層を形成することを含む。バッファ層に隣接してｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層が形成され、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層に隣接して活性層が形成される。活性層に隣接してｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層が形成される。次に、ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層に隣接して第２基板が設けられる。バッファ層を露出させるために、第１基板が除去される。次に、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層に隣接する光結合層を形成するために、バッファ層が粗面化される。光結合層の一部の上方に電極が設けられる。

以下の詳細な説明より、当業者には本開示の追加の態様及び利点が容易に明らかになろう。詳細な説明では、本開示の例示的な実施形態のみが示され、説明されている。理解されるように、本開示は他の異なる実施形態が可能であり、そのいくつかの細部は、すべて本開示から逸脱することなく、種々の明らかな点で修正が可能である。したがって、図面及び説明は本質的に例示的なものと見なされるべきであり、限定的なものと見なされるべきではない。

本明細書において言及されている刊行物、特許、及び特許出願は、個々の刊行物、特許、又は特許出願が、参照により援用されると明確に個々に示された場合と同程度に、本明細書において参照により援用される。また、本出願は、２０１１年９月２９日に出願された米国特許出願第１３／２４９，１８４号に対する優先権を主張する。同文献は全体が本明細書において参照により援用されている。

本発明の原理が利用される例示的な実施形態を示す以下の詳細な説明、及び添付の図面を参照することによって、本発明の特徴及び利点のより良い理解を得ることができる。
発光ダイオードの模式図である。 一実施形態による光結合層を有する発光素子の模式図である。 一実施形態による光結合構造を有する発光素子の模式図である。 一実施形態による発光素子の模式図である。 一実施形態による発光素子を形成するための方法である。 一実施形態による発光素子形成システムである。

本明細書には本発明の種々の実施形態が示され、説明されているが、このような実施形態は例としてのみ提供されていることは当業者には明らかであろう。当業者は、本発明から逸脱することなく、数多くの変形、変更、及び置換に想到しよう。本発明を実施する際には、本明細書に記載されている本発明の実施形態の種々の代替物が用いられてよいことを理解されたい。

本明細書において使用するとき、用語「発光素子」は、素子の発光領域（又は「活性層」）内において、発光領域を通じて順方向バイアス電流が印加された（又は流れた）時など、電子と正孔の再結合時に光を発生するように構成される素子を指す。場合によっては、発光素子は、電気エネルギーを光に変換する固体素子である。発光ダイオード（「ＬＥＤ」）は発光素子である。異なる材料で作られ、異なる構造を有し、様々な仕方で動作する多くの異なるＬＥＤ素子構造が存在する。一部の発光素子（レーザダイオード）はレーザ光を放射し、他のものは非単色光を発生する。或るＬＥＤは特定の用途における性能に合わせて最適化されている。ＬＥＤは、窒化インジウムガリウムを有する多重量子井戸（ＭＱＷ：Multi Quantum Well）活性層を含む、いわゆる青色ＬＥＤであってよい。青色ＬＥＤは、約４４０ナノメートルから５００ナノメートルの範囲の波長を有する非単色光を放射することができる。放射される青色光の一部を吸収する蛍光体コーティングが提供されてよい。この蛍光体が、蛍光を発して、他の波長の光を放射することにより、そのＬＥＤ装置全体が放射する光は、より広範囲の波長を有することになる。

本明細書において使用するとき、用語「層」は、基板上の原子又は分子の層を指す。場合によっては、層はエピタキシャル層又は複数のエピタキシャル層群を含む。層は膜又は薄膜を含んでもよい。状況によっては、層は、例えば、光を発生する（又は放射する）ように構成された活性層等の、所定の素子機能を果たす素子（例えば、発光ダイオード）の構造構成要素である。一般的に、層は、約１単原子単層（ＭＬ：monolayer）から数十単層、数百単層、数千単層、数百万単層、数十億単層、数兆単層、又はそれ以上の厚さを有する。一例では、層は、１単原子単層よりも大きい厚さを有する多層構造である。加えて、層は複数の材料層（又はサブレイヤー）を含んでよい。一例では、多重量子井戸活性層が複数の井戸及びバリア層を含む。層は複数のサブレイヤーを含んでよい。例えば、活性層がバリアサブレイヤー及び井戸サブレイヤーを含んでよい。

本明細書で使用するとき、用語「カバレッジ」は、化学種によって覆われる又は占有される表面の、表面の全面積に対する割合を指す。例えば、化学種についての１０％のカバレッジとは、表面の１０％がその化学種によって覆われることを示す。状況によっては、カバレッジは単層（ＭＬ）によって表され、１ＭＬは特定の化学種による表面の完全飽和に相当する。例えば、０．１ＭＬのピットカバレッジは、表面の１０％がピットによって占有されることを示す。

本明細書において使用するとき、用語「活性領域」（又は「活性層」）は、発光ダイオード（ＬＥＤ）の、光を発生するように構成された発光領域を指す。活性層は、例えば、活性層を通じた順方向バイアス電流を用いて、電子と正孔の再結合時に光を発生する活性材料を含む。活性層は１層又は複数の層（又はサブレイヤー）を含んでよい。場合によっては、活性層は、１つ以上のバリア層（又は、例えばＧａＮ等の、クラッド層）並びに１つ以上の量子井戸（「井戸」）層（例えばＩｎＧａＮ等）を含む。一例では、活性層は多重量子井戸を含む。この場合、活性層は多重量子井戸（「ＭＱＷ」）活性層と呼ばれてよい。

本明細書で使用するとき、用語「ドープされた」は、ドープされた構造又は層を指す。層はｎ形化学ドーパントをドープされるか（同様に、本明細書においては、「ｎドープされた」）又はｐ形化学ドーパントをドープされてよい（同様に、本明細書においては、「ｐドープされた」）。場合によっては、層は、アンドープであるか又は意図的にドープされていない（同様に、本明細書においては、「ｕドープの」又は「ｕ形」）。一例では、ｕ−ＧａＮ（又はｕ形ＧａＮ）層とは、アンドープ又は意図的にドープされていないＧａＮを含む。

本明細書において使用するとき、用語「ＩＩＩ−Ｖ族半導体」は、１つ以上のＩＩＩ族化学種及び１つ以上のＶ族化学種を有する材料を指す。ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料は、場合によっては、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、ヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）、ヒ化リン化ガリウム（ＧａＡｓＰ）、リン化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＰ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、リン化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＰ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、及び窒化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＮ）から選択される。

本明細書で使用するとき、用語「ドーパント」は、ｎ形ドーパント又はｐ形ドーパント等の、ドーパントを指す。ｐ形ドーパントとしては、以下のものに限定されるわけではないが、マグネシウム、ベリリウム、亜鉛及び炭素が挙げられる。ｎ形ドーパントとしては、以下のものに限定されるわけではないが、シリコン、ゲルマニウム、錫、テルル、及びセレンが挙げられる。ｐ形半導体とは、ｐ形ドーパントをドープされた半導体である。ｎ形半導体とは、ｎ形ドーパントをドープされた半導体である。ｎ形窒化ガリウム（「ｎ−ＧａＮ」）等のｎ形ＩＩＩ−Ｖ族材料は、ｎ形ドーパントをドープされたＩＩＩ−Ｖ族材料を含む。ｐ形ＧａＮ（「ｐ−ＧａＮ」）等のｐ形ＩＩＩ−Ｖ族材料は、ｐ形ドーパントをドープされたＩＩＩ−Ｖ族材料を含む。ＩＩＩ−Ｖ族材料は、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、及びタリウムから選択される少なくとも１つのＩＩＩ族元素、並びに窒素、燐、砒素、アンチモン及びビスマスから選択される少なくとも１つのＶ族元素を含む。

本明細書で使用するとき、用語「隣接する」又は「〜に隣接する」は、「〜の隣の」、「〜に接している」、「〜と接触する」、及び「〜に近接する」を含む。場合によっては、隣接する構成要素が１つ以上の介在層によって互いに隔てられる。例えば、１つ以上の介在層は、約１０マイクロメートル（「ミクロン」）、１ミクロン、５００ナノメートル（「ｎｍ」）、１００ｎｍ、５０ｎｍ、１０ｎｍ、１ｎｍ、又はそれ未満よりも小さい厚さを有することができる。一例では、第１層が第２層と直接接するときに第１層が第２層に隣接する。別の例では、第１層が第３層によって第２層と隔てられているときに第１層が第２層に隣接する。

