JP6039246B2 - 駆動装置、ｏｌｅｄパネル及びｏｌｅｄパネルの駆動方法 - Google Patents

Description

本発明は、駆動装置、ＯＬＥＤパネル及びＯＬＥＤパネルの駆動方法に関する。

ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、有機発光ダイオード）を用いるディスプレイは、新進のフラットパネルディスプレイであり、製造が簡単で、コストが低く、反応の速度が速く、カラー表示及び大きいスクリーンの表示を実現しやすく、ワット損が低く、集積回路駆動装置とよくマッチでき、発光の輝度が高くて、作業温度の範囲が広く、体積が軽薄であり、フレキシブル表示を容易に実現できるなどのメリットを有するので、応用の見通しが広い。

ＯＬＥＤは、駆動方式によって、パッシブ・マトリクス駆動（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＰＭＯＬＥＤ）及びアクティブ・マトリックス駆動（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＡＭＯＬＥＤ）がある。パッシブ・マトリクス駆動は、製造が簡単で、コストが低いが、クロストークがあり、ワット損が高くて、寿命が低い等の欠点があるので、高い解像度及び大きいサイズの表示の要求を満たせない。これに対して、アクティブ・マトリックス駆動は、パネルに薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）を設けることで、画素ユニットを１つのフレームの時間内にずっと発光させるので、駆動電流が小さくなり、ワット損が低くなり、寿命が長くなり、解像度が高くてグレースケールが複数ある大きいサイズの表示を実現できる。

ところが、ＴＦＴに閾値電圧がある。この閾値電圧のドリフトによってＯＬＥＤの輝度が不均一になる。この問題を解決するため、様々な画素補償回路が提案され、これらの画素補償回路は、その駆動信号によって電圧駆動型画素回路アレイ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍｅｄ Ｐｉｘｅｌ Ｃｉｒｃｕｉｔ、ＶＰＰＣ）及び電流駆動型画素回路アレイ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｒｏｇｒａｍｍｅｄ Ｐｉｘｅｌ Ｃｉｒｃｕｉｔ、ＣＰＰＣ）に分ける。その中では、ＣＰＰＣは、ＴＦＴの閾値電圧、キャリア移動度及び温度の影響をよく補償することができる。それに、ＯＬＥＤは電流型装置であり、発光輝度がＯＬＥＤを流れる電流と正比例をなすので、電流駆動でＯＬＥＤの輝度をより精確に制御できる。

図１は従来技術に係る電流ミラー型電流駆動画素ユニットの構造を示し、図２は図１に示す回路の制御シーケンス図である。Ａ２とＡ４を交互に導通させ、Ａ１でＯＬＥＤを駆動する。この構造によって、画素回路アレイにおいて、素子のパラメータ及び温度等による出力電流の変化がよく補償されるが、スイッチングトランジスタＡ２とＡ４に生じる寄生容量及び信号ラインとの間に交差の容量があることが重要な問題になる。電流駆動型回路は、この交差の電気容量によって、グレースケールが低くて電流が小さい場合に、電流が安定になる時間が長くなる。これによって、大面積、高解像度のディスプレイにおいて、電流駆動型画素ユニットが応用されることが抑制される。

本発明実施形態は、駆動装置、ＯＬＥＤパネル及びＯＬＥＤパネルの駆動方法を提供し、安定で速いデータ電流を提供することで、電流駆動型画素回路の駆動及びＴＦＴの閾値電圧に対する補償を図る。

駆動装置は、受信したクロック信号によって電圧信号を選択するスイッチングモジュールと、受信した電圧信号を電流信号に転換する転換モジュールと、画素回路アレイを駆動するように電圧信号または転換後の電流信号を出力する出力モジュールと、を備え、
前記スイッチングモジュールの出力端は前記転換モジュールの入力端及び前記出力モジュールの入力端に接続され、前記転換モジュールの出力端は前記出力モジュールの入力端に接続される。

ＯＬＥＤパネルは、基板及び前記基板上に形成される画素回路アレイとを備え、前記駆動装置もさらに備える。

ＯＬＥＤパネルの駆動方法は、
クロック信号発生モジュールはスイッチングモジュールに第一のレベル信号を入力する工程と、
出力モジュールは、受信したデータ電圧信号を画素回路アレイに送信する工程と、
クロック信号発生モジュールはスイッチングモジュールに第二のレベル信号を入力する工程と、
転換モジュールは、受信したデータ電圧信号をデータ電流信号に転換する工程と、
出力モジュールはＯＬＥＤを駆動するように前記データ電流信号を画素回路アレイに送信する工程と、を備える。

