JP2014002824A - バーニッシュ加工方法およびバーニッシュ加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板設置工程とバーニッシュ加工工程との間に、磁気ディスク10の外周端10cの外側に設置された外周プレート75および/または磁気ディスク10の磁気ディスク10の厚み方向の位置を調整して、外周プレート75の表面と磁気ディスク10の表面とが同一平面となるようにする位置合わせ工程を行う方法とする。
【選択図】図4
Description
また、従来から磁気ディスクの製造工程において、磁気ディスクの表面に形成または付着されている微小な塵埃や突起物を除去するバーニッシュ加工(研磨処理)が行われている。バーニッシュ加工を行うことにより、磁気ディスクの表面の平滑性が向上するため、ハードディスク装置における磁気ヘッドの浮上量をより小さくできる。
バーニッシュ加工に用いられる研磨テープは、通常、供給リールと巻取りリールとの間に掛け渡されており、供給リールから順次供給され、巻取りリールに巻き取られる。そして、研磨テープが、供給リール側から巻取りリール側に走行する途中で、研磨テープの砥粒面と反対側の面(裏面)がコンタクトローラにより押圧されて、研磨面が磁気ディスクの表面に押し当てられるようになっている。
本発明者の検討によると、バーニッシュ加工後の磁気ディスクでは、表面の汚染物質にアルミナ粒子が含まれていた。そして、汚染物質に含まれるアルミナ粒子は、バーニッシュ加工に用いられる研磨テープの研磨剤層に固着されている砥粒が、バーニッシュ加工の際に脱粒したものであることが明らかとなった。
図5は、バーニッシュ加工に使用された後の研磨テープの一例を示した拡大断面図である。図5に示す研磨テープは、支持体120上に研磨材層160が形成されているものである。研磨材層160は、図5に示すように砥粒150と、砥粒150同士を結着するとともに砥粒150と支持体120とを結着し、研磨剤層160に砥粒150を固着させる結合剤60とを有している。
次いで、図6(b)に示すように、コンタクトローラ63、63を用いて、一対の研磨テープ64、64を、回転している磁気ディスク61を両面から挟み込むように配置し、磁気ディスク61の内周端を含む位置にそれぞれ押し当てて、バーニッシュ加工を開始する。
そして、図6(d)に示すように、一対の研磨テープ64、64における磁気ディスク61の中心側の端部が、磁気ディスク61の外周端61aよりも外側の位置となるまで、研磨テープ64、64を磁気ディスク61に対して相対的に移動させる。このことにより、研磨テープ64、64と磁気ディスク61とが接触されなくなり、バーニッシュ加工が終了される。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、研磨テープからの砥粒の脱粒や破砕による磁気ディスクの汚染を効果的に抑えつつ、磁気ディスクの表面の平滑性を向上させて、磁気ヘッドの浮上量を低下させることができるバーニッシュ加工方法およびバーニッシュ加工装置を提供することを目的とする。
その結果、バーニッシュ加工装置に配置されている外周プレートの表面と磁気ディスクの表面との間に段差が形成されている場合、磁気ディスクの外側に外周プレートを設けても、研磨テープからの砥粒の脱粒や破砕を十分に防ぐことができないことが分かった。すなわち、外周プレートの表面と磁気ディスクの表面との間に段差が形成されていると、段差によって研磨テープの表面に強い力が加わるため、研磨テープに固着された砥粒の脱粒または破砕が発生しやすくなる。
(1) 磁気ディスクを回転可能に支持する回転支持手段に、前記磁気ディスクを支持させる基板設置工程と、回転させた前記磁気ディスクの表面に研磨テープを押し当てながら、前記研磨テープを前記磁気ディスクの半径方向に相対的に移動させるバーニッシュ加工工程とを備え、前記基板設置工程と前記バーニッシュ加工工程との間に、前記磁気ディスクの外周端の外側に設置された外周プレートおよび/または前記磁気ディスクの前記磁気ディスクの厚み方向の位置を調整して、前記外周プレートの表面と前記磁気ディスクの表面とが同一平面となるようにする位置合わせ工程を行うことを特徴とするバーニッシュ加工方法。
(3) 前記バーニッシュ加工工程において、前記研磨テープを前記外周プレート上に移動させることにより、前記磁気ディスクと前記研磨テープとを離間させることを特徴とする(1)または(2)に記載のバーニッシュ加工方法。