本明細書で使用するとき、用語「基板」は、膜又は薄膜の形成が所望される任意のワークピースを指す。基板は、以下のものに限定されるわけではないが、シリコン、ゲルマニウム、シリカ、サファイア、酸化亜鉛、炭素（例えば、グラフェン）、ＳｉＣ、ＡｌＮ、ＧａＮ、スピネル、被覆シリコン、酸化物上シリコン、酸化物上炭化珪素、ガラス、窒化ガリウム、窒化インジウム、二酸化チタン及び窒化アルミニウム、セラミック材料（例えば、アルミナ、ＡｌＮ）、金属材料（例えば、モリブデン、タングステン、銅、アルミニウム）、並びにそれらの結合体（又は合金）を含む。

本明細書で使用するとき、用語「注入効率」は、発光素子を通過する電子のうち、発光素子の活性領域内に注入される比率を指す。

本明細書で使用するとき、用語「内部量子効率」は、発光素子の活性領域内における、放射性である（すなわち、光子を生成する）全電子−正孔再結合事象の比率を指す。

本明細書で使用するとき、用語「取り出し効率」は、発光素子の活性領域内で発生される光子のうち、素子から脱出する比率を指す。

本明細書で使用するとき、用語「外部量子効率」（ＥＱＥ：external quantum efficiency）は、ＬＥＤを通過する電子数に対するＬＥＤから放射される光子数の比を指す。すなわち、ＥＱＥ＝注入効率×内部量子効率×取り出し効率。

本明細書で使用するとき、用語「光結合構造」は、光が第１媒質から第２媒質へ透過するのを許すように構成される構造を指す。第１媒質は第１屈折率を有し、第２媒質は、第１屈折率と異なってよい第２屈折率を有する。光結合構造（又は層）は第１媒質からの光を第２媒質に結合する。

シリコンは、シリコン用に適合された商用の半導体製作手法を用いることができること等の種々の利点を提供するが、シリコン基板上におけるＩＩＩ−Ｖ族半導体ベースのＬＥＤの形成は種々の制限を課す。例として、シリコンと窒化ガリウムとの間の格子不整合及び熱膨張係数の不整合は、窒化ガリウム薄膜形成時に転位等の欠陥を発生する構造応力を引き起こす。

ＬＥＤは種々の半導体素子層で形成されてよい。状況によっては、ＩＩＩ−Ｖ族半導体ＬＥＤが、他の半導体材料より好ましくなり得る素子パラメータ（例えば、光の波長、外部量子効率）を提供する。窒化ガリウム（ＧａＮ）は、光電光学用途並びに高出力及び高周波数素子において用いられてよい２成分ＩＩＩ−Ｖ族直接バンドギャップ半導体である。

ＩＩＩ−Ｖ族半導体ベースのＬＥＤは、シリコン、ゲルマニウム、サファイア及び炭化珪素（ＳｉＣ）等の種々の基板上に形成されてよい。シリコンは、所定の期間内に形成されるＬＥＤの数を最大化するのに役立つ大きなウェーハサイズの使用に加えて、現在の製造及びプロセス手法を使用できること等の、他の基板を上回る種々の利点を提供する。図１は、基板１０５、基板１０５に隣接するＡｌＮ層１１０、ＡｌＮ層１１０に隣接するＡｌＧａＮ層１１５、バッファ層１１５に隣接するｎ形ＧａＮ（「ｎ−ＧａＮ」）層１２０、ｎ−ＧａＮ層１２０に隣接する活性層１２５、活性層１２５に隣接する電子ブロッキング（例えば、ＡｌＧａＮ）層１３０、及び電子ブロッキング層１３０に隣接するｐ形ＧａＮ（「ｐ−ＧａＮ」）層１３５を有するＬＥＤ１００を示す。電子ブロッキング層１３０は、ｐ−ＧａＮ層１３５内における電子の正孔との再結合を最小限に抑えるように構成される。場合によっては、ＬＥＤ１００はＡｌＧａＮ層１１５とｎ−ＧａＮ層１２０との間にｕ−ＧａＮ層を含む。ｕ−ＧａＮ層はｎ−ＧａＮ層１２０の結晶品質の向上をもたらしてよい。基板１００はシリコンで形成されてよい。状況によっては、ＬＥＤ１００は、ｐ−ＧａＮ層１３５に隣接する基板１４０（基板２）を含む。このような場合には、基板１０５は除外されてもよい。場合によっては、ＡｌＧａＮ層１１０はバッファ層１１５の一部である。

シリコンは種々の利点を提供するが、シリコン基板上におけるＩＩＩ−Ｖ族半導体ベースのＬＥＤの形成は種々の制限を課す。一例として、シリコンと窒化ガリウムとの間の格子不整合及び熱膨張係数の不整合のために、ＬＥＤ素子内に高い欠陥密度及びクラッキングの問題をもたらし得る構造応力が発生し得る。一例では、シリコン基板上にＧａＮエピタキシャル層（本明細書においては同様に「エピ層」）を有するＬＥＤの場合、ＧａＮエピ層の厚さが増すにつれて、エピ層内の応力は増大する。応力の増大は、シリコンウェーハが反ったり、クラックを生じたりすることを招き得る。クラックの問題は、珪素ドープＧａＮ内の高い引張歪みが少なくとも一部原因となって、珪素でｎ−ドープされたＧａＮ層に対してより深刻になる。珪素ドープＧａＮ層の厚さは、クラッキングを回避するように選択されてよい。シリコン上におけるＩＩＩ−Ｖ族半導体層の厚さ制限は、望ましい性能特性を有するＩＩＩ−Ｖ族半導体ベースのＬＥＤ形成に種々の課題を課す。

場合によっては、ＬＥＤの活性層に隣接するｎ形半導体層の一部から形成される光結合層を用いて、ＬＥＤ素子の取り出し効率が改善される。光結合層は、ＬＥＤの活性層内で発生された光を、ＬＥＤ内の媒質から外部環境に結合する等、第１媒質から第２媒質に結合する。しかし、ｎ形半導体層から形成される光結合層では、ｎ形半導体層の一部が光の取り出しのために犠牲にされ、その結果、電流拡散のために有効なｎ形半導体層の厚さが減少する。このような場合には、より厚いｎ形半導体層が適切な粗面化と電流拡散の両方のために必要となってよい。しかし、厚いｎ形半導体層を用いると、クラックのない素子層の成長が難しくなる。

本明細書において提供される構造及び方法は、クラッキングを、無くすとまではいかなくても、低減し、同時に、望ましい性能特性（例えば、外部量子効率）を素子に与えるようにして、シリコン上にＩＩＩ−Ｖ族半導体ベースのＬＥＤ素子を形成することを有利に可能にする。実施形態によっては、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体（例えば、ｎ−ＧａＮ）層の上方の粗面化されたｕ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体（例えば、ｕ−ＧａＮ）層が光結合層（又は光結合構造）として用いられる。状況によっては、粗面化されたバッファ層がｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層の上方に（又はそれに隣接して）設けられる。このような場合には、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層の粗面化は、無くすとまではいかなくても、低減されてよく、それによって電流拡散の最適化をもたらし、同時に、比較的薄いＩＩＩ−Ｖ族半導体層の利用を有利に可能にし、それによってクラッキングの回避を助ける。

［光結合層を有する発光素子］
本発明の一態様では、発光素子が、基板と、基板に隣接するｐ形半導体層と、ｐ形半導体層に隣接する活性層と、活性層に隣接するｎ形半導体層と、を含む。発光素子は、ｎ形又はｐ形半導体層のいずれかに隣接する光結合構造を含む。実施形態によっては、光結合構造のせいぜい一部はｎ形又はｐ形半導体層から形成される。

実施形態によっては、光結合構造（又は光結合層）は、第１屈折率を有する第１媒質からの光を、第２屈折率を有する第２に結合する。第１及び第２屈折率は異なってよい。場合によっては、第２屈折率の方が第１屈折率よりも小さい。

発光素子の動作中、活性層内で発生された光の少なくとも一部は、光結合構造に向けて導かれ、光結合構造は光を種々の角度で散乱し、その少なくとも一部は発光素子の外へ導かれてよい。それ故、光結合構造は、素子によって発生された光を素子の外へ導くのを助けることができる。

ｎ形及び／又はｐ形半導体層は、窒化ガリウム等のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料で形成されてよい。基板はシリコンで形成されてよい。実施形態では、ｎ形半導体層の厚さは、シリコン基板とＩＩＩ−Ｖ族半導体との間の格子及び熱的不整合によって加えられる応力を最小限に抑えるように選択される。しかし、誘起される応力条件下での素子形成が望まれる場合等の、他の場合では、ｎ形半導体層の厚さは、所定のレベルの応力を維持するように選択される。

実施形態によっては、発光素子が、第１の種類のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料の第１層及び第２の種類のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料の第２層と、第１層と第２層との間の活性層とを含む。発光素子は、第１層及び第２層のうちの一方に隣接する光結合層を有する。例えば、光結合層は第１層に隣接する。光結合層は第３の種類のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む。光結合層の一部を通じて形成される電極が、第１層及び第２層のうちの一方に出入りする電気流路を提供する。

