JP6023451B2 - 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
図1は本発明の第1実施形態の露光装置の図である。光源101から出射した光は、整形部102を介してインテグレータ103に入射する。整形部102は、インテグレータ103に入射する光の形状や大きさを変化することができる。インテグレータ103は、被照明面の照度分布を均一にする機能を有する。インテグレータ103を出射した光は、コンデンサーレンズ104を介して照野絞り(絞り)105を照明する。照野絞り105は、レチクル107やウエハ(基板)109の被照明面の照明範囲を規定する。照野絞り105とレチクル107とはコンデンサーレンズ106によって結像関係にある。レチクル107には、回路原版などの露光パターンが形成されている。露光パターンは、投影光学系108によってウエハステージ(基板ステージ)110の上に搭載されたウエハ109の上に結像される。ウエハステージ110には、ウエハ面における照度を計測する照度センサ(計測部)111が設けられている。
図5を用いて第2実施形態を説明する。コンデンサーレンズ106の物体側の光線はテレセントリックではない場合がある。つまり、照野絞り面の光線の主光線は垂直ではなく傾いている場合がある。また、図2で説明したように照野絞り105の各ブレード201〜204を同一平面上に配置することができないため、X方向のブレード202とY方向のブレード201とは光軸方向(Z方向)の互いに異なる位置に配置される。そのため、図5に示すように、X方向のブレード202の結像位置503とY方向のブレード201の結像位置504との、目標とする結像位置505からのずれ量は、ディスト―ションの影響により一致しない。つまり、X方向のブレード502の最適なオフセット量δx(B)とY方向のブレード201の最適なオフセット量δy(B)とは異なる値になる。なお、図を簡略にするため、2枚のブレード201,202は同じ方向の開口として記載している。
図7を用いて第3実施形態を説明する。第3実施形態では、照野絞り105が光軸方向に移動可能である。照野絞り105の光軸方向における位置(第1位置)を変化させることで、露光領域の照度分布を変化させることができる。面位置601は、ウエハ面またはそれに共役な被照明面107と結像関係にある。照野絞り105が面位置601に配置されたとき、被照明面107における照度分布は、ほぼ矩形状の照度分布603となる。一方、照野絞り105が面位置601から光軸方向にずれた位置602に配置されたとき、被照明面107における照度分布は、台形状の照度分布604となる。
演算部113に記憶させておく係数は設計値から算出することができるが、光学系の公差や製造誤差を考慮して装置上で計測することもできる。演算部113に記憶させておく係数が設計値から算出される場合、演算部113は、開口の大きさを変化させたときのオフセット量(又は開口の大きさ)と照明範囲との関係を取得する取得部を構成する。本実施形態では、図8、図9を用いて装置上で係数を計測結果に基づいて求める態様を説明する。図8は、露光結果から係数を求める方法を示している。図8の(a)は照野絞り105の開口の様子を示しており、(b)はウエハ109上の露光結果を示している。図8(b)のハッチング領域はレジストが残っている領域で、その中の白色の領域はレジストが露光されて抜けている領域を示している。点線の領域は、図8(a)の照野絞り105の開口領域に対応したウエハ109上の領域を示している。点線領域の各辺とレジストが残っている位置との間の矢印で示される距離が結像位置のずれ量となる。照野絞り105を様々な開口領域に広げた状態で露光し、それぞれにおける矢印で示されるずれ量を測定すれば、図7のような604で示されるプロット図を作成することができる。プロットを近似式で近似すれば、δ(B)の各項の係数を算出することできる。
次に、デバイス(半導体デバイス、液晶表示デバイス等)の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)と、パッケージング工程(封入)を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
Claims (13)
- 照明光学系であって、
被照明面の照明範囲を規定する絞りと、
前記絞りの開口を前記被照明面に結像する結像光学系と、
前記開口の大きさをA、前記被照明面の目標照明範囲の大きさをB、前記結像光学系の倍率をβとしたとき、A=B÷β+δの関係で表されるオフセット量δを取得する取得部と、
前記取得されたオフセット量δに基づいて前記開口の大きさを調整する調整部と、
を備え、