(6) 前記位置合わせ手段が、前記外周プレートおよび/または前記磁気ディスクを前記磁気ディスクの厚み方向に±45μmの範囲内で移動させて、前記外周プレートの表面と前記磁気ディスクの表面とが同一平面となるようにするものであることを特徴とする(4)または(5)に記載のバーニッシュ加工装置。
(8) 前記外周プレートが、着脱可能に支持されていることを特徴とする(4)〜(7)のいずれか1項に記載のバーニッシュ加工装置。
(9) 前記外周プレートが、前記磁気ディスクの外周端と前記外周プレートとの間の最短距離が10mm以下である位置に配置されていることを特徴とする(4)〜(8)のいずれか1項に記載のバーニッシュ加工装置。
本発明は、磁気記録媒体(磁気ディスク)を製造する際の表面研磨仕上げにおいて用いられるバーニッシュ加工方法およびバーニッシュ加工装置に関する。より詳しくは、磁気ディスクの表面に対して研磨テープを相対的に摺動させることにより、その表面に存在する微小な塵埃や突起物を除去し、磁気ディスクの表面を平滑化する方法に関する。
以下、本発明における被加工物を、単に磁気ディスクという。
まず、本発明のバーニッシュ加工方法およびバーニッシュ加工装置において使用する研磨テープについて説明する。
図1は、本発明において使用される研磨テープの一例を示した拡大断面図である。図1に示す研磨テープ1は、研磨面Sを磁気ディスクの表面に対して摺動させることにより磁気ディスクを研磨するものである。
支持体2を構成する材料としては、特に限定されず、ポリエチレンテレフタレート等の各種樹脂などが用いられる。
砥粒5としては、例えば、酸化クロム、α−アルミナ、炭化珪素、非磁性酸化鉄、ダイヤモンド、γ−アルミナ、α,γ−アルミナ、熔融アルミナ、コランダム、人造ダイヤモンド等よりなる粒子が挙げられ、これらを1種または2種以上、適宜組み合わせて用いることもできる。
結合剤6に使用される熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS)樹脂、ブタジエンスチレン樹脂、ポリブタジエン樹脂、アクリルゴム系MBS樹脂等が挙げられる。
結合剤6に使用される感光性樹脂としては、例えば、メタクリル樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
次に、本発明のバーニッシュ加工方法およびバーニッシュ加工装置が適用される磁気ディスクの一例について、図2を参照しながら説明する。図2は、本発明において適用される磁気ディスクの一例を示した断面図であり、磁気ディスクの一方の主面側を拡大して示した拡大断面図である。
図2に示す磁気ディスク10は、非磁性基板11の両面(一方の主面10aおよび他方の主面10b)に、それぞれ軟磁性下地層12、配向制御層13、磁性層14、保護層15、潤滑剤層16が順次積層されてなるものである。
非磁性基板11としては、AlまたはAl合金などの金属または合金材料からなる基体上に、NiPまたはNiP合金からなる膜が形成されたものなどを用いることができる。また、非磁性基板11としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなるものを用いてもよいし、この非金属材料からなる基体上にNiPまたはNiP合金の膜を形成したものを用いてもよい。
密着層は、非磁性基板11と密着層上に設けられる軟磁性下地層12とを接して配置した場合における非磁性基板11の腐食の進行を防止するものであり、非磁性基板11と軟磁性下地層12との間に設けられていることが好ましい。密着層の材料としては、例えば、Cr、Cr合金、Ti、Ti合金など適宜選択できる。密着層の厚みは、密着層を設けることによる効果が十分に得られるように2nm以上であることが好ましい。
密着層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
軟磁性下地層12は、第1軟磁性膜と、Ru膜からなる中間層と、第2軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性下地層12は、2層の軟磁性膜の間にRu膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング(AFC)結合した構造を有していることが好ましい。軟磁性下地層12がAFC結合した構造を有していることにより、外部からの磁界に対しての耐性、並びに垂直磁気記録特有の問題であるWATE(Wide Area Tack Erasure)現象に対しての耐性を高めることができる。