状況によっては、第１の種類のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料は、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体及びｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体のうちの一方から選択され、第２の種類のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料は、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体及びｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体のうちの他方から選択される。一例では、第１層はｐ−ＧａＮで形成され、第２層はｎ−ＧａＮで形成される。場合によっては、第３の種類のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料は、ｕ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料、ドープされたＩＩＩ−Ｖ族半導体材料、及び／又はアルミニウム含有ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む。一例では、第３の種類のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料は、ｕ−ＧａＮ（すなわち、アンドープであるか又は意図的にドープされていないＧａＮ）を含む。別の例では、第３の種類のＩＩＩ−Ｖ族半導体はｎ−ＧａＮ又はｐ−ＧａＮを含む。別の例では、第３の種類のＩＩＩ−Ｖ族半導体はＡｌＧａＮ又はＡｌＮを含む。

場合によっては、光結合層のせいぜい一部が、隣接するｎ形又はｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層から形成される。一例では、ＬＥＤが、基板と、基板に隣接する第１層とを含む。第１層は、ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体及びｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体のうちの一方を含む。ＬＥＤは、第１層に隣接する第２層を含む。第２層は、第２層の間に順方向バイアス電流を印加すると光を発生するように構成された活性材料を含む。ＬＥＤは、第２層に隣接する第３層を更に含む。第３層は、ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体及びｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体のうちの他方を含む。第３層に隣接して光結合構造が配置される。光結合構造は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料の１層以上の層等の、１つ以上のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む。せいぜい、光結合構造の一部は第３層から形成される。一実施形態では、光結合構造のいくらかが第３層から形成される。別の実施形態では、光結合構造は第３層から形成されない。

ＬＥＤは、第３層に隣接して形成される電極を更に含む。電極は第３層と電気的に導通している。場合によっては、第１層はｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体（例えば、ｐ−ＧａＮ）を有し、第３層はｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体（例えば、ｎ−ＧａＮ）を有する。

光結合構造は第４層及び第５層を含み、第４層はＬＥＤの第３層に隣接する。実施形態によっては、第４層は、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体、ｕ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体及びアルミニウム含有ＩＩＩ−Ｖ族半導体のうちの１つ以上を含む。場合によっては、第４層は、ｎ形窒化ガリウム、ｕ形窒化ガリウム、窒化アルミニウムガリウム及び窒化アルミニウムのうちの１つ以上を含む。実施形態によっては、第５層は、ｕ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体及びアルミニウム含有ＩＩＩ−Ｖ族半導体のうちの１つ以上を含む。場合によっては、第５層は、ｕ形窒化ガリウム、窒化アルミニウムガリウム及び窒化アルミニウムのうちの１つ以上を含む。一例では、第４層は、ｎ−ＧａＮ、ｕ−ＧａＮ、ＡｌＧａＮ及びＡｌＮのうちの１つ以上を含み、第５層は、ｕ−ＧａＮ、ＡｌＧａＮ及びＡｌＮのうちの１つ以上を含む。

実施形態によっては、ＬＥＤの光結合構造は、第５層に隣接する第６層を含む。このような場合には、第５層は第４及び第６層の間にある。実施形態によっては、第６層はアルミニウム含有ＩＩＩ−Ｖ族半導体を含む。場合によっては、アルミニウム含有ＩＩＩ−Ｖ族半導体は、窒化アルミニウムガリウム又は窒化アルミニウムである。

一例では、発光素子は、シリコン基板と、シリコン基板の上方のｐ−ＧａＮ層と、ｐ−ＧａＮ層の上方の活性層と、活性層の上方のｎ−ＧａＮ層と、ｎ−ＧａＮ層の上方の光結合層（本明細書においては同様に「光結合構造」）とを含む。光結合層は、ＡｌＧａＮ及び／又はＡｌＮ、並びに場合によってはｕ−ＧａＮを含む。光結合層は、状況によっては、ｎ−ＧａＮを含む。例えば、光結合層は、ｎ−ＧａＮ層に隣接するｎ−ＧａＮサブレイヤー、及びｎ−ＧａＮサブレイヤーの上方のＡｌＧａＮサブレイヤーを含んでよい。光結合層は、ｎ−ＧａＮサブレイヤーとＡｌＧａＮサブレイヤーとの間にｕ−ＧａＮサブレイヤーを含んでよい。加えて、光結合層はＡｌＧａＮサブレイヤーの上方にＡｌＮサブレイヤーを含んでよい。素子は光結合層の一部の上方に電極を含み、電極はｎ−ＧａＮ層と電気的に導通している。場合によっては、電極はｎ−ＧａＮ層と直接接触する。

実施形態によっては、ｎ形及びｐ形半導体層はＩＩＩ−Ｖ族半導体材料で形成される。一例では、ｎ形及びｐ形半導体層は窒化ガリウムを含む。このような場合には、ｎ形半導体層は、窒化ガリウム、及びｎ形ドーパント、例えば珪素等、を含み、ｐ形半導体層は、窒化ガリウム、及びｐ形ドーパント、例えばマグネシウム等、を含む。

実施形態によっては、光結合構造はＩＩＩ−Ｖ族材料の種々の組み合わせで形成される。実施形態によっては、光結合構造は、第１層（又はサブレイヤー）、及び第１層に隣接する第２層を含む。一例では、第１層はｕ−ＧａＮを含み、第２層は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含む。別の例では、第１層はＡｌＧａＮを含み、第２層はＡｌＮを含む。光結合層の少なくとも一部はｎ形半導体層で形成されてよい。別の例では、第１層はｎ−ＧａＮで形成され、第２層はｕ−ＧａＮ、ＡｌＧａＮ又はＡｌＮで形成される。場合によっては、光結合層は、第２層に隣接する半導体材料の第３層を含む。一例では、第３層は、ＡｌＧａＮ又はＡｌＮ等のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む。

発光素子は、光結合層に隣接する第１電極、及び基板に隣接する第２電極を含む。第１電極は、チタン、アルミニウム、ニッケル、白金、金、銀、ロジウム、銅、及びクロムのうちの１つ以上を含んでよい。第２電極は、アルミニウム、チタン、クロム、白金、ニッケル、金、ロジウム及び銀のうちの１つ以上を含んでよい。場合によっては、第２電極は、白金、ニッケル、銀、ロジウム及び金のうちの１つ以上で形成される。

第１電極は、場合によっては、光結合層の一部を覆う。第１電極の形状及び分布は、第１電極による、発光素子から発出する光の妨害を最小限に抑えるように選択されてよい。

実施形態によっては、光結合層は、粗面化された層である。粗面化された層は、場合によっては、突起を有する。実施形態によっては、光結合層は、約１０ナノメートル（ｎｍ）〜３マイクロメートル（「ミクロン」）、又は約１００ｎｍ〜２ミクロン、又は約２００ｎｍ〜１．５ミクロンである波形を有する。他の実施形態では、光結合層は、約１０ｎｍ以上、又は約５０ｎｍ以上、又は約１００ｎｍ以上、又は約２００ｎｍ以上、又は約３００ｎｍ以上、又は約４００ｎｍ以上、又は約５００ｎｍ以上、又は約１０００ｎｍ以上である波形（又は粗さ）を有する。

実施形態によっては、光結合層は、約１０ナノメートル（ｎｍ）〜３マイクロメートル（「ミクロン」）、又は約１００ｎｍ〜２ミクロン、又は約２００ｎｍ〜１．５ミクロンのサイズ（例えば、高さ）を有する突起を有する。他の実施形態では、光結合層は、約１０ｎｍ以上、又は約５０ｎｍ以上、又は約１００ｎｍ以上、又は約２００ｎｍ以上、又は約３００ｎｍ以上、又は約４００ｎｍ以上、又は約５００ｎｍ以上、又は約１０００ｎｍ以上のサイズを有する突起を有する。

場合によっては、光結合層は、光結合層の表面に配置される１つ以上の光結合部分を含む。実施形態によっては、光結合部分は突起である。状況によっては、光結合部分は散乱性の光透過材料で形成される。実施形態によっては、光結合部分の個々の部分は、３次元円錐又は角、あるいは２次元幾何断面を有する線等、２次元状又は３次元状であってよい。場合によっては、個々の光結合部分が、活性層から離れる方向に向いた軸に沿って減少する幅を有する。一実施形態では、個々の光結合部分は三角形断面を有する。別の実施形態では、個々の光結合部分はピラミッド形又は実質的にピラミッド形である。他の場合では、個々の光結合部分が、活性層から離れる方向に向いた軸に沿って実質的に一定の幅を有する。一実施形態では、個々の光結合部分は、正方形又は矩形である断面を有する。一例では、個々の光結合部分は棒状である。光結合層の表面における波形は、第１媒質からの光の第２媒質への結合を最適化するように選択されてよい。第１媒質は発光素子の内部にあってよく、第２媒質は発光素子の外部にあってよい。

光結合層の波形、又は表面粗さは、走査トンネル顕微鏡法（ＳＴＭ：scanning tunneling microscopy）、原子間力顕微鏡法（ＡＦＭ：atomic force microscopy）、又はラマン分光法等の種々の表面散乱法等の、種々の表面分光ツールを用いて測定されてよい。波形は、光結合層の部分の高さ（例えば、底部−頂部間距離）に対応してよい。一実施形態では、光結合層は、約１０ｎｍ〜３ミクロン、又は約１００ｎｍ〜２ミクロン、又は約２００ｎｍ〜１．５ミクロンの厚さを有する。

実施形態によっては、基板は、シリコン、ゲルマニウム、酸化珪素、二酸化珪素、酸化チタン、二酸化チタン及びサファイア、窒化ガリウム、炭化珪素、アルミナ、窒化アルミニウム、銅、タングステン、モリブデンのうちの１つ以上、並びにそれらの結合体を含む。特定の実装では、基板は、例えばｎ形又はｐ形シリコン等のシリコンである。

状況によっては、発光素子は、基板とｐ形半導体層との間に光反射体を更に含む。光反射体は、銀、白金、金、ニッケル、アルミニウム、ロジウム及びインジウムのうちの１つ以上で形成されてよい。

実施形態によっては、活性層は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体を有する活性材料を含む。場合によっては、活性材料は、多重量子井戸（ＭＱＷ）材料等の量子井戸活性材料である。一実施形態では、活性層は、交互になった井戸層（又はサブレイヤー）並びにバリア（又はクラッド）層を含む。一例では、活性層は、窒化インジウムガリウム及び／又は窒化インジウムアルミニウムガリウムで形成される井戸層を含む。このような場合には、バリア層は窒化ガリウムで形成されてよい。別の例では、活性層は、窒化アルミニウムガリウムで形成される井戸層を含む。このような場合には、バリア層は窒化アルミニウム又は窒化ガリウムで形成されてよい。活性層の活性材料は、２つ以上の元素において、組成的に傾斜していてもよい（本明細書において「傾斜した」とも言う）。一例では、活性層は、傾斜した窒化インジウムガリウム、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ、ただし、‘ｘ’は０〜１の数、及びＧａＮで形成されるバリア（又はクラッド）層を含む。このような層の組成は活性層の第１の側から第２の側へと変化してよい。状況によっては、井戸層がアクセプタ材料を含み、かつ／又はバリア層がドナー材料を含む。実施形態によっては、バリア材料は、窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム及び窒化アルミニウムのうちの１つ以上を含み、井戸材料は、窒化インジウムガリウム、窒化インジウムアルミニウムガリウムのうちの１つ以上を含む。

代わりとして、活性層はＡｌＧａＩｎＰで形成される。場合によっては、ＡｌＧａＩｎＰ含有量子井戸活性層が、ＡｌＧａＩｎＰで形成される１層以上の井戸層、及びＡｌＩｎＰで形成される１層以上のバリア層を含む。

図２は、本発明の一実施形態による発光素子２００を示す。素子２００は、垂直に積層されるＬＥＤ等の、発光ダイオード（ＬＥＤ）であってよい。素子２００は、底部から上部へと、下電極２０５、基板２１０、光反射層２１５、ｐ形半導体層２２０、活性層２２５、ｎ形半導体層２３０、光結合層２３５、及び上電極２４０を含む。素子２００内の矢印は、電極２０５及び２４０の間の電流の流れの方向を示している。

活性層２２５は、井戸層及びバリア層を有する量子井戸活性層、あるいは複数の井戸層及びバリア層を有する多重量子井戸活性層であってよい。一例では、活性層２２５は、交互になったＧａＮバリア層並びに窒化インジウムガリウム又は窒化アルミニウムインジウムガリウム井戸層で形成される。活性層２２５は、活性層２２５内における電子と正孔の再結合時に光を発生するように構成される。

光結合層２３５は、素子２００内で発生され、ｎ形半導体層２３０から発出する光を、素子２００の外部の環境、又は光結合層２３５の上方の別の層に結合するように構成される。一実施形態では、光結合層２３５は、第１屈折率を有するｎ形半導体層２３０から、第１屈折率よりも低い第２屈折率を有する材料又は環境への光の透過を促進する。

光反射層２１５は、活性層２２５内で発生された光を光結合層２３５に向けて反射するように構成された材料で形成される。光反射層２１５の助けにより、活性層２２５内で最初に発生され、基板２１０に向かう方向をもった光は、光反射層２１５によって活性層２２５及び光結合層２３５に向けて反射される。場合によっては、光反射層２１５は反射性のｐ形電極で形成される。他の場合では、光反射層は、銀、プラチナ、金、ニッケル、アルミニウム、ロジウム及びインジウムのうちの１つ以上で形成される。状況によっては、光反射層２１５は全方向性の反射体である。

素子２００は１層以上の追加の層を含んでよい。例えば、素子２００は、活性層２２５内におけるＶ字形状ピット（又はＶ字状欠陥）の形成を促進するように構成されるｎ形半導体層２３０と活性層２２５との間のピット発生層を含んでよい。一実施形態では、素子２００は、ｐ形半導体層２２０内における電子−正孔再結合を最小限に抑えるように構成される、ｐ形半導体層２２０と活性層２２５との間の電子ブロッキング層を含む。

状況によっては、ｎ形半導体層２３０は、ｎ形窒化ガリウム等の、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体で形成される。場合によっては、ｐ形半導体層２２０は、ｐ形窒化ガリウム等の、ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体で形成される。一例では、ｎ形半導体層２３０は珪素を用いてｎ形にドープされる。別の例では、ｐ形半導体層２２０はマグネシウムを用いてｐ形にドープされる。

実施形態によっては、光結合層２３５は１つ以上の半導体材料で形成される。状況によっては、光結合層２３５はバッファ層材料で形成される。光結合層２３５は、第１の種類のＩＩＩ−Ｖ族半導体と第２の種類のＩＩＩ−Ｖ族半導体との間等、第１の種類の半導体材料と第２の種類の半導体材料との間で組成的に傾斜していてよい。代替的に、光結合層２３５は、組成的に傾斜していない１層以上の不連続的な層を含む。

状況によっては、光結合層（又は構造）２３５は、一般的に化学式Ｍ１_ｘＭ２_１−ｘＣ_ｙの材料を有する複数のサブレイヤー（又は層）を含む。ただし、‘Ｍ１’及び‘Ｍ２’はＩＩＩ族材料であり、‘Ｃ’はＶ族材料である。場合によっては、光結合層２３５は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ、ただし‘ｘ’は０〜１の数、から選択される複数の層を含む。例えば、光結合層２３５は、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ及びｕ−ＧａＮから選択される１層以上の層を含んでよい。一例では、光結合層２３５は、ｕ−ＧａＮ層（すなわち、ｕ−ＧａＮを有する層）、及びＡｌＧａＮ層（すなわち、ＡｌＧａＮを有する層）を含む。別の例では、光結合層２３５は、ｕ−ＧａＮ層、ＡｌＧａＮ層、及びＡｌＮ層（すなわち、ＡｌＮを有する層）を含む。別の例では、光結合層２３５は、ｎ−ＧａＮ層、ＡｌＧａＮ層及びＡｌＮ層を含む。別の例では、光結合層２３５は、ｎ−ＧａＮ層及びＡｌＧａＮ層を含む。光結合層２３５はＡｌＮ層を含んでもよい。別の例では、光結合層２３５は、ｕ−ＧａＮ層及びＡｌＧａＮ層を含む。光結合層２３５はＡｌＮ層を含んでもよい。ｕ−ＧａＮ層は、場合によっては、任意追加のものである。

場合によっては、光結合層２３５はｕ形半導体材料で形成される。一実施形態では、光結合層２３５は、ｕ形窒化ガリウム（ｕ−ＧａＮ）等の、ｕ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体で形成される。光結合層２３５は、ｕ形半導体材料の上方の、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料（例えば、ＡｌＧａＮ）等の、半導体材料層を含んでよい。実施形態によっては、光結合層２３５は、ｎ形半導体材料（例えば、ｎ−ＧａＮ）の層、及びｕ形半導体材料の層を含む。ｎ形半導体材料の層はｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層２３０の一部から形成されてよい。

