JP5996853B2 - ボールボンディング用ワイヤ - Google Patents

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Description

この発明は、パワーＩＣ、ＬＳＩ、トランジスタ、ＢＧＡ（Ball Grid Array package）、ＱＦＮ（Quad Flat Non lead package）等の半導体パッケージにおける半導体素子のニッケル・パラジウム・金（Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）電極やニッケル・パラジウム（Ｎｉ／Ｐｄ）電極（以下、これらを「Ｐｄ電極（パッド）」と言う。）等の電極と、リードフレーム、セラミック基板、プリント基板等の回路配線基板の導体配線とをボールボンディング法によって接続するためのボールボンディング用ワイヤに関するものである。
上記ＢＧＡ等の半導体パッケージは、例えば、図１に示すように、配線板１上にはんだボール２を介してパッケージ基板３を設け、さらに、そのパッケージ基板３にダイボンディング材４を介して半導体チップ（素子）５を設けて、その半導体チップ５を封止材６によって封止した構造である。この半導体パッケージにおける半導体チップ５の電極ａとパッケージ基板３の導体配線（端子）ｃとの電気接続は、上記ボールボンディング法によって行われる。
そのボールボンディング法による接続方法は、図２（ａ）〜（ｈ）に示す態様が一般的であり、同図（ａ）に示す、ワイヤＷがキャピラリー１０ａに挿通されてその先端にボール（ＦＡＢ：Free Air Ball）ｂが形成された状態から、クランプ１０ｂが開いて、キャピラリー１０ａが集積回路素子上の電極ａに向かって降下する。このとき、ボール（ＦＡＢ）ｂはキャピラリー１０ａ内に捕捉される。
ターゲットである電極ａに溶融ボールｂが接触すると（キャピラリー１０ａが電極ａに至ると）キャピラリー１０ａが溶融ボールｂをグリップし、溶融ボールｂに熱・荷重・超音波を与え、それによって溶融ボールｂが圧着されて（圧着ボールｂ’となって）電極ａと固相接合され、１ｓｔボンドが形成されて電極ａと接着する（１ｓｔ接合、図２（ｂ））。
１ｓｔボンドが形成されれば、キャピラリー１０ａは、一定高さまで上昇した後（同図（ｃ））、導体配線ｃの真上まで移動する（同図（ｄ）〜（ｅ））。このとき、安定したループを形成するため、キャピラリー１０ａに特殊な動きをさせてワイヤＷに「くせ」を付ける動作をする場合がある（同図（ｄ）の鎖線から実線参照）。
導体配線ｃの真上に至ったキャピラリー１０ａは、導体配線ｃに向かって降下し、ワイヤＷを導体配線（２ｎｄターゲット）ｃに押付ける（同図（ｅ）〜（ｆ））。これと同時に、その押付け部位に熱・荷重・超音波を与え、それによってワイヤＷを変形させ、ワイヤＷを導体配線ｃ上に接合させるためのステッチボンドと、次のステップでテイルを確保するテイルボンドを形成する（２ｎｄ接合、図２（ｆ））。
その両ボンドを形成した後、キャピラリー１０ａはワイヤＷを残したまま上昇し、キャピラリー１０ａの先端に一定の長さのテイルを確保した後、クランプ１０ｂを閉じて（ワイヤＷをつかんで）、テイルボンドの部分からワイヤＷを引きちぎる（図２（ｇ））。
キャピラリー１０ａは、所要の高さまで上昇すると停止し、そのキャピラリー１０ａの先端に確保されたワイヤＷの先端部分に、放電棒ｇでもって高電圧を掛けて放電し（スパークし）、その熱でワイヤＷを溶かし、この溶けたワイヤ素材は表面張力によって球状に近い溶融ボールｂになって固まる（図２（ｈ））。
以上の作用で一サイクルが終了し、以後、同様な作用によって、電極ａと導体配線ｃとのボールボンディング法による接続がなされる。
このボールボンディング法に使用されるボンディング線（ワイヤ）Ｗの材質としては、４Ｎ（純度：９９．９９質量％以上）〜２Ｎ（純度：９９質量％以上）の金（Ａｕ）が使用されている。このようにＡｕが多用されるのはＡｕボールｂの形状が真球状となるとともに、形成されるＡｕボールｂの硬さが適切であって、接合時の荷重、超音波によってチップ５を損傷することがなく、確実な接合ができ、その信頼性が高いからである。
