JP5339101B2 - バンプ用ワイヤ - Google Patents
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Description
しかし、近年、半導体の小型化、薄型化、高性能化及び高信頼性の要求の高まる中、半導体チップの多ピン化及びこれに伴うファインピッチ化の傾向にあり、その傾向においても、接合の長期信頼性が要求される。このとき、上記ワイヤボールボンディング法の場合、ファインピッチ対応からワイヤのループ高さやボール径などの制約があり、半導体チップとして要求されるファインピッチ化による小型化に十分対応できない、という欠点がある。
このバンプによる接続は、まず、図1(a)のように、キャピラリー1から導出されたワイヤW先端を放電棒gでもって高電圧を掛けて放電し(スパークし)、溶融ボール2を形成した後、同図(b)のように、ICチップ(半導体チップ)3の電極4に溶融ボール2を圧接する。この圧接によって電極4上に溶融ボール2を接合した後、さらに同図(c)のように、キャピラリー1及びワイヤWを上方に引き上げることにより、ワイヤWを切断すると共に電極4上にバンプ5を形成する。この後、同図(d)のように、ICチップ3の電極4と基板7等の外部電極8をバンプ5及び半田6を介して接続する。
また,高純度Auに、Pdを1〜40wt(重量)%含有させると共に、Sc(スカンジウム)、Y(イットリウム)等の希土類元素の中から少なくとも1種を0.0001〜0.05wt%含有し、さらにBe(ベリリウム)、Ca、Ge(ゲルマニウム)、Ni(ニッケル)、Fe(鉄)、Co(コバルト)、Ag(銀)の中から1種以上を0.0001〜0.05wt%含有させて溶解鋳造し、次に溝ロール加工を施し、その途中で焼なまし処理を施した後に線引加工し、更に十分な応力除去を行って線径25μm母線からなるものがある(特許文献3 要約、段落0001参照)。
これらの効果を得るために、このCe、Nd、Caの含有量(添加量)は少なくとも1種以上を総和40〜120重量ppmとする。40重量ppm未満では、バンプ高さLが長くなる等の前記効果が望めず、120重量ppmを超えると、溶融ボール2の形状がいびつになったり、溶融ボール2やワイヤ表面に添加元素が析出して酸化膜となることにより接合性が低下する、また溶融ボール2が硬過ぎて半導体素子の損傷が発生する、さらに圧着ボール(バンプ)5の形状が安定しない等の問題が生じる。好ましくは総和50〜100重量ppmとする。
また、特許文献3段落0008第1〜5行には、希土類元素を添加すると、溶融ボール形成時の再結晶領域2aを短くできる旨の記載があるが、この再結晶領域2aを短くできることによる作用効果は「ボンディングの際のループ高さが低くなる。」(同段落第4〜5行)点であって、この発明のバンプ5のバンプ高さLを短く、かつ安定化するためではない。
金純度が99.99重量%以上の高純度金を用いて、表1に示す化学成分の金合金を鋳造し、8mmφのワイヤロッドを作製した。そのワイヤロッドを伸線加工し最終線径を25μmの金合金線とし、窒素雰囲気中400〜600℃で焼鈍した。化学成分の定量はICP−OES(高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法)により行った。そのバンプ用ワイヤWとして、実施例1〜28、比較例1〜4を得た。
『試験方法』
[接合条件]:
接合には市販のボンダーを使用し、溶融ボール(直径50μm)2を作製し(図1(a)参照)、ステージ温度150℃にて、アルミニウム電極4にバンプ5を形成した(図1(b)、(c)参照)。
「圧着ボール(バンプ5)形状」:
上記接合条件で形成したバンプ5の形状を光学顕微鏡および走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した。観察は100個について行い、圧着ボール5が、図3(a)に示すように、平面視の外形が円形のもの全てなら「○」、同(b)に示すように、平面視の外形が一箇所でも突出した変形のものが1〜5つであれば「△」、同5つを超えておれば「×」とした。
「接合性」:
上記接合条件で接合したサンプルをボンドテスター2400(dage社製)にてバンプ5の電極4との接合部のシェア強度を30個測定し、平均化した。測定値から単位面積当たりのシェア強度を計算した。