本発明実施形態に係る駆動装置は、受信したクロック信号によって電圧信号を選択するスイッチングモジュールと、受信した電圧信号を電流信号に転換する転換モジュールと、画素回路アレイを駆動するように電圧信号または転換後の電流信号を出力する出力モジュールと、を備え、前記スイッチングモジュールは前記転換モジュール及び前記出力モジュールに接続され、前記転換モジュールは前記スイッチングモジュール及び前記出力モジュールに接続される。本発明実施形態は、スイッチングモジュールで電圧信号を選択し、まず電圧信号を出力し、電圧信号でデータラインにおける寄生容量を快速に充放電し、そして、電流信号を出力する。これによって、寄生容量が電流信号に与える影響が低下され、出力電流を安定にすることがより速くなり、画素回路アレイを安定に駆動することに有利である。それとともに、電流駆動型回路は、ＴＦＴの閾値電圧、キャリア移動度及び温度等の要素からの影響をよりよく補償できる。

従来技術に係る駆動画素ユニットの概略図である。 図１に示す駆動画素ユニットの制御シーケンス図である。 本発明実施形態に係る駆動装置の概略ブロック図である。 本発明実施形態に係る駆動装置の詳細ブロック図である。 本発明実施形態に係る駆動装置の具体的な構造を示す図である。 本発明実施形態に係る転換モジュールの詳細ブロック図及び転換モジュールと他のモジュールとの接続図である。 本発明実施形態において転換モジュールが他の方式で実現されるときの駆動装置の詳細の構造を示す図である。 本発明実施形態に係る演算増幅器の原理を示す図である。 本発明実施形態において転換モジュールの他の詳細のブロック図及び転換モジュールと他のモジュールとの接続図である。 本発明実施形態に係るＯＬＥＤパネル駆動方法の概略フローチャートである。 本発明実施形態に係るＯＬＥＤパネル駆動方法の詳細フローチャートである。

本発明実施形態に係る駆動装置は、受信したクロック信号によって電圧信号を選択するスイッチングモジュールと、受信した電圧信号を電流信号に転換する転換モジュールと、画素回路アレイを駆動するよう電圧信号または転換後の電流信号を出力する出力モジュールと、を備え、前記スイッチングモジュールは前記転換モジュール及び前記出力モジュールに接続され、前記転換モジュールは前記スイッチングモジュール及び前記出力モジュールに接続される。本発明実施形態は、スイッチングモジュールによって電圧信号を選択することで、まず、電圧信号を出力し、電圧信号によってデータラインにおける寄生容量を速く充放電し、そして、電流信号を出力する。これによって、寄生容量が電流信号に対する影響が小さくなり、出力電流がより速くて安定状態になり、出力電流の非均一性が低減され、画素回路アレイを安定に駆動することに有利である。それとともに、電流駆動型回路は、ＴＦＴの閾値電圧、キャリア移動度及び温度等の要素の影響をよりよく補償できる。

本発明実施形態に係るＯＬＥＤパネルは、基板、前記基板上に形成される画素回路アレイ、及び駆動装置を備える。前記画素回路アレイの入力端は前記駆動装置の出力端に接続される。即ち、画素回路アレイのデータラインは駆動装置の出力端に接続される。

図３に示すように、本実施形態に係る駆動装置は、スイッチングモジュール３０１、転換モジュール３０２及び出力モジュール３０３を備える。スイッチングモジュール３０１の第一出力端が転換モジュール３０２の入力端に接続され、スイッチングモジュール３０１の第二出力端が出力モジュール３０３の入力端に接続され、転換モジュール３０２の出力端が出力モジュール３０３の入力端に接続される。その中に、本発明実施形態に用いられるトランジスタはいずれもＴＦＴ（薄膜電界効果トランジスタ）であってもよい。

図４に示すように、前記駆動装置は、電圧発生モジュール３０４及びクロック信号発生モジュール３０５をさらに備えてもよい。クロック信号発生モジュール３０５の出力端がスイッチングモジュール３０１の第一の入力端に接続され、電圧発生モジュール３０４の出力端がスイッチングモジュール３０１の第二の入力端に接続される。