前記被照明面の目標照明範囲の大きさによって前記オフセット量が異なることを特徴とする照明光学系。 - 前記絞りは、前記照明光学系の光軸方向に沿って互いに異なる位置に配置された第1ブレード及び第2ブレードを含み、
前記絞りは、前記第1ブレードによって前記光軸方向と直交する第1方向における大きさが規定され、前記第2ブレードによって前記光軸方向と直交する第2方向における大きさが規定される開口を構成し、
前記第1方向と前記第2方向は異なり、
前記取得部は、前記第1方向及び前記第2方向における前記被照明面の目標照明範囲のデータを用いて、前記第1方向及び前記第2方向における前記オフセット量を取得し、
前記調整部は、該取得されたオフセット量に基づいて前記第1方向及び前記第2方向における前記開口の大きさを調整することを特徴とする請求項1に記載の照明光学系。 - 前記絞りは、前記照明光学系の光軸方向に沿って移動可能なブレードを含み、前記絞りは、前記ブレードによって大きさが規定される開口を構成し、
前記取得部は、前記被照明面の目標照明範囲のデータ及び前記ブレードの前記光軸方向の位置のデータを用いて前記オフセット量を取得し、
前記被照明面の目標照明範囲の大きさ及び前記ブレードの前記光軸方向の位置によって前記オフセット量が異なることを特徴とする請求項1に記載の照明光学系。 - 前記開口の大きさを変化させながら前記被照明面の照明範囲を計測する計測部を有し、
前記取得部は、前記目標照明範囲と前記オフセット量との関係を表すデータを用いて前記オフセット量を取得し、
前記目標照明範囲と前記オフセット量との関係を表すデータは前記計測部による計測結果を用いて求められる、ことを特徴とする請求項1に記載の照明光学系。 - 前記第1ブレードの前記第1方向における位置と前記第2ブレードの前記第2方向における位置とを変化させながら前記被照明面の照明範囲を計測する計測部を有し、
前記取得部は、前記第1方向及び前記第2方向における前記目標照明範囲と前記オフセット量との関係を表すデータを用いて前記オフセット量を取得し、
前記第1方向及び前記第2方向における前記目標照明範囲と前記オフセット量との関係を表すデータは、前記計測部による計測結果を用いて求められる、ことを特徴とする請求項2に記載の照明光学系。 - 前記ブレードの前記光軸方向における第1位置と前記光軸方向と直交する方向における第2位置とを変化させながら前記被照明面の照明範囲を計測する計測部を有し、
前記取得部は、前記目標照明範囲と前記ブレードの前記光軸方向の位置と前記オフセット量との関係を表すデータを用いて前記オフセット量を取得し、
前記目標照明範囲と前記ブレードの前記光軸方向の位置と前記オフセット量との関係を表すデータは、前記計測部による計測結果を用いて求められる、ことを特徴とする請求項3に記載の照明光学系。 - 前記計測部は、前記開口の大きさを変えながら前記被照明面又はそれと共役な面に配置された基板を露光したときの露光結果に基づいて前記照明範囲を求めることを特徴とする請求項4に記載の照明光学系。
- 前記計測部は、前記被照明面又はそれと共役な面における照度を計測する照度センサを含み、前記開口の大きさを変えながら行われた前記照度センサの計測結果に基づいて前記照明範囲を求めることを特徴とする請求項4に記載の照明光学系。
- 前記取得部は、前記目標照明範囲と前記オフセット量との関係を表すデータを用いて前記オフセット量を取得し、
前記目標照明範囲と前記オフセット量との関係を表すデータは、前記オフセット量を前記目標照明範囲の1次又は高次の関数で表すデータであることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の照明光学系。 - 前記第1方向における前記開口の大きさと前記目標照明範囲とのオフセット量と、前記第2方向における前記開口の大きさと前記目標照明範囲とのオフセット量とが異なることを特徴とする請求項2に記載の照明光学系。
- 前記取得部は、前記目標照明範囲と前記オフセット量との関係を表すデータを用いて前記オフセット量を取得し、
前記取得部は、前記結像光学系の収差を用いて前記目標照明範囲と前記オフセット量との関係を表すデータを求めることを特徴とする請求項1に記載の照明光学系。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載の照明光学系によって照明された原版のパターンを投影光学系により基板に投影し、前記基板を露光することを特徴とする露光装置。
- 請求項12に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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