また、第1および第2軟磁性膜に使用されるCoFe合金には、Zr、Ta、Nbの何れかを添加することが好ましい。これにより、第1および第2軟磁性膜の非晶質化が促進され、シード層の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性下地層12は、スパッタリング法により形成できる。
シード層は、その上に設けられた配向制御層13および磁性層14の配向や結晶サイズを制御するためのものであり、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分を大きくするとともに、磁性層14の磁化の方向をより強固に非磁性基板11と垂直な方向に固定するために設けられている。このため、配向制御層13の下にはシード層が設けられていることが好ましい。
シード層の膜厚は、2〜20nmの範囲であることが好ましい。シード層の膜厚が2nm未満であると、シード層を設けたことによる効果が十分に得られない場合がある。一方、シード層の膜厚が20nmを超えると、結晶サイズが大きくなるために好ましくない。
シード層は、スパッタリング法により形成できる。
配向制御層13は、磁性層14の配向が良好なものとなるように制御するものである。配向制御層13は、Ru又はRu合金からなるものであることが好ましい。
配向制御層13の膜厚は、5〜30nmの範囲であることが好ましい。配向制御層13の膜厚を30nm以下とすることで、磁気ヘッドと軟磁性下地層12との間の距離が小さいものとなり、磁気ヘッドからの磁束を急峻にすることができる。また、配向制御層13の膜厚を5nm以上とすることで、磁性層14の配向を良好に制御できる。
配向制御層13は、スパッタリング法により形成できる。
磁性層14は、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた磁性膜からなる。磁性層14は、CoとPtを含むものであり、更にSNR特性を改善するために、酸化物や、Cr、B、Cu、Ta、Zrなどを含むものであってもよい。
磁性層14に含有される酸化物としては、SiO2、SiO、Cr2O3、CoO、Ta2O3、TiO2などが挙げられる。
例えば、磁性層14が第1磁性層と第2磁性層と第3磁性層の3層からなる場合、第1磁性層は、Co、Cr、Ptを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造のものであることが好ましい。第1磁性層に含有される酸化物としては、例えばCr、Si、Ta、Al、Ti、Mg、Coなどの酸化物を用いることが好ましい。その中でも特に、TiO2、Cr2O3、SiO2などを好適に用いることができる。また、第1磁性層は、酸化物を2種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも特に、Cr2O3−SiO2、Cr2O3−TiO2、SiO2−TiO2などを好適に用いることができる。
また、第3磁性層は、Co、Cr、Ptを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造のものであることが好ましい。第3磁性層は、Co、Cr、Ptの他に、B、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、Ru、Re、Mnの中から選ばれる1種類以上の元素を含むことができる。第3磁性層がCo、Cr、Ptの他に上記元素を含むものであることにより、磁性粒子の微細化を促進、又は結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性及び熱揺らぎ特性を得ることができる。
磁性層間に非磁性層を適度な厚みで設けることで、個々の膜の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができ、S/N比をより向上させることができる。
非磁性層は、スパッタリング法により形成できる。
磁性層14は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法など従来の公知のいかなる方法によって形成してもよいが、通常、スパッタリング法により形成される。