状況によっては、光結合層２３５はアルミニウム含有ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料（例えば、ＡｌＧａＮ）で形成される。状況によっては、光結合層２３５はＩＩＩ−Ｖ族半導体の追加の層を含む。一例では、光結合層はＡｌＧａＮの層及びＡｌＮの層を含む。ＡｌＧａＮの層はｎ形半導体層２３０に隣接して配置される。実施形態によっては、光結合層２３５は、ｎ形半導体材料の層、並びにＡｌＧａＮ層及び／又はＡｌＮ層等の、ｎ形半導体材料の層に隣接する１層以上のアルミニウム含有層を含む。ｎ形半導体材料の層は、場合によっては、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層２３０の一部から形成されてよい。光結合層２３５は、ｎ形半導体層２３０と１層以上のアルミニウム含有層との間の、ｕ−ＧａＮ等の、ｕ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体の層を含んでよい。

下電極２０５は基板２１０に隣接して形成される。下電極２０５は基板及び光反射層２１５を通じてｐ形半導体層２２０と電気的に導通している。状況によっては、素子２００は下電極２０５と基板２１０との間に１層以上の追加の層を含む。

上電極２４０は光結合層２３５に隣接して形成される。上電極２４０はｎ形半導体層２３０と電気的に導通している。実施形態によっては、上電極２４０はｎ形半導体層２３０と接触する。接触は、場合によっては、オーミック接触である。状況によっては、素子２００は上電極２４０とｎ形半導体層２３０との間に１層以上の追加の層を含む。

代替的に、ｐ形半導体層２２０とｎ形半導体層２３０は逆にされる。すなわち、光結合層２３５がｐ形半導体層に隣接し、ｎ形半導体層が基板２１０と活性層２２５との間に配置される。

図３は、本発明の一実施形態による発光素子３００を示す。素子３００は、底部から上部へと、半導体層３０５、光結合層（又は構造）３１０及び電極３１５を含む。場合によっては、電極３１５は光結合層３１０のせいぜい一部を覆う。一実施形態では、半導体層３０５はｎ形半導体で形成される。別の実施形態では、半導体層３０５はｐ形半導体で形成される。場合によっては、半導体層３０５はｎ形又はｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体で形成される。一例では、半導体層３０５はｎ−ＧａＮで形成される。

図示の実施形態では、光結合層３１０は、第１層（又はサブレイヤー）３２０、第１層３２０に隣接する第２層（又はサブレイヤー）３２５、及び第２層３２５に隣接する第３層（又はサブレイヤー）３３０を含む。第１層３２０は半導体材料で形成される。状況によっては、第１層はｎ形又はｐ形半導体材料で形成される。第１層はＩＩＩ−Ｖ族半導体で形成されてよい。一実施形態では、第１層３２０は半導体層３０５の一部で形成される。一例として、第１層はｎ−ＧａＮで形成される。別の例として、第１層３２０はｕ形ＧａＮ（「ｕ−ＧａＮ」）で形成される。別の例として、第１層３２０はｐ−ＧａＮで形成される。別の例として、第１層３２０はＡｌＧａＮ又はＡｌＮで形成される。

第２層３２５は半導体材料で形成される。状況によっては、第２層３２５はＩＩＩ−Ｖ族半導体で形成される。一実施形態では、第２層３２５は、ｕ形ＧａＮ、窒化アルミニウムガリウム又は窒化アルミニウム等の、窒化ガリウムで形成される。第３層３３０はＩＩＩ−Ｖ族半導体等の半導体材料で形成されてよい。状況によっては、第３層３３０は、窒化ガリウム（例えば、ｕ−ＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム又は窒化アルミニウムで形成される。

電極３１５は１つ以上の元素金属で形成される。実施形態によっては、電極３１５は、チタン、アルミニウム、ニッケル、白金、金、銀、ロジウム、銅及びクロムのうちの１つ以上で形成される。

実施形態によっては、第１層３２０は第１の種類のＩＩＩ−Ｖ族半導体で形成され、第２層３２５は第２の種類のＩＩＩ−Ｖ族半導体で形成され、第３層３３０は第３の種類のＩＩＩ−Ｖ族半導体で形成される。

一例では、第１層３２０はｕ−ＧａＮで形成され、第２層３２５はＡｌＧａＮで形成され、第３層３３０はＡｌＮで形成される。別の例として、第１層３２０はｎ−ＧａＮ（例えば、珪素ドープＧａＮ）で形成され、第２層３２５はｕ−ＧａＮで形成され、第３層３３０はＡｌＧａＮで形成される。このような構成は、半導体層３０５が珪素ドープＧａＮ等のｎ−ＧａＮで形成される場合に用いられてよい。別の例として、第１層３２０はｎ−ＧａＮで形成され、第２層３２５はＡｌＧａＮで形成され、第３層３３０はＡｌＮで形成される。別の例として、第１層３２０はｎ−ＧａＮで形成され、第２層３２５はｕ−ＧａＮ、ＡｌＧａＮ及びＡｌＮのうちの１つで形成され、第３層３３０はｕ−ＧａＮ、ＡｌＧａＮ及びＡｌＮのうちの他のもので形成される。

状況によっては、光結合層３１０は、素子３００を形成するために用いられるバッファ層材料で形成される。バッファ層材料は、場合によっては、ｎ−ＧａＮ、ｕ−ＧａＮ、ＡｌＧａＮ及びＡｌＮのうちの１つ以上等の、１つ以上のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む。光結合層３１０は、先行する処理作業（下記参照）からバッファ層を粗面化することによって形成されてよい。

他の実施形態では、光結合層３１０は１層又は２層の層で形成される。このような場合には、光結合層３１０の他の層（単数または複数）は除外される。例えば、光結合層３１０はｕ−ＧａＮ、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層を含み、その他の層は含まない。別の例として、光結合層３１０は、ｕ−ＧａＮ層並びにＡｌＧａＮ（又はＡｌＮ）層で形成されてよい。別の例として、光結合層３１０は、ｎ−ＧａＮ層並びにｕ−ＧａＮ、ＡｌＧａＮ又はＡｌＮ層で形成されてよい。別の例として、光結合層３１０はＡｌＧａＮ層及びＡｌＮ層で形成されてよい。

特定の実装では、第１層３２０はｎ−ＧａＮで形成され、第２層３２５はＡｌＧａＮで形成され、第３層３３０はＡｌＮで形成される。光結合層３１０は、このような場合には、第１層３２０と第２層３２５との間にｕ−ＧａＮ層を任意追加的に含んでよい。場合によっては、第３層３３０は除外されてよく、その場合には、光結合層３１０は２層の層で形成される。

光結合層３１０は、２次元状又は３次元状である光結合部分３３５を有する。場合によっては、光結合部分３３５は突起である。状況によっては、光結合部分３３５は、三角形断面を有する（例えば、紙面内に向かう）線である。代替的に、光結合部分３３５は正方形又は矩形断面を有してもよい。他の状況では、光結合部分３３５は３次元状である。このような場合には、光結合部分３３５は円錐状又はピラミッド形であってよい。代替的に、光結合部分３３５は棒状であってもよい。

実施形態によっては、素子３００は１層以上の追加の層を含む。一例では、素子３００は、半導体層３０５の下側の活性層、及び活性層の下側の別の半導体層３０５を含む。活性層は、活性層内における電子と正孔の再結合時に光を発生するように構成される。活性層内で発生された光の一部は光結合層３１０に向けて導かれ、光結合層３１０は光を種々の角度で散乱し、その少なくとも一部は素子３００の外へ導かれてよい。したがって、光結合層３１０は、素子３００によって発生される光のうち、素子の外へ導かれる割合を増加させてよい。

実施形態によっては、光結合層３１０は、約１０ｎｍ〜３ミクロン、又は約１００ｎｍ〜２ミクロン、又は約２００ｎｍ〜１．５ミクロンの波形を有する。波形は、図３において「Ｄ」によって示されているように、個々の部分の最高点と個々の部分の最下点との間の距離に対応する。電極３１５は、Ｄよりも大きい高さ（Ｈ）を有する。他の場合では、電極３１５は、Ｄ以下である高さを有する。場合によっては、Ｈは、約１マイクロメートル（「ミクロン」）、又は２ミクロン、又は３ミクロン、又は４ミクロン、又は５ミクロン以上である。

実施形態によっては、光結合層３１０は、第１屈折率を有する第１媒質からの光を、第２屈折率を有する第２媒質に結合する。一実施形態では、光結合層３１０（光結合部分３３５を含む）は、半導体層３０５等の、素子３００の内部の媒質からの光を、（例えば、素子３００の外部等の）光結合層３１０の上側の媒質に結合する。

実施形態によっては、光結合部分３３５は実質的に一定の形状を有する。他の実施形態では、光結合部分３３５はふぞろいな形状を有する。例えば、第１の光結合部分が、第１の光結合部分に隣接する第２の光結合部分とは異なる高さ及び／又は幅を有してよい。

