JP5999715B2 - 炭化珪素粉末の製造方法 - Google Patents

炭化珪素粉末の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5999715B2
JP5999715B2 JP2013530051A JP2013530051A JP5999715B2 JP 5999715 B2 JP5999715 B2 JP 5999715B2 JP 2013530051 A JP2013530051 A JP 2013530051A JP 2013530051 A JP2013530051 A JP 2013530051A JP 5999715 B2 JP5999715 B2 JP 5999715B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
raw material
silicon carbide
less
ppm
carbide powder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013530051A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2013027790A1 (ja
Inventor
増田 賢太
賢太 増田
一坪 幸輝
幸輝 一坪
恒平 河野
恒平 河野
将和 鈴木
将和 鈴木
惇 熊坂
惇 熊坂
秀秋 田中
秀秋 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiheiyo Cement Corp
Original Assignee
Taiheiyo Cement Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiheiyo Cement Corp filed Critical Taiheiyo Cement Corp
Publication of JPWO2013027790A1 publication Critical patent/JPWO2013027790A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5999715B2 publication Critical patent/JP5999715B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90Carbides
    • C01B32/914Carbides of single elements
    • C01B32/956Silicon carbide
    • C01B32/963Preparation from compounds containing silicon
    • C01B32/97Preparation from SiO or SiO2
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
    • C04B35/573Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by reaction sintering or recrystallisation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62695Granulation or pelletising
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80Compositional purity
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C04B2235/422Carbon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C04B2235/422Carbon
    • C04B2235/424Carbon black
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C04B2235/422Carbon
    • C04B2235/425Graphite
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5418Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5427Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof millimeter or submillimeter sized, i.e. larger than 0,1 mm
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5418Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5454Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof nanometer sized, i.e. below 100 nm
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/549Particle size related information the particle size being expressed by crystallite size or primary particle size
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • C04B2235/727Phosphorus or phosphorus compound content