一方、ＡｕボンディングワイヤＷは高価であることから、安価な銅（Ｃｕ）ボンディングワイヤへの置き換えもなされている。さらに、そのＣｕボンディングワイヤ表面にパラジウム（Ｐｄ）等を被覆してボンディング性を高めたものが開発され、一部では使用されている（特許文献１）。また、銀（Ａｇ）ボンディングワイヤについても開発され、一部では使用されている。（特許文献２、３、４）
特開２００７−１２３５９７号公報 特開昭５７−１９４２３２号公報 特開昭５８−６９４８号公報 特開平１１−２８８９６２号公報
Ａｕボンディングワイヤは高価である。その代替材であるＣｕボンディングワイヤは安価ではあるが、Ａｕボンディングワイヤに比べてＦＡＢが硬く、電極ａのチップが脆弱であるとチップダメージ発生の恐れが高くなる。また、Ａｕボンディングワイヤに比べて２ｎｄ接合性が悪く、連続ボンディング性に問題がある。
表面被覆Ｃｕボンディングワイヤは、Ｃｕボンディングワイヤに比べて２ｎｄ接合性がよく、連続ボンディング性がよいが、ＦＡＢがＣｕボンディングワイヤよりもさらに硬くなるため、チップダメージ発生の問題がある。
また、従来、電極ａにはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金等のＡｌ電極(パッド）が用いられていたが、高温信頼性、例えば１５０℃以上における信頼性が求められる車載などの用途ではＰｄ電極ａが検討されている。さらに脆弱なチップ５に対するダメージ低減の必要もある。
このＰｄ電極ａに対し、上記表面被覆Ｃｕボンディングワイヤは接合し難いという問題があり、Ｃｕボンディングワイヤは、脆弱なチップ５に対してダメージを与えないような条件でボンディングしようとすると、十分な接合ができないという問題がある。
さらに、従来のＡｇボンディングワイヤでは、ボールｂを形成する際に窒素（Ｎ２）ガスを吹き付けて非酸化雰囲気で放電するのが一般的である。これに対し、特許文献２、３に、ＡｇにＡｌもしくはＭｇを添加することにより、窒素ガスを吹き付けることなく大気中で放電しても形状のよいボールｂが得られることが記載されている。
しかし、近年、電極ａが小さくなり、また、電極ａ同士の距離も近くなっているので、より安定した真球状のボールｂを得る必要があるため、Ａｇボンディングワイヤにおいても、一般的に窒素ガスを吹き付けて放電する方が好ましくなっている。この窒素ガスを吹き付けて放電した場合、周囲からの酸素の侵入は防ぐことができるが、ワイヤ先端が溶融した際にワイヤ表面の酸化銀から上記添加したＡｌもしくはＭｇが酸素を奪い、Ａｌ２Ｏ３もしくはＭｇＯができる。このとき、ＡｌもしくはＭｇを多量に含有していると、このＡｌ２Ｏ３もしくはＭｇＯがボールｂ表面に大量に生成してしまい、電極ａとの接合の際に硬質なＡｌ２Ｏ３もしくはＭｇＯが電極ａを損傷する問題がある。
同様に、特許文献４にワイヤ強度や耐熱性を向上させるために、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｂｅ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎを添加することが記載されているが、これらの元素についても多量に添加すると、それらの元素の酸化物が電極ａを損傷する問題がある。
また、特許文献４にはワイヤの接合信頼性を高めるために、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ａｕを添加することが記載されているが、このような元素を多量に添加すれば、ワイヤ自体の電気抵抗が上がり、ボンディングワイヤとしての性能を損なう問題が生じる。すなわち、上述のとおり、電極ａはより小さく、その距離もより近くなっているため、１ｓｔ接合部を小さくすることが求められている。そのためには、ボンディングワイヤの直径を小さくする必要があるが、ワイヤの電気抵抗が高くなると、ワイヤの直径を小さくすることができなくなる問題がある。
