JP2013098369A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 半導体基板の一方の面側にシード層を形成するシード層形成工程と、
   前記シード層形成工程後、前記シード層上に配線層を形成する配線層形成工程と、
   前記配線層形成工程後、前記半導体基板の他方の面から前記シード層に達する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
   前記貫通孔形成工程後、前記貫通孔内にメッキで貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
   前記貫通電極形成工程後、前記シード層を複数に分断する分断工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記分断工程は、ダイシングライン上で導通しているシード層をダイシングラインに沿ってダイシングすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 半導体基板と、
   前記半導体基板の一方の面側に形成されたシード層と、
   前記シード層上に形成された配線層と、
   前記半導体基板の他方の面から前記半導体基板を貫通して前記シード層に接続する貫通電極とを含むことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項３に記載の半導体装置において、
   前記貫通電極と前記半導体基板との間に設けられた絶縁膜を含み、
   前記貫通電極は、前記シード層と前記絶縁膜で囲まれた溝内にメッキにより形成されたことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項３または請求項４に記載の半導体装置を含むことを特徴とする電子機器。