JP6037672B2 - バーニッシュ加工方法およびバーニッシュ加工装置 - Google Patents

Description

本発明は、バーニッシュ加工方法およびバーニッシュ加工装置に関するものであり、例えば、ハードディスク装置に用いられる磁気ディスクの表面研磨仕上げを行う際に好適に使用されるバーニッシュ加工方法に関するものである。

ハードディスク装置に用いられる磁気ディスクの記録密度が高められることに伴って、磁気ディスクと、磁気ディスクの磁気記録面上を浮上走行する磁気ヘッドとの距離がますます狭くなってきている。このため、磁気ヘッドの浮上量を低下させることが要求されている。
また、従来から磁気ディスクの製造工程において、磁気ディスクの表面に形成または付着されている微小な塵埃や突起物を除去するバーニッシュ加工（研磨処理）が行われている。バーニッシュ加工を行うことにより、磁気ディスクの表面の平滑性が向上するため、ハードディスク装置における磁気ヘッドの浮上量をより小さくできる。

従来のバーニッシュ加工方法としては、例えば、回転させた磁気ディスクの表面に、コンタクトローラによって研磨テープを押し当てて、研磨テープを磁気ディスクの表面に対して走行させる方法が挙げられる（例えば、特許文献１参照。）。
バーニッシュ加工に用いられる研磨テープは、通常、供給リールと巻取りリールとの間に掛け渡されており、供給リールから順次供給され、巻取りリールに巻き取られる。そして、研磨テープが、供給リール側から巻取りリール側に走行する途中で、研磨テープの砥粒面と反対側の面（裏面）がコンタクトローラにより押圧されて、研磨面が磁気ディスクの表面に押し当てられるようになっている。

バーニッシュ加工に用いられる研磨テープ（バーニッシュテープ）としては、通常ポリエステル製のベースフィルム上に研磨材層を形成してなるテープを使用する。研磨材としては、平均粒子径が０．０５μｍ〜５０μｍ程度の、酸化クロム、α−アルミナ、炭化珪素、非磁性酸化鉄、ダイヤモンド、γ−アルミナ、α，γ−アルミナ、熔融アルミナ、コランダム、人造ダイヤモンド等が用いられる（例えば、特許文献２参照）。

また、特許文献３には、磁気ディスクの表面のバーニッシュ工程において、磁気ディスクの最外周のさらに外側に設けたランプロード上にバーニッシュテープをロードさせた後、磁気ディスクの表面にテープを移動させて加工を行い、その後、ランプロード上でテープをアンロードさせることが記載されている。

特開平１１−２７７３３９号公報 特開平０９−０５４９４３号公報 特開２０１０−２６７３１３号公報

しかしながら、従来の技術では、磁気ヘッドの浮上量を低下させるためにバーニッシュ加工を行うと、磁気ディスクの表面が汚染されてしまうという問題があった。
本発明者の検討によると、バーニッシュ加工後の磁気ディスクでは、表面の汚染物質にアルミナ粒子が含まれていた。そして、汚染物質に含まれるアルミナ粒子は、バーニッシュ加工に用いられる研磨テープの研磨剤層に固着されている砥粒が、バーニッシュ加工の際に脱粒したものであることが明らかとなった。

ここで、バーニッシュ加工を行う際における研磨テープの研磨剤層からの脱粒または破砕された砥粒の発生について、図面を用いて説明する。
図５は、バーニッシュ加工に使用された後の研磨テープの一例を示した拡大断面図である。図５に示す研磨テープは、支持体１２０上に研磨材層１６０が形成されているものである。研磨材層１６０は、図５に示すように砥粒１５０と、砥粒１５０同士を結着するとともに砥粒１５０と支持体１２０とを結着し、研磨剤層１６０に砥粒１５０を固着させる結合剤６０とを有している。

研磨テープを用いてバーニッシュ加工を行うと、研磨テープと磁気ディスクとの接触によって、研磨材層１６０に衝撃が負荷される。この衝撃によって、図５に示すように、研磨材層１６０に固着されていた砥粒１５０が脱粒したり破砕されたり（図５においては破砕された砥粒を符号７０で示す。）して、研磨材層１６０から分離される。このようにして研磨材層１６０から脱粒された砥粒１５０や破砕された砥粒１５０の一部は、磁気ディスク表面に付着されて、磁気ディスクの表面を汚染させる原因となる場合がある。

さらに、発明者の検討によると、研磨テープに固着されている砥粒の脱粒または破砕は、バーニッシュ加工の終了に近い段階で発生する可能性が高いことが分かった。その理由を図６（ａ）〜図６（ｄ）に示すバーニッシュ加工装置を用いて、従来のバーニッシュ加工を行う場合を例に挙げて説明する。図６（ａ）〜図６（ｄ）は、バーニッシュ加工に用いられる従来のバーニッシュ加工装置の断面構造を示した拡大模式図である。

図６（ａ）〜図６（ｄ）に示すバーニッシュ加工装置を用いてバーニッシュ加工を行う場合、まず、図６（ａ）に示すように、磁気ディスク６１をスピンドル６２にチャッキングして、磁気ディスク６１を回転させる。
次いで、図６（ｂ）に示すように、コンタクトローラ６３、６３を用いて、一対の研磨テープ６４、６４を、回転している磁気ディスク６１を両面から挟み込むように配置し、磁気ディスク６１の内周端を含む位置にそれぞれ押し当てて、バーニッシュ加工を開始する。

その後、図６（ｃ）に示すように、一対の研磨テープ６４、６４を、磁気ディスク６１の両側の表面に押し当てながら、磁気ディスク６１の表面に対して磁気ディスク６１の内側（中心側）から外側に向けて、磁気ディスク６１の半径方向に相対的に移動させる。
そして、図６（ｄ）に示すように、一対の研磨テープ６４、６４における磁気ディスク６１の中心側の端部が、磁気ディスク６１の外周端６１ａよりも外側の位置となるまで、研磨テープ６４、６４を磁気ディスク６１に対して相対的に移動させる。このことにより、研磨テープ６４、６４と磁気ディスク６１とが接触されなくなり、バーニッシュ加工が終了される。

発明者の検討によると、一対の研磨テープ６４、６４の幅方向の一部が、磁気ディスク６１の外周端６１ａの表面に押し当てられた状態となっているバーニッシュ加工の終了に近い段階では、研磨テープ６４、６４の幅方向の一部のみが磁気ディスク６１と接触していることになり、研磨テープ６４、６４の幅方向の一部にのみ強い力が負荷されることになる。このため、バーニッシュ加工の終了に近い段階で、研磨テープ６４、６４に固着されている砥粒１５０の脱粒または破砕が発生しやすいことが分かった。

この問題を解決するために、特許文献３に示されるように、磁気ディスクの最外端のさらに外側に板状部材（以後、この板状部材を「外周プレート」と記載する。）を設置することが考えられる。すなわち、磁気ディスクの外周端の表面に、研磨テープの幅方向の一部が押し当てられている時には、磁気ディスクの外周端よりも外側の位置に配置された外周プレートに、磁気ディスクの外周端よりも外側の位置に配置されている研磨テープの一部が押し当てられているものとする。このことにより、研磨テープの幅方向の一部に加わる強い力が緩和され、研磨テープに固着されている砥粒の脱粒または破砕を防止できる。

しかしながら、磁気ディスクの外側に外周プレートを設けても、研磨テープからの砥粒の脱粒や破砕を十分に防ぐことができない場合があり、十分に高い歩留まりが得られないという不都合があった。このため、より一層、磁気ディスク表面の汚染を低下させることが要求されている。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、研磨テープからの砥粒の脱粒や破砕による磁気ディスクの汚染を効果的に抑えつつ、磁気ディスクの表面の平滑性を向上させて、磁気ヘッドの浮上量を低下させることができるバーニッシュ加工方法およびバーニッシュ加工装置を提供することを目的とする。

本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意努力検討した。
その結果、バーニッシュ加工装置に配置されている外周プレートの表面と磁気ディスクの表面との間に段差が形成されている場合、磁気ディスクの外側に外周プレートを設けても、研磨テープからの砥粒の脱粒や破砕を十分に防ぐことができないことが分かった。すなわち、外周プレートの表面と磁気ディスクの表面との間に段差が形成されていると、段差によって研磨テープの表面に強い力が加わるため、研磨テープに固着された砥粒の脱粒または破砕が発生しやすくなる。

そこで、本発明者は、外周プレートの表面と磁気ディスクの表面との間に段差に着目して、検討を重ねた。そして、外周プレートの表面と磁気ディスクの表面との間の段差が、磁気ディスクおよび／または外周プレートをバーニッシュ加工装置に設置する際の位置ずれや、繰り返しバーニッシュ加工を行うことによる外周プレートの位置ずれなどによって、磁気ディスクおよび／または外周プレートがバーニッシュ加工装置の所定の位置に正確に設置されていない場合に発生することが分かった。