場合によっては、発光素子がシリコン基板の上方にＩＩＩ−Ｖ族半導体を含む。図４は、一実施形態による、底部から上部へと、コンタクト層４０５、基板４１０、反射層４１５、ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層４２０、活性層４２５、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層４３０、光結合層４３５、及び電極４４０を有する発光素子４００を示す。光結合層４３５はｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層４３０の材料の一部を含む。しかし、場合によっては、光結合層４３５はｎ形半導体層４３０の材料の一部を含まない。電極４４０は光結合層４３５の一部の上方に形成され、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層４３０と接触する。

基板４１０は、シリコン、ゲルマニウム、酸化珪素、二酸化珪素、酸化チタン、二酸化チタン、サファイア又は炭化珪素で形成されてよい。場合によっては、基板４１０は、シリコン、ゲルマニウム、又はその他の半導体、セラミック（例えば、Ａｌ２０３、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム）材料、あるいは金属（例えば、モリブデン、タングステン、銅、アルミニウム）で形成される。

反射層４１５は、光を反射するように構成された材料で形成される。一実施形態では、反射層４１５は銀で形成される。

ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層４２０は、場合によっては、ｐ形ＧａＮで形成される。一実施形態では、マグネシウムを用いてｐ形ドーピングが達成される。ただし、所望の素子性能を達成するために必要に応じて他のｐ形ドーパントが用いられてもよい。ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層４２０は、約１０ナノメートル（ｎｍ）〜１０００ｎｍ、又は約５０ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有する。

活性層４２５は量子井戸活性層であってよい。実施形態によっては、活性層４２５は、複数の交互になった井戸層及びバリア層を含む多重量子井戸活性層である。状況によっては、活性層４２５は、ＧａＮバリア層、並びに窒化アルミニウムインジウムガリウム又は窒化インジウムガリウム井戸層を含む。

実施形態によっては、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層４３０はｎ形ＧａＮで形成される。一実施形態では、珪素を用いてｎ形ドーピングが達成される。ただし、所望の素子性能を達成するために必要に応じて他のｎ形ドーパントが用いられてもよい。ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層４３０は、約５００ｎｍ〜５マイクロメートル（「ミクロン」）、又は約１ミクロン〜３ミクロンの厚さを有する。場合によっては、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層４３０は、約５ミクロン未満、又は約４ミクロン未満、又は約３ミクロン未満、又は約２ミクロン未満、又は約１ミクロン未満の厚さを有する。

実施形態によっては、光結合層４３５は、約１０ｎｍ〜３ミクロン、又は約１００ｎｍ〜２ミクロン、又は約２００ｎｍ〜１．５ミクロンの波形を有する。波形は、所望の素子性能を達成するように選択されてよい。

コンタクト層４０５は基板４１０と電気的に導通している。場合によっては、コンタクト層４０５は基板４１０とオーミック接触している。電極４４０はｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と電気的に導通している。場合によっては、電極４４０はｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層とオーミック接触している。

光結合層４３５は、図示のように、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体の第１層、及び窒化アルミニウムガリウム又は窒化アルミニウムの第２層で形成される。状況によっては、第２層はＡｌＧａＮを含み、光結合層４３５はＡｌＮの第３層を含む。場合によっては、光結合層４３５は第１層と第２層との間にｕ−ＧａＮ層を含む。

［光結合層の形成方法］
本発明の別の態様では、光結合層（又は構造）の形成方法が提供される。本明細書において提供される方法は、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の発光素子用の光結合素子の形成に用いられてよい。特定の実装では、本明細書において提供される方法は、シリコン基板上にＩＩＩ−Ｖ族半導体を有するＬＥＤ用の光結合層の形成に用いられる。

実施形態によっては、発光素子形成方法が、反応チャンバ内に基板を設けることと、基板上に１層以上の素子層を形成することとを含む。状況によっては、発光素子は、最終製品の発光素子内に含まれることになる基板上に形成される。他の状況では、基板は支持体基板であり、基板上に形成された素子構造のスタックは、最終製品内に含まれることになる別の基板に移されることになる。このような場合の支持体基板は最終製品内には含まれないことになる。実施形態によっては、基板は、シリコン、ゲルマニウム、酸化珪素、二酸化珪素、酸化チタン、二酸化チタン、サファイア、炭化珪素（ＳｉＣ）、セラミック材料（例えば、アルミナ、ＡｌＮ）及び金属材料（例えば、モリブデン、タングステン、銅、アルミニウム）のうちの１つ以上を含む。特定の実装では、基板はｎ形シリコン等のシリコンである。

反応チャンバは、薄膜形成用に構成された真空チャンバであってよい。場合によっては、真空チャンバは超高真空（ＵＨＶ：ultrahigh vacuum）チャンバである。低圧力環境が望まれる場合には、反応チャンバは、ターボ分子（「ターボ」）ポンプ、拡散ポンプ及びメカニカルポンプのうちの１つ以上等の、１つ以上の真空ポンプを有するポンプシステムを用いて排気されてよい。反応チャンバは、前駆体流量、基板温度、チャンバ圧力、及びチャンバの排気を調整するための制御システムを含んでよい。

成長条件は、発光素子を形成するための１つ以上のプロセスパラメータの選択に基づいて調節可能である。実施形態によっては、成長条件は、成長温度、キャリアガス流量、前駆体流量、成長速度及び成長圧力のうちの１つ以上から選択される。

本明細書において説明されている方法には種々の原料ガス（又は前駆体）が用いられてよい。ガリウム前駆体は、トリメチルガリウム（ＴＭＧ：trimethylgallium）、トリエチルガリウム、塩化ジエチルガリウム及び水素化配位ガリウム化合物（例えば、水素化ジメチルガリウム）のうちの１つ以上を含んでよい。アルミニウム前駆体は、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡＬ：tri-isobutyl aluminum）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ：trimethyl aluminum）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡ：triethyl aluminum）、及び水素化ジメチルアルミニウム（ＤＭＡＨ：dimethylaluminum hydride）のうちの１つ以上を含んでよい。インジウム前駆体は、トリメチルインジウム（ＴＭＩ：trimethyl indium）及びトリエチルインジウム（ＴＥＩ：triethyl indium）のうちの１つ以上を含んでよい。窒素前駆体は、アンモニア（ＮＨ_３）、窒素（Ｎ_２）、及びアンモニア及び／又はＮ_２のプラズマ励起化学種のうちの１つ以上を含んでよい。ｐ形ドーパント前駆体は、いくつかの例を挙げれば、ホウ素前駆体（例えば、Ｂ_２Ｈ_６）、マグネシウム前駆体（例えば、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム）、アルミニウム前駆体から選択されてよい。ｎ形前駆体は、いくつかの例を挙げれば、珪素前駆体（例えば、ＳｉＨ_４）、ゲルマニウム前駆体（例えば、テトラメチルゲルマニウム、テトラエチルゲルマニウム、四塩化ジメチルアミノゲルマニウム、イソブチルゲルマン）及びリン前駆体（例えば、ＰＨ_３）から選択されてよい。

場合によっては、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ_２及びＨ_２のうちの１つ以上等のキャリアガスを用いて反応チャンバに１つ以上の前駆体が提供される。一実施形態では、活性層の形成の間のキャリアガスの流量は約１リットル／分〜２０リットル／分である。

図５は、本発明のいくつかの実施形態による発光素子形成方法５００を示す。場合によっては、第１基板は、シリコン、ゲルマニウム、酸化珪素、二酸化珪素、酸化チタン、二酸化チタン、サファイア、炭化珪素（ＳｉＣ）、セラミック材料（例えば、アルミナ、ＡｌＮ）及び金属材料（例えば、モリブデン、タングステン、銅、アルミニウム）から選択される。

第１の作業５０５では、反応チャンバ内に入れた第１基板において、第１基板に隣接してバッファ層が形成される。バッファ層は、反応チャンバ内にバッファ層の１つ以上の前駆体を誘導し、基板を１つ以上の前駆体にさらすことによって形成される。実施形態によっては、バッファ層はＩＩＩ−Ｖ族半導体材料で形成される。状況によっては、バッファ層は、ＡｌＧａＮ層及びＡｌＮ層を有し、ＡｌＮ層が第１基板に直接隣接するスタックで形成される。

このような場合には、ＡｌＮ層は、反応チャンバ内にアルミニウム前駆体及び窒素前駆体を誘導することによって形成され、ＡｌＧａＮ層は、反応チャンバ内にアルミニウム前駆体、ガリウム前駆体及び窒素前駆体を誘導することによって形成される。アルミニウム前駆体はＴＭＡであってよく、ガリウム前駆体はＴＭＧであってよく、窒素前駆体はＮＨ３であってよい。場合によっては、バッファ層は、ＡｌＧａＮ層に隣接するｕ−ＧａＮ層を含む。ｕ−ＧａＮ層は、反応チャンバ内にガリウム前駆体及び窒素前駆体を誘導することによって形成されてよい。