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

本発明は、アチソン炉を用いて得られる高純度の炭化珪素粉末、及びその製造方法に関する。
炭化珪素(SiC)は、研磨もしくは研削材、セラミックス焼結体及び導電性材料等の工業用材料として、従来から幅広く使用されている。特に、最近では、省エネルギー志向の強まりや脱原発による自然再生エネルギーの活用への期待等の社会的背景により、パワー半導体等に用いられる単結晶材料として、純度の高い炭化珪素粉末が求められている。
炭化珪素を工業的に量産する技術としては、珪素(Si)を含む珪酸質原料(例えば、硅砂)と炭素を含む炭素質原料(例えば、石油コークス)を原料とし、アチソン炉において1600℃以上で加熱することで、直接還元反応によって炭化珪素を製造する方法が知られている。
この従来から行なわれているアチソン炉による製造では、原料中の不純物の含有率が高く、不純物の制御が難しいため、高純度の炭化珪素粉末を製造することはできなかった。
このため、純度の低い炭化珪素粉末を高純度化する手法が提案されている。例えば、特許文献1では、不純物を多く含有している炭化珪素粉末を真空容器に入れ、真空度が9×10−5〜1×10−2torrの範囲で、かつ1,500〜1,700℃の温度範囲で加熱することで、炭化珪素粉末中の不純物を除去して、高純度炭素珪素粉末を製造する方法が記載されている。
しかしながら、真空中で昇温する特許文献1の方法は、装置が複雑で、高価であり、かつ、工業的に一度に大量生産できなかった。
さらに、特許文献2では、不純物が多く含まれている炭化珪素粉とフッ化水素酸との混合物を密閉容器内に導入し、加圧下で加熱処理する高純度炭化珪素粉の製造方法が記載されている。
しかしながら、フッ化水素酸は人体に有害で危険性が高く、取り扱いが困難であり、かつ、工業的に大量に炭化珪素粉を処理できないという問題があった。
特開昭64−61308号公報 特許第4006716号公報
本発明は、高純度の炭化珪素粉末、及び、安価にかつ大量に、しかも安全に高純度の炭化珪素粉末を製造することができる方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、アチソン炉を用いて、珪酸質原料と炭素質原料を混合してなる炭化珪素製造用原料を焼成して得られる特定の炭化珪素粉末、及び、その製造方法によって、上記目的を達成することができることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、以下の[1]〜[]を提供するものである。
[1] アチソン炉を用いて、珪酸質原料と炭素質原料を混合してなる炭化珪素製造用原料を焼成して得られる、不純物の含有率が300ppm以下である炭化珪素粉末の製造方法であって、前記珪酸質原料は、不純物の含有率が50ppm以下の非晶質シリカであり、前記炭素質原料は、不純物の含有率が300ppm以下のカーボンブラックであり、前記炭化珪素製造用原料は、炭素質原料と珪酸質原料の混合モル比(C/SiO )が2.5〜4.0で、かつ、不純物の含有率が120ppm以下のものであり前記アチソン炉の加熱手段である炭素からなる発熱体中の不純物の含有率が、前記炭化珪素製造用原料中の不純物の含有率以下であることを特徴とする炭化珪素粉末の製造方法
] 前記炭化珪素製造用原料が、予めペレット化されている、前記[1]に記載の炭化珪素粉末の製造方法。
本発明の炭化珪素粉末は、高純度でかつ安価であり、パワー半導体向けの単結晶用原料及び治具の他、高純度が求められる用途におけるセラミックス焼結体の原料として用いることができる。
本発明の製造方法によれば、高純度の炭化珪素粉末を安価にかつ大量に、しかも安全に製造することができる。
アチソン炉の長手方向の断面図である。 アチソン炉の長手方向に垂直な方向の断面図である。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の炭化珪素粉末は、アチソン炉を用いて、珪酸質原料と炭素質原料を混合してなる炭化珪素製造用原料を焼成して得られる炭化珪素粉末であって、該炭化珪素粉末中の不純物の含有率が500ppm以下、好ましくは300ppm以下、より好ましくは200ppm以下、さらに好ましくは150ppm以下、さらに好ましくは100ppm以下、特に好ましくは50ppm以下のものである。該含有率が500ppmを超えると、パワー半導体向けの単結晶用原料及び治具の他、高純度が求められる用途におけるセラミックス焼結体の原料として用いることが困難となる。
ここで、炭化珪素粉末中の不純物とは、珪素(Si)、炭素(C)、酸素(O)および窒素(N)を除く成分をいう。珪素(Si)および炭素(C)は、炭化珪素自体の成分であり、不純物に含まれない。酸素(O)および窒素(N)も、不純物に含まれないものとする。
不純物の例としては、ホウ素(B)、リン(P)、アルミニウム(Al)、鉄(Fe)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、カルシウム(Ca)、亜鉛(Zn)等が挙げられる。
特に、本発明の炭化珪素粉末をパワー半導体の単結晶用原料として使用する場合、炭化珪素粉末中のホウ素(B)およびリン(P)のそれぞれの含有率は、好ましくは1ppm以下である。また、この場合、炭化珪素粉末中のアルミニウム(Al)、鉄(Fe)およびチタン(Ti)のそれぞれの含有率は、好ましくは100ppm以下、より好ましくは5ppm以下、特に好ましくは2ppm以下である。