また、一般に、バーニッシュ加工は、生産性を確保するために、複数枚の磁気ディスクに対して１枚ずつ連続して行われる。この場合、バーニッシュ加工は、磁気ディスクの枚数分、複数回連続して行われることになる。連続して複数回繰り返し行われるバーニッシュ加工の全てにおいて、磁気ディスクをバーニッシュ加工装置に設置する際の位置ずれが生じにないようにすることは困難である。また、通常、連続して複数回繰り返しバーニッシュ加工を行う場合には、生産性を確保するために、バーニッシュ加工の全てが終了するまで、一旦取り付けた外周プレートを取り外すことはなく、バーニッシュ加工装置に設置したままとする。このため、連続して複数回繰り返し行われるバーニッシュ加工において、バーニッシュ加工を行うことによる外周プレートの摩耗や劣化・変形・支持手段の緩みなどに伴う位置ずれが生じにないようにすることは困難である。

このため、複数枚の磁気ディスクに対して１枚ずつ連続して行う場合には、特に、外周プレートの表面と磁気ディスクの表面との間の段差に起因する研磨テープからの砥粒の脱粒や破砕を防止することは困難であり、歩留まりを容易に向上させることはできないことが分かった。

そこで、本発明者は、外周プレートの表面と磁気ディスクの表面との間の段差を防止するべく検討を重ねた。その結果、磁気ディスクの外周端の外側となる位置に外周プレートが配置されているバーニッシュ加工装置を用いて、磁気ディスクに対してバーニッシュ加工を行う場合、バーニッシュ加工装置に磁気ディスクを支持させた後、バーニッシュ加工を行う前に、外周プレートの表面と磁気ディスクの表面とが同一平面となるようにする位置合わせ工程を行うことで、以下に示すように、研磨テープに固着されている砥粒の脱粒または破砕を防止できることを見出し、本発明を想到した。

すなわち、上記の位置合わせ工程を行った場合、外周プレートの表面と磁気ディスクの表面とが同一平面とされた状態で、バーニッシュ加工が行われる。このため、バーニッシュ加工において磁気ディスクの外周端に研磨テープが押し当てられている時には、磁気ディスクの外周端とともに、磁気ディスクの表面と同一平面とされた外周プレートの表面にも研磨テープが押し当てられることになる。したがって、研磨テープにおける磁気ディスクの外周端に押し当てられている部分と外周プレートに押し当てられている部分とには、略均一な力が負荷されることになり、研磨テープの一部に強い力が加わることによる砥粒の脱粒または破砕を効果的に防止できる。

なお、本発明において「外周プレートの表面と磁気ディスクの表面とが同一平面とされた状態」とは、外周プレートの表面と磁気ディスクの表面との、磁気ディスクの厚み方向の位置のずれが±４５μｍ以下であって、可能な範囲でずれを０に近づけた状態を意味する。

すなわち、本発明は、以下の構成を有する。
（１） 磁気ディスクを回転可能に支持する回転支持手段に、前記磁気ディスクを支持させる基板設置工程と、回転させた前記磁気ディスクの表面に研磨テープを押し当てながら、前記研磨テープを前記磁気ディスクの半径方向に相対的に移動させるバーニッシュ加工工程とを備え、前記基板設置工程と前記バーニッシュ加工工程との間に、前記磁気ディスクの外周端の外側に設置された外周プレートおよび／または前記磁気ディスクの前記磁気ディスクの厚み方向の位置を調整して、前記外周プレートの表面と前記磁気ディスクの表面とが同一平面となるようにする位置合わせ工程を行うことを特徴とするバーニッシュ加工方法。

（２） 前記基板設置工程と前記位置合わせ工程と前記バーニッシュ加工工程とをこの順で複数回繰り返し行うことにより、複数枚の前記磁気ディスクのバーニッシュ加工を１枚ずつ連続して行うことを特徴とする（１）に記載の磁気ディスクのバーニッシュ加工方法。
（３） 前記バーニッシュ加工工程において、前記研磨テープを前記外周プレート上に移動させることにより、前記磁気ディスクと前記研磨テープとを離間させることを特徴とする（１）または（２）に記載のバーニッシュ加工方法。

（４） 磁気ディスクを回転可能に支持する回転支持手段と、前記回転支持手段に支持されている前記磁気ディスクの外周端の外側となる位置に配置された外周プレートと、回転させた前記磁気ディスクの表面に研磨テープを押し当てながら、前記研磨テープを前記磁気ディスクの半径方向に相対的に移動させるテープ移動手段と、前記外周プレートおよび／または前記磁気ディスクの前記磁気ディスクの厚み方向の位置を調整して、前記外周プレートの表面と前記磁気ディスクの表面とが同一平面となるようにする位置合わせ手段とを有することを特徴とするバーニッシュ加工装置。

（５） 前記位置合わせ手段が、前記磁気ディスクを前記回転支持手段に支持させる度に、前記外周プレートおよび／または前記磁気ディスクの前記磁気ディスクの厚み方向の位置を調整するものであることを特徴とする（４）に記載のバーニッシュ加工装置。
（６） 前記位置合わせ手段が、前記外周プレートおよび／または前記磁気ディスクを前記磁気ディスクの厚み方向に±４５μｍの範囲内で移動させて、前記外周プレートの表面と前記磁気ディスクの表面とが同一平面となるようにするものであることを特徴とする（４）または（５）に記載のバーニッシュ加工装置。

（７） 前記外周プレートの表面が、前記磁気ディスクと同じ粗さのガラス、ステンレス、またはセラミックス材料の何れかで形成されたものであることを特徴とする（４）〜（６）のいずれか一項に記載のバーニッシュ加工装置。
（８） 前記外周プレートが、着脱可能に支持されていることを特徴とする（４）〜（７）のいずれか１項に記載のバーニッシュ加工装置。
（９） 前記外周プレートが、前記磁気ディスクの外周端と前記外周プレートとの間の最短距離が１０ｍｍ以下である位置に配置されていることを特徴とする（４）〜（８）のいずれか１項に記載のバーニッシュ加工装置。

（１０） 前記テープ移動手段が、前記研磨テープを介して前記磁気ディスクを両面から挟み込むように対向配置された一対の研磨テープ押圧手段および一対の研磨テープ走行系を有することを特徴とする（４）〜（９）のいずれか１項に記載のバーニッシュ加工装置。

本発明のバーニッシュ加工方法およびバーニッシュ加工装置によれば、研磨テープからの砥粒の脱粒や破砕による磁気ディスクの汚染を抑えつつ、高い歩留まりでバーニッシュ加工でき、磁気ディスクの表面の平滑性を向上させて、磁気ヘッドの浮上量を低下させることができる。

図１は、本発明において使用される研磨テープの一例を示した拡大断面図である。 図２は、本発明において適用される磁気ディスクの一例を示した拡大断面図である。 図３は、本発明のバーニッシュ加工装置の一例を説明するための模式図である。 図４は、図３に示すバーニッシュ加工装置を図３に示すＡの方向から見た拡大横断面模式図である。 図５は、バーニッシュ加工に使用される研磨テープの一例を示した拡大断面図である。 図６（ａ）〜図６（ｄ）は、バーニッシュ加工に用いられる従来のバーニッシュ加工装置の断面構造を示した拡大模式図である。 図７は、磁気記録再生装置の一例を示した概略構成図である。

以下、本発明のバーニッシュ加工方法およびバーニッシュ加工装置について図面を用いて詳細に説明する。
本発明は、磁気記録媒体（磁気ディスク）を製造する際の表面研磨仕上げにおいて用いられるバーニッシュ加工方法およびバーニッシュ加工装置に関する。より詳しくは、磁気ディスクの表面に対して研磨テープを相対的に摺動させることにより、その表面に存在する微小な塵埃や突起物を除去し、磁気ディスクの表面を平滑化する方法に関する。
以下、本発明における被加工物を、単に磁気ディスクという。

本発明においてバーニッシュ加工される磁気ディスクは、面内磁気ディスクや垂直磁気ディスクの製造工程における未完成品であってもよいし、完成品（磁気記録媒体）であってもよい。また、本発明においてバーニッシュ加工される磁気ディスクは、ディスクリートディスクやビットパターンディスクの製造工程における未完成品であってもよいし、完成品（磁気記録媒体）であってもよい。

（研磨テープ）
まず、本発明のバーニッシュ加工方法およびバーニッシュ加工装置において使用する研磨テープについて説明する。
図１は、本発明において使用される研磨テープの一例を示した拡大断面図である。図１に示す研磨テープ１は、研磨面Ｓを磁気ディスクの表面に対して摺動させることにより磁気ディスクを研磨するものである。

図１に示す研磨テープ１は、支持体２上に研磨材層３が形成されているものである。研磨材層３は、図１に示すように砥粒５と、砥粒５同士を結着するとともに砥粒５と支持体２とを結着し、研磨剤層３に砥粒５を固着させる結合剤６とを有している。
支持体２を構成する材料としては、特に限定されず、ポリエチレンテレフタレート等の各種樹脂などが用いられる。

研磨剤層３は、図１に示すように、表面に砥粒５の粒子形状を反映した凹凸を有している。
砥粒５としては、例えば、酸化クロム、α−アルミナ、炭化珪素、非磁性酸化鉄、ダイヤモンド、γ−アルミナ、α，γ−アルミナ、熔融アルミナ、コランダム、人造ダイヤモンド等よりなる粒子が挙げられ、これらを１種または２種以上、適宜組み合わせて用いることもできる。

結合剤６としては、特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂等がいずれも使用可能である。結合剤６として使用される樹脂は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いても構わない。

結合剤６に使用される熱硬化性樹脂としては、例えば、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。
結合剤６に使用される熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）樹脂、ブタジエンスチレン樹脂、ポリブタジエン樹脂、アクリルゴム系ＭＢＳ樹脂等が挙げられる。
結合剤６に使用される感光性樹脂としては、例えば、メタクリル樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。

図１に示す研磨テープ１は、研磨剤層３の表面が液体潤滑層４によって覆われているものであっても良い。液体潤滑層４は、バーニッシュ加工工程において、磁気ディスクの表面と研磨テープ１の表面との間に生ずる剪断力（動摩擦係数）を安定化し、砥粒５の脱落をより一層抑制する効果を有する。

液体潤滑層４に用いられる液体潤滑剤としては、特に限定されないが、パーフルオロポリエーテル構造を有する化合物を含有して入ることが好ましい。研磨剤層３の表面を液体潤滑層４で覆うと、バーニッシュ加工工程で、液体潤滑剤が磁気ディスクに転写される場合がある。パーフルオロポリエーテル構造を有する化合物は、磁気ディスク表面に塗布する潤滑剤として一般的に用いられるものである。したがって、液体潤滑層４がパーフルオロポリエーテル構造を有する化合物である場合、研磨テープ１の液体潤滑剤が磁気ディスクに転写されても問題が生じないという利点がある。

（磁気ディスク）
次に、本発明のバーニッシュ加工方法およびバーニッシュ加工装置が適用される磁気ディスクの一例について、図２を参照しながら説明する。図２は、本発明において適用される磁気ディスクの一例を示した断面図であり、磁気ディスクの一方の主面側を拡大して示した拡大断面図である。
図２に示す磁気ディスク１０は、非磁性基板１１の両面（一方の主面１０ａおよび他方の主面１０ｂ）に、それぞれ軟磁性下地層１２、配向制御層１３、磁性層１４、保護層１５、潤滑剤層１６が順次積層されてなるものである。

＜非磁性基板＞
非磁性基板１１としては、ＡｌまたはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成されたものなどを用いることができる。また、非磁性基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなるものを用いてもよいし、この非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成したものを用いてもよい。

（密着層）
密着層は、非磁性基板１１と密着層上に設けられる軟磁性下地層１２とを接して配置した場合における非磁性基板１１の腐食の進行を防止するものであり、非磁性基板１１と軟磁性下地層１２との間に設けられていることが好ましい。密着層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金など適宜選択できる。密着層の厚みは、密着層を設けることによる効果が十分に得られるように２ｎｍ以上であることが好ましい。
密着層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

＜軟磁性下地層＞
軟磁性下地層１２は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性下地層１２は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング(ＡＦＣ)結合した構造を有していることが好ましい。軟磁性下地層１２がＡＦＣ結合した構造を有していることにより、外部からの磁界に対しての耐性、並びに垂直磁気記録特有の問題であるＷＡＴＥ（Ｗｉｄｅ Ａｒｅａ Ｔａｃｋ Ｅｒａｓｕｒｅ）現象に対しての耐性を高めることができる。

軟磁性下地層１２の膜厚は、１５〜８０ｎｍの範囲であることが好ましく、２０〜５０ｎｍの範囲であることが更に好ましい。軟磁性下地層１２の膜厚が１５ｎｍ未満であると、磁気ヘッドからの磁束を十分に吸収することができず、書き込みが不十分となり、記録再生特性が悪化する恐れがあるため、好ましくない。一方、軟磁性下地層１２の膜厚が８０ｎｍを超えると、生産性が著しく低下するため好ましくない。

第１および第２軟磁性膜は、ＣｏＦｅ合金からなるものであることが好ましい。第１および第２軟磁性膜がＣｏＦｅ合金からなるものである場合、高い飽和磁束密度Ｂｓ（１．４（Ｔ）以上）を実現できる。
また、第１および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、シード層の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性下地層１２は、スパッタリング法により形成できる。

（シード層）
シード層は、その上に設けられた配向制御層１３および磁性層１４の配向や結晶サイズを制御するためのものであり、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分を大きくするとともに、磁性層１４の磁化の方向をより強固に非磁性基板１１と垂直な方向に固定するために設けられている。このため、配向制御層１３の下にはシード層が設けられていることが好ましい。

シード層は、ＮｉＷ合金からなるものであることが好ましい。シード層がＮｉＷ合金からなるものである場合、必要に応じてＮｉＷ合金にＢ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔａなどの他の元素を添加してもよい。
シード層の膜厚は、２〜２０ｎｍの範囲であることが好ましい。シード層の膜厚が２ｎｍ未満であると、シード層を設けたことによる効果が十分に得られない場合がある。一方、シード層の膜厚が２０ｎｍを超えると、結晶サイズが大きくなるために好ましくない。
シード層は、スパッタリング法により形成できる。

＜配向制御層＞
配向制御層１３は、磁性層１４の配向が良好なものとなるように制御するものである。配向制御層１３は、Ｒｕ又はＲｕ合金からなるものであることが好ましい。
配向制御層１３の膜厚は、５〜３０ｎｍの範囲であることが好ましい。配向制御層１３の膜厚を３０ｎｍ以下とすることで、磁気ヘッドと軟磁性下地層１２との間の距離が小さいものとなり、磁気ヘッドからの磁束を急峻にすることができる。また、配向制御層１３の膜厚を５ｎｍ以上とすることで、磁性層１４の配向を良好に制御できる。

配向制御層１３は、１層からなるものであってもよいし、複数層からなるものであってもよい。配向制御層１３が複数層からなるものである場合、全ての配向制御層１３が同じ材料からなるものであってもよいし、少なくとも一部が異なる材料からなるものであってもよい。
配向制御層１３は、スパッタリング法により形成できる。

＜磁性層＞
磁性層１４は、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１４は、ＣｏとＰｔを含むものであり、更にＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒなどを含むものであってもよい。
磁性層１４に含有される酸化物としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２などが挙げられる。

磁性層１４は、１層からなるものであってもよいし、組成の異なる材料からなる複数層からなるものであってもよい。
例えば、磁性層１４が第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造のものであることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えばＣｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏなどの酸化物を用いることが好ましい。その中でも特に、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２などを好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも特に、Ｃｒ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２などを好適に用いることができる。

第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含むことにより、磁性粒子の微細化を促進、又は結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。

第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造のものであることが好ましい。
また、第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造のものであることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。第３磁性層がＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に上記元素を含むものであることにより、磁性粒子の微細化を促進、又は結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性及び熱揺らぎ特性を得ることができる。

磁性層１４の厚みは、５〜２５ｎｍとすることが好ましい。磁性層１４の厚みが上記未満であると、十分な再生出力が得られず、熱揺らぎ特性も低下する。また、磁性層１４の厚さが上記範囲を超えた場合には、磁性層１４中の磁性粒子の肥大化が生じ、記録再生時におけるノイズが増大し、信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）や記録特性（ＯＷ）に代表される記録再生特性が悪化するため好ましくない。

また、磁性層１４が複数層からなるものである場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１４が第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。
磁性層間に非磁性層を適度な厚みで設けることで、個々の膜の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができ、Ｓ／Ｎ比をより向上させることができる。

磁性層の間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ，Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｂの中から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の元素を表す。）などを好適に用いることができる。

また、磁性層の間に設けられる非磁性層としては、酸化物、金属窒化物、又は金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２など、金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴａＮ、ＣｒＮなど、金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣなどをそれぞれ用いることができる。

磁性層の間に設けられる非磁性層の厚みは、０．１〜１ｎｍとすることが好ましい。非磁性層の厚みを上記の範囲とすることで、Ｓ／Ｎ比をより向上させることができる。
非磁性層は、スパッタリング法により形成できる。

また、磁性層１４は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましいが、面内磁気記録であってもよい。
磁性層１４は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法など従来の公知のいかなる方法によって形成してもよいが、通常、スパッタリング法により形成される。

＜保護層＞
保護層１５としては、プラズマＣＶＤ法によって形成されるＣＶＤカーボン、非晶質カーボン、含水素カーボン、含窒素カーボン、含フッ素カーボンなどのカーボン系材料、シリカ、ジルコニア等のセラミック系材料を適宜選択して用いることができる。中でも、硬く緻密なＣＶＤカーボンが、耐久性の面のみならず、経済性、生産性等の面から好適に用いられる。

＜潤滑剤層＞
最上層である潤滑剤層１６の材料としては、重合性不飽和基含有パーフロロポリエーテル化合物の重合物が好適である。重合性不飽和基含有パーフロロポリエーテル化合物としては、例えば、主鎖であるパーフロロポリエーテルの少なくとも一端に、重合性を有する不飽和結合を持つ有機基が結合されてなる化合物等を挙げることができる。

（バーニッシュ加工装置）
次に、本発明のバーニッシュ加工装置の一例について、図３および図４を参照しながら説明する。図３は、本発明のバーニッシュ加工装置の一例を説明するための模式図である。図４は、図３に示すバーニッシュ加工装置を図３に示すＡの方向から見た拡大横断面模式図であり、図３は、図４に示すＢの方向から見た縦断面図である。
図３に示すバーニッシュ加工装置２０は、磁気ディスク１０の回転支持手段２１と、外周プレート７５と、テープ移動手段２２と、位置合わせ手段とを有している。