図５Ａは本発明実施形態に係る駆動装置の具体的な構造図を示す。本発明実施形態におけるスイッチングモジュール３０１はスイッチング回路であってもよい。スイッチングモジュール３０１は、受信したクロック信号によって電圧信号を選択して出力するものである。スイッチングモジュール３０１は、第一のスイッチングトランジスタ（以下、Ｔ１と略称する）及び第二のスイッチングトランジスタ（以下、Ｔ２と略称する）を備えてもよい。Ｔ１のゲート電極はＴ２のゲート電極に接続され、かつクロック信号発生モジュール３０５に接続される。Ｔ１のソース電極はＴ２のドレイン電極に接続され、かつ電圧発生モジュール３０４に接続される。Ｔ１のドレイン電極は転換モジュール３０２に接続される。Ｔ２のソース電極は出力モジュール３０３に接続される。即ち、出力モジュール３０３を介して画素回路アレイのデータラインに接続される。スイッチングモジュール３０１は、２つの入力端および２つの出力端を有し、その第一の入力端はＴ１のゲート電極をＴ２のゲート電極に接続する一端であり、第二の入力端はＴ１のソース電極をＴ２のドレイン電極に接続する一端であり、第一の出力端はＴ１のドレイン電極端であり、第二の出力端はＴ２のソース電極端である。それにおいて、本発明実施形態では、Ｔ１とＴ２は極性が相反しているＴＦＴである。例えば、Ｔ１がＰ型ＴＦＴであり、Ｔ２がＮ型ＴＦＴであれば、Ｔ１とＴ２が相補型であり、Ｔ１及びＴ２の導通とカットオフは１つの制御信号だけで制御できる。或いは、Ｔ１とＴ２は同じ極性のＴＦＴであってもよい。例えば、ともにＰ型ＴＦＴであり、またはともにＮ型ＴＦＴである。このとき、２つの制御信号でＴ１とＴ２をそれぞれ制御する必要がある。或いは、Ｔ１及びＴ２は、ＴＦＴではなく、ＴＦＴの代わりにトライオードを採用する。然し、電界効果トランジスタは電圧制御装置であり、トライオードは電流制御装置であるので、一般的に、電界効果トランジスタは效果がより優れる。或いは、スイッチングモジュール３０１は、スイッチング選択機能を有する他の回路であってもよい。Ｔ１がＰ型ＴＦＴであり、Ｔ２がＮ型ＴＦＴである場合、まず、クロック信号発生モジュール３０５は高レベル信号を出力する。これによって、Ｔ１がカットオフされ、Ｔ２が導通され、電圧発生モジュール３０４に生じるデータ電圧信号がＴ２及び出力モジュール３０３を介してデータラインまで到達する。データ電圧信号は、データラインにおける寄生容量を速く充放電できる。そして、クロック信号発生モジュール３０５に生じる信号が高レベルから低レベルになり、Ｔ２がカットオフされ、Ｔ１が導通される。このとき、電圧発生モジュール３０４に生じるデータ電圧信号は直接に出力モジュール３０３へ流れるのではなく、Ｔ１を介して転換モジュール３０２へ入る。

転換モジュール３０２は、受信した電圧信号を電流信号に転換して出力するものである。転換モジュール３０２は、第一のトランジスタＭ１、第二のトランジスタＭ２、第三のトランジスタＭ３、第四のトランジスタＭ４、第五のトランジスタＭ５、第六のトランジスタＭ６、第七のトランジスタＭ７、第八のトランジスタＭ８、第九のトランジスタＭ９及び第十のトランジスタＭ１０を備える。それにおいて、Ｍ１のゲート電極がスイッチングモジュール３０１におけるＴ１のドレイン電極に接続される。Ｍ１のドレイン電極がＭ３のドレイン電極、ゲート電極及びＭ４のゲート電極に接続される。Ｍ１のソース電極がＭ６のソース電極、Ｍ９のゲート電極、ドレイン電極及びＭ１０のソース電極に接続され、かつ接地される。Ｍ２のゲート電極、ドレイン電極、Ｍ５のゲート電極、Ｍ４のドレイン電極及びＭ１０のゲート電極が接続される。Ｍ２のソース電極がＭ９のソース電極、Ｍ５のソース電極及びＭ６のゲート電極に接続される。Ｍ３のソース電極がＭ４のソース電極、Ｍ７のソース電極及びＭ８のソース電極に接続され、一定の電位を有する第一の電源ＶＤＤまで接続される。本発明実施形態におけるＶＤＤは、電源を提供する電源ライン出力端であってもよい。Ｍ５のドレイン電極は、Ｍ７のドレイン電極、ゲート電極及びＭ８のゲート電極に接続される。Ｍ６のドレイン電極はＭ８のドレイン電極に接続される。Ｍ１０のドレイン電極がスイッチングモジュール３０１におけるＴ２のソース電極に接続され、かついずれも出力モジュール３０３まで接続される。即ち、いずれも出力モジュール３０３を介して画素回路アレイのデータラインまで接続される。本発明実施形態では、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ５、Ｍ６及びＭ１０は、いずれもＮ型ＴＦＴであり、Ｍ３、Ｍ４、Ｍ７、Ｍ８及びＭ９は、いずれもＰ型ＴＦＴである。Ｍ１〜Ｍ１０は極性が可変であり（然し、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ５、Ｍ６及びＭ１０は極性は同じである必要があり、Ｍ３、Ｍ４、Ｍ７、Ｍ８及びＭ９も極性が同じである必要がある）。回路において、各部品の接続は、ＴＦＴの極性によって変更でき、当業者が従来技術及び本発明の思想によって変更できる。ここで、図面を参照して贅言しない。