保護層15としては、プラズマCVD法によって形成されるCVDカーボン、非晶質カーボン、含水素カーボン、含窒素カーボン、含フッ素カーボンなどのカーボン系材料、シリカ、ジルコニア等のセラミック系材料を適宜選択して用いることができる。中でも、硬く緻密なCVDカーボンが、耐久性の面のみならず、経済性、生産性等の面から好適に用いられる。
最上層である潤滑剤層16の材料としては、重合性不飽和基含有パーフロロポリエーテル化合物の重合物が好適である。重合性不飽和基含有パーフロロポリエーテル化合物としては、例えば、主鎖であるパーフロロポリエーテルの少なくとも一端に、重合性を有する不飽和結合を持つ有機基が結合されてなる化合物等を挙げることができる。
次に、本発明のバーニッシュ加工装置の一例について、図3および図4を参照しながら説明する。図3は、本発明のバーニッシュ加工装置の一例を説明するための模式図である。図4は、図3に示すバーニッシュ加工装置を図3に示すAの方向から見た拡大横断面模式図であり、図3は、図4に示すBの方向から見た縦断面図である。
図3に示すバーニッシュ加工装置20は、磁気ディスク10の回転支持手段21と、外周プレート75と、テープ移動手段22と、位置合わせ手段とを有している。
外周プレート75は、磁気ディスク10の外周端10cと外周プレート75との間の最短距離が、0.2mm以上となる位置に配置されていることが好ましい。この場合、外周プレート75と接触させることなく磁気ディスク10の着脱を容易に効率よく行うことができる。
図3に示すバーニッシュ加工装置20では、外周プレート支持手段78および回転支持手段21が、位置合わせ手段を兼ねるものとされている。
したがって、複数枚の磁気ディスク10に対して1枚ずつ連続してバーニッシュ加工を行う場合に、磁気ディスク10をバーニッシュ加工装置20に設置する際の位置ずれや、バーニッシュ加工を行うことによる外周プレート75の摩耗や劣化・変形・支持手段の緩みなどに伴う位置ずれが生じたとしても、位置合わせ手段によって外周プレート75および/または磁気ディスク10の磁気ディスク10の厚み方向の位置を調整することで、外周プレート75の表面と磁気ディスク10の表面との間の段差をなくすことができる。よって、外周プレート75の表面と磁気ディスク10の表面との間の段差に起因する研磨テープ1a、1bからの砥粒の脱粒や破砕を防止することができ、歩留まりを向上させることができる。
また、位置合わせ手段(回転支持手段21および外周プレート支持手段78)は、計測手段による計測結果に基づいて、外周プレート75または磁気ディスク10を外周プレート75の厚み方向に移動させるものであることが好ましい。
また、位置合わせ手段は、回転支持手段21および外周プレート支持手段78のうち一方のみであってもよい。
図3および図4に示すバーニッシュ加工装置20では、テープ移動手段22は、図3に示すように、研磨テープ1a、1bを介して磁気ディスク10を両面から挟み込むように対向配置された一対の研磨テープ押圧手段23a、23bおよび一対の研磨テープ走行系22a、22bを有するものである。
第1の研磨テープ走行系22aは、図示しない供給ロールおよび巻取りロールと、供給ロールおよび巻取りロールより下方に配設された第1のガイドロール26〜第4のガイドロール29とを有している。
第5のガイドロール30〜第8のガイドロール33は、それぞれ、磁気ディスク10を挟んで、第1のガイドロール26〜第4のガイドロール29と左右対称となるように配設されている。
第2の研磨テープ押圧手段23bは、第5のガイドロール30と第6のガイドロール31との間を走行する第2の研磨テープ1bを、磁気ディスク10の他方の主面10b側に押圧して接触させ(押し当て)ながら、第2の研磨テープ1bを磁気ディスク10の半径方向に相対的に移動させるものである。
具体的には例えば、テープ移動手段22は、磁気ディスク10の中心に近い位置において、研磨テープ1a、1bを磁気ディスク10の厚み方向に移動させて磁気ディスク10の表面への研磨テープ1a、1bの押し当てを開始し、その後、研磨テープ1a、1bを磁気ディスク10の内側から外側に向かって磁気ディスク10の半径方向に相対的に移動させ、研磨テープ1a、1bの全体が外周プレート75上に移動されることにより、磁気ディスク10と研磨テープ1a、1bとを離間させ、この段階で、研磨テープ1a、1bを磁気ディスク10の厚み方向に移動させて、外周プレート75の表面への研磨テープ1a、1bの押し当てを終了するものであることが好ましい。