本発明の製造方法で用いられる炭化珪素製造用原料は、炭素質原料と珪酸質原料の混合モル比(C/SiO)が2.5〜4.0であり、かつ、不純物の含有率が120ppm以下のものである。
本明細書中、「炭素質原料と珪酸質原料の混合モル比」とは、炭素質原料と珪酸質原料を混合して、炭化珪素製造用原料を調製する場合における、炭素質原料中の炭素(C)のモルと、珪酸質原料中の珪酸(SiO)のモルの比(C/SiO)をいう。
炭素質原料と珪酸質原料の混合モル比の範囲は、2.5〜4.0、好ましくは2.8〜3.8、より好ましくは3.0〜3.6である。該混合モル比が2.5未満または4.0を超えると、製品である炭化珪素粉末中に未反応の珪酸質原料や炭素質原料が多く残存してしまう。このように、該混合モル比は、炭化珪素粉末の組成に影響を与える。
炭化珪素製造用原料中の不純物の含有率は、120ppm以下、好ましくは100ppm以下、より好ましくは70ppm以下、さらに好ましくは50ppm以下、さらに好ましくは40ppm以下、特に好ましくは20ppm以下である。該含有率が120ppmを超えると、製造された炭化珪素粉末に関し、半導体用単結晶原料として使用可能な純度を満足することが困難となる。
ここで、炭化珪素製造用原料中の不純物とは、上述の炭化珪素粉末中の不純物と同じであり、珪素(Si)、炭素(C)、酸素(O)および窒素(N)を除く成分をいう。
なお、炭化珪素製造用原料中の酸素(O)は、炭化珪素粉末の製造過程でほとんどが除去される。
本発明の炭化珪素製造用原料として、珪酸質原料と炭素質原料を粉体混合して得られる混合原料を予めペレット化したものを使用することができる。ペレット化された炭化珪素製造用原料は、例えばシリカと有機樹脂の混合物を、ペレット化することによって得ることができる。
ペレットの粒度(最長寸法;例えば、断面が楕円の場合、長径の寸法)は、取り扱いの容易性、焼成の効率などの観点から、好ましくは0.3〜10mm、より好ましくは0.5〜5mm、特に好ましくは1〜4mmである。
本発明の製造法に用いられる珪酸質原料としては、例えば天然のケイ砂およびケイ石粉、人造ケイ石粉、シリカフューム、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。また、反応性の観点から非晶質シリカが好ましい。
珪酸質原料中の不純物の含有率は、好ましくは50ppm以下、より好ましくは25ppm以下である。該含有率が50ppmを超えると、製造された炭化珪素粉末の純度が低くなる場合がある。
ここで、珪酸質原料中の不純物とは、上述の炭化珪素粉末中の不純物と同じであり、珪素(Si)、炭素(C)、酸素(O)および窒素(N)を除く成分をいう。
また、珪酸質原料中のB、P、Al、Fe、Ca、及びTiのそれぞれの含有率は、好ましくは20ppm以下、より好ましくは10ppm以下、さらに好ましくは5ppm以下、特に好ましくは1ppm以下である。
珪酸質原料の粒度は、好ましくは10mm以下、より好ましくは8mm以下、特に好ましくは6mm以下である。該粒度が10mmを超えると、反応性が著しく悪くなり、生産性が劣る結果となる。
珪酸質原料の粒度の定義は、上述のペレットの粒度(最長寸法)と同じである。
本発明の製造方法に用いられる炭素質原料としては、例えば石油コークス、石炭ピッチ、カーボンブラック、各種有機樹脂等が挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。中でも、純度の観点から、カーボンブラックが好ましい。
炭素質原料中の不純物の含有率は、好ましくは300ppm以下、好ましくは200ppm以下、より好ましくは100ppm以下、特に好ましくは70ppm以下である。該含有率が300ppmを超えると、得られる炭化珪素粉末の純度が低くなる場合がある。
ここで、炭素質原料中の不純物とは、上述の炭化珪素粉末中の不純物と同じであり、珪素(Si)、炭素(C)、酸素(O)および窒素(N)を除く成分をいう。
本発明の製造方法に用いられるアチソン炉の発熱体の種類は、炭素からなるものであって、電気を通すことができればよく、特に限定されないが、例えば黒鉛粉、カーボンロッドが挙げられる。
発熱体中の不純物の含有率は、上述した炭化珪素製造用原料中に含まれる不純物の含有率以下であることが好ましい。
ここで、発熱体中の不純物とは、上述の炭化珪素粉末中の不純物と同じであり、珪素(Si)、炭素(C)、酸素(O)および窒素(N)を除く成分をいう。
発熱体中の不純物の含有率は、好ましくは120ppm以下、より好ましくは70ppm以下、さらに好ましくは50ppm以下、特に好ましくは25ppm以下である。該含有率を好ましい範囲内に定めることで、より高純度の炭化珪素粉末を得ることができる。
発熱体の形態は、上述したように電気を通すことができればよく、粉状でも棒状でもよい。また、棒状の場合、該棒状体の形態も特に限定されず、円柱状でも角柱状でもよい。
本発明で用いるアチソン炉について、図1及び図2を参照しながら説明する。
図1はアチソン炉4の長手方向の断面図であり、図2はアチソン炉4の長手方向に垂直な方向の断面図である。
アチソン炉4は大気開放型であり、炉本体5の断面が略U字状である炉であり、両端に電極芯3,3を有している。長手方向の中央部には発熱体2が電極芯3,3を結ぶように設置され、発熱体2の周りには炭化珪素製造用原料1が充填されている。また、炭化珪素製造用原料1は炉本体5の内部空間にかまぼこ状に収容される。