その中に、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４は、データ電圧信号からデータ電流信号への転換を実現するカスコードカレントミラー構造を構成する。この構造は、電圧転換機能を有する他の構造であってもよい。

図５Ｂは本発明実施形態における転換モジュール３０２の具体的なブロック図である。前記転換モジュール３０２は、データ電圧入力ユニット３０２１１、閾値電圧補償ユニット３０２２１及びデータ電流出力ユニット３０２３１を備える。データ電圧入力ユニット３０２１１の入力端がスイッチングモジュール３０１の第一の出力端に接続され、データ電圧入力ユニット３０２１１の出力端が閾値電圧補償ユニット３０２２１の入力端に接続される。閾値電圧補償ユニット３０２２１の出力端がデータ電流出力ユニット３０２３１の入力端に接続され、データ電流出力ユニット３０２３１の出力端が出力モジュール３０３の入力端に接続される。

Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４及びＭ９は、受信したデータ電圧信号をデータ電流信号に転換するためのデータ電圧入力ユニット３０２１１を構成する。データ電圧入力ユニット３０２１１は、データ電圧をデータ電流に転換できる他の構造であってもよい。Ｍ５、Ｍ６、Ｍ７及びＭ８は、Ｗ／Ｌ比が異なるＴＦＴを設計することでＴＦＴ閾値電圧を補償する閾値電圧補償ユニット３０２２１を構成する。即ち、閾値電圧補償ユニット３０２２１は、トランジスタの閾値電圧を補償するものである。この構造は、ＴＦＴの閾値電圧を補償できる他の構造であってもよい。Ｍ１０は、転換後のデータ電流信号を出力し、出力モジュール３０３を介して画素回路アレイに接続されて画素回路アレイにデータ電流信号を入力するデータ電流出力ユニット３０２３１を構成する。それにおいて、データ電圧入力ユニット３０２１１は、第一のデータ電圧入力ユニットと称してもよい。

スイッチングモジュール３０１におけるＴ１が導通され、Ｔ２がカットオフされるとき、データ電圧信号Ｖ_Ｄａtａは、Ｍ１のゲート電極を介して転換モジュール３０２に入る。Ｍ３はゲート電極がドレイン電極に接続され、導通されてから常に飽和領域で動作する。それとともに、Ｍ３及びＭ４は、ソース電極電圧とゲート電極電圧がそれぞれ同じである。図５Ａに示すように、Ｍ１は電流がＭ３と同じであり、Ｍ２は電流がＭ４と同じである。ＴＦＴ飽和領域の電流演算公式から、以下の式が得られる。
それにおいて、Ｗ、Ｌ、Ｃ_Ｏｘ、

及びＶ_Ｔhは、それぞれＴＦＴのチャネル長さ、チャネル幅、絶縁層容量、キャリア移動度及び閾値電圧である。ＶＡは図５ＡにおけるＭ５のソース電極の電圧である。Ｖ_outは図５ＡにおけるＭ２のドレイン電極の電圧である。

ＴＦＴを設計して、（Ｗ／Ｌ）_Ｍ２*(Ｗ／Ｌ)_Ｍ４ ＝４(Ｗ／Ｌ)_Ｍ１*(Ｗ／Ｌ)_Ｍ３にして、以下の式が得られる。
それとともに、Ｍ５及びＭ６のＷ／Ｌ比を同じ、即ち、(Ｗ／Ｌ)_Ｍ５=(Ｗ／Ｌ)_Ｍ６のようにすることができ、Ｍ７とＭ８がカスコード接続されるので、Ｍ７とＭ８を流れる電流が同じであり、即ち、

。これで以下の式が得られる。
従って、
これによって、Ｍ１０から出力するデータ電流は、
これで分かるように、Ｍ１０から出力するデータ電流は、駆動装置におけるＴＦＴの閾値電圧に関連せず、ＴＦＴの閾値電圧のドリフトは駆動装置の出力電流を影響しない。これによって、ＴＦＴ閾値電圧が補償される。