因みに、ＡｕボンディングワイヤとＰｄ電極ａの接合であれば、高温信頼性は得られるが、材料費が高価になるという問題がある。
この発明は、以上の実状の下、半導体素子のＰｄ電極等の電極ａとの接合性がよく、かつＡｕボンディングワイヤより安価なボンディング用ワイヤとすることを課題とする。
上記課題を達成するため、この発明は、半導体素子の電極と回路配線基板の導体配線をボールボンディング法によって接続するためのボンディング用ワイヤにおいて、Ｐｄ、Ａｕから選ばれる１種以上の元素を合計で０．５〜３．０質量％（０．５質量％以上、３．０質量％以下、この後の記載において、「〜」は同様に「以上」から「以下」の意とする。）含み、Ｃａ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅから選ばれる１種以上の元素を合計で１〜１０質量ｐｐｍ含み、Ｃｕを５〜３００質量ｐｐｍ含み、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる構成としたものである。
Ａｇを主体とするボンディングワイヤは、半導体素子の電極、特にＰｄ電極に対し、Ｃｕボンディングワイヤや表面被覆Ｃｕボンディングワイヤに比べて接合性がよく、一方、Ａｕボンディングワイヤに比べれば、安価なものとし得る。
因みに、ＡｇボンディングワイヤとＰｄ電極との接合箇所の耐食性は高いが、ＡｇボンディングワイヤとＡｌ電極との接合箇所は耐食性が低い。
Ｐｄ、Ａｕは、耐食性及び良好な電気特性を得るために添加するが、図２（ｈ）に示すように、ＦＡＢを作製する時にワイヤ先端部と放電棒ｇとの間で放電させてワイヤ先端を溶融させる際、Ａｇに比べて高融点なＡｕ、ＰｄがＦＡＢ表面に集積するため、ＦＡＢ（ボールｂ）表面がＡｕもしくはＰｄの高濃度層になり、同図（ｂ）の、次に続く１ｓｔ接合時に電極ａとの接合界面の信頼性向上に寄与する。このとき、このＦＡＢ表面への集積はＡｕ、Ｐｄの融点が関わり、Ｐｄの融点（１５５５℃）はＡｕの融点（１０６４℃）に比べて高く、Ｐｄのほうがより高濃度化するから、接合部の信頼性をより向上させるためにはＡｕよりもＰｄのほうが好ましい。
このＰｄ、Ａｕの添加において、Ｐｄ、Ａｕの合計が０．５質量％未満であると、接合部の信頼性が低くなるため、０．５質量％以上とする。０．７質量％以上とすれば、特に湿潤環境下での信頼性が確保できる。一方、３．０質量％を超えた量を添加すると、一般的に用いられているＡｕ−Ｐｄ合金ボンディングワイヤの電気抵抗（固有抵抗３．０μΩ・ｃｍ）よりも本発明に係るワイヤの電気抵抗が高くなり、直径を小さくすることが難しくなるため、３．０質量％以下とする。また、より好ましい範囲を１．５質量％以下とすると、一般的に用いられている４ＮのＡｕボンディングワイヤと同等以上の電気抵抗（固有抵抗２．３μΩ・ｃｍ以下）を得ることができる。
Ｃａ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅは、ワイヤ強度や耐熱性を向上させるために添加するが、その１種以上の元素の合計が１質量ｐｐｍ未満であると、そのワイヤの耐熱性が低くなって実用上の問題が生じるため、１質量ｐｐｍ以上とする。すなわち、耐熱性が低ければ、ボールｂ生成の際の放電による熱影響によってボールｂ直上のワイヤ部分の強度が低くなり、樹脂封止時にその部分が曲がったり断線したりする不具合が生じる。一方、合計添加量が１０質量ｐｐｍを超えると、添加元素がワイヤ表面の酸化銀から酸素を奪い、それらの元素の酸化物となって大量にボールｂ表面に生じる。この酸化物の大量析出によって、１ｓｔ接合時に電極ａが損傷するため、合計添加量は１０質量ｐｐｍ以下とする。
ここで、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅは希土類元素であり、入手性に難があるため、Ｃａの添加が最も好ましい。
また、ワイヤの強度を上げるためにＣｕを５質量ｐｐｍ以上添加する。Ａｇの強度を上げるために添加する元素としては、Ｎｉ、Ｔｉなども挙げられるが、Ｎｉは添加するための鋳造・凝固の際に２相に分離することがあるため、添加が難しく、ＴｉはＡｇ、ＰｄおよびＡｕと反応してそれぞれ脆弱な金属間化合物を作るので、好ましくない。ＣｕについてはＡｇ中に安定して添加できるため最適である。
