JP2010245390A - ボンディングワイヤ - Google Patents
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
【課題】ワイヤ径を12μm以上25.4μm以下としてICチップの多ピン化、狭ピッチ化に対応した、半導体素子保護のための樹脂封止の際に、ワイヤフローを起こさないボンディングワイヤとする。
【解決手段】集積回路素子の電極aと回路配線基板の導体配線cをボールボンディング法によって接続するためのボンディングワイヤPである。その芯材1の組成が銀添加量500ppm以上、20000ppm以下で、残部が銅及び不可避不純物からなり、その芯材1の外周全面に、パラジウムによる厚み0.05〜0.09μmの被覆層2を形成したものとする。このワイヤPは、導電率が95%以上、引張強さが250MPa以上、引張伸びが10%以上であって、多ピン化、狭ピッチ化においても、電極と導体配線に十分な接合強度をもって接続され、その作業がストップすることがない。また、ワイヤフローを起こさない。
【選択図】図2
【解決手段】集積回路素子の電極aと回路配線基板の導体配線cをボールボンディング法によって接続するためのボンディングワイヤPである。その芯材1の組成が銀添加量500ppm以上、20000ppm以下で、残部が銅及び不可避不純物からなり、その芯材1の外周全面に、パラジウムによる厚み0.05〜0.09μmの被覆層2を形成したものとする。このワイヤPは、導電率が95%以上、引張強さが250MPa以上、引張伸びが10%以上であって、多ピン化、狭ピッチ化においても、電極と導体配線に十分な接合強度をもって接続され、その作業がストップすることがない。また、ワイヤフローを起こさない。
【選択図】図2
Description
この発明は、IC、LSI、トランジスタ等の集積回路素子上の電極と、リードフレーム、セラミック基板、プリント基板等の回路配線基板の導体配線とをボールボンディング法によって接続するためのボンディングワイヤ及びその製造方法に関するものである。
この種のボールボンディング法による接続方法は、図1(a)〜(h)に示す態様が一般的であり、同図(a)に示す、ワイヤPがキャピラリー10aに挿通されてその先端にボール(FAB:Free Air Ball)bが形成された状態から、クランプ10bが開いて、キャピラリー10aが集積回路素子上の電極aに向かって降下する。このとき、ボール(FAB)bはキャピラリー10a内に捕捉され、キャピラリー10aの中心にボンディングされる。
ターゲットである電極aにボールbが接触すると(キャピラリー10aが電極aに至ると)キャピラリー10aがボールbをグリップし、ボールbに熱・加重・超音波を与え、それによってボールbと電極aが固相接合され、1stボンドが形成されて電極aと接着する(図1(b))。
1stボンドが形成されれば、キャピラリー10aは、一定高さまで上昇した後(同図(c))、導体配線cの真上まで移動する(同図(d)〜(e))。このとき、安定したループを形成するため、キャピラリー10aに特殊な動きをさせてワイヤPに「くせ」を付ける動作をする場合がある(同図(d)の鎖線から実線参照)。
1stボンドが形成されれば、キャピラリー10aは、一定高さまで上昇した後(同図(c))、導体配線cの真上まで移動する(同図(d)〜(e))。このとき、安定したループを形成するため、キャピラリー10aに特殊な動きをさせてワイヤPに「くせ」を付ける動作をする場合がある(同図(d)の鎖線から実線参照)。
導体配線cの真上に至ったキャピラリー10aは、導体配線cに向かって降下し、ワイヤPを導体配線(2ndターゲット)cに押付ける(同図(e)〜(f))。これと同時に、その押付け部位に熱・加重・超音波を与え、それによってワイヤPを変形させ、ワイヤPを導体配線c上に接合させるためのステッチボンドと、次のステップでテイルを確保するテイルボンドを形成する(図1(f))。
その両ボンドを形成した後、キャピラリー10aはワイヤPを残したまま上昇し、キャピラリー10aの先端に一定の長さのテイルを確保した後、クランプ10bを閉じて(ワイヤPをつかんで)、テイルボンドの部分からワイヤPを引きちぎる(図1(g))。このとき、テイルボンドがワイヤPを仮止めしているため、テイルボンドをなすワイヤPはキャピラリー10aと一緒に上昇しない。