転換モジュール３０２によって、データ電圧信号がデータ電流信号に転換される。これによって、電流駆動型画素回路アレイを電圧駆動チップで駆動することができるようになる。電流駆動型画素回路アレイは、高安定性及び高精度のメリットを維持するとともに、対応するソース電極駆動IＣが欠如する技術的難問が解決された。転換モジュール３０２はＴＦＴの閾値電圧を補償できるので、データ電流の安定な出力が実現される。

クロック信号発生モジュール３０５は、前の段階が主にコンスタントデータ電圧信号によって画素回路アレイを駆動し、後の段階がコンスタントデータ電流信号によって画素回路アレイを駆動するように制御する。通常駆動方式と比べて、ＯＬＥＤ発光段階では、両者の駆動モードの效果が同じであるが、駆動段階では、本発明実施形態に係る駆動装置は、駆動電流を速く安定させられ、画素回路アレイを駆動する效果がより優れる。

出力モジュール３０３は、画素回路アレイを駆動するよう電圧信号または転換後の電流信号を出力するものである。具体的には、出力モジュール３０３は、データラインの入力端に接続される導線であってもよい。データラインの出力端が画素回路アレイに接続される。

電圧発生モジュール３０４は、データ電圧信号を生じるものである。
クロック信号発生モジュール３０５はクロック信号を生じるものである。特に、クロック信号発生モジュール３０５は、常に変化しているクロック信号を生じられる。例えば、本発明実施形態におけるクロック信号発生モジュール３０５は、まず、第一のレベル信号、本発明実施形態では、高レベル信号を生じ、そして、第二のレベル信号、本発明実施形態では、低レベル信号を生じる。クロック信号発生モジュール３０５が生じる信号は、駆動装置におけるＴＦＴの極性によって変更できる。

図６Ａは、本発明実施形態において転換モジュール３０２が他の方式で実現するときの駆動装置の詳細構造図である。
転換モジュール３０２は、受信した電圧信号を電流信号に転換する。転換モジュール３０２は、第一の増幅器Ａ１、第二の増幅器Ａ２、第一の抵抗Ｒ１、第二の抵抗Ｒ２、第三の抵抗Ｒ３、第四の抵抗Ｒ４及び第五の抵抗Ｒ５を備える。それにおいて、Ｒ３の一端がスイッチングモジュール３０１におけるＴ１のドレイン電極に接続され、Ｒ３の他端がＲ５の一端に接続してＡ１の第一の入力端（即ち、図６ＡにおけるＤ端）まで接続される。Ｒ１は、一端が接地され、他端がＲ２の一端に接続してＡ１の第二の入力端（即ち、図６ＡにおけるＣ端）まで接続される。Ｒ２の他端がＲ４の一端に接続してＡ１の出力端（即ち、図６ＡにおけるＡ端）まで接続される。Ｒ４の他端がＡ２の第一の入力端（即ち、図６ＡにおけるＶout端）に接続される。Ｒ５の他端がＡ２の出力端（即ち、図６ＡにおけるＢ端）に接続される。Ａ２の第二の入力端（即ち、図６ＡにおけるＥ端）がＡ２の出力端に接続される。Ｖout端が出力モジュール３０３に接続される。それにおいて、Ａ１及びＡ２は、カスコード型演算増幅器であり、４つのＴＦＴ（Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ１３及びＭ１４）からなり、差分回路に類似し、ゼロドリフトを抑制できる。図６Ｂはそれらの原理を示す図である。本発明実施形態では、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は抵抗値がいずれも同じである。

図６Ｃは、本発明実施形態に係る他の転換モジュール３０２を示す具体的なブロック図である。前記転換モジュール３０２は、データ電圧入力ユニット３０２１２、及びネガティブ・フィードバックユニット３０２２２を備える。その中では、Ａ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、受信したデータ電圧信号をデータ電流信号に転換するデータ電圧入力ユニット３０２１２を構成する。データ電圧入力ユニット３０２１２は、電圧転換機能を有する他の構造ユニットであってもよい。Ａ２及びＲ５は、トランジスタの閾値電圧を補償するネガティブ・フィードバックユニット３０２２２を構成する。ネガティブ・フィードバック回路によって、ゲインの不変性を効果的に向上でき、非直線ひずみが減少され、フィードバック・ループ内のノイズが抑制され、帯域が拡大される。ネガティブ・フィードバックユニット３０２２２は、ネガティブ・フィードバック效果を有する他の構造ユニットであってもよい。データ電圧入力ユニット３０２１２の入力端がスイッチングモジュール３０１の第一の出力端に接続され、データ電圧入力ユニット３０２１２の出力端がネガティブ・フィードバックユニット３０２２２の入力端及び出力モジュール３０３の入力端に接続され、ネガティブ・フィードバックユニット３０２２２の出力端がデータ電圧入力ユニット３０２１２の入力端に接続される。その中では、データ電圧入力ユニット３０２１２は、第二のデータ電圧入力ユニットと称してもよい。

