JP6031746B2 - 半導体装置の製造方法、半導体装置及び電子機器 - Google Patents
半導体装置の製造方法、半導体装置及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6031746B2 JP6031746B2 JP2011240065A JP2011240065A JP6031746B2 JP 6031746 B2 JP6031746 B2 JP 6031746B2 JP 2011240065 A JP2011240065 A JP 2011240065A JP 2011240065 A JP2011240065 A JP 2011240065A JP 6031746 B2 JP6031746 B2 JP 6031746B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- seed layer
- insulating film
- electrode
- semiconductor device
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
ところで、半導体基板に形成された貫通孔に電解メッキ法を用いて貫通電極を形成する場合、この貫通孔の内部に拡散防止層(例えばチタンタングステン(TiW)やチタン(Ti)を含んだ膜)やシード層を形成することは既に知られている(例えば、特許文献1を参照)。また、上記シード層は、例えば銅(Cu)や金(Au)等をスパッタすることで形成されることも既に知られている。
まず、図6(a)に示すように、微細化した貫通孔10cの内部に第2絶縁膜50を形成する。その後、シード層50を形成する場合、例えばスパッタ法を用いると、図6(b)に示すように、半導体基板10の他方の面10b上及び貫通孔10cの開口部近傍にはシード層50は形成される。
上記態様の製造方法は、ダイシングライン上で導通しているシード層をダイシングラインに沿ってダイシングする工程を含んでいる。このため、例えばエッチング等の方法を用いることなくシード層を電気的に絶縁することができるので、半導体装置の製造を容易にすることができる。
上記態様の半導体装置は、シード層上に形成された配線層と、半導体基板の他方の面から半導体基板及び第1絶縁膜を貫通してシード層に接続する貫通電極とを含んでいる。このため、貫通孔が微細化した場合であっても、貫通電極と配線層とは導通をとることができる。よって、半導体装置が小型化した場合(つまり、端子ピッチが狭くなった場合)であっても、その半導体装置を動作させることができる。
上記態様の電子機器は、上記態様の半導体装置を含んでいる。このため、電子機器を小型化した場合であっても、半導体装置を動作させることができる。よって、その電子機器を動作させることができる。
(1)半導体装置の構成
まず、本発明の実施形態に係る半導体装置の構成について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施形態に係る半導体装置の断面図である。本実施形態に係る半導体装置100は、半導体基板10(以下、単に「基板10」ともいう。)を有している。基板10としては、例えばシリコン(Si)基板等が用いられる。また、基板10は、一方の面10a(以下、単に「表面10a」ともいう。)と、一方の面10aの反対側にある他方の面10b(以下、単に「裏面10b」ともいう。)とを有している。
基板10及び第1絶縁膜20には、基板10及び第1絶縁膜20を貫通する貫通孔10cが形成されている。ここで、基板10に形成された貫通孔10cの内径は、第1絶縁膜20に形成された貫通孔10cの内径よりも大きくなっている。
シード層30上には、配線層40が形成されている。配線層40の材料としては、導電材料であれば良く、例えばアルミ(Al)等が用いられる。なお、配線層40は、実装する際にパッド電極として機能する。また、シード層30と同様に、貫通孔10cを複数形成する場合には、配線層40をそれぞれ電気的に分断する。
貫通孔10cの内部には、第2絶縁膜50を介して貫通電極60が形成されている。その貫通電極60は、基板10の裏面10b上に形成された第2絶縁膜50上の一部にも連続して形成される。貫通電極60の材料としては、例えばCu等が用いられる。
なお、この貫通電極60は、シード層30を介して配線層40と電気的に接続される。
また、貫通電極60と第2絶縁膜50との間には、貫通電極60の材料が基板10に拡散することを防止する目的で拡散防止層(つまり、バリア層)を形成しても良い。この拡散防止層を形成することで、貫通電極60の材料が基板10に拡散することで生じる電流のリーク等を防止することができる。拡散防止層としては、例えばTiWやTi等を含んだ膜が用いられる。
次に、半導体装置100の製造方法について、図2を用いて説明する。図2(a)〜(h)は、半導体装置100の製造方法に含まれる各製造工程を示す概略断面図である。
以下、各製造工程について説明する。図2(a)は第1絶縁膜形成工程、シード層形成工程及び配線層形成工程を示す断面図である。そして、図3は、配線層形成工程後の能動面側から見た平面図である。
まず、基板10の表面10a上に第1絶縁膜20を形成する第1絶縁膜形成工程を実施する。第1絶縁膜20の形成は、例えば基板10の表面10aを酸化する等の通常の半導体プロセスを用いて形成する。本実施形態では、通常の半導体プロセスを用いて、基板10の表面10a上に例えばSiO2膜を形成し、それを第1絶縁膜20とする。
次に、第1絶縁膜20上にシード層30を形成するシード層形成工程を実施する。本実施形態では、例えばCuやAuのスパッタや化学気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)により、第1絶縁膜20上にCu層やAu層を形成し、それをシード層30とする。なお、シード層30は、後述する貫通電極60形成後に電気的に分断される。このため、図3に示すように、シード層30を分断しやすいように、予めパターニングして第1絶縁膜20上に形成することが望ましい。ただし、後工程にてシード層30の分断が可能であれば、第1絶縁膜20上の全面にシード層30を形成(いわゆる、全面ベタ形成)しても良い。なお、図3において破線で示された箇所は、貫通電極60が形成される位置60a(つまり、貫通孔10cが形成される位置)を示している。
次に、シード層30上に配線層40を形成する配線層形成工程を実施する。本実施形態では、例えばAl等を用いて配線層40を形成する。配線層40を形成する際、通常の半導体プロセスを用いることができる。なお、配線層40は、シード層30を介して、後述する貫通電極形成工程で形成する貫通電極60と電気的に接続されている。
次に、基板10及び第1絶縁膜20に貫通孔10cを形成する貫通孔形成工程を実施する。貫通孔形成工程では、図2(b)に示すように、基板10の裏面10b側にドライエッチング用マスク200(以下、単に「マスク200」ともいう。)をフォトレジストにより形成する。マスク200には、貫通孔10cの平面断面形状に対応する開口部200aが設けられている。そして、開口部200aから(つまり、裏面10b側から)基板10及び第1絶縁膜20をドライエッチングすることにより、基板10及び第1絶縁膜20を貫通してシード層30に達する貫通孔10cを形成する(図2(c)を参照)。