キャピラリー10aは、所要の高さまで上昇すると停止し、そのキャピラリー10aの先端に確保されたワイヤPの先端部分に、放電棒gでもって高電圧を掛けて火花を飛ばし(放電し)、その熱でワイヤPを溶かし、この溶けたワイヤ素材は表面張力によって球状に近いボールbになって固まる(図1(h))。
以上の作用で一サイクルが終了し、以後、同様な作用によって、電極aと配線導体cのボールボンディング法による接続がなされる。
このボールボンディング法による接続において、ボンディングワイヤPには、金線が主に使用されるが、金は高価であるため、近年、銅純度99.99質量%以上の安価な銅線を使用することが行われている。そのとき、銅は裸のままでは、表面の酸化が起こり易いことから、図2に示すように、銅線からなる芯線1に耐酸化金属2を被覆したものが使用されている。
その被覆金属(被覆層)2としては、金(Au)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)等が採用されている(特許文献1〜3)。
その被覆金属(被覆層)2としては、金(Au)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)等が採用されている(特許文献1〜3)。
この金属被覆の銅線からなるボンディングワイヤPにおいて、近年の電子部品の小型化等による集積回路素子(ICチップ)間の極小化(狭ピッチ化)及びICチップの多ピン化に伴い、上記ボールbもより小さくする必要から、ボンディングワイヤPにも小径のものが望まれ、そのためには、その径Lを50μm以下とするのが好ましいとされている(特許文献1段落0009第12〜14行)。
しかし、上記ICチップ間の狭ピッチ化、ICチップの多ピン化がさらに進んで、上記ボールbもさらに小さくする必要から、その径Lも25.4μm以下が望まれるようになった。この細線化に伴い、集積回路素子の樹脂封止時、ワイヤPが変形して隣同士が接触するワイヤフローの危惧が大きくなる。
この細線化の要求に応えるボンディングワイヤとして、Be、Ca等の微量を添加した金合金からなるものが提案されている(特許文献4参照)。
この細線化の要求に応えるボンディングワイヤとして、Be、Ca等の微量を添加した金合金からなるものが提案されている(特許文献4参照)。
また、集積回路素子の電極aへの接続において、ボールbが下向き槍状(逆円錐状)になっていると、上記ボールbの電極aへの押付け時、そのボールbの尖鋭端によって電極aを損傷させる恐れがあるため、ボールbはできるだけ、真球であることが好ましい。そのボールbの真球度を高めるために、上記被覆層2の厚みtを芯線径の0.001以下としたり(特許文献1請求項1)、同じく被覆層2の厚みtを0.001〜0.2μmとしたり(特許文献3請求項1)、芯材1の銅よりも高融点の耐酸化金属で被覆層2を形成したりしている(特許文献2段落0014)。
以上のように、耐酸化金属で銅線を被覆したボンディングワイヤPは、従来から、種々の工夫がなされてそれなりに好評を得ているが、近年の半導体装置の小型化・高密度化に伴うICチップの多ピン化および狭ピッチ化に対応するため、ボンディングワイヤのさらなる細径化の要求が高まっている。
このような用途に対しては、上記のように金合金によって満足させることが提案されているが、その金合金からなるボンディングワイヤは高価なものとなっている。このため、銅線からなるボンディングワイヤにおいて、その要求を満たすものが望まれている。
このような用途に対しては、上記のように金合金によって満足させることが提案されているが、その金合金からなるボンディングワイヤは高価なものとなっている。このため、銅線からなるボンディングワイヤにおいて、その要求を満たすものが望まれている。
この発明はその要求に応えることを課題とする。