電極芯3,3間に電流を流し、発熱体2を通電加熱することで、発熱体2の周囲において下記式(1)で示される直接還元反応が起こり、炭化珪素(SiC)の塊状物が生成される。
SiO+3C → SiC+2CO (1)
上記反応が行われる温度は、1600〜3000℃である。
得られた炭化珪素の塊状物を粉砕することで、高純度の炭化珪素粉末を得ることができる。
粉砕手段としては、ボールミル,振動ミル,ジェットミル等の、一般的な粉砕手段が挙げられる。
得られた高純度の炭化珪素粉末は、目標とする純度に応じて、鉱酸による洗浄をすることができる。鉱酸としては、塩酸、硫酸、硝酸等が使用できる。
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
1.使用材料
以下に示す材料を使用した。
(1)珪酸質原料A;結晶質シリカ(共立マテリアルズ(株)製、精製ケイ石粉,粒度:2mm以下)
(2)珪酸質原料B;非晶質シリカ(太平洋セメント(株)製、試製品,粒度:5mm以下)
(3)珪酸質原料C;結晶質シリカ(豪州産、天然ケイ石粉,粒度:2mm以下)
(4)炭素質原料A;カーボンブラック(キャボットジャパン(株)製、商品名「ショウブラック550」、一次粒子の平均粒径:50nm、二次粒子の平均粒径:724μm)
(5)炭素質原料B;カーボンブラック(東海カーボン(株)製、商品名「シ―スト600」、一次粒子の平均粒径:25nm、二次粒子の平均粒径:500μm)
(6)炭素質原料C;カーボンブラック(東海カーボン(株)製、商品名「シ―ストTA」、一次粒子の平均粒径:120nm、二次粒子の平均粒径:900μm)
(7)炭素質原料D;カーボンブラック(エア・ウォーター(株)製、商品名「ベルファイン」、一次粒子の平均粒径:20nm、二次粒子の平均粒径:243μm)
(8)炭素質原料E;オイルコークス(中国産)、二次粒子の平均粒径:3000μm
(9)発熱体の原料;発熱体用黒鉛粉(太平洋セメント(株)製の試製品)
(10)結合剤:ポリビニールアルコール(関東化学(株)特級)
上記材料を使用して、以下の材料を調製した。
(11)発熱体用黒鉛A;上記発熱体用黒鉛粉を非酸化性雰囲気下で、2,000℃の条件で焼成することを2回繰り返すことで得た。
(12)発熱体用黒鉛B;上記発熱体用黒鉛粉を非酸化性雰囲気下で、2,000℃の条件で焼成することを4回繰り返すことで得た。
(13)発熱体用黒鉛C;上記発熱体用黒鉛粉を非酸化性雰囲気下で、2,000℃の条件で焼成することを6回繰り返すことで得た。
(14)ペレット状の混合原料A;珪酸質原料B47質量部と、炭素質原料C52質量部を混合した後、この粉体混合原料100質量部に対して、ポリビニールアルコール(20%)水溶液を30質量部添加して、ペレット状(粒度:4mm)にした。
(15)ペレット状の混合原料B;珪酸質原料B62.5質量部と、炭素質原料D37.5質量部を混合した後、前述した方法と同様に、ポリビニールアルコールを添加し、造粒機によってペレット状(粒度:2mm)にした。
上述した材料の化学成分を以下のように分析した。結果を表1に示す。
2.分析方法
(1)B(ホウ素)及びP(リン)の含有率の分析方法
土壌中のB(ホウ素)の分析方法(BUNSEKI KAGAKU VOL47,No7,pp451−454参照)であるアルカリ溶融法によるICP−AES分析に基づいて分析を行った。
具体的には、試料1gおよびNaCO4gを白金ルツボに入れた後、この白金ルツボを電気炉内に載置して700℃で1時間加熱した。次いで1時間ごとに、白金ルツボ内の混合物を撹拌しながら、800℃で4時間加熱し、さらに1000℃で15分間加熱した。加熱後の混合物(融成物)に50質量%のHCl20mlを添加し、ホットプレートを用いて、140℃で10分間融成物をくずしながら溶解した。水を加えて100mlにメスアップした後、ろ過を行い、得られた固形分に対して、ICP−AES分析を行った。得られた結果を表1に示す。
(2)B及びP以外の元素(Al、Fe、Ca、及びTi)の含有率の分析方法
「JIS R 1616」に記載された加圧酸分解法によるICP−AES分析に基づいて測定した。得られた結果を表1に示す。
なお、表1中の各原料に関し、前記の6つの元素(B、P、Al、Fe、Ca、Ti)以外の不純物の含有率の合計は、10ppm以下であった。
Figure 0005999715
[実施例1〜参考例1〜3、比較例1、2]
図1及び図2に記載されたアチソン炉の中へ、表2に記載された混合原料、及び発熱体用黒鉛を収容した後、最大負荷70kwhで12時間、通電加熱し、炭化珪素の塊状物を生成させた。得られた炭化珪素の塊状物を、トップグラインダーを用いて粉砕し、炭化珪素粉末を得た。得られた炭化珪素粉末中の不純物(B、P、Al、Fe、Ca、及びTi)の含有率を、上述した分析方法を用いて測定した。結果を表3に示す。
表2中の「混合原料」および「発熱体」に関し、「不純物の含有率」は、いずれも、表1に記載されている6種の不純物の合計量である。
また、表3中の実施例1〜5および参考例1〜3のいずれについても、表3に記載されている6種の不純物以外の不純物の合計量は、10ppm以下であった。
なお、アチソン炉の加熱時の炉内温度は、1600〜3000℃の範囲内である。
Figure 0005999715
Figure 0005999715
1 珪酸質原料と炭素質原料の混合物(炭化珪素製造用原料)
2 発熱体用黒鉛
3 電極芯
4 アチソン炉
5 炉本体