Ｃｕが５質量ｐｐｍ未満であると、ワイヤの強度が不足するため、ワイヤボンディング後の樹脂封止の際にワイヤフローを起こしやすくなる。さらに、より高いワイヤフロー性を得るためには２０質量ｐｐｍ以上のＣｕを添加することが好ましい。また、Ｃｕの添加量が３００質量ｐｐｍを超えると、ボールｂの形状が安定して真球状にならず、異形のボールｂが発生しやすくなるため、その添加量は３００質量ｐｐｍ以下とする。
このワイヤＷの線径はボンディングワイヤとして使用し得れば任意であるが、例えば、１０〜５０．８μｍとする。５０．８μｍ以下とすると溶融ボールｂをより小さくでき、１０μｍ未満であると、ボンディング前にオペレータがワイヤＷをキャピラリー１０ａに通すのが困難になり、作業性が悪くなるうえに、空気圧によりワイヤに十分な張力をかけることができなくなり、ループ制御が困難になる恐れがある。
この発明は、以上のようにＡｇを主体としたので、Ａｕボンディングワイヤに比べれば、安価なものとし得て、かつ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃａ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ及びＣｕの適量の添加によって、適度な強度のワイヤとなって良好なＦＡＢ及びＰｄ電極等との接合性が良いものとすることができる。
半導体パッケージの概略図 ボールボンディング接続法の説明図であり、（ａ）〜（ｈ）はその途中図 ＦＡＢ形状の写真であり、（ａ）は表面に析出物の生成がみられないもの、（ｂ）は表面に析出物が生成したもの （ａ）、（ｂ）は図３（ａ）、（ｂ）のそれぞれ模式図
純度が９９．９９質量％以上（４Ｎ）の高純度Ａｇを用いて、表１に示す化学成分のＡｇ合金を鋳造し、８ｍｍφのワイヤロッドを作成した。そのワイヤロッドを伸線加工し最終線径を３０μｍのＡｇ合金線とし、窒素雰囲気中４００〜６００℃で連続焼鈍して伸び５〜１０％、所定の引張強度になるように調製した。化学成分の定量はＩＣＰ−ＯＥＳ(高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法)により行った。そのボンディング用ワイヤＷとして、実施例１〜２０、比較例１〜１５を得た。
この各実施例及び各比較例に対し、下記の試験を行った。
『評価項目』
得られた各ボンディング用ワイヤＷについて、自動ワイヤボンダで、図２に示すボールボンディングを行った。すなわち、放電棒ｇによるアーク放電によりワイヤＷ先端にＦＡＢ（ボールｂ）を作製し、それをチップ５上のＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ電極ａに接合し、ワイヤ他端をリード端子（導体配線）ｃに接合した。なお、ＦＡＢ作製時にはワイヤＷ先端部に窒素（Ｎ２）ガスを流しながらアーク放電を行った。リード端子ｃにはＡｇ被覆４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金を使用した。
そのボンディングにおける、ＦＡＢ外観（析出物の有無）、耐熱性、ＨＡＳＴ、１ｓｔ接合部のチップ損傷、電気抵抗、樹脂封止時のワイヤフロー、ＦＡＢ形状の安定性及び総合評価を表２に示す。それらの評価方法等は以下の通りである。
『評価方法』
「ＦＡＢ外観（析出物の有無）」
ＦＡＢ径／ワイヤ径の比率が１．９〜２．１のボールｂを３０本作製し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。図３（ａ）のように表面に析出物の生成がみられないもの（図４（ａ）参照）を「Ａ」、図３（ｂ）のように表面に析出物が生成したボールｂが１本でも見られたもの（図４（ｂ）参照、ｔ：析出物）を「Ｄ」とした。
「耐熱性」