例えば、本発明のバーニッシュ加工装置は、磁気ディスク10の一方の主面10aと他方の主面10bに対して別々にバーニッシュ加工を行うものであってもよい。この場合、磁気ディスク10の一方の主面10aにバーニッシュ加工を行う前と、磁気ディスク10の他方の主面10bにバーニッシュ加工を行う前に、その都度、位置合わせ手段によって外周プレートおよび/または磁気ディスクの磁気ディスク10の厚み方向の位置を調整するものとなる。したがって、外周プレートの厚みは、磁気ディスク10の厚みに関わらず設定できる。
次に、本発明のバーニッシュ加工方法について説明する。
本発明のバーニッシュ加工方法は、磁気ディスク10を回転可能に支持する回転支持手段21に、磁気ディスク10を支持させる基板設置工程と、回転させた磁気ディスク10の表面に研磨テープ1a、1bの研磨面S(液体潤滑剤層を設けた場合にはその表面)を押し当てながら、研磨テープ1a、1bを磁気ディスク10の半径方向に相対的に移動させるバーニッシュ加工工程とを備え、基板設置工程とバーニッシュ加工工程との間に、磁気ディスク10の外周端10cの外側に設置された外周プレート75および/または磁気ディスク10の磁気ディスク10の厚み方向の位置を調整して、外周プレート75の表面と磁気ディスク10の表面とが同一平面となるようにする位置合わせ工程を行う方法である。
本実施形態においては、基板設置工程を行う前に、あらかじめ外周プレート75が外周プレート支持手段78よって支持されている。外周プレート75は、磁気ディスク10を回転支持手段21に支持させることによって、磁気ディスク10の外周端10cの外側となる位置に配置されるように、外周プレート支持手段78よって支持されている。また、外周プレート75は、回転支持手段21に支持された磁気ディスク10の外周端10cと外周プレート75との間の最短距離が10mm以下となる位置に設置されている。
なお、位置合わせ工程では、外周プレート75を固定して、回転支持手段21によって磁気ディスク10のバーニッシュ加工面76を図4(a)に示す矢印C方向に動かしてもよいし、外周プレート75とバーニッシュ加工面76の両方を図4(a)に示す矢印C方向に動かしてもよい。
なお、計測手段による外周プレート75の表面と磁気ディスク10の表面との位置関係の計測は、位置合わせ工程前に行ってもよいし、位置合わせ工程後に行ってもよいし、位置合わせ工程前と後に行ってもよい。
外周プレート75を交換する工程は、計測手段による計測結果に基づいて、位置合わせ工程を行っても外周プレート75の表面と磁気ディスク10の表面とが同一平面とならないと判断される場合に行うことが好ましい。
例えば、本実施形態において、外周プレート支持手段78および回転支持手段21が、外周プレート75および/または磁気ディスク10を磁気ディスク10の厚み方向に±45μmの範囲内で移動可能なものとされている場合、計測手段によって計測した結果、外周プレート75の表面と磁気ディスク10の表面との外周プレート75の厚み方向の位置ずれが90μmを超える場合に、外周プレート75の表面と磁気ディスク10の表面とが同一平面とならないと判断される。
なお、本実施形態において、外周プレート75を交換する工程を行った後には、再度、計測手段による外周プレート75の表面と磁気ディスク10の表面との位置関係の計測を行ない、その結果に基づいて、位置合わせ工程を行ってからバーニッシュ加工工程を行うことが好ましい。
なお、図3(a)および図4(a)に示すように、このバーニッシュ加工装置20では、初期状態では、第1の研磨テープ押圧手段23aおよび第2の研磨テープ押圧手段23bの各パッド36、37が、研磨テープ1a、1bから離れた位置(待機状態)となっている。
また、第5のガイドロール30と第6のガイドロール31との間を走行する第2の研磨テープ1bは、その研磨面Sが、磁気ディスク10の他方の主面10bと対向し、磁気ディスク10のトラックの走査方向と逆方向に走行する。
その後、研磨テープ1a、1bと磁気ディスク10とを離間させた状態で、研磨テープ1a、1bを磁気ディスク10の外側から内側に向かって磁気ディスク10の半径方向(図4(a)中矢印F4方向)に移動させる。このことにより、研磨テープ押圧手段23a、23bは、図3(a)および図4(a)に示す待機状態に復帰する。
なお、バーニッシュ加工工程においては、研磨テープ1a、1bを外周プレート75上に移動させることにより、磁気ディスク10と研磨テープ1a、1bとを離間させることが好ましい。このことにより、バーニッシュ加工工程によって、磁気ディスク10から除去された突起物が、磁気ディスク10上に残留することを防止できる。