その単位面積当たりのシェア強度が98MPa以上なら「○」、88MPa以上98MPa未満なら「△」、88MPa未満なら「×」とした。
「連続バンプ性」:
接合には市販のボンダーを使用し、溶融ボール(直径50μm)2を作製し、ステージ温度150℃にて、銀メッキ処理した42アロイ(鉄−ニッケル合金)のフレーム上にバンプ5を形成した。1000回以上に亘って所要の高さ、例えば、55μm以下のバンプ高さLを得たものを「○」とした。バンプ高さLが高くなり過ぎて、スパークエラーによるマシンストップが発生した場合は、溶融ボール2の直径を55μmにしてバンプ5の形成を行い、1000回以上に亘って所要の高さのバンプ高さLを得たものを「△」、バンプ高さLが高くなり過ぎて、スパークエラーによるマシンストップが発生した場合を「×」とした。
「総合評価」:
各評価で全て「○」のものを「◎」、「△」が一つで他全て「○」のものを「○」、「×」が無く「△」が二つ以上あるものを「△」、「×」が一つでもあるものを「×」とした。
なお、この評価において、「◎」のものは勿論のこと、「×」以外の「○」又は「△」のものは、半導体素子の種類により接合条件に制約がない場合等の使用条件によれば、この発明の作用効果を発揮して使用し得る。
一方、実施例10〜12、25〜28から、Pdが0.5〜1.3重量%であれば、Ca、Ce、Ndのうち少なくとも1種以上の総和が50〜100重量ppmを外れて40〜120重量ppm内であれば、「圧着ボール形状」又は「連続バンプ性」のみにおいて「△」となって、総合評価において、「○」となっている。
また、実施例14〜16、24から、Pdが0.5〜1.3重量%を外れて0.2〜1.5重量%内であって、Ca、Ce、Ndのうち少なくとも1種以上の総和が50〜100重量ppmであれば、「接合性」においてのみ「△」となって、総合評価において、「○」となっている。
さらに、実施例17〜20から、Pdが0.5〜1.3重量%を外れて0.2〜1.5重量%内、Ca、Ce、Ndのうち少なくとも1種以上の総和が50〜100重量ppmから外れて40〜120重量ppm内であれば、「圧着ボール形状」、「接合性」又は「連続バンプ性」の何れか二つにおいてのみ「△」となり、総合評価において、「△」となっている。
以上から、これらの配合割合のワイヤW(実施例10〜12、14〜20、24〜28)は、半導体素子の種類により接合条件に制約がない場合等の使用条件によれば、この発明の作用効果が得られることが理解できる。
2 溶融ボール
3 ICチップ(半導体チップ)
4、8 電極
5 バンプ(圧着ボール)
Claims (4)
- バンプ形成のための線径10〜50μmのバンプ用ワイヤ(W)であって、Pdを0.2〜1.5重量%含有し、Ca、Ce、Ndの全てを含有してその総和40〜120重量ppm含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有して、バンプ高さ(L)を短くすることを特徴とするバンプ用ワイヤ。
- バンプ形成のための線径10〜50μmのバンプ用ワイヤ(W)であって、Pdを0.5〜1.3重量%含有し、Ca、Ce、Ndの全てを含有してその総和50〜100重量ppm含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有して、バンプ高さ(L)を短くすることを特徴とするバンプ用ワイヤ。
- バンプ形成のための線径10〜50μmのバンプ用ワイヤ(W)であって、Pdを0.5〜1.3重量%含有し、Ca、Ce、Ndの全てを含有してその総和40〜120重量ppm含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有して、バンプ高さ(L)を短くすることを特徴とするバンプ用ワイヤ。
- バンプ形成のための線径10〜50μmのバンプ用ワイヤ(W)であって、Pdを0.2〜1.5重量%含有し、Ca、Ce、Ndの全てを含有してその総和50〜100重量ppm含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有して、バンプ高さ(L)を短くすることを特徴とするバンプ用ワイヤ。
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