スイッチングモジュール３０１において、Ｔ１が導通され、Ｔ２がカットオフされるとき、データ電圧信号はＲ３を介して転換モジュール３０２に入る。電圧発生モジュール３０４に生じるデータ電圧信号Ｖ_ＤＡtＡはＲ３を介してＡ１の第一の入力端に印加される。演算増幅の原理から分かるように、図６Ａにおいて、Ｃ端の電圧及びＤ端の電圧は下式を満たす。
同様の理由で、
電流の保存則により、
Ｒ１=Ｒ２=Ｒ３=Ｒ４=Ｒ５=Ｒので、
従って、
これによって、データ電圧信号がデータ電流信号に転換される。式（１６）から分かるように、出力されたデータ電流信号はＴＦＴの閾値電圧に関連しないので、ＴＦＴ閾値電圧が補償された。

以下、具体的なフローによって駆動画素回路アレイの方法を説明する。
図７に示すように、以下は、本発明実施形態におけるＯＬＥＤパネル駆動の主な方法のフローである。
ステップ７０１、クロック信号発生モジュール３０５がスイッチングモジュール３０１に第一のレベル信号を入力する。本発明実施形態における第一のレベル信号は高レベル信号である。
ステップ７０２、出力モジュール３０３は、受信したデータ電圧信号を画素回路アレイに送信する。図６を組み合わせて見ると、スイッチングモジュール３０１においてＴ１がカットオフされ、Ｔ２が導通され、スイッチングモジュール３０１は、受信したデータ電圧信号を出力モジュール３０３に送信し、そして、出力モジュール３０３は、受信したデータ電圧信号を画素回路アレイに送信する。
ステップ７０３、クロック信号発生モジュール３０５はスイッチングモジュール３０１に第二のレベル信号を入力する。本発明実施形態において、第二のレベル信号が低レベル信号である。
ステップ７０４、転換モジュール３０２は、受信したデータ電圧信号をデータ電流信号に転換する。図６と組み合わせて見ると、スイッチングモジュール３０１においてＴ２がカットオフされ、Ｔ１が導通され、スイッチングモジュール３０１は、受信したデータ電圧信号を転換モジュール３０２に送信し、そして、転換モジュール３０２は、受信したデータ電圧信号をデータ電流信号に転換する。
ステップ７０５、出力モジュール３０３は、ＯＬＥＤを駆動するように前記データ電流信号を画素回路アレイに送信する。転換モジュール３０２は、受信したデータ電圧信号をデータ電流信号に転換した後、得られたデータ電流信号を出力モジュール３０３に送信し、そして、出力モジュール３０３は前記データ電流信号を画素回路アレイに送信して、ＯＬＥＤを駆動する。

以下は、図８を参照して本発明実施形態におけるＯＬＥＤパネル駆動の詳細方法を説明する。
ステップ８０１、クロック信号発生モジュール３０５はスイッチングモジュール３０１に高レベル信号を入力する。ここで、本発明実施形態は図６を組み合わせて詳細に説明する。
ステップ８０２、スイッチングモジュール３０１におけるＴ２は、受信したデータ電圧信号を出力モジュール３０３に送信する。このとき、スイッチングモジュール３０１におけるＴ１がカットオフされる。
ステップ８０３、出力モジュール３０３は、受信したデータ電圧信号を画素回路アレイに送信する。
ステップ８０４、クロック信号発生モジュール３０５に生じる入力信号は高レベルから低レベルになる。
ステップ８０５、スイッチングモジュール３０１におけるＴ１は、受信したデータ電圧信号を転換モジュール３０２に送信する。このとき、スイッチングモジュール３０１におけるＴ２がカットオフされる。
ステップ８０６、転換モジュール３０２は、受信したデータ電圧信号をデータ電流信号に転換する。
ステップ８０７、転換モジュール３０２は、転換されたデータ電流信号を出力モジュール３０３に送信する。
ステップ８０８、出力モジュール３０３は、前記データ電流信号を画素回路アレイに送信する。

本発明実施形態に係る駆動装置は、受信したクロック信号によって電圧信号を選択するスイッチングモジュール３０１と、受信した電圧信号を電流信号に転換する転換モジュール３０２と、画素回路アレイを駆動するように電圧信号または転換後の電流信号を出力する出力モジュール３０３と、を備え、前記スイッチングモジュール３０１が前記転換モジュール３０２及び前記出力モジュール３０３に接続され、前記転換モジュール３０２が前記スイッチングモジュール３０１及び前記出力モジュール３０３に接続される。本発明実施形態は、スイッチングモジュール３０１によって電圧信号を選択し、まず電圧信号を出力し、電圧信号を介してデータラインにおける寄生容量を快速に充放電し、そして、電流信号を出力する。これによって、寄生容量が電流信号に対する影響が低減され、出力電流を安定にすることがより速くなり、画素回路アレイを安定に駆動することに有利である。それとともに、電流駆動型回路は、ＴＦＴの閾値電圧、キャリア移動度及び温度等の要素の影響をよりよく補償でき、回路の安定性が向上された。