上記課題を達成するために、本発明者は鋭意研究を重ねた結果、この発明を完成したのであり、ボンディングワイヤPの線径Lは12μm以上25.4μm以下とし、その芯材1の組成を、銀添加量500ppm(純銅に対する重量比、以下、同じ)以上、20000ppm以下で、残部が銅及び不可避不純物からなり(以下、これを「銅合金」と言う。)、その芯材の外周全面に、金、白金、パラジウム、銀の1種以上による厚み0.02〜0.09μmの被覆層を形成した導電率が90%以上、引張強さが230MPa以上である構成としたのである。
ボンディングワイヤPの線径Lを、25.4μm以下としたのは、上述の通り、ICチップの小型化・多ピン化に対応するためである。線径Lを小さく(細く)して、ボールb(FAB)の直径を小さく設定することで、狭いピッチへのボンディングが可能になる。また、線径Lの下限を12μm以上としたのは、12μm未満ではボンディング前にオペレータがワイヤPをキャピラリー10aに通すのが困難になり、作業性が悪くなるからである。
芯材1の導電率は高ければ高いほど好ましいが、90%IACS以上、より好ましくは95%IACS以上とするとよい。この範囲では、細径化してもワイヤの電気特性を低下させず、一般的な99.99%以上の純度を持つ無酸素銅では導電率が約100%IACSであり、合金化による導電率の低下の上限を10%以下に抑えることによって、この発明の細線化したワイヤでも電気特性の問題は起こらない。
要求されている剛性を得るために、芯材1の主成分をなす銅に種々の添加物を添加すると、その銅合金は、著しく導電率を低減させることがわかっているが、純銅に銀を添加した場合の導電率の低下は銀以外の元素を添加した場合の導電率の低下に比べて比較的緩やかであるため、芯材1の導電率の低下を抑制しつつ、剛性を高めることが可能である。その銀添加量は300〜20000ppm、より好ましくは500〜12000ppmとする。銀添加量が20000ppmを上回ると、導電率が90%IACSを下回り、また、銀添加量を12000ppm以下とすると、導電率が95%IACS以上となるからである。
樹脂封止時のワイヤフロー(変形態)は、ワイヤの剛性が低い程(引張強さが小さい程)、その恐れが大きくなる(上がる)。純銅に銀を添加すると、引張強さは向上するが、銀添加量が300ppmを下回ると、引張強さが230MPaを下回って、剛性が低下して耐ワイヤフロー性が損なわれる。一方、500ppmを上回ると、引張強さが250MPa以上となり、高い耐ワイヤフロー性が得られ、より狭ピッチの用途にも使用できる。
以上から、銀添加量が300ppm以上の芯材1の引張強さは230MPa以上となり、同500ppm以上ではより好ましい250MPa以上となって、この範囲では、ワイヤフローを起こさない剛性を得ることができる。
以上から、銀添加量が300ppm以上の芯材1の引張強さは230MPa以上となり、同500ppm以上ではより好ましい250MPa以上となって、この範囲では、ワイヤフローを起こさない剛性を得ることができる。
また、銀以外の元素を、剛性を上げる目的で添加すると、導電率が著しく下がってしまう恐れがあるが、導電率を下げない程度、すなわち100ppm以下のリンを添加することによってボールbの形状がより安定する。通常、リンは10ppm以上あれば、ボールbの形状安定化に効果があるので、この発明のボンディングワイヤPには、必要に応じて10〜100ppmのリンを添加することができる。
被覆層2の厚みtは薄いほど、ボールbが安定して真球形状となるが、薄すぎると、ステッチボンド接合の際に芯材1の銅が露出する度合いが大きくなり、被覆層2を有さない銅ワイヤ程度のステッチボンド接合性しか発現できない。例えば、後記実施例と比較例の実験結果から理解できるように、3回以上のマシンストップが生じる恐れがある(連続ボンディング性:E)。このため、その実施例と比較例3、13の実験結果から、被覆層2の厚みtは0.02μm以上とする。
なお、より好ましい被覆層2の厚みtは0.04μm以上とする。この発明のボンディングワイヤは、通常の被覆ボンディングワイヤと比べて、芯材1に剛性の高い銅合金を用いているため、ステッチボンド接合に要する加重が大きく、被覆層2の厚みtが0.02μm以上から0.04μm未満の範囲では芯材1の銅が露出する度合いが大きくなり、連続ボンディング性が損なわれる恐れがあるからである。