なお、本実施形態において、基板10の開口径(つまり、貫通孔10cの内径)は10μm〜30μm程度である。
また、一種類のガスで基板10と第1絶縁膜20とをドライエッチングする場合には、基板10と第1絶縁膜20とのエッチングレートの違いにより、基板10に形成された貫通孔10cの内径は、第1絶縁膜20に形成された貫通孔10cの内径よりも大きくなる(図2(c)を参照)。
次に、貫通孔10cの内部に第2絶縁膜を形成する第2絶縁膜形成工程を実施する。第2絶縁膜形成工程では、図2(d)に示すように、貫通孔10cの形成により露出した基板10の壁面及び第1絶縁膜20の壁面と、基板10の裏面10bとに第2絶縁膜50を形成する。つまり、シード層30上に第2絶縁膜50は形成されておらず、第2絶縁膜50は貫通孔10cの内部で露出した状態となっている。本実施形態では、例えばCVD法によりSiO2膜を形成し、そのSiO2膜を第2絶縁膜50としている。なお、図2(c)に示すように、第2絶縁膜形成工程を実施する前に、貫通孔形成工程で形成されたマスク200は除去される。
第2絶縁膜形成工程を実施することで、貫通孔形成工程において露出させたシード層30が第2絶縁膜50で再度覆われる場合もあるが、この場合には、貫通孔形成工程で用いたドライエッチングを再度実施することで、第2絶縁膜50で覆われたシード層30の表面を露出させることができる。
次に、貫通孔10cの内部に、第2絶縁膜50を介して貫通電極60を形成する貫通電極形成工程を実施する。貫通電極形成工程では、図2(e)に示すように、基板10の裏面10b側に形成された第2絶縁膜50上に電解メッキ用マスク300(以下、単に「マスク300」ともいう。)をフォトレジストにより形成する。この際、マスク300で貫通孔10cの開口部を塞がないようにマスク300を形成する。マスク300には、貫通孔10cの内径よりも大きな径を有する開口部300aが設けられている。
なお、メッキ時間は、メッキが貫通孔10cの内部を充填し、さらに裏面10b側に10μm〜20μm程度成長するまでとする。その後、電解メッキ用マスク300を除去して、裏面端子60bを含んだ貫通電極60を形成する(図2(f)を参照)。
次に、シード層30を電気的に分断する分断工程を実施する。分断工程では、図2(g)に示すように、シード層30及び配線層40を覆うようにウェットエッチング用マスク400(以下、単に「マスク400」ともいう。)をフォトレジストにより形成する。次に、例えば過硫酸アンモニウム水溶液または過硫酸ナトリウム水溶液等でシード層30をウェットエッチングする。これにより、マスク400で覆われた部分以外のシード層30はエッチングされる。こうして、シード層30を電気的に分断する。
最後に、マスク400を除去して、図2(h)に示すように、貫通孔10cの内部に貫通電極60が形成された半導体装置100が完成する。
なお、本実施形態では、シード層50の分断方法として、ウェットエッチングによる分断方法について説明したが、これに限定されるものではない。ウェットエッチングに代えて、例えばレーザーを用いて選択的にシード層50を分断しても良いし、ダイシング等を用いて個片化する際にシード層50を分断しても良い。
図4(a)に示すように、ダイシング前、シード層50はダイシングライン500上で電気的に接続されている。そして、このダイシングライン500に沿って、ダイシングすることで、図4(b)に示すように、シード層30は電気的に分断される。
上記態様であれば、ダイシングライン500上で導通しているシード層50をダイシングライン500に沿ってダイシングするので、例えばウェットエッチング等の方法を用いることなくシード層50を電気的に絶縁することができる。よって、半導体装置100の製造を容易にすることができる。
また、本実施形態では、第2絶縁膜形成工程後に貫通電極形成工程を実施することについて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、第2絶縁膜形成工程後に、貫通電極60の材料が基板10に拡散することを防止する拡散防止層を形成する拡散防止層形成工程を実施しても良い。この拡散防止層を形成することで、貫通電極60の材料が基板10に拡散することで生じる電流のリーク等を防止することができる。拡散防止層としては、例えばTiWやTi等を含んだ膜が用いられる。
本実施形態に係る電子機器は、上記態様の半導体装置100を含んだものである。このため、電子機器を小型化した場合であっても、半導体装置100を動作させることができる。よって、その電子機器を動作させることができる。
なお、上記態様の製造方法、上記態様の半導体装置及び上記態様の電子機器は、例えばCMOSやCCD等の各種センサー及びその製造方法への適用が可能である。
Claims (5)
- 半導体基板の一方の面側にシード層を形成するシード層形成工程と、
前記シード層形成工程後、前記シード層上に配線層を形成する配線層形成工程と、
前記配線層形成工程後、前記半導体基板の他方の面から前記シード層に達する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜形成工程後、前記絶縁膜にメッキで貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
前記貫通電極形成工程後、前記シード層を複数に分断する分断工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記分断工程は、ダイシングライン上で導通しているシード層をダイシングラインに沿ってダイシングすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板と、
前記半導体基板の一方の面側に形成されたシード層と、
前記シード層上に形成された配線層と、
前記半導体基板の他方の面から前記半導体基板を貫通して前記シード層に接続された貫通電極と、
前記貫通電極と前記シード層との間に設けられた絶縁膜と、
を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記貫通電極は、前記シード層と前記絶縁膜とで囲まれた溝内にメッキによって形成されたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項3または請求項4に記載の半導体装置を含むことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011240065A JP6031746B2 (ja) | 2011-11-01 | 2011-11-01 | 半導体装置の製造方法、半導体装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011240065A JP6031746B2 (ja) | 2011-11-01 | 2011-11-01 | 半導体装置の製造方法、半導体装置及び電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013098369A JP2013098369A (ja) | 2013-05-20 |