図３に示すように、回転支持手段２１は、磁気ディスク１０を回転可能に支持するものであり、図示しないスピンドルモータによって回転駆動されるスピンドル２４と、スピンドル２４の中心に取り付けられた磁気ディスク保持機構２５とを有している。磁気ディスク保持機構２５には、磁気ディスク１０が保持されており、磁気ディスク１０の中心が装着されている。磁気ディスク保持機構２５に磁気ディスク１０が保持された状態で、スピンドル２４が回転駆動されると、磁気ディスク１０がスピンドル２４の回転方向および回転数に応じて回転操作される。

なお、回転支持手段２１は、回転している磁気ディスク１０のトラックの走査方向が、第１の研磨テープ１ａの走行方向（図３中矢印Ｒａ方向）および第２の研磨テープ１ｂの走行方向（図３中矢印Ｒｂ方向）と逆方向となる回転方向（図３中矢印ｒ方向）で、磁気ディスク１０を回転操作するように構成されている。

また、図３に示すバーニッシュ加工装置２０は、研磨面Ｓが磁気ディスク１０の一方の主面１０ａと対向するように走行する第１の研磨テープ１ａと、研磨面Ｓが磁気ディスク１０の他方の主面１０ｂと対向するように走行する第２の研磨テープ１ｂとを有している。研磨テープ１ａ、１ｂとしては、図１に示す長尺状の研磨テープ１が用いられている。

外周プレート７５は、図４に示すように、回転支持手段２１に支持されている磁気ディスク１０の外周端１０ｃの外側となる位置に、外周プレート支持手段７８に支持されることよって配置されている。
外周プレート７５は、磁気ディスク１０の外周端１０ｃと外周プレート７５との間の最短距離が、０．２ｍｍ以上となる位置に配置されていることが好ましい。この場合、外周プレート７５と接触させることなく磁気ディスク１０の着脱を容易に効率よく行うことができる。

また、外周プレート７５は、磁気ディスク１０の外周端１０ｃと外周プレート７５との間の最短距離が１０ｍｍ以下となる位置に配置されていることが好ましく、最短距離が５ｍｍ以下となる位置に配置されていることがより好ましく、最も好ましくは最短距離を１ｍｍ以下となる位置に配置する。上記最短距離が１０ｍｍ以下である場合、外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面との位置合わせを高精度で行うことができることと、外周プレート７５と磁気ディスク１０との距離が十分に近いこととによって、磁気ディスク１０の外周端１０ｃに研磨テープ１ａ、１ｂが押し当てられている時に、磁気ディスク１０の外周端１０ｃに押し当てられている部分と外周プレート７５に押し当てられている部分の研磨テープ１ａ、１ｂに負荷される力が、より一層均一となる。したがって、研磨テープ１ａ、１ｂの一部に強い力が加わることによる砥粒の脱粒または破砕をより効果的に防止できる。

また、図３に示すバーニッシュ加工装置２０では、外周プレート７５は、外周プレート支持手段７８によって着脱可能に支持されている。したがって、図３に示すバーニッシュ加工装置２０では、外周プレート７５を必要に応じて交換することができる。

また、外周プレート７５は、表面が、磁気ディスク１０と同じ粗さのガラス、ステンレス、またはセラミックス材料の何れかで形成されたものであることが好ましく、磁気ディスク１０の非磁性基板１１と同じ材料からなるものであることがより好ましい。すなわち、外周プレート７５の表面性状とバーニッシュ加工される磁気ディスク１０の表面性状とは、できるだけ近似していることが好ましい。外周プレート７５と磁気ディスク１０との表面性状が近似しているほど、磁気ディスク１０の外周端１０ｃに研磨テープ１ａ、１ｂが押し当てられている時に、磁気ディスク１０の外周端１０ｃに押し当てられている部分と外周プレート７５に押し当てられている部分の研磨テープ１ａ、１ｂに負荷される力が、均一となり、砥粒の脱粒または破砕を抑制できる。

また、外周プレート７５は、外周プレート７５に押し当てられている部分の研磨テープ１ａ、１ｂに負荷される力を均一なものとし、砥粒の脱粒または破砕をより一層抑制できるように、平坦性の高いものであることが好ましい。

また、図３に示すバーニッシュ加工装置２０では、外周プレート７５は、磁気ディスク１０と同じ厚さを有するものとされている。このことにより、図３に示すバーニッシュ加工装置２０では、磁気ディスク１０の表面および裏面を、外周プレート７５の表面および裏面とそれぞれ同一平面となるように位置合わせすることができる。よって、図３に示すバーニッシュ加工装置２０では、磁気ディスク１０を両面から挟み込むように研磨テープ１ａ、１ｂを対向配置して、研磨テープ１ａ、１ｂからの砥粒の脱粒や破砕による磁気ディスク１０の汚染を抑えつつ、磁気ディスク１０の両面に対して同時に効率よく高い歩留まりでバーニッシュ加工を行うことができる。

また、位置合わせ手段は、外周プレート７５および／または磁気ディスク１０の磁気ディスク１０の厚み方向の位置を調整して、外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面とが同一平面となるようにするものである。
図３に示すバーニッシュ加工装置２０では、外周プレート支持手段７８および回転支持手段２１が、位置合わせ手段を兼ねるものとされている。

すなわち、外周プレート支持手段７８は、外周プレート７５を支持した状態で、外周プレート７５の厚み方向（図４（ａ）に示す矢印Ｃ方向）に移動可能なものとされている。外周プレート支持手段７８は、外周プレート７５を、磁気ディスク１０の厚み方向（図４（ａ）に示す矢印Ｃ方向）に、高速で位置調整するためには±５００μｍ、好ましくは±１００μｍ、最も好ましくは±４５μｍの範囲内で移動させることにより、外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面とが同一平面となるようにするものである。

また、回転支持手段２１は、磁気ディスク１０を支持した状態で、磁気ディスク１０の厚み方向に移動可能なものとしてもよい。回転支持手段２１は、磁気ディスク１０を、磁気ディスク１０の厚み方向に、最も好ましくは±４５μｍの範囲内で移動させることにより、外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面とが同一平面となるようにするものである。

位置合わせ手段である外周プレート支持手段７８および回転支持手段２１は、磁気ディスク１０を回転支持手段２１に支持させる度に、外周プレート７５および／または磁気ディスク１０の磁気ディスク１０の厚み方向の位置を調整するものである。
したがって、複数枚の磁気ディスク１０に対して１枚ずつ連続してバーニッシュ加工を行う場合に、磁気ディスク１０をバーニッシュ加工装置２０に設置する際の位置ずれや、バーニッシュ加工を行うことによる外周プレート７５の摩耗や劣化・変形・支持手段の緩みなどに伴う位置ずれが生じたとしても、位置合わせ手段によって外周プレート７５および／または磁気ディスク１０の磁気ディスク１０の厚み方向の位置を調整することで、外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面との間の段差をなくすことができる。よって、外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面との間の段差に起因する研磨テープ１ａ、１ｂからの砥粒の脱粒や破砕を防止することができ、歩留まりを向上させることができる。

また、外周プレート支持手段７８および回転支持手段２１は、外周プレート７５および／または磁気ディスク１０を磁気ディスク１０の厚み方向に±５００μｍの範囲内、好ましくは±１００μｍの範囲内、最も好ましくは±４５μｍの範囲内で移動可能なものである。なお、外周プレート７５および／または磁気ディスク１０の磁気ディスク１０の厚み方向への移動範囲は、スピンドル２４における磁気ディスク１０のチャッキング精度などに応じて適宜決定できる。

外周プレート支持手段７８および回転支持手段２１が、外周プレート７５および／または磁気ディスク１０を磁気ディスク１０の厚み方向に±４５μｍの範囲内で移動可能なものである場合、外周プレート７５および／または磁気ディスク１０の磁気ディスク１０の厚み方向の位置を合わせる際における外周プレート７５および／または磁気ディスク１０の移動距離が必要以上に長いものとなることがなく、外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面とを同一平面となるようにする位置合わせ工程の時間が十分に短く、高い生産性が得られるものとなる。

しかも、外周プレート支持手段７８および回転支持手段２１が、外周プレート７５および／または磁気ディスク１０を磁気ディスク１０の厚み方向に±４５μｍの範囲内で移動可能なものである場合、磁気ディスク１０および／または外周プレート７５をバーニッシュ加工装置２０に設置する際の位置ずれや、繰り返しバーニッシュ加工を行うことによる外周プレート７５の位置ずれが生じたとしても、位置合わせ手段によって外周プレート７５および／または磁気ディスク１０の磁気ディスク１０の厚み方向の位置を調整することで、外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面との間の段差をなくすことができる。

また、本実施形態のバーニッシュ加工装置２０は、外周プレート７５の厚み方向における外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面との位置関係を計測するための計測手段（不図示）を備えている。計測手段としては、例えば非接触型のレーザー変位計などを用いることが好ましい。
また、位置合わせ手段（回転支持手段２１および外周プレート支持手段７８）は、計測手段による計測結果に基づいて、外周プレート７５または磁気ディスク１０を外周プレート７５の厚み方向に移動させるものであることが好ましい。

さらに、本実施形態においては、計測手段が、磁気ディスク１０を回転支持手段２１に支持させる度に、外周プレート７５の厚み方向における外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面との位置関係を計測するものであって、位置合わせ手段が、磁気ディスク１０を回転支持手段２１に支持させる度に、計測手段による計測結果に基づいて、外周プレート７５または磁気ディスク１０を外周プレート７５の厚み方向に移動させるものであることがより好ましい。

なお、本実施形態においては、回転支持手段２１および外周プレート支持手段７８が、位置合わせ手段を兼ねるものとなっている場合を例に挙げて説明したが、回転支持手段２１および外周プレート支持手段７８が、それぞれ位置合わせ手段とは別に備えられていてもよいし、回転支持手段２１と外周プレート支持手段７８のいずれか一方のみが、位置合わせ手段を兼ねるものとなっていてもよい。
また、位置合わせ手段は、回転支持手段２１および外周プレート支持手段７８のうち一方のみであってもよい。

テープ移動手段２２は、回転させた磁気ディスク１０の両方の表面にそれぞれ研磨テープ１ａ、１ｂを押し当てながら、研磨テープ１ａ、１ｂを磁気ディスク１０の半径方向に相対的に移動させるものである。
図３および図４に示すバーニッシュ加工装置２０では、テープ移動手段２２は、図３に示すように、研磨テープ１ａ、１ｂを介して磁気ディスク１０を両面から挟み込むように対向配置された一対の研磨テープ押圧手段２３ａ、２３ｂおよび一対の研磨テープ走行系２２ａ、２２ｂを有するものである。

すなわち、テープ移動手段２２は、磁気ディスク１０を挟んで一方の側に配設された第１の研磨テープ走行系２２ａおよび第１の研磨テープ押圧手段２３ａと、他方の側に配設された第２の研磨テープ走行系２２ｂおよび第２の研磨テープ押圧手段２３ｂとを有している。
第１の研磨テープ走行系２２ａは、図示しない供給ロールおよび巻取りロールと、供給ロールおよび巻取りロールより下方に配設された第１のガイドロール２６〜第４のガイドロール２９とを有している。

第１のガイドロール２６〜第４のガイドロール２９は、各回転軸が磁気ディスク１０の一方の主面１０ａと略平行に、且つ、回転軸同士が互いに略平行となるように配設されている。そして、第１のガイドロール２６および第２のガイドロール２７は、磁気ディスク１０の一方の主面１０ａとの距離が略等しくなるように配設され、第３のガイドロール２８および第４のガイドロール２９は、第１のガイドロール２６および第２のガイドロール２７よりも磁気ディスク１０から離れた位置で、磁気ディスク１０の一方の主面１０ａからの距離が略等しくなるように配設されている。

このように構成された第１の研磨テープ走行系２２ａでは、供給ロールから長尺状の第１の研磨テープ１ａが順次送り出される。供給ロールから送り出された第１の研磨テープ１ａは、第１のガイドロール２６〜第４のガイドロール２９にガイドされつつ、略コ字状の走行路を辿って走行した後、巻取りロールに巻き取られる。ここで、第１の研磨テープ１ａは、第１のガイドロール２６と第２のガイドロール２７との間を走行する際、その研磨面Ｓが、磁気ディスク１０の一方の主面１０ａと対向した状態となる。

一方、第２の研磨テープ走行系２２ｂは、図示しない供給ロールおよび巻取りロールと、第５のガイドロール３０〜第８のガイドロール３３とを有している。
第５のガイドロール３０〜第８のガイドロール３３は、それぞれ、磁気ディスク１０を挟んで、第１のガイドロール２６〜第４のガイドロール２９と左右対称となるように配設されている。

このように構成された第２の研磨テープ走行系２２ｂでは、供給ロールから長尺状の第２の研磨テープ１ｂが順次送り出される。供給ロールから送り出された第２の研磨テープ１ｂは、第５のガイドロール３０〜第８のガイドロール３３にガイドされつつ、略コ字状の走行路を辿って走行した後、巻取りロールに巻き取られる。ここで、第２の研磨テープ１ｂは、第５のガイドロール３０と第６のガイドロール３１との間を走行する際、その研磨面Ｓが、磁気ディスク１０の他方の主面１０ｂと対向した状態となる。

第１の研磨テープ押圧手段２３ａは、第１のガイドロール２６と第２のガイドロール２７との間を走行する第１の研磨テープ１ａを、磁気ディスク１０の一方の主面１０ａ側に押圧して接触させ（押し当て）ながら、第１の研磨テープ１ａを磁気ディスク１０の半径方向に相対的に移動させるものである。
第２の研磨テープ押圧手段２３ｂは、第５のガイドロール３０と第６のガイドロール３１との間を走行する第２の研磨テープ１ｂを、磁気ディスク１０の他方の主面１０ｂ側に押圧して接触させ（押し当て）ながら、第２の研磨テープ１ｂを磁気ディスク１０の半径方向に相対的に移動させるものである。

本実施形態においては、研磨テープ押圧手段２３ａ、２３ｂが、研磨テープ１ａ、１ｂを磁気ディスク１０の半径方向に移動させることができるものとなっている。したがって、磁気ディスク１０の位置を固定した状態で、研磨テープ押圧手段２３ａ、２３ｂを移動させることにより、研磨テープ１ａ、１ｂを磁気ディスク１０の半径方向に相対的に移動させることができる。

なお、本実施形態においては、磁気ディスク１０の位置を固定した状態で、研磨テープ押圧手段２３ａ、２３ｂを移動させることにより、研磨テープ１ａ、１ｂを磁気ディスク１０の半径方向に相対的に移動させているが、回転支持手段２１として、磁気ディスク１０を移動可能なものを用い、研磨テープ押圧手段２３ａ、２３ｂとともに磁気ディスク１０を移動させることにより、研磨テープ１ａ、１ｂを磁気ディスク１０の半径方向に相対的に移動させるものとしてもよい。

第１の研磨テープ押圧手段２３ａおよび第２の研磨テープ押圧手段２３ｂとしては、研磨テープ１ａ、１ｂと接触する部分が柔軟性を有する材料によって構成されていることが好ましい。これにより、研磨テープ１ａ、１ｂの研磨面Ｓを磁気ディスク１０の表面に密着性よく押し当てることができ、磁気ディスク１０の表面を効率よく研磨することができる。そのような第１の研磨テープ押圧手段２３ａおよび第２の研磨テープ押圧手段２３ｂとしては、例えば、樹脂や織布等よりなるパッドや、ゴムローラ等の押圧部材を研磨テープの裏面に当接させ、研磨テープ１ａ、１ｂを磁気ディスク１０側に押圧するように構成されたもの等が挙げられる。

図３に示すバーニッシュ加工装置２０では、第１の研磨テープ押圧手段２３ａおよび第２の研磨テープ押圧手段２３ｂは、それぞれ、金属ブロック３４、３５と、金属ブロック３４、３５の一側面に取り付けられたパッド３６、３７と、金属ブロック３４、３５を水平方向（磁気ディスクの各主面に対して直交する方向（図３中矢印Ｆ１方向およびＦ２方向）と、磁気ディスクの各主面に対して平行する方向（半径方向）（図４中矢印Ｆ３方向およびＦ４方向）と）に往復移動操作する駆動手段（図示せず）とを有している。

テープ移動手段２２は、研磨テープ１ａ、１ｂを外周プレート７５上に移動させることにより、磁気ディスク１０と研磨テープ１ａ、１ｂとを離間させるものであることが好ましい。
具体的には例えば、テープ移動手段２２は、磁気ディスク１０の中心に近い位置において、研磨テープ１ａ、１ｂを磁気ディスク１０の厚み方向に移動させて磁気ディスク１０の表面への研磨テープ１ａ、１ｂの押し当てを開始し、その後、研磨テープ１ａ、１ｂを磁気ディスク１０の内側から外側に向かって磁気ディスク１０の半径方向に相対的に移動させ、研磨テープ１ａ、１ｂの全体が外周プレート７５上に移動されることにより、磁気ディスク１０と研磨テープ１ａ、１ｂとを離間させ、この段階で、研磨テープ１ａ、１ｂを磁気ディスク１０の厚み方向に移動させて、外周プレート７５の表面への研磨テープ１ａ、１ｂの押し当てを終了するものであることが好ましい。

また、本実施形態において、テープ移動手段２２は、磁気ディスク１０を両面から挟み込むように研磨テープ１ａ、１ｂを対向配置させた状態で、回転させた磁気ディスク１０の表面に研磨テープ１ａ、１ｂを押し当てながら、研磨テープ１ａ、１ｂを磁気ディスク１０の半径方向に相対的に移動させるものとなっている。したがって、回転させた磁気ディスク１０に対して一方の主面１０ａからのみ研磨テープを押し当てながら移動させる場合と比較して、研磨テープから磁気ディスク１０への負荷が緩和されるとともに、安定して研磨テープを移動させることができる。

本実施形態のバーニッシュ加工装置２０では、図３（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、研磨テープに液体潤滑剤を塗布する一対の噴出ノズル４０，４０を設けている。また、噴出ノズル４０の設置場所については、特に限定されるものではなく、バーニッシュ加工装置の空間的な制約によって適宜変更することが可能である。なお、噴出ノズル４０，４０は、必要に応じて設けられるものであり、設けられていなくてもよい。

なお、本発明のバーニッシュ加工装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。
例えば、本発明のバーニッシュ加工装置は、磁気ディスク１０の一方の主面１０ａと他方の主面１０ｂに対して別々にバーニッシュ加工を行うものであってもよい。この場合、磁気ディスク１０の一方の主面１０ａにバーニッシュ加工を行う前と、磁気ディスク１０の他方の主面１０ｂにバーニッシュ加工を行う前に、その都度、位置合わせ手段によって外周プレートおよび／または磁気ディスクの磁気ディスク１０の厚み方向の位置を調整するものとなる。したがって、外周プレートの厚みは、磁気ディスク１０の厚みに関わらず設定できる。

また、本発明のバーニッシュ加工装置では、磁気ディスク１０の一方の主面１０ａ側に配置された研磨テープと他方の主面１０ｂ側に配置された研磨テープとが、磁気ディスク１０を平面視したときに重ならない位置に配置されていてもよい。この場合、外周プレートは、磁気ディスク１０の一方の主面１０ａ側用と他方の主面１０ｂ側用に２つ配置する。２つの外周プレートは、それぞれ研磨テープｂの移動に対応する位置に位置される。したがって、２つの外周プレートは、磁気ディスク１０を平面視したときに重ならない位置に配置される。このため、２つの外周プレートの厚みは、磁気ディスク１０の厚みに関わらず、それぞれ設定できる。

（バーニッシュ加工方法）
次に、本発明のバーニッシュ加工方法について説明する。
本発明のバーニッシュ加工方法は、磁気ディスク１０を回転可能に支持する回転支持手段２１に、磁気ディスク１０を支持させる基板設置工程と、回転させた磁気ディスク１０の表面に研磨テープ１ａ、１ｂの研磨面Ｓ（液体潤滑剤層を設けた場合にはその表面）を押し当てながら、研磨テープ１ａ、１ｂを磁気ディスク１０の半径方向に相対的に移動させるバーニッシュ加工工程とを備え、基板設置工程とバーニッシュ加工工程との間に、磁気ディスク１０の外周端１０ｃの外側に設置された外周プレート７５および／または磁気ディスク１０の磁気ディスク１０の厚み方向の位置を調整して、外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面とが同一平面となるようにする位置合わせ工程を行う方法である。

本実施形態においては、基板設置工程と位置合わせ工程とバーニッシュ加工工程とをこの順で複数回繰り返し行うことにより、複数枚の磁気ディスク１０のバーニッシュ加工を１枚ずつ連続して行う。すなわち、本実施形態のバーニッシュ加工方法では、バーニッシュ加工前の磁気ディスクを回転支持手段２１に支持させた後、位置合わせ工程を行ってからバーニッシュ加工工程を行い、その後、加工後の磁気ディスクを回転支持手段２１から取り外し、新たにバーニッシュ加工前の磁気ディスクを回転支持手段２１に支持させて、位置合わせ工程を行ってからバーニッシュ加工工程を行う。したがって、本実施形態のバーニッシュ加工方法では、磁気ディスク１０を回転支持手段２１に支持させる度に、位置合わせ工程を行う。

基板設置工程では、磁気ディスク１０をスピンドル２４にチャッキングして回転支持手段２１の磁気ディスク保持機構２５に装着し、支持させる。
本実施形態においては、基板設置工程を行う前に、あらかじめ外周プレート７５が外周プレート支持手段７８よって支持されている。外周プレート７５は、磁気ディスク１０を回転支持手段２１に支持させることによって、磁気ディスク１０の外周端１０ｃの外側となる位置に配置されるように、外周プレート支持手段７８よって支持されている。また、外周プレート７５は、回転支持手段２１に支持された磁気ディスク１０の外周端１０ｃと外周プレート７５との間の最短距離が１０ｍｍ以下となる位置に設置されている。

位置合わせ工程は、例えば、磁気ディスク１０を固定して、外周プレート７５を、外周プレート支持手段７８によって外周プレート７５の厚み方向（図４（ａ）に示す矢印Ｃ方向）に移動させることによって行うことができる。
なお、位置合わせ工程では、外周プレート７５を固定して、回転支持手段２１によって磁気ディスク１０のバーニッシュ加工面７６を図４（ａ）に示す矢印Ｃ方向に動かしてもよいし、外周プレート７５とバーニッシュ加工面７６の両方を図４（ａ）に示す矢印Ｃ方向に動かしてもよい。

何れの場合も、外周プレート７５の表面および／または磁気ディスク１０のバーニッシュ加工面７６の表面の位置を、例えば非接触型のレーザー変位計からなる計測手段で計測することにより、外周プレート７５の厚み方向における外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面との位置関係を計測し、その結果に基づいて、外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面とが同一平面となるように位置合わせを行うことが好ましい。
なお、計測手段による外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面との位置関係の計測は、位置合わせ工程前に行ってもよいし、位置合わせ工程後に行ってもよいし、位置合わせ工程前と後に行ってもよい。

また、計測手段による外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面との位置関係の計測を行った結果に基づいて、外周プレート７５を交換する工程を行ってもよい。本実施形態のバーニッシュ加工装置２０では、外周プレート７５が、外周プレート支持手段７８によって着脱可能に支持されているため、容易に外周プレート７５を交換できる。
外周プレート７５を交換する工程は、計測手段による計測結果に基づいて、位置合わせ工程を行っても外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面とが同一平面とならないと判断される場合に行うことが好ましい。

なお、位置合わせ工程を行っても外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面とが同一平面とならない場合とは、位置合わせ手段によって、外周プレート７５および／または磁気ディスク１０が移動可能である範囲を超える場合を意味する。
例えば、本実施形態において、外周プレート支持手段７８および回転支持手段２１が、外周プレート７５および／または磁気ディスク１０を磁気ディスク１０の厚み方向に±４５μｍの範囲内で移動可能なものとされている場合、計測手段によって計測した結果、外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面との外周プレート７５の厚み方向の位置ずれが９０μｍを超える場合に、外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面とが同一平面とならないと判断される。

外周プレート７５を交換する工程を行うことで、例えば、複数枚の磁気ディスク１０のバーニッシュ加工を１枚ずつ連続して行うことにより、外周プレート７５が摩耗や劣化・変形したり、外周プレート支持手段７の緩みが生じたりすることに伴って外周プレート７５の位置が所定の位置から大きくずれてしまった場合であっても、研磨テープ１ａ、１ｂからの砥粒の脱粒や破砕による磁気ディスク１０の汚染を防止できる。
なお、本実施形態において、外周プレート７５を交換する工程を行った後には、再度、計測手段による外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面との位置関係の計測を行ない、その結果に基づいて、位置合わせ工程を行ってからバーニッシュ加工工程を行うことが好ましい。

バーニッシュ加工工程においては、まず、第１の研磨テープ走行系２２ａおよび第２の研磨テープ走行系２２ｂに、それぞれ、第１の研磨テープ１ａおよび第２の研磨テープ１ｂを掛け渡す。
なお、図３（ａ）および図４（ａ）に示すように、このバーニッシュ加工装置２０では、初期状態では、第１の研磨テープ押圧手段２３ａおよび第２の研磨テープ押圧手段２３ｂの各パッド３６、３７が、研磨テープ１ａ、１ｂから離れた位置（待機状態）となっている。

次に、各部の動作をオンにすると、磁気ディスク回動駆動機構２１は、磁気ディスク１０を図中矢印ｒ方向に回転駆動する。また、各供給ロールは、それぞれ、第１の研磨テープ１ａおよび第２の研磨テープ１ｂを順次送り出す。送り出された第１の研磨テープ１ａは、第１のガイドロール２６〜第４のガイドロール２９にガイドされつつ、略コ字状の走行路を辿って走行した後、巻取りロールに巻き取られる。また、送り出された第２の研磨テープ１ｂは、第１のガイドロール３０〜第４のガイドロール３３にガイドされつつ、略コ字状の走行路を辿って走行した後、巻取りロールに巻き取られる。

このとき、第１のガイドロール２６と第２のガイドロール２７との間を走行する第１の研磨テープ１ａは、その研磨面Ｓが、磁気ディスク１０の一方の主面１０ａと対向し、磁気ディスク１０のトラックの走査方向と逆方向に走行する。
また、第５のガイドロール３０と第６のガイドロール３１との間を走行する第２の研磨テープ１ｂは、その研磨面Ｓが、磁気ディスク１０の他方の主面１０ｂと対向し、磁気ディスク１０のトラックの走査方向と逆方向に走行する。

次に、図３（ａ）および図４（ａ）に示すように、第１の研磨テープ押圧手段２３ａは、第１のガイドロール２６と第２のガイドロール２７との間を走行する第１の研磨テープ１ａを、磁気ディスク１０の一方の主面１０ａ側に押圧し、該研磨テープ１ａの研磨面Ｓを接触させる（押し当てる）。また、第２の研磨テープ押圧手段２３ｂは、第５のガイドロール３０と第６のガイドロール３１との間を走行する第２の研磨テープ１ｂを、磁気ディスク１０の他方の主面１０ｂ側に押圧し、該研磨テープ１ｂの研磨面Ｓを接触させる（押し当てる）。

なお、研磨テープ押圧手段２３ａ、２３ｂでは、パッド３６、３７が研磨テープ１ａ、１ｂから離間した状態（待機状態）で、駆動手段が金属ブロック３４、３５を図３中矢印Ｆ１方向に移動操作することにより、パッド３６、３７が研磨テープ１ａ、１ｂの裏面に当接し、研磨テープ１ａ、１ｂを磁気ディスク１０側に押圧する。

その結果、図３（ｂ）および図４（ｂ）に示すように、研磨テープ１ａ、１ｂの研磨面Ｓが、図３中矢印ｒ方向に回転駆動された磁気ディスク１０の主面１０ａ、１０ｂに磁気ディスク１０の中心に近い位置で接触し、磁気ディスク１０の表面への研磨テープ１ａ、１ｂの押し当てが開始される。このことにより、磁気ディスク１０の一方の主面１０ａおよび他方の主面１０ｂが、それぞれ、第１の研磨テープ１ａの研磨面Ｓおよび第２の研磨テープ１ｂの研磨面Ｓによって摺動され、バーニッシュ加工工程が開始される。

その後、研磨テープ１ａ、１ｂを磁気ディスク１０の主面１０ａ、１０ｂに押し当てながら、研磨テープ１ａ、１ｂを磁気ディスク１０の内側から外側に向かって磁気ディスク１０の半径方向（図４（ａ）中矢印Ｆ３方向）に移動させる（図４（ｃ）参照）。

そして、研磨テープ１ａ、１ｂの全体が外周プレート７５上に移動した段階（図４（ｄ）参照）で、磁気ディスク１０と研磨テープ１ａ、１ｂとが離間される。そして、金属ブロック３４、３５を図３中矢印Ｆ２方向に移動操作すると、図４（ｅ）に示すように、研磨テープ１ａ、１ｂが外周プレート７５から離間され、さらに、パッド３６、３７が研磨テープ１ａ、１ｂから離間される。
その後、研磨テープ１ａ、１ｂと磁気ディスク１０とを離間させた状態で、研磨テープ１ａ、１ｂを磁気ディスク１０の外側から内側に向かって磁気ディスク１０の半径方向（図４（ａ）中矢印Ｆ４方向）に移動させる。このことにより、研磨テープ押圧手段２３ａ、２３ｂは、図３（ａ）および図４（ａ）に示す待機状態に復帰する。

本実施形態においては、バーニッシュ加工工程を行うことにより、磁気ディスク１０の両主面に存在する突起物が、各研磨テープ１ａ、１ｂの研磨作用が研磨除去され、両主面が平滑化される。
なお、バーニッシュ加工工程においては、研磨テープ１ａ、１ｂを外周プレート７５上に移動させることにより、磁気ディスク１０と研磨テープ１ａ、１ｂとを離間させることが好ましい。このことにより、バーニッシュ加工工程によって、磁気ディスク１０から除去された突起物が、磁気ディスク１０上に残留することを防止できる。
また、バーニッシュ加工工程においては、噴出ノズル４０から液体潤滑剤を噴出させて研磨テープ１ａ、１ｂに塗布しても良い。

本実施形態のバーニッシュ加工装置２０は、磁気ディスク１０を回転可能に支持する回転支持手段２１と、回転支持手段２１に支持されている磁気ディスク１０の外周端１０ｃの外側となる位置に配置された外周プレート７５と、回転させた磁気ディスク１０の表面に研磨テープ１ａ、１ｂを押し当てながら、研磨テープ１ａ、１ｂを磁気ディスク１０の半径方向に相対的に移動させるテープ移動手段２２と、外周プレート７５および／または磁気ディスク１０の磁気ディスク１０の厚み方向の位置を調整して、外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面とが同一平面となるようにする位置合わせ手段を兼ねる外周プレート支持手段７８および回転支持手段２１とを有するものであるので、基板設置工程とバーニッシュ加工工程との間に位置合わせ工程を行う本実施形態のバーニッシュ加工方法を用いて研磨テープ１ａ、１ｂからの砥粒の脱粒や破砕による磁気ディスク１０の汚染を抑えつつ、高い歩留まりでバーニッシュ加工を行うことができるものとなる。

また、本実施形態のバーニッシュ加工方法は、磁気ディスク１０を回転可能に支持する回転支持手段に、磁気ディスク１０を支持させる基板設置工程と、回転させた磁気ディスク１０の表面に研磨テープ１ａ、１ｂを押し当てながら、研磨テープ１ａ、１ｂを磁気ディスク１０の半径方向に相対的に移動させるバーニッシュ加工工程とを備え、基板設置工程とバーニッシュ加工工程との間に、磁気ディスク１０の外周端１０ｃの外側に設置された外周プレート７５および／または磁気ディスク１０の磁気ディスク１０の厚み方向の位置を調整して、外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面とが同一平面となるようにする位置合わせ工程を行う方法であるので、外周プレート７５の表面と磁気ディスク１０の表面とが同一平面とされた状態で、バーニッシュ加工工程が行われる。

このため、本実施形態のバーニッシュ加工方法においては、バーニッシュ加工工程において磁気ディスク１０の外周端１０ｃに研磨テープ１ａ、１ｂが押し当てられている時には、磁気ディスク１０の外周端１０ｃとともに、磁気ディスク１０の表面と同一平面とされた外周プレート７５の表面にも研磨テープ１ａ、１ｂが押し当てられることになる。したがって、研磨テープ１ａ、１ｂにおける磁気ディスク１０の外周端１０ｃに押し当てられている部分と外周プレート７５に押し当てられている部分とには、略均一な力が負荷されることになり、研磨テープ１ａ、１ｂの一部に強い力が加わることによる砥粒の脱粒または破砕を効果的に防止できる。

よって、本実施形態のバーニッシュ加工方法によれば、研磨テープ１ａ、１ｂからの砥粒の脱粒や破砕による磁気ディスク１０の汚染を抑えつつ、高い歩留まりでバーニッシュ加工でき、表面の平滑性に優れた磁気ディスク１０が得られる。
また、バーニッシュ加工後に得られた磁気ディスク１０は、表面の平滑性に優れたものであるので、磁気ヘッドの浮上量が微小な磁気記録再生装置（ハードディスク装置）に適用した場合でも、磁気ヘッドと磁気ディスク１０との衝突が抑えられ、良好な動作特性が得られるものとなる。

さらに、本実施形態において、研磨テープ１として液体潤滑剤層４が設けられているものを使用することで、砥粒層３に含まれる砥粒５の破砕や破砕粒の脱落がより一層抑えられ、磁気ディスク１０の汚染がより効果的に抑えられる。

（磁気記録再生装置）
次に、本発明のバーニッシュ加工方法によって加工された磁気ディスクが適用される磁気記録再生装置の一例について説明する。
図７は、磁気記録再生装置の一例を示した概略構成図である。図７に示す磁気記録再生装置８０は、本発明のバーニッシュ加工方法によって加工された磁気ディスク１０と、磁気ディスク１０を回転駆動する媒体駆動部８１と、磁気ディスク１０に情報を記録するとともに記録された情報を再生する磁気ヘッド８２と、磁気ヘッド８２を磁気ディスク１０に対して相対移動させるヘッド駆動部８３と、記録再生信号処理系８４とを備えている。記録再生信号処理系８４は、入力されたデータを処理し、得られた記録信号を磁気ヘッド８２に送出するとともに、磁気ヘッド８２からの再生信号を処理し、得られたデータを出力するものである。

図７に示す磁気記録再生装置８０は、本発明のバーニッシュ加工装置を用いる本発明のバーニッシュ加工方法を行うことによって得られた磁気ディスク１０を備えているものであるので、磁気ディスク１０の表面の平滑性が高く、しかも表面の清浄性が高いものとされている。したがって、磁気ヘッド８２の浮上量が微小であっても、磁気ヘッド８２と磁気ディスク１０との衝突が抑えられ、高い記録密度および信頼性を得ることができる。

（実施例）
以下に、本発明を実証するための実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。

「磁気ディスクの製造」
洗浄済みのガラス基板（ＨＯＹＡ社製、外形２．５インチ）を、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０４０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０^−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した。

その後、このガラス基板の上に、スパッタリング法によりＣｒターゲットを用いて層厚１０ｎｍの密着層を成膜した。
次いで、スパッタリング法により密着層の上に軟磁性下地層として、Ｃｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−５Ｔａ｛Ｆｅ含有量２０原子％、Ｚｒ含有量５原子％、Ｔａ含有量５原子％、残部Ｃｏ｝のターゲットを用いて１００℃以下の基板温度で、層厚２５ｎｍの第１軟磁性層を成膜し、その上に層厚０．７ｎｍのＲｕからなる中間層と、層厚２５ｎｍのＣｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−５Ｔａからなる第２軟磁性層とを成膜した。

次に、軟磁性下地層の上に、スパッタリング法によりＮｉ−６Ｗ｛Ｗ含有量６原子％、残部Ｎｉ｝ターゲットを用いて、層厚５ｎｍのシード層を成膜した。
その後、シード層の上に、スパッタリング法により第１の配向制御層として、スパッタ圧力を０．８Ｐａとして層厚１０ｎｍのＲｕ層を成膜した。次に、第１の配向制御層上に、スパッタリング法により第２の配向制御層として、スパッタ圧力を１．５Ｐａとして層厚１０ｎｍのＲｕ層を成膜した。

続いて、第２の配向制御層の上に、スパッタリング法により９１（Ｃｏ１５Ｃｒ１６Ｐｔ）−６（ＳｉＯ_２）−３（ＴｉＯ_２）｛Ｃｒ含有量１５原子％、Ｐｔ含有量１６原子％、残部Ｃｏの合金を９１ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２からなる酸化物を６ｍｏｌ％、ＴｉＯ_２からなる酸化物を３ｍｏｌ％｝からなる第１磁性層を、スパッタ圧力を２Ｐａとして層厚９ｎｍで成膜した。