一方、被覆層2が厚いと、ボールbの形状が悪くなり、上述のような下向き槍状(逆円錐状)になることがある。この発明のボンディングワイヤは狭ピッチ化に対応するためのものであり、このような用途ではボールbの径を小さくする傾向にある。ボールbの径を小さくするためにはボールbを作製する際の放電電流を低く、放電時間を短くする必要があるが、このような小エネルギでも安定して真球状のボールbを得るために、芯材1である銅合金と融点の異なる被覆層2の厚みはできる限り薄い方が好ましく、その上限を0.09μmとする。
なお、より好ましい被覆層2の厚みtは0.04μm以上とする。この発明のボンディングワイヤは、通常の被覆ボンディングワイヤと比べて、芯材1に剛性の高い銅合金を用いているため、ステッチボンド接合に要する加重が大きく、被覆層2の厚みtが0.02μm以上から0.04μm未満の範囲では芯材1の銅が露出する度合いが大きくなり、連続ボンディング性が損なわれる恐れがあるからである。
一方、被覆層2が厚いと、ボールbの形状が悪くなり、上述のような下向き槍状(逆円錐状)になることがある。この発明のボンディングワイヤは狭ピッチ化に対応するためのものであり、このような用途ではボールbの径を小さくする傾向にある。ボールbの径を小さくするためにはボールbを作製する際の放電電流を低く、放電時間を短くする必要があるが、このような小エネルギでも安定して真球状のボールbを得るために、芯材1である銅合金と融点の異なる被覆層2の厚みはできる限り薄い方が好ましく、その上限を0.09μmとする。
また、被覆層2は放電の際に芯材1である銅合金よりも遅く溶融する方がボールbの形状が安定し、さらに、被覆層2の融点が芯材1の融点に近い方が均一な溶融が起こりやすく、その結果として安定して真球のボールbを得ることができる。これは、放電によって銅合金が溶融して真球となる時、その溶融部分が表面張力によって真上にワイヤを這い上がっていくが、被覆層2も溶融していると、その這い上がりが悪くなって、真球になりにくいためと考える。このことは、0.02〜0.09μm厚の被覆層2であると、顕著に表れる。このことから、銅合金よりも融点が高い被覆層は、白金とパラジウムからなるものとなる。
因みに、上記銅合金の融点:1080℃、金の融点:1064℃、パラジウムの融点:1554℃、銀の融点:962℃、白金の融点:1772℃である。
因みに、上記銅合金の融点:1080℃、金の融点:1064℃、パラジウムの融点:1554℃、銀の融点:962℃、白金の融点:1772℃である。
さらに、パラジウムと白金では、パラジウムの方がボールbを真球にできる条件のマージン(限界)が広くなる。これは、パラジウムの融点が白金の融点に比べて銅合金の融点に近く、被覆層2に白金を用いると、放電による銅合金の溶融後に白金が溶融するまでに、パラジウムに比べて時間差が生じるためと考える。
なお、上述のように、被覆層2の厚みtを0.04μm以上とした場合、ボールbがより安定して真球になるが、特にパラジウムを被覆層2に採用した場合、後述の実験結果から、その厚みtを0.05μm以上とした時、最も安定したステッチボンド接合性及び真球のボールbが得られる。これは、パラジウム被覆層2の場合、上記のように、銅合金とパラジウムの溶融時間差が小さく、より真球になりやすいこととの相乗効果に基づくものと考える。
これらの構成のボンディングワイヤPの製造方法には種々のものが採用できるが、例えば、銀を300〜20000ppm添加した銅合金からなる芯材1の外周全面に、金、白金、パラジウム、銀の1種以上による被覆層2を形成し、その被覆線を拡散熱処理して芯材と被覆層の密着性を高めた後、線径12μm以上25.4μm以下まで伸線し、さらに、引張伸び(破断するまでの伸び)が10%以上となるように調質熱処理を行って、被覆層2の厚みtを0.02〜0.09μmとした構成を採用できる。