ワイヤ長：５ｍｍのボンディング試料をエポキシ樹脂で封止した後で、Ｘ線非破壊観察装置にて１ｓｔ接合部直上のワイヤの状態を観察した。観察は５０本行い、１ｓｔ接合部直上のワイヤ部分が曲がったり、破断したりせずにすべてが良好な形状であるものを「Ａ」、１本でも１ｓｔ接合部直上のワイヤ部分に曲がりや破断というような異常がある場合は実用上の問題があると考えて「Ｄ」とした。
「ＨＡＳＴ(Highly Accelerated temperature & humidity Stress Test)による信頼性評価」
ボンディング試料を130℃／85％ＲＨ（Relative Humidity）の試験槽中に1000時間装入し、1000時間経過後のシェア強度Ｈ(1000)を初期のシェア強度Ｈ(Initial)で除した割合Ｒ(Ｒ=Ｈ(1000)/Ｈ(Initial)×100)を用いて評価した。Ｒが８０％以上なら「Ａ」、６０％以上８０％未満では「Ｂ」、６０％未満では「Ｄ」とした。
「ボンディング後、１ｓｔ接合部直下のチップ損傷の評価」
１ｓｔ接合部および電極膜を王水で溶解し、チップ５のクラックを光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。１００個の１ｓｔ接合部を観察して３μｍ未満の微小なピットが１個もしくはまったく見られない場合は「Ａ」、３μｍ以上のクラックが２個以上認められた場合を「Ｄ」とした。
「電気抵抗」
４端子法を用いて室温での電気抵抗を測定した。固有抵抗が２．３μΩ・ｃｍ未満であれば十分な導電性を有すると考えられるので「Ａ」、固有抵抗が２．３μΩ・ｃｍ以上３.０μΩ・ｃｍ未満であれば「Ｂ」、固有抵抗が３.０μΩ・ｃｍ以上であれば「Ｄ」とした。
「樹脂封止時のワイヤフローの評価」
ワイヤ長：５ｍｍのボンディング試料をエポキシ樹脂で封止した後で、Ｘ線非破壊観察装置にて最大ワイヤフロー量を測定した。測定は２０本行い、その平均値をワイヤ長５ｍｍで除した割合をワイヤフロー率とした。このワイヤフロー率が５％未満なら「Ａ」、５％以上７％未満では「Ｂ」、７％以上では実用上の問題があると考えて評価を「Ｄ」とした。
「ＦＡＢ形状の安定性の評価」
ワイヤ径に対するＦＡＢ径の比率が小さくなると、安定性の確保が難しいことから、ＦＡＢ径/ワイヤ径の比率が１．９〜２．１の時の真球性を評価した。接合前のボールを５０本観察して、ＦＡＢ形状が真球状であるか否かを判定した。真球状が９５％以上であれば「Ａ」、真球状が９５％未満であれば、「Ｄ」とした。ここで、ＦＡＢ（ボールｂ）の作製はＮ２ガスを吹き付けながら行なった。
「総合評価」
各評価において、すべて「Ａ」のものを「Ａ」、「Ａ」と「Ｂ」が混在しているものを「Ｂ」、ひとつでも「Ｄ」があるものを「Ｄ」とした。
この表１、２において、Ｃａ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅから選ばれる１種以上の元素の合計が１０質量ｐｐｍを超えると、比較例１、３、４、６、１０〜１２からＦＡＢの外観において析出物の生成が確認され、１ｓｔ接合部のチップ損傷が発生するために「ＦＡＢ外観」、「１ｓｔ接合部のチップ損傷」がともに「Ｄ」となり、総合評価でも「Ｄ」となっている。これらの元素を含有しない場合は、比較例５、７、１４から、耐熱性評価において「Ｄ」となって総合評価で「Ｄ」となっている。
また、Ｐｄ、Ａｕから選ばれる１種以上の元素の合計が０．５質量％未満であると、比較例２、８〜１０から、ＨＡＳＴ評価において「Ｄ」、３．０質量％を超えると、比較例１３〜１５から、電気抵抗の評価において「Ｄ」となって、総合評価で「Ｄ」となっている。
さらに、Ｃｕの添加量が５質量ｐｐｍ未満であると、比較例１〜５、１２、１５から樹脂封止の際にワイヤフローが起こるため、その評価において「Ｄ」、３００質量ｐｐｍを超えると、比較例６、８、９、１３、１４から、ＦＡＢ形状の安定性評価が「Ｄ」となり、総合評価で「Ｄ」となっている。
これに対し、各実施例１〜２０は、いずれも、Ｃａ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅから選ばれる１種以上の元素を合計で１〜１０質量ｐｐｍ含み、Ｐｄ、Ａｕから選ばれる１種以上の元素を０．５〜３．０質量％含み、Ｃｕを５〜３００質量ｐｐｍ含むことから、ＦＡＢ外観、耐熱性、１ｓｔ接合部のチップ損傷、及びＦＡＢ形状の安定性の各評価において、「Ａ」を得ており、総合評価においては、「Ｂ」以上を得て、実用上問題ない評価を得ている。