本発明実施形態は、スイッチングモジュール３０１を制御することで、まずデータ電圧信号を出力し、データラインの寄生容量を快速に充放電し、データラインの電位を短時間内に予定値に接近させるとともに、寄生容量が電流信号に与える影響を低減させる。そして、スイッチングモジュール３０１の制御によって、データ電圧信号は転換モジュール３０２を介してデータ電圧信号に対応するデータ電流信号に転換され、データ電流信号で画素回路アレイを直接に駆動し、電流駆動型画素回路アレイの駆動速度が速くなる。本発明実施形態は高精度、安定性が高いメリットを有する。本発明実施形態において、データ電圧信号は、従来のＴＦＴ-LＣＤ（薄膜電界効果トランジスタ−液晶ディスプレイ）のデータ電圧発生IＣ（集積回路）から得られるので、従来の電流駆動型画素回路アレイに専用の駆動IＣが欠如する難問が解決された。

本発明を修正する、または一部の技術的特徴を均等的に変更することができると当業者が理解するべきである。この修正や変更によって技術案の内容が本発明主旨と範囲から逸脱するようにならない。

３０１ スイッチングモジュール
３０２ 転換モジュール
３０２１１ データ電圧入力ユニット
３０２２１ しきい値電圧保証ユニット
３０２２２ ネガティブ・フィードバックユニット
３０２３１ データ電流出力ユニット
３０３ 出力モジュール
３０４ 電圧発生モジュール
３０５ クロック発生モジュール

Claims (14)