次に、作業５１０では、バッファ層に隣接してｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層が形成される。ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層は、ＩＩＩ族前駆体、Ｖ族前駆体、及びｎ形ドーパントの前駆体を反応チャンバ内に誘導することによって形成される。一例では、ｎ−ＧａＮを含むｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層において、ｎ−ＧａＮ層は、ガリウム前駆体、窒素前駆体、及びｎ形ドーパントの前駆体を反応チャンバ内に誘導することによって形成される。ｎ形ドーパントが珪素である場合には、ｎ形ドーパントの前駆体はシラン（ＳｉＨ４）であってよい。

次に、作業５１５では、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層に隣接して活性層が形成される。実施形態によっては、活性層は、多重量子井戸（ＭＱＷ）材料等の、量子井戸材料を含む。活性層は、１層以上のバリア層と交互になった１層以上の井戸層を形成することによって形成される。一例では、活性層は、ＧａＮ（又はＡｌＮ）バリア層、並びに及び窒化インジウムガリウム又は窒化アルミニウムインジウムガリウム井戸層を含む。このような場合には、活性層は、反応チャンバ内に、バリア層を形成するために、ガリウム（又はアルミニウム）前駆体及び窒素前駆体を誘導し、その後、井戸層を形成するために、インジウム前駆体、ガリウム前駆体及び窒素前駆体（及び、窒化アルミニウムインジウムガリウム井戸層が所望される場合には、アルミニウム前駆体）を反応チャンバ内に誘導することによって形成される。このような作業が、所定の数のバリア層及び井戸層スタック（又は周期）を有する活性層を形成するために、所望に応じて繰り返されてよい。一例では、作業は、少なくとも１周期、又は少なくとも１０周期、又は少なくとも２０周期、又は少なくとも５０周期、又は少なくとも１００周期を有する活性層が形成されるまで繰り返される。

次に、作業５２０では、活性層に隣接してｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層が形成される。ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層は、ＩＩＩ族前駆体、Ｖ族前駆体、及びｐ形ドーパントの前駆体を反応チャンバ内に誘導することによって形成される。一例では、ｐ−ＧａＮを含むｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層において、ｐ−ＧａＮ層は、ガリウム前駆体、窒素前駆体及びｐ形ドーパントの前駆体（例えば、マグネシウムドーパントのためにはビスシクロペンタジエニルマグネシウム）を反応チャンバ内に誘導することによって形成される。場合によっては、ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層の形成に続き、ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層上に反射性材料（例えば、Ａｇ）の層が形成される。その後、反射性材料の層の上方に保護金属層が形成されてよい。場合によっては、保護金属層は、白金、ニッケル、チタン、タングステン及び金のうちの１つ以上を含む。保護金属層は、物理気相成長（例えば、マグネトロンスパッタ）等の、種々の堆積技法を用いて形成されてよい。

次に、作業５２５では、ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層に隣接して第２基板が設けられる。場合によっては、第２基板は、シリコン、ゲルマニウム、酸化珪素、二酸化珪素、酸化チタン、二酸化チタン、サファイア、炭化珪素（ＳｉＣ）、セラミック材料（例えば、アルミナ、ＡｌＮ）及び金属材料（例えば、モリブデン、タングステン、銅、アルミニウム）から選択される。状況によっては、第２基板は、第２基板をｐ形ＩＩＩ−Ｖ族層と接触させることによって、ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族層に隣接して設けられる。他の場合では、第２基板はその上に、未完成発光ダイオード（すなわち、第１基板の上方にｐ形ＩＩＩ−Ｖ族層を含む素子スタック）への第２基板の接合を助けるための金属材料の層が形成される。一実施形態では、金属材料は、例えば、銀−錫−銅合金又は金−錫合金（例えば、８０％金、２０％錫）等の、インジウム、銅、銀、金および錫から選択される１つ以上の金属を含む。金属材料の層は、物理気相成長（例えば、マグネトロンスパッタ、蒸発堆積）等の、種々の堆積技法を用いて形成されてよい。次に、作業５３０では、バッファ層を露出させるために、第１基板が除去される。

次に、作業５３５では、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層に隣接する光結合層を形成するために、バッファ層が粗面化される。実施形態によっては、バッファ層は、エッチングプロセス（例えば、ウェットエッチング）を用いるなどして、バッファ層をエッチングすることによって粗面化される。一例では、バッファ層は、水溶液で提供されてよい、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）及び／又は水酸化カリウム（ＫＯＨ）を用いてエッチングされる。他の実施形態では、バッファ層は、バッファ層をスパッタすること（例えば、イオンビームスパッタ）によって粗面化される。一例では、バッファ層は、バッファ層をアルゴン（Ａｒ）イオンでスパッタすることによって粗面化される。

粗面化プロセスは、光結合層を少なくとも部分的に画定する、粗面化されたバッファ層を提供するために、光結合層の材料を除去する。場合によっては、ｕ−ＧａＮ、ＡｌＧａＮ及びＡｌＮで形成されたバッファ層において、粗面化プロセスはＡｌＮ層を全て除去し、ｕ−ＧａＮ層の上方のＡｌＧａＮ層を全て又は一部残す。他の場合では、粗面化プロセスはＡｌＮ層及びＡｌＧａＮ層を除去するが、ｕ−ＧａＮ層の少なくとも一部を残す。バッファ層がｕ−ＧａＮを含まない場合には、粗面化プロセスは、ＡｌＧａＮ及びＡｌＮを有する粗面化されたバッファ層を提供するために、ＡｌＮを一部又は全て除去する。

粗面化プロセスはｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層を粗面化してもよい。このような場合には、光結合層は、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層の粗面化部分を含む。

次に、作業５４０では、光結合層の一部の上方に電極が設けられる。一実施形態では、電極は、スパッタリング等の物理的堆積技法を用いて形成される。電極はｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と電気的に導通している。一例では、電極はｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と電気的に接触している。

場合によっては、粗面化プロセスはｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層の少なくとも一部を粗面化する。実施形態によっては、光結合層は、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層の粗面化部分を含む。

方法５００の作業のうちの１つ以上の間、基板は、発光素子の形成を促進するために加熱される。一例では、活性層の形成（作業５１５）の間、基板は約７５０℃〜８５０℃の温度に加熱される。

状況によっては、種々の素子層形成の間、基板（又は基板の上方の層）はＩＩＩ族前駆体及びＶ族前駆体に同時にさらされる。他の状況では、種々の素子層形成の間、基板はＩＩＩ族前駆体及びＶ族に交互にさらされる−例えば、ＩＩＩ族前駆体、それに続き、パージ又は排気作業を間にはさみ、Ｖ族前駆体。一般的に、素子層を形成するために複数の前駆体が必要とされる場合には、前駆体は反応チャンバ内に同時に誘導されるか又は交互に連続して誘導されてよい。

素子層は種々の堆積技法を用いて形成されてよい。実施形態によっては、素子層は、化学気相成長（ＣＶＤ：chemical vapor deposition）、原子層堆積（ＡＬＤ：atomic layer deposition）、プラズマ促進ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ：plasma enhanced CVD）、プラズマ促進ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ：plasma enhanced ALD）、有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ：metal organic CVD）、ホットワイヤＣＶＤ（ＨＷＣＶＤ：hot wire CVD）、イニシエートＣＶＤ（ｉＣＶＤ：initiated CVD）、改良ＣＶＤ（ＭＣＶＤ：modified CVD）、気相軸付け法（ＶＡＤ：vapor axial deposition）、外部気相成長（ＯＶＤ：outside vapor deposition）、及び物理気相成長（例えば、スパッタ堆積、蒸発堆積）を用いて形成される。

本明細書において提供される方法及び構造は、例えば窒化ガリウム等のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を有する発光素子との関連で説明されているが、このような方法及び構造は他の種類の半導体材料に適用されてもよい。本明細書において提供される方法及び構造は、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、ヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）、ヒ化リン化ガリウム（ＧａＡｓＰ）、リン化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＰ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、リン化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＰ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、及び窒化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＮ）で少なくとも一部形成される発光素子に利用されてよい。

［発光素子形成のために構成されるシステム］
本発明の別の態様では、発光素子形成システムが、基板を保持するための反応チャンバと、この反応チャンバと流体結合し、反応チャンバをパージ又は排気するように構成されるポンプシステムと、発光素子形成方法を実装する機械可読コードを実行するためのプロセッサを有するコンピュータシステムと、を含む。コードは、本明細書において提供される方法のいずれを実装してもよい。一実施形態では、コードは、反応チャンバ内に、１つ以上のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む光結合層が上に配置される基板を提供することと、光結合層の一部の上に、光トランスミッタに隣接するｎ形半導体層及びｐ形半導体層のうちの一方と電気的に導通している電極を形成することと、を含む方法を実装する。別の実施形態では、コードは、反応チャンバ内に、バッファ層を有する基板を提供することと、光結合層を形成するためにバッファ層を粗面化することと、を含む方法を実装する。