また、バーニッシュ加工工程においては、噴出ノズル40から液体潤滑剤を噴出させて研磨テープ1a、1bに塗布しても良い。
また、バーニッシュ加工後に得られた磁気ディスク10は、表面の平滑性に優れたものであるので、磁気ヘッドの浮上量が微小な磁気記録再生装置(ハードディスク装置)に適用した場合でも、磁気ヘッドと磁気ディスク10との衝突が抑えられ、良好な動作特性が得られるものとなる。
次に、本発明のバーニッシュ加工方法によって加工された磁気ディスクが適用される磁気記録再生装置の一例について説明する。
図7は、磁気記録再生装置の一例を示した概略構成図である。図7に示す磁気記録再生装置80は、本発明のバーニッシュ加工方法によって加工された磁気ディスク10と、磁気ディスク10を回転駆動する媒体駆動部81と、磁気ディスク10に情報を記録するとともに記録された情報を再生する磁気ヘッド82と、磁気ヘッド82を磁気ディスク10に対して相対移動させるヘッド駆動部83と、記録再生信号処理系84とを備えている。記録再生信号処理系84は、入力されたデータを処理し、得られた記録信号を磁気ヘッド82に送出するとともに、磁気ヘッド82からの再生信号を処理し、得られたデータを出力するものである。
以下に、本発明を実証するための実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
洗浄済みのガラス基板(HOYA社製、外形2.5インチ)を、DCマグネトロンスパッタ装置(アネルバ社製C−3040)の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度1×10−5Paとなるまで成膜チャンバ内を排気した。
次いで、スパッタリング法により密着層の上に軟磁性下地層として、Co−20Fe−5Zr−5Ta{Fe含有量20原子%、Zr含有量5原子%、Ta含有量5原子%、残部Co}のターゲットを用いて100℃以下の基板温度で、層厚25nmの第1軟磁性層を成膜し、その上に層厚0.7nmのRuからなる中間層と、層厚25nmのCo−20Fe−5Zr−5Taからなる第2軟磁性層とを成膜した。
その後、シード層の上に、スパッタリング法により第1の配向制御層として、スパッタ圧力を0.8Paとして層厚10nmのRu層を成膜した。次に、第1の配向制御層上に、スパッタリング法により第2の配向制御層として、スパッタ圧力を1.5Paとして層厚10nmのRu層を成膜した。
その後、非磁性層の上に、スパッタリング法により92(Co11Cr18Pt)−5(SiO2)−3(TiO2){Cr含有量11原子%、Pt含有量18原子%、残部Coの合金を92mol%、SiO2からなる酸化物を5mol%、TiO2からなる酸化物を3mol%}からなる第2磁性層を、スパッタ圧力を2Paとして層厚6nmで成膜した。
次いで、非磁性層の上に、スパッタリング法によりCo−20Cr−14Pt−3B{Cr含有量20原子%、Pt含有量14原子%、B含有量3原子%、残部Co}からなるターゲットを用いて、スパッタ圧力を0.6Paとして第3磁性層を層厚7nmで成膜した。
以上のようにして製造された磁気ディスク1000枚を、図3、図4に示すバーニッシュ加工装置を用いて、バーニッシュ加工を行った。
なお、磁気ディスクの回転数は300rpm、研磨テープの送り速度は10mm/秒、研磨テープを磁気ディスクに押し当てる際の押圧力は98mN、処理時間は5秒間とした。また、磁気ディスクをバーニッシュ加工装置のスピンドルにチャッキングした(基板設置工程)後、外周プレートの表面と磁気ディスクの表面とが同一平面となるように外周プレート支持手段(位置合わせ手段)によって外周プレート位置の微調整(位置合わせ工程)を行ってから、回転させた磁気ディスクの表面に研磨テープを押し当てながら、研磨テープを磁気ディスクの半径方向に移動させるバーニッシュ加工工程を行った。
実施例と同様にバーニッシュ加工を行ったが、外周プレートの位置決めは1000枚の磁気ディスク加工のうち、最初のみとした。
バーニッシュ加工が行われた実施例および比較例の各磁気ディスクについて、テスター(表面試験装置)を用いて汚染状況を評価した。汚染状況は、アルミナ破砕粒(約0.5μm程度の大きさもの)の突き刺さり、または付着(粒径0.5μm以上のもの)が観察された磁気ディスクの枚数を計測することによって評価した。
これに対し、比較例の方法によってバーニッシュ加工を行った磁気ディスクでは、汚染が観察された磁気ディスクの枚数は15枚であった。