JP2013098369A5 JP2013098369A5 (ja) | 2014-11-27 |
JP6031746B2 true JP6031746B2 (ja) | 2016-11-24 |
Family
ID=48620019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011240065A Active JP6031746B2 (ja) | 2011-11-01 | 2011-11-01 | 半導体装置の製造方法、半導体装置及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6031746B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006210369A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006222138A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 貫通電極の形成方法 |
JP5237607B2 (ja) * | 2007-10-25 | 2013-07-17 | 新光電気工業株式会社 | 基板の製造方法 |
JP4900508B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2012-03-21 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-11-01 JP JP2011240065A patent/JP6031746B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013098369A (ja) | 2013-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5259197B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4456027B2 (ja) | 貫通導電体の製造方法 | |
JP5289830B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN109273430B (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
JP4585561B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008053568A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2007184553A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006032699A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPWO2012176392A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
TW201535551A (zh) | 晶片封裝體及其製造方法 | |
JP5627835B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2010103467A (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
JP2010129684A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
US11587866B2 (en) | Integrated electronic device with a redistribution region and a high resilience to mechanical stresses and method for its preparation | |
JP2009272490A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2007318143A (ja) | 半導体構造体及びその製造方法 | |
JP2010232400A (ja) | 半導体基板と半導体基板の製造方法および半導体パッケージ | |
JP5377657B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2015002299A (ja) | 漏斗状の貫通電極およびその製造方法 | |
JP2012248754A (ja) | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 | |
JP5460069B2 (ja) | 半導体基板と半導体パッケージおよび半導体基板の製造方法 | |
JP5873145B2 (ja) | 貫通配線基板の製造方法 | |
JP6031746B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置及び電子機器 | |
JP5834563B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2011071175A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141014 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141014 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150901 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151006 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160510 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160623 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160707 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160927 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161010 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6031746 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |