JP6026927B2 - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Description
図1に示すように、固定砥粒タイプのワイヤソー装置Wにおいて、走行するワイヤ11に、スライスベース2に固定された直方体状の半導体ブロック(以下、ブロックという)1を押し当てて、ワイヤ11の走行によってブロック1を切断することによって、複数枚の半導体基板を製造する。
第2接着層の硬化の進行状態は切断工程においても略同一であるとする。
以下に、硬化型接着剤として熱硬化型接着剤を用いた、ブロック1、スライスベース2およびプレート材3の接着工程について詳述する。
正方形を含む)あるいは円形のようなピン形状の側面押さえ22を用いて、プレート材3
およびスライスベース2を固定して、側面押さえ22と同様な部材の上部押さえ23およ
びその上に載せたSUS等の金属からなる錘25を用いて補助具26に荷重をかける。その場合、補助具26への荷重が0.1〜0.5MPaになるような重量の錘が使用される。
以下に、硬化型接着剤として光硬化型接着剤を用いた、ブロック1、スライスベース2およびプレート材3の接着工程について詳述する。
びプレート材3の材料は、熱硬化型接着剤を用いた場合と同様である。硬化型接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂またはビニルエーテル樹脂系の光硬化型接着剤が用いられる。
いように、側面押さえ22でスライスベース2とブロック1を固定し、上部押さえ23でブロックに荷重をかける。この状態で硬化型接着剤を硬化させて、スライスベース2とブロック1とを接着する第2接着層4Bの形成が行なわれる。
以下に、図4に示すように、スライスベース2とプレート材3との間にスペーサ5を配置して、ブロック1、スライスベース2、プレート材3およびスペーサ5の接着工程について詳述する。
型接着剤の上に貼り合わせ、さらに、スライスベース2をスペーサ5に塗布し乾燥させた硬化型接着剤4の上に貼り合わせ、プレート材3とスペーサ5とスライスベース2を仮接着させる。
以下に、ブロック1の切断工程について詳述する。
1100μm/分以下に設定される。
プレート材3の上に2液性エポキシ樹脂系の熱硬化型の硬化型接着剤を塗布して乾燥さ
せて、スライスベース2をプレート材3の上に貼り合わせた状態で、プレート材3を下にしてホットプレート21にて約70℃で加熱して接着剤を硬化させ、第1接着層4Aを形成した。この第1接着層4Aのせん断応力は55〜60MPaであった。
プレート材3にエポキシ樹脂系の光硬化型の硬化型接着剤を塗布して、先に100mW/cm2の紫外線を60秒間照射した後、スライスベース2をプレート材3に貼り合わせた状態で硬化型接着剤を硬化させて、第1接着層4Aを形成した。この第1接着層4Aのせん断応力は58〜63MPaであった。
まず、プレート材3に2液性エポキシ樹脂系の熱硬化型の硬化型接着剤を塗布して乾燥させて、スペーサ5をプレート材3に貼り合わせた状態で仮接着した。
径14μm、平均直径148μm)11を双方向に走行させながら、スライスベース2に接着させたブロック1をスライスして、平均厚み190μmの半導体基板を作製した。
まず、プレート材3に2液性エポキシ樹脂系の熱硬化型の硬化型接着剤を塗布して乾燥させ、スライスベース2をプレート材3に貼り合わせた状態で、仮接着した。
実施例1−3および比較例1,2に対して、表1に示すように、切断後の半導体基板のクラックの発生率、ブロック1の割れ発生率およびブロック1の内部応力を評価した。ここで、半導体基板のクラック発生率は100回切断工程を行ない、全体の取れ枚数に対する基板のクラック発生枚数をカウントして算出した。ブロック1の割れ発生率は、ブロック1の接着を100回行ない、割れが発生したブロック1の数をカウントして算出した。
2 :スライスベース
3 :プレート材
4 :硬化型接着剤
4A :第1接着層
4B :第2接着層
4C :第3接着層
4D :第4接着層
5 :スペーサ
11 :ワイヤ
12 :供給ノズル
13 :メインローラ
14 :ディップ槽
15 :供給リール
16 :巻取リール
17 :ガイドローラ
18 :装置固定体
21 :ホットプレート
22 :側面押さえ
23 :上部押さえ
24 :枠体
25 :錘
26 :補助具
W :ワイヤソー装置
Claims (5)
- プレート材にスライスベースを介して固定した半導体ブロックを固定砥粒タイプのワイヤソーを用いて切断することによって半導体基板を得る半導体基板の製造方法であって、
前記プレート材と前記スライスベースとを硬化型接着剤からなる第1接着層を介して接着する第1接着工程と、
前記スライスベースと前記半導体ブロックの第1主面側とを、硬化型接着剤からなり前記第1接着層の硬化状態よりも硬化が進行していない状態の第2接着層を介して接着する第2接着工程と、
前記ワイヤソーを用いて、前記半導体ブロックの前記第1主面とは反対側の第2主面側から前記第1主面側へ向かって切断していく切断工程と、
を順次行なう半導体基板の製造方法。 - 前記第1接着層および前記第2接着層が同一材料の硬化型接着剤からなる請求項1に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記第1接着層および前記第2接着層がいずれも熱硬化型接着剤からなり、第1接着工程における前記第1接着層の温度が、前記切断工程における前記第1接着層の温度よりも高い請求項1または2に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記第1接着層および前記第2接着層がいずれも熱硬化型接着剤からなり、第1接着工程における前記第1接着層の温度が、前記第2接着工程の前記第2接着層の温度よりも高い請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
- 前記第1接着層および前記第2接着層の少なくとも一方が光硬化型接着剤からなる請求項1または2に記載の半導体基板の製造方法。
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