このように、実施例によってバーニッシュ加工を行った磁気ディスクは、比較例によってバーニッシュ加工を行った磁気ディスクに比べて、アルミナ破砕粒による汚染の発生が少なかった。
1a…第1の研磨テープ
1b…第2の研磨テープ
2,120…支持体
3…砥粒層
4…液体潤滑剤層
5,150…砥粒
6,160…結合剤
10…磁気ディスク
10a…一方の主面
10b…他方の主面
21…磁気ディスク回転駆動機構
22…テープ移動手段
22a…第1の研磨テープ走行系
22b…第2の研磨テープ走行系
23a…第1の研磨テープ押圧手段
23b…第2の研磨テープ押圧手段
24…スピンドル
25…磁気ディスク保持機構
26…第1のガイドロール
27…第2のガイドロール
28…第3のガイドロール
29…第4のガイドロール
30…第5のガイドロール
31…第6のガイドロール
32…第7のガイドロール
33…第8のガイドロール
40…噴出ノズル
70…砥粒の破砕
80…磁気記録再生装置
S…研磨面
Claims (10)
- 磁気ディスクを回転可能に支持する回転支持手段に、前記磁気ディスクを支持させる基板設置工程と、
回転させた前記磁気ディスクの表面に研磨テープを押し当てながら、前記研磨テープを前記磁気ディスクの半径方向に相対的に移動させるバーニッシュ加工工程とを備え、
前記基板設置工程と前記バーニッシュ加工工程との間に、前記磁気ディスクの外周端の外側に設置された外周プレートおよび/または前記磁気ディスクの前記磁気ディスクの厚み方向の位置を調整して、前記外周プレートの表面と前記磁気ディスクの表面とが同一平面となるようにする位置合わせ工程を行うことを特徴とするバーニッシュ加工方法。 - 前記基板設置工程と前記位置合わせ工程と前記バーニッシュ加工工程とをこの順で複数回繰り返し行うことにより、複数枚の前記磁気ディスクのバーニッシュ加工を1枚ずつ連続して行うことを特徴とする請求項1に記載のバーニッシュ加工方法。
- 前記バーニッシュ加工工程において、前記研磨テープを前記外周プレート上に移動させることにより、前記磁気ディスクと前記研磨テープとを離間させることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の磁気ディスクのバーニッシュ加工方法。
- 磁気ディスクを回転可能に支持する回転支持手段と、
前記回転支持手段に支持されている前記磁気ディスクの外周端の外側となる位置に配置された外周プレートと、
回転させた前記磁気ディスクの表面に研磨テープを押し当てながら、前記研磨テープを前記磁気ディスクの半径方向に相対的に移動させるテープ移動手段と、
前記外周プレートおよび/または前記磁気ディスクの前記磁気ディスクの厚み方向の位置を調整して、前記外周プレートの表面と前記磁気ディスクの表面とが同一平面となるようにする位置合わせ手段とを有することを特徴とするバーニッシュ加工装置。 - 前記位置合わせ手段が、前記磁気ディスクを前記回転支持手段に支持させる度に、前記外周プレートおよび/または前記磁気ディスクの前記磁気ディスクの厚み方向の位置を調整するものであることを特徴とする請求項4に記載のバーニッシュ加工装置。
- 前記位置合わせ手段が、前記外周プレートおよび/または前記磁気ディスクを前記磁気ディスクの厚み方向に±45μmの範囲内で移動させて、前記外周プレートの表面と前記磁気ディスクの表面とが同一平面となるようにするものであることを特徴とする請求項4または請求項5に記載のバーニッシュ加工装置。
- 前記外周プレートの表面が、前記磁気ディスクと同じ粗さのガラス、ステンレス、またはセラミックス材料の何れかで形成されたものであることを特徴とする請求項4〜請求項6のいずれか一項に記載のバーニッシュ加工装置。
- 前記外周プレートが、着脱可能に支持されていることを特徴とする請求項4〜請求項7のいずれか1項に記載のバーニッシュ加工装置。
- 前記外周プレートが、前記磁気ディスクの外周端と前記外周プレートとの間の最短距離が10mm以下である位置に配置されていることを特徴とする請求項4〜請求項8のいずれか1項に記載のバーニッシュ加工装置。
- 前記テープ移動手段が、前記研磨テープを介して前記磁気ディスクを両面から挟み込むように対向配置された一対の研磨テープ押圧手段および一対の研磨テープ走行系を有することを特徴とする請求項4〜請求項9のいずれか1項に記載のバーニッシュ加工装置。
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