1. 駆動装置であって、受信したクロック信号によって電圧信号を選択するスイッチングモジュールと、受信した電圧信号を電流信号に転換して出力する転換モジュールと、画素回路アレイを駆動するように電圧信号または転換後の電流信号を出力する出力モジュールと、を備え、
   前記スイッチングモジュールは、第一の出力端が前記転換モジュールの入力端に接続され、第二の出力端が前記出力モジュールの入力端に接続され、前記転換モジュールの出力端は前記出力モジュールの入力端に接続され、
   前記転換モジュールは、受信したデータ電圧信号をデータ電流信号に転換する第一のデータ電圧入力ユニットと、トランジスタのチャネル長さとチャネル幅の比の設計により、前記駆動装置で用いられるトランジスタの閾値電圧を補償する閾値電圧補償ユニットと、転換後のデータ電流信号を出力する第一のデータ電流出力ユニットと、を備え、
   前記第一のデータ電圧入力ユニットは、入力端が前記スイッチングモジュールの第一の出力端に接続され、出力端が前記閾値電圧補償ユニットの入力端に接続され、前記閾値電圧補償ユニットは、出力端が前記第一のデータ電流出力ユニットの入力端に接続され、前記第一のデータ電流出力ユニットは、出力端が前記出力モジュールの入力端に接続されることを特徴とする駆動装置。
2. クロック信号発生モジュール及び電圧発生モジュールをさらに備え、
   前記クロック信号発生モジュールは、出力端が前記スイッチングモジュールの第一の入力端に接続され、クロック信号を生じるものであり、
   前記電圧発生モジュールは、出力端が前記スイッチングモジュールの第二の入力端に接続され、データ電圧信号を生じるものであることを特徴とする請求項１に記載の駆動装置。
3. 前記スイッチングモジュールは、第一のスイッチングトランジスタ及び第二のスイッチングトランジスタを備え、第一のスイッチングトランジスタのゲート電極は、第二のスイッチングトランジスタのゲート電極及び前記クロック信号発生モジュールの出力端に接続され、第一のスイッチングトランジスタのソース電極は、第二のスイッチングトランジスタのドレイン電極及び前記電圧発生モジュールの出力端に接続され、第一のスイッチングトランジスタのドレイン電極は、前記転換モジュールの入力端に接続され、第二のスイッチングトランジスタのソース電極は、前記出力モジュールの入力端に接続されることを特徴とする請求項２に記載の駆動装置。
4. 前記第一のスイッチングトランジスタは極性が第二のスイッチングトランジスタと反対していることを特徴とする請求項３に記載の駆動装置。
5. 前記第一のデータ電圧入力ユニットは、第一のトランジスタ、第二のトランジスタ、第三のトランジスタ、第四のトランジスタ及び第九のトランジスタを備え、前記閾値電圧補償ユニットは、第五のトランジスタ、第六のトランジスタ、第七のトランジスタ及び第八のトランジスタを備え、前記第一のデータ電流出力ユニットは、第十のトランジスタを備え、
   前記第一のトランジスタは、ゲート電極が前記第一のスイッチングトランジスタのドレイン電極に接続され、ドレイン電極が前記第三のトランジスタのドレイン電極、ゲート電極及び前記第四のトランジスタのゲート電極に接続され、ソース電極が前記第六のトランジスタのソース電極、前記第九のトランジスタのゲート電極、ドレイン電極及び前記第十のトランジスタのソース電極に接続され、かつ接地され、前記第二のトランジスタのゲート電極、ドレイン電極、前記第五のトランジスタのゲート電極、前記第四のトランジスタのドレイン電極及び前記第十のトランジスタのゲート電極が接続され、前記第二のトランジスタは、ソース電極が前記第九のトランジスタのソース電極、前記第五のトランジスタのソース電極及び前記第六のトランジスタのゲート電極に接続され、前記第三のトランジスタは、ソース電極が前記第四のトランジスタのソース電極、前記第七のトランジスタのソース電極、前記第八のトランジスタのソース電極及び第一の電源のＶＤＤ端に接続され、前記第五のトランジスタは、ドレイン電極が、前記第七のトランジスタのドレイン電極、ゲート電極及び前記第八のトランジスタのゲート電極に接続され、前記第六のトランジスタは、ドレイン電極が前記第八のトランジスタのドレイン電極に接続され、前記第十のトランジスタは、ドレイン電極が前記第二のスイッチングトランジスタのソース電極及び前記出力モジュールに接続されることを特徴とする請求項３に記載の駆動装置。
6. 前記第一のトランジスタ、前記第二のトランジスタ、前記第五のトランジスタ、前記第六のトランジスタ及び前記第十のトランジスタは極性が同じであり、前記第三のトランジスタ、前記第四のトランジスタ、前記第七のトランジスタ、前記第八のトランジスタ及び前記第九のトランジスタは、極性が同じであることを特徴とする請求項５に記載の駆動装置。
7. 前記出力モジュールは導線であり、前記導線の出力端は、前記画素回路アレイにおけるデータラインの入力端に接続されることを特徴とする請求項１に記載の駆動装置。
8. 前記第一のスイッチングトランジスタ及び第二のスイッチングトランジスタは、いずれも薄膜電界効果トランジスタＴＦＴであることを特徴とする請求項３または４に記載の駆動装置。
9. 前記第一のトランジスタ、前記第二のトランジスタ、前記第三のトランジスタ、前記第四のトランジスタ、前記第五のトランジスタ、前記第六のトランジスタ、前記第七のトランジスタ、前記第八のトランジスタ、前記第九のトランジスタ及び前記第十のトランジスタは、いずれも薄膜電界効果トランジスタＴＦＴであることを特徴とする請求項５または６に記載の駆動装置。
10. 基板と、前記基板上に形成される画素回路アレイと、請求項１〜９のいずれか一項に記載の駆動装置と、を備えることを特徴とするＯＬＥＤパネル。
11. 請求項１に記載の駆動装置を使用して行うＯＬＥＤパネルの駆動方法であって、
    クロック信号発生モジュールはスイッチングモジュールに第一のレベル信号を入力する工程と、
    出力モジュールは、受信したデータ電圧信号を画素回路アレイに送信する工程と、
    クロック信号発生モジュールはスイッチングモジュールに第二のレベル信号を入力する工程と、
    転換モジュールは、受信したデータ電圧信号をデータ電流信号に転換する工程と、
    出力モジュールは、ＯＬＥＤを駆動するように前記データ電流信号を画素回路アレイに送信する工程と、を備えることを特徴とするＯＬＥＤパネルの駆動方法。
12. クロック信号発生モジュールが第一のレベル信号を入力した後、
    スイッチングモジュールは、受信したデータ電圧信号を前記出力モジュールに送信する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１１に記載のＯＬＥＤパネルの駆動方法。
13. クロック信号発生モジュールがスイッチングモジュールに第二のレベル信号を入力した後、
    スイッチングモジュールは、受信したデータ電圧信号を前記転換モジュールに送信する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１１に記載のＯＬＥＤパネルの駆動方法。
14. 前記第一のレベル信号は高レベル信号であり、前記第二のレベル信号は低レベル信号であることを特徴とする請求項１１に記載のＯＬＥＤパネルの駆動方法。