次に、第１磁性層の上に、スパッタリング法により８８（Ｃｏ３０Ｃｒ）−１２（ＴｉＯ_２）｛Ｃｒ含有量３０原子％、残部Ｃｏの合金を８８ｍｏｌ％、ＴｉＯ_２からなる酸化物を１２ｍｏｌ％｝からなる非磁性層を層厚０．３ｎｍで成膜した。
その後、非磁性層の上に、スパッタリング法により９２（Ｃｏ１１Ｃｒ１８Ｐｔ）−５（ＳｉＯ_２）−３（ＴｉＯ_２）｛Ｃｒ含有量１１原子％、Ｐｔ含有量１８原子％、残部Ｃｏの合金を９２ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２からなる酸化物を５ｍｏｌ％、ＴｉＯ_２からなる酸化物を３ｍｏｌ％｝からなる第２磁性層を、スパッタ圧力を２Ｐａとして層厚６ｎｍで成膜した。

その後、第２磁性層の上に、スパッタリング法によりＲｕからなる非磁性層を層厚０．３ｎｍで成膜した。
次いで、非磁性層の上に、スパッタリング法によりＣｏ−２０Ｃｒ−１４Ｐｔ−３Ｂ｛Ｃｒ含有量２０原子％、Ｐｔ含有量１４原子％、Ｂ含有量３原子％、残部Ｃｏ｝からなるターゲットを用いて、スパッタ圧力を０．６Ｐａとして第３磁性層を層厚７ｎｍで成膜した。

次に、ＣＶＤ法により層厚３ｎｍのカーボン膜からなる保護層を成膜し、最後に、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑材層を成膜することによって、磁気ディスクを作製した。

「バーニッシュ加工」
以上のようにして製造された磁気ディスク１０００枚を、図３、図４に示すバーニッシュ加工装置を用いて、バーニッシュ加工を行った。
なお、磁気ディスクの回転数は３００ｒｐｍ、研磨テープの送り速度は１０ｍｍ／秒、研磨テープを磁気ディスクに押し当てる際の押圧力は９８ｍＮ、処理時間は５秒間とした。また、磁気ディスクをバーニッシュ加工装置のスピンドルにチャッキングした（基板設置工程）後、外周プレートの表面と磁気ディスクの表面とが同一平面となるように外周プレート支持手段（位置合わせ手段）によって外周プレート位置の微調整（位置合わせ工程）を行ってから、回転させた磁気ディスクの表面に研磨テープを押し当てながら、研磨テープを磁気ディスクの半径方向に移動させるバーニッシュ加工工程を行った。

なお、本バーニッシュ加工装置における外周プレート支持手段としては、非接触型のレーザー変位計（計測手段）による計測結果に基づいて、外周プレートの厚み方向にパルスモータによって外周プレートを移動させるものを用いた。また、外周プレート支持手段として、外周プレートの移動時間が０．５秒以内である場合の外周プレートの移動可能な範囲が±０．５ｍｍであって、位置決め精度（位置合わせ工程後の外周プレートの表面と磁気ディスクの表面との、磁気ディスクの厚み方向の位置のずれの範囲）が装置精度で±５μｍ以内となるものを用いた。そして、基板設置工程と位置合わせ工程とバーニッシュ加工工程とは、この順で１０００回繰り返し行った。

また、磁気ディスク１０００枚の加工中での外周プレート位置を移動させた距離の範囲は、±４５μｍであった。また、研磨テープとしては、ポリエステル製のベースフィルム上にアルミナ研磨材層を形成してなるテープ、日本ミクロコーティング（株）製ＡＷＡ１００００を使用した。

（比較例）
実施例と同様にバーニッシュ加工を行ったが、外周プレートの位置決めは１０００枚の磁気ディスク加工のうち、最初のみとした。

「汚染状況の評価」
バーニッシュ加工が行われた実施例および比較例の各磁気ディスクについて、テスター（表面試験装置）を用いて汚染状況を評価した。汚染状況は、アルミナ破砕粒（約０．５μｍ程度の大きさもの）の突き刺さり、または付着（粒径０．５μｍ以上のもの）が観察された磁気ディスクの枚数を計測することによって評価した。

汚染状況の評価の結果、実施例の方法によってバーニッシュ加工を行った磁気ディスクでは、汚染が観察された磁気ディスクの枚数は２枚であった。
これに対し、比較例の方法によってバーニッシュ加工を行った磁気ディスクでは、汚染が観察された磁気ディスクの枚数は１５枚であった。
このように、実施例によってバーニッシュ加工を行った磁気ディスクは、比較例によってバーニッシュ加工を行った磁気ディスクに比べて、アルミナ破砕粒による汚染の発生が少なかった。

１…研磨テープ
１ａ…第１の研磨テープ
１ｂ…第２の研磨テープ
２，１２０…支持体
３…砥粒層
４…液体潤滑剤層
５，１５０…砥粒
６，１６０…結合剤
１０…磁気ディスク
１０ａ…一方の主面
１０ｂ…他方の主面
２１…磁気ディスク回転駆動機構
２２…テープ移動手段
２２ａ…第１の研磨テープ走行系
２２ｂ…第２の研磨テープ走行系
２３ａ…第１の研磨テープ押圧手段
２３ｂ…第２の研磨テープ押圧手段
２４…スピンドル
２５…磁気ディスク保持機構
２６…第１のガイドロール
２７…第２のガイドロール
２８…第３のガイドロール
２９…第４のガイドロール
３０…第５のガイドロール
３１…第６のガイドロール
３２…第７のガイドロール
３３…第８のガイドロール
４０…噴出ノズル
７０…砥粒の破砕
８０…磁気記録再生装置
Ｓ…研磨面

Claims (9)

1. 磁気ディスクを回転可能に支持する回転支持手段に、前記磁気ディスクを支持させる基板設置工程と、
   回転させた前記磁気ディスクの表面に研磨テープを押し当てながら、前記研磨テープを前記磁気ディスクの半径方向に相対的に移動させるバーニッシュ加工工程とを備え、
   前記基板設置工程と前記バーニッシュ加工工程との間に、前記磁気ディスクの外周端の外側に設置された外周プレートおよび／または前記磁気ディスクの厚み方向の位置を調整して、前記外周プレートの表面と前記磁気ディスクの表面とが同一平面となるようにする位置合わせ工程を行い、
   前記外周プレートの表面が、前記磁気ディスクと同じ粗さのガラス、ステンレス、またはセラミックス材料の何れかで形成されたものを用いることを特徴とするバーニッシュ加工方法。
2. 前記基板設置工程と前記位置合わせ工程と前記バーニッシュ加工工程とをこの順で複数回繰り返し行うことにより、複数枚の前記磁気ディスクのバーニッシュ加工を１枚ずつ連続して行うことを特徴とする請求項１に記載のバーニッシュ加工方法。
3. 前記バーニッシュ加工工程において、前記研磨テープを前記外周プレート上に移動させることにより、前記磁気ディスクと前記研磨テープとを離間させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気ディスクのバーニッシュ加工方法。
4. 磁気ディスクを回転可能に支持する回転支持手段と、
   前記回転支持手段に支持されている前記磁気ディスクの外周端の外側となる位置に配置された外周プレートと、
   回転させた前記磁気ディスクの表面に研磨テープを押し当てながら、前記研磨テープを前記磁気ディスクの半径方向に相対的に移動させるテープ移動手段と、
   前記外周プレートおよび／または前記磁気ディスクの厚み方向の位置を調整して、前記外周プレートの表面と前記磁気ディスクの表面とが同一平面となるようにする位置合わせ手段とを有し、
   前記外周プレートの表面が、前記磁気ディスクと同じ粗さのガラス、ステンレス、またはセラミックス材料の何れかで形成されたものであることを特徴とするバーニッシュ加工装置。
5. 前記位置合わせ手段が、前記磁気ディスクを前記回転支持手段に支持させる度に、前記外周プレートおよび／または前記磁気ディスクの厚み方向の位置を調整するものであることを特徴とする請求項４に記載のバーニッシュ加工装置。
6. 前記位置合わせ手段が、前記外周プレートおよび／または前記磁気ディスクを前記磁気ディスクの厚み方向に±４５μｍの範囲内で移動させて、前記外周プレートの表面と前記磁気ディスクの表面とが同一平面となるようにするものであることを特徴とする請求項４または請求項５に記載のバーニッシュ加工装置。
7. 前記外周プレートが、着脱可能に支持されていることを特徴とする請求項４〜請求項６のいずれか１項に記載のバーニッシュ加工装置。
8. 前記外周プレートが、前記磁気ディスクの外周端と前記外周プレートとの間の最短距離が１０ｍｍ以下である位置に配置されていることを特徴とする請求項４〜請求項７のいずれか１項に記載のバーニッシュ加工装置。
9. 前記テープ移動手段が、前記研磨テープを介して前記磁気ディスクを両面から挟み込むように対向配置された一対の研磨テープ押圧手段および一対の研磨テープ走行系を有することを特徴とする請求項４〜請求項８のいずれか１項に記載のバーニッシュ加工装置。

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