また、Ｐｄ、Ａｕから選ばれる１種以上の元素の合計が０．７質量％以上であれば、実施例４〜２０、比較例１、３、４、６、７、１１、１３、１４、１５から、ＨＡＳＴ評価において「Ａ」となり、高い信頼性を有することが理解できる。
さらに、Ｐｄ、Ａｕから選ばれる１種以上の元素の合計が１．５質量％以下であると、実施例１〜７、９、１１、１４〜１６、１８、１９、比較例１、２、４〜６、８〜１２から、電気抵抗評価において「Ａ」となり、良好な電気特性を得られることが理解することができる。
また、Ｃｕが２０質量ｐｐｍ以上であれば、実施例１、３〜８、１３〜１６、１８〜２０、比較例６〜１１、１３、１４から、樹脂封止時のワイヤフローの評価で「Ａ」となり、高い耐ワイヤフロー性を有することが理解できる。
以上から、Ｃａ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅから選ばれる１種以上の元素を合計で１〜１０質量ｐｐｍ含み、Ｐｄ、Ａｕから選ばれる１種以上の元素を合計で０．５〜３．０質量％含み、Ｃｕを５〜３００質量ｐｐｍ含み、それ以外がＡｇ及び不可避不純物からなるボンディング用ワイヤにおいて、Ｐｄ、Ａｕから選ばれる１種以上の元素の合計が０．７質量％以上であれば、ＨＡＳＴ評価において高い信頼性を有するものとなり、また、Ｐｄ、Ａｕから選ばれる１種以上の元素の合計が１．５質量％以下であると、良好な電気特性を得られるものとなり、さらに、Ｃｕが２０質量ｐｐｍ以上であれば、高い耐ワイヤフロー性を有するものとなることが理解でき、さらに、Ｐｄ等、Ｃａ等及びＣｕの添加量が全てそれらの値のボンディングワイヤＷであると、上記各評価において全て「Ａ」を得て、実用性の高いものとなることが理解できる。
なお、上記実施形態は、電極ａがＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ電極であったが、Ｎｉ／Ｐｄ電極等のＰｄ電極のみならず、半導体素子に現在使用されている、Ａｌ電極等の一部を除くＡｕ電極等の種々の電極においても、この発明に係るボンディング用ワイヤはその作用効果を得ることができた。
Ｐ ボンディング用ワイヤ
ａ 集積回路素子の電極
ｂ 溶融ボール
ｂ’ 圧着ボール
ｃ 回路配線基板の導体配線（リード端子）
ｔ 析出物（酸化物）

Claims (5)

  1. 半導体素子の電極（ａ）と回路配線基板の導体配線（ｃ）をボールボンディング法によって接続するためのボンディング用ワイヤ（Ｗ）であって、
    Ｐｄ、Ａｕから選ばれる１種以上の元素を合計で０．５％質量以上、３．０質量％以下含み、Ｃａ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅから選ばれる１種以上の元素を合計で１質量ｐｐｍ以上、１０質量ｐｐｍ以下含み、Ｃｕを５質量ｐｐｍ以上、３００質量ｐｐｍ以下含み、残部がＡｇ及び不可避不純物からなって、固有抵抗が３.０μΩ・ｃｍ以下であることを特徴とするボールボンディング用ワイヤ。
  2. 上記電極（ａ）がＰｄ電極であることを特徴とする請求項１に記載のボールボンディング用ワイヤ。
  3. 上記Ｐｄ、Ａｕから選ばれる１種以上の元素を合計で０．７質量％以上、１．５質量％以下含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のボールボンディング用ワイヤ。
  4. 上記Ｃｕを２０質量ｐｐｍ以上、３００質量ｐｐｍ以下含むことを特徴とする請求項１〜３の何れか一つに記載のボールボンディング用ワイヤ。
  5. 上記Ｐｄ、Ａｕから選ばれる１種以上の元素は、Ｐｄを必ず含むことを特徴とする請求項１〜４の何れか一つに記載のボールボンディング用ワイヤ。
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