図６は、本発明の一実施形態による発光素子形成システム６００を示す。システム６００は、発光素子を形成するために用いられる基板を保持するように構成されるサセプタ（又は基板ホルダ）６１０を有する反応チャンバ６０５を含む。システムは、第１前駆体貯蔵容器（又はタンク）６１５と、第２前駆体貯蔵容器６２０と、キャリアガス貯蔵タンク６２５と、を含む。第１前駆体貯蔵容器６１５はＩＩＩ族前駆体（例えば、ＴＭＧ）を保持するためのものであってよく、第２前駆体貯蔵容器６２０はＶ族前駆体（例えば、ＮＨ３）を保持するためのものであってよい。キャリア貯蔵タンク６２５はキャリアガス（例えば、Ｈ_２）を保持するためのものである。システム６００は、追加の前駆体及びキャリアガスを保持するためのもの等の、他の貯蔵タンク又は容器を含んでよい。システム６００は、貯蔵容器と反応チャンバ６０５との間に、反応チャンバ６０５を貯蔵容器のそれぞれから流体的に絶縁するための弁を含む。

システム６００は、反応チャンバ６０５に真空を提供するための真空システム６３０を更に含む。真空システム６３０は反応チャンバ６０５と流体連通している。場合によっては、真空システム６３０は、仕切り弁等の弁を用いて反応空間６０５（the reaction pace 605）から絶縁されるように構成される。

システム６００のコントローラ（又は制御システム）６３５は、発光素子の１つ以上の層の形成等の、反応チャンバ６０５内における発光素子の形成方法を促進する。コントローラ６３５は、第１前駆体貯蔵容器６１５、第２前駆体貯蔵容器６２０、キャリアガス貯蔵タンク６２５及び真空システム６３０のそれぞれの弁に通信可能に接続されている。コントローラ６３５は、サセプタ及びそのサセプタ上の基板の温度を調整するためにサセプタ６１０に操作可能に接続されるとともに、反応チャンバ６０５内の圧力を調整するために真空システム６３０に操作可能に接続されている。

状況によっては、真空システム６３０は、ターボ分子（「ターボ」）ポンプ、拡散ポンプ及びメカニカルポンプのうちの１つ以上等の、１つ以上の真空ポンプを含む。ポンプは１つ以上の補助ポンプを含んでよい。例えば、ターボポンプがメカニカルポンプによって補助されてよい。

実施形態によっては、コントローラ６３５は、基板温度、前駆体流量、成長速度、キャリアガス流量及び反応チャンバ圧力等の、１つ以上のプロセスパラメータを調整するように構成される。コントローラ６３５は、場合によっては、貯蔵容器と反応チャンバ６０５との間の弁と通信する。これは反応チャンバ６０５への前駆体の流れの停止（又は調整）を助ける。コントローラ６３５は、本明細書において提供される方法を実装するように構成される機械実行可能コードの実行を助けるように構成されるプロセッサを含む。機械実行可能コードは、フラッシュメモリ、ハードディスク等の物理的記憶媒体、又はコンピュータ実行可能コードを格納するように構成される他の物理的記憶媒体上に格納される。

実施形態によっては、コントローラ６３５は、１つ以上の処理パラメータを調整するように構成される。状況によっては、コントローラ６３５は、成長温度、キャリアガス流量、前駆体流量、成長速度及び／又は成長圧力を調整する。

文脈上明白に他の意味に解釈すべき場合を除いて、明細書及び特許請求の範囲全体を通じて、単数又は複数を用いた語はそれぞれ複数又は単数も含む。加えて、語「本明細書において」、「以下に」、「上記の」、「下記の」、及び同様の意味の語は、本出願を全体として指しており、本出願のいずれかの特定の部分を指すものではない。語「又は」が２つ以上の項目のリストに関して用いられる場合、その語は以下の語の解釈のすべて（リストの中の項目のいずれか、リストの中の項目のすべて及びリストの中の項目のあらゆる組み合わせ）を範囲に含む。

特定の実装が示され、説明されているが、種々の修正がそれらになされてよく、本明細書において企図されていることを上記のことから理解されたい。本発明は、本明細書内で提供される特定の例によって限定されるように意図されてもいない。本発明は上述の明細書に関連して説明されているが、本明細書における本発明の実施形態の説明及び図表は、限定の意味で解釈されるように意図されるものではない。更に、本発明の態様はすべて、様々な条件及び変数に依存する本明細書において説明されている特定の描写、構成又は相対比率に限定されるものではないことを理解されたい。本発明の実施形態の形状および細部の種々の修正が当業者には明らかであろう。したがって、本発明はこのような修正物、変形物及び同等物もすべて範囲に含むことが企図されている。

Claims (12)

1. 基板と、
   前記基板上に位置し、銀を含む光反射層と、
   前記光反射層上に位置するｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と、
   前記ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層上に位置する活性層と、
   前記活性層上に位置するｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と、
   前記ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層上に位置する複数の光結合突起構造であって、そのそれぞれが、前記ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層側から、前記ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層の一部からなる第１層、及びアンドープ窒化ガリウムからなる第２層、を含むとともに、前記第１層及び前記第２層が当該それぞれの光結合突起構造の側面から露出する、複数の光結合突起構造と、
   前記複数の光結合突起構造の一部の上に、前記複数の光結合突起構造の高さよりも厚く、前記複数の光結合突起構造の一部のうちの互いに隣する２つの光結合突起構造の間を埋め込んで構成され、当該互いに隣する２つの前記光結合突起構造のそれぞれの側面で前記第１層及び前記第２層に接触して設けられ、前記ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と電気的に接続された金属電極と、
   を備え、
   前記光結合突起形状は、前記活性層から前記ｎ形ＩＩＩ-Ｖ族半導体層に向かう方向において、その幅が狭くなる形状を有する、発光素子。
2. 前記光結合突起構造は、１００ナノメートル以上、２マイクロメートル以下の厚さを有する請求項１記載の発光素子。
3. 前記第１層は、ｎ形窒化ガリウムを含む請求項１または２に記載の発光素子。
4. 前記第１層は、窒化アルミニウムガリウムを含む請求項１または２に記載の発光素子。
5. 前記第１層は、窒化アルミニウムを含む請求項１または２に記載の発光素子。
6. 前記光結合突起構造は、第３層を更に含み、
   前記第２層は、前記第１層と前記第３層との間に位置する請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光素子。
7. 前記第３層は、窒化アルミニウムガリウム又は窒化アルミニウムを含む請求項６記載の発光素子。
8. 前記光結合突起形状は、円錐またはピラミッド形状である請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光素子。
9. 前記光結合突起形状は、三角形断面を有する請求項１〜７のいずれか１つの記載の発光素子。
10. 第１の基板上にアンドープ窒化ガリウム層を含むバッファ層を形成する工程と、
    前記バッファ層上にｎ形窒化ガリウム層を形成する工程と、
    前記ｎ形窒化ガリウム層上に活性層を形成する工程と、
    前記活性層上にｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層を形成する工程と、
    前記ｐ形ＩＩＩ−Ｖ族半導体層上に銀を含む光反射層を形成する工程と、
    前記光反射層上に第２の基板を形成する工程と、
    前記第１の基板を除去し、前記バッファ層を露出させる工程と、
    前記バッファ層及び前記ｎ形窒化ガリウム層の一部をウェットエッチング法により粗面化し、それぞれが前記活性層から前記ｎ形窒化ガリウム層に向かう方向において、その幅が狭くなる形状を有し、それぞれが、前記ｎ形窒化ガリウム層の一部からなる第１層及び前記アンドープ窒化ガリウム層からなる第２層を含む複数の光結合突起構造であって、前記第１層及び前記第２層が当該それぞれの光結合突起構造の側面から露出する、複数の光結合突起構造を形成する工程と、
    前記複数の光結合突起構造の一部の上に、前記複数の光結合突起構造の高さよりも厚く、前記複数の光結合突起構造の一部のうち互いに隣する２つの光結合突起構造の間を埋め込んで、当該互いに隣する２つの光結合突起構造のそれぞれの側面で前記第１層及び前記第２層に接触し、前記ｎ形窒化ガリウム層と電気的に接続された金属電極を形成する工程と、
    を備える、発光素子の製造方法。
11. 前記バッファ層は、前記第１の基板と前記アンドープ窒化ガリウム層との間に第３層を更に含み、
    前記複数の光結合突起構造のそれぞれは、前記第３層を含んで形成される、請求項１０記載の発光素子の製造方法。
12. 前記第３層は、窒化アルミニウムガリウム又は窒化アルミニウムを含む請求項１１記載の発光素子の製造方法。

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