上記被覆層2は、電解メッキ、無電解メッキ、蒸着法等の周知の手段によって形成され、一般に、ワイヤPは大きな線径の銅合金ロッドをダイスと呼ばれるツールに順次貫通させていくことにより、所定の線径に仕上げられるため、この工程途中の適宜な線径で被覆層2を上記手段により形成する。このとき、被覆する際の芯材1の線径は作業性・コストにより決定されるが、製造装置の制限から0.2〜0.8mmが一般的である。外周全面にパラジウム等の金属を被覆された被覆線は200〜500℃(被覆線の温度)で拡散熱処理を施して前記芯材1と被覆層2の密着性を高めた後、線径12μm以上25.4μm以下まで伸線し、さらに、引張伸びが10%以上となるように調質熱処理を行って、被覆層2の厚みtを0.02〜0.09μmとすることができる。
引張伸びを10%以上とするのは、ステッチボンド接合性を上げ、より安定したボンディング性を得るためである。
引張伸びを10%以上とするのは、ステッチボンド接合性を上げ、より安定したボンディング性を得るためである。
この発明は、以上のようにしたので、近年の半導体装置の小型化・高密度化に伴うICチップの多ピン化および狭ピッチ化に対応する、安定した接合強度を有してワイヤフローのない安価なボンディングワイヤを得ることができる。
表1に示す実施例1〜44及び比較例1〜17を製作し、そのボンディングワイヤPの電気特性、ワイヤの剛性、連続ボンディング性、及びボールbの真球性の試験を行った。
すなわち、まず、銅純度99.99質量%以上の純銅に添加量300ppm以上20000ppm以下の銀を添加した0.2〜0.8mm径の銅合金線を用意し、その銅合金線に、Au、Pd、Pt及びAgの貴金属を電解メッキ法によって被覆し、その被覆線を巻き戻し、焼鈍炉を通したのち、再び巻き取り用リールで巻き取ることによって連続拡散熱処理を行った。焼鈍炉は炉長1mの炉芯管を有する電気炉を用い、炉芯管には窒素ガスを流した。その炉温度は500℃以上800℃以下として被覆線の温度を200〜500℃とし、その被覆線の走行速度は5〜60m/分とした。以上の拡散熱処理を施して銅線(芯材)1と被覆層2の密着性を高めた後、線径15〜25μmまで伸線し、さらに、引張伸びが10%以上となるように調質熱処理を行って、被覆層2の厚みt:0.011〜0.146μmのボンディングワイヤP(実施例1〜44及び比較例1〜17)を得た。表1中、2種の貴金属を示す例は、その2種の金属を同一厚で2重被覆したものである。
すなわち、まず、銅純度99.99質量%以上の純銅に添加量300ppm以上20000ppm以下の銀を添加した0.2〜0.8mm径の銅合金線を用意し、その銅合金線に、Au、Pd、Pt及びAgの貴金属を電解メッキ法によって被覆し、その被覆線を巻き戻し、焼鈍炉を通したのち、再び巻き取り用リールで巻き取ることによって連続拡散熱処理を行った。焼鈍炉は炉長1mの炉芯管を有する電気炉を用い、炉芯管には窒素ガスを流した。その炉温度は500℃以上800℃以下として被覆線の温度を200〜500℃とし、その被覆線の走行速度は5〜60m/分とした。以上の拡散熱処理を施して銅線(芯材)1と被覆層2の密着性を高めた後、線径15〜25μmまで伸線し、さらに、引張伸びが10%以上となるように調質熱処理を行って、被覆層2の厚みt:0.011〜0.146μmのボンディングワイヤP(実施例1〜44及び比較例1〜17)を得た。表1中、2種の貴金属を示す例は、その2種の金属を同一厚で2重被覆したものである。
このとき、銅合金は、例えば、純銅に5重量%の銀を添加した母合金を作成し、その母合金と純銅を所容量配合・溶解して銀が所要添加量のものとした。因みに、リン等の元素を微少添加する場合も、例えば、0.5重量%リン−銅母合金を作成し、そのリン−銅母合金と純銅を所容量配合・溶解してリン等が所要添加量のものとする。
また、剛性は、仕上軟化温度によって調整し、このワイヤPでは、その温度を通常の銅のそれに対して100〜200℃程高くする。
また、剛性は、仕上軟化温度によって調整し、このワイヤPでは、その温度を通常の銅のそれに対して100〜200℃程高くする。
つぎに、この各ボンディングワイヤPにおいて、下記の評価を行った結果を表1に示す。
「被覆層(表面皮膜層)2の厚み」:
オージェ電子分光分析法にて測定した。Arで被覆層の表面からスパッタリングし、単位時間のスパッタリング毎にスペクトル測定を行った。深さ方向の単位はスパッタ時間とし、事前に測定しておいた標準試料SiO2のスパッタリングレートから、対象材の深さ方向の距離をSiO2換算にて算出した。被覆層については、図3の通り、対象被覆層元素のオージェピーク強度を縦軸、深さを横軸にとったグラフにおいて、オージェピーク強度が84%の位置から16%の位置までの距離を被覆層の厚みとした。
「芯材(銅)の純度」:
ICP発光分析にてAg含有量を分析してCu純度を決定した。
「電気特性」:
ワイヤの導電率95%IACS以上で「A」、90%IACS以上95%IACS未満で「B」、90%IACS未満で「E」とした。
「ワイヤの剛性」:
250MPa以上で「A」、230MPa以上250MPa未満で「B」、230MPa未満で「E」とした。
「連続ボンディング性」:
ボンディングマシンで10,000回の連続ボンディングを行い、マシンストップが発生しなければ「A」、1回のマシンストップが発生すれば「B」、2回のマシンストップが起これば「C」、3回以上のマシンストップが起これば「E」とした。このとき、ステージ温度は200℃とした。
「ボールbの真球性」:
ボンディング装置でボールbを作成し、その形状を光顕とSEMで観察した。このとき、100個の接合部を観察して、全て真球なら「A」、1つの変形で「B」、2つの変形で「C」、3つ以上変形していたら「E」とした。
「総合評価」:
「A」:全ての評価がAであるもの、「B」:A、Bが混在するもの、「C」:A、B、Cが混在し、Cが1つあるもの、「D」:A、B、Cが混在し、Cが2つ以上あるもの、「E」:ひとつでもEがあるもの。
「被覆層(表面皮膜層)2の厚み」:
オージェ電子分光分析法にて測定した。Arで被覆層の表面からスパッタリングし、単位時間のスパッタリング毎にスペクトル測定を行った。深さ方向の単位はスパッタ時間とし、事前に測定しておいた標準試料SiO2のスパッタリングレートから、対象材の深さ方向の距離をSiO2換算にて算出した。被覆層については、図3の通り、対象被覆層元素のオージェピーク強度を縦軸、深さを横軸にとったグラフにおいて、オージェピーク強度が84%の位置から16%の位置までの距離を被覆層の厚みとした。
「芯材(銅)の純度」:
ICP発光分析にてAg含有量を分析してCu純度を決定した。
「電気特性」:
ワイヤの導電率95%IACS以上で「A」、90%IACS以上95%IACS未満で「B」、90%IACS未満で「E」とした。
「ワイヤの剛性」:
250MPa以上で「A」、230MPa以上250MPa未満で「B」、230MPa未満で「E」とした。
「連続ボンディング性」:
ボンディングマシンで10,000回の連続ボンディングを行い、マシンストップが発生しなければ「A」、1回のマシンストップが発生すれば「B」、2回のマシンストップが起これば「C」、3回以上のマシンストップが起これば「E」とした。このとき、ステージ温度は200℃とした。
「ボールbの真球性」:
ボンディング装置でボールbを作成し、その形状を光顕とSEMで観察した。このとき、100個の接合部を観察して、全て真球なら「A」、1つの変形で「B」、2つの変形で「C」、3つ以上変形していたら「E」とした。
「総合評価」:
「A」:全ての評価がAであるもの、「B」:A、Bが混在するもの、「C」:A、B、Cが混在し、Cが1つあるもの、「D」:A、B、Cが混在し、Cが2つ以上あるもの、「E」:ひとつでもEがあるもの。
この試験結果から、芯材1の銀添加量(Ag濃度):300ppm未満では、ワイヤPの剛性に問題があり(比較例1、5〜6、10、16)、同20000ppmを越えると、電気特性の問題が生じる(比較例2、7、15、17)。
被覆層厚tが0.02μm未満であると、連続ボンディング性が低下し(比較例3、13)、0.02μmに近くなると、連続ボンディング性が向上し(比較例1)、0.02μm以上となると、連続ボンディング性が満足できるものとなり得る可能性が理解できる(実施例1〜44、比較例5〜12、14〜17)。
一方、被覆層厚tが0.09μmを越えると、ボールbが硬くなって、ボールbの真球性の問題が認められるようになる(比較例4、9、11、14)。
また、表面被覆層にPdを使用し、銀濃度:500ppm以上、被覆層