Claims (2)

  1. アチソン炉を用いて、珪酸質原料と炭素質原料を混合してなる炭化珪素製造用原料を焼成して得られる、不純物の含有率が300ppm以下である炭化珪素粉末の製造方法であって、
    前記珪酸質原料は、不純物の含有率が50ppm以下の非晶質シリカであり、
    前記炭素質原料は、不純物の含有率が300ppm以下のカーボンブラックであり、
    前記炭化珪素製造用原料は、炭素質原料と珪酸質原料の混合モル比(C/SiO )が2.5〜4.0で、かつ、不純物の含有率が120ppm以下のものであり
    前記アチソン炉の加熱手段である炭素からなる発熱体中の不純物の含有率が、前記炭化珪素製造用原料中の不純物の含有率以下であることを特徴とする炭化珪素粉末の製造方法
  2. 前記炭化珪素製造用原料が、予めペレット化されている、請求項に記載の炭化珪素粉末の製造方法。
JP2013530051A 2011-08-24 2012-08-23 炭化珪素粉末の製造方法 Active JP5999715B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011182933 2011-08-24
JP2011182933 2011-08-24
PCT/JP2012/071270 WO2013027790A1 (ja) 2011-08-24 2012-08-23 炭化珪素粉末及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2013027790A1 JPWO2013027790A1 (ja) 2015-03-19
JP5999715B2 true JP5999715B2 (ja) 2016-09-28

Family

ID=47746528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013530051A Active JP5999715B2 (ja) 2011-08-24 2012-08-23 炭化珪素粉末の製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9382121B2 (ja)
EP (1) EP2749531B1 (ja)
JP (1) JP5999715B2 (ja)
KR (1) KR101940351B1 (ja)
CN (1) CN103857622A (ja)
TW (1) TWI542542B (ja)
WO (1) WO2013027790A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5797086B2 (ja) * 2011-11-01 2015-10-21 太平洋セメント株式会社 高純度炭化珪素粉末の製造方法
KR101349502B1 (ko) * 2011-12-28 2014-01-08 엘지이노텍 주식회사 탄화규소 분말 제조 방법
JP6230106B2 (ja) * 2013-07-31 2017-11-15 太平洋セメント株式会社 炭化珪素単結晶の製造方法
JP6270414B2 (ja) * 2013-10-30 2018-01-31 太平洋セメント株式会社 炭化珪素の製造方法
JP6210598B2 (ja) * 2014-02-25 2017-10-11 太平洋セメント株式会社 炭化珪素粉末の製造方法
CN105236410B (zh) * 2015-09-15 2017-07-18 扬州大学 发光非晶碳化硅纳米颗粒的制备方法
CN105858664B (zh) * 2016-06-17 2017-11-28 大同新成新材料股份有限公司 可提高碳化硅质量的方法及艾奇逊炉
JP6990136B2 (ja) * 2017-07-27 2022-01-12 太平洋セメント株式会社 炭化ケイ素粉末
CN108529630A (zh) * 2018-07-17 2018-09-14 东北大学 一种采用内热法制备碳化硅的方法
JP7518593B2 (ja) * 2020-01-29 2024-07-18 太平洋セメント株式会社 炭化ケイ素粉末の製造方法
JP7483192B2 (ja) * 2020-03-19 2024-05-15 太平洋セメント株式会社 複合粒子およびその製造方法
CN112811426A (zh) * 2020-12-31 2021-05-18 山东天岳先进科技股份有限公司 一种碳化硅粉料及制备方法与装置
KR102509020B1 (ko) * 2021-12-20 2023-03-14 주식회사 플러스매니저 태양광 폐패널로부터 회수된 실리콘을 이용한 상압소결용 탄화규소분말 및 이의 제조방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5848487B2 (ja) * 1976-03-31 1983-10-28 東芝セラミツクス株式会社 高純度炭化珪素粉末の製造方法
US4141740A (en) * 1978-02-23 1979-02-27 University Of Utah Solid solution and process for producing a solid solution
JPS589807A (ja) * 1981-07-10 1983-01-20 Showa Denko Kk 高純度SiCの製造法
US4419336A (en) * 1982-03-29 1983-12-06 Norton Company Silicon carbide production and furnace
US4702900A (en) * 1985-04-08 1987-10-27 Bridgestone Corporation Method of producing silicon carbide
US4686032A (en) * 1985-04-10 1987-08-11 Electro Minerals (Canada), Inc. Automatic method for separating and cleaning silicon carbide furnace materials
JPS6227316A (ja) * 1985-07-26 1987-02-05 Ibiden Co Ltd 高純度炭化珪素微粉末の製造方法
JPS636716A (ja) 1986-06-26 1988-01-12 Nec Corp 直熱型陰極構体
JPS6461308A (en) * 1987-09-01 1989-03-08 Tokai Konetsu Kogyo Kk Production of high-purity silicon carbide powder
EP0476422B1 (de) * 1990-09-07 1994-07-27 H.C. Starck GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung von Beta-Siliciumcarbidpulver
EP0486938B1 (en) * 1990-11-20 1999-05-19 Asahi Glass Company Ltd. Heat treating apparatuses for semiconductors and high purity silicon carbide parts for the apparatuses and a method of making thereof
NO306815B1 (no) * 1994-06-06 1999-12-27 Norton As Fremgangsmåte ved fremstilling av siliciumkarbid
JP4006716B2 (ja) 1997-06-20 2007-11-14 信越石英株式会社 高純度炭化珪素粉およびその製造方法
JP4589491B2 (ja) * 1999-08-24 2010-12-01 株式会社ブリヂストン 炭化ケイ素粉末、グリーン体の製造方法、及び炭化ケイ素焼結体の製造方法
ITMI20081085A1 (it) * 2008-06-16 2009-12-17 N E D Silicon S P A Metodo per la preparazione di silicio di grado metallurgico di elevata purezza.
DE102008064642A1 (de) 2008-09-30 2010-04-01 Evonik Degussa Gmbh Zusammensetzung oder Kit für ein Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumcarbid aus Kohlenhydraten und Siliciumoxid sowie darauf basierende Artikel
WO2012163534A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Evonik Solar Norge As Starting materials for production of solar grade silicon feedstock

Also Published As

Publication number Publication date
EP2749531B1 (en) 2023-08-23
CN103857622A (zh) 2014-06-11
KR20140081784A (ko) 2014-07-01
US9382121B2 (en) 2016-07-05
TW201326041A (zh) 2013-07-01
KR101940351B1 (ko) 2019-01-18
TWI542542B (zh) 2016-07-21
EP2749531A1 (en) 2014-07-02
US20140301933A1 (en) 2014-10-09
JPWO2013027790A1 (ja) 2015-03-19
EP2749531A4 (en) 2015-05-13
WO2013027790A1 (ja) 2013-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5999715B2 (ja) 炭化珪素粉末の製造方法
JP6230106B2 (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法
JP6210598B2 (ja) 炭化珪素粉末の製造方法
CN101033068A (zh) 一种高纯超细球形硅微粉的制备方法
JP2013112541A (ja) 炭化珪素を含む耐火物の製造方法
JP3644713B2 (ja) 六方晶窒化ほう素粉末の製造方法
JP5797086B2 (ja) 高純度炭化珪素粉末の製造方法
KR101084711B1 (ko) 고순도 베타상 탄화규소 미세 분말의 저온 제조 방법
JP2013107783A (ja) 炭化珪素焼結体の製造方法
JP2013112544A (ja) 高純度炭化珪素ウィスカー、及びその製造方法
JP6707407B6 (ja) 炭化ケイ素粉末の製造方法
JP6297812B2 (ja) 炭化珪素の製造方法
JP6270414B2 (ja) 炭化珪素の製造方法
JP6527430B2 (ja) 炭化珪素の製造方法
CN103556212A (zh) 一种碳化硅晶须的制作方法
JP6616660B2 (ja) 炭化ケイ素の製造方法
JP6261384B2 (ja) 炭化珪素の製造方法
JP6508583B2 (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150805

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160517

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160715

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160824

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160824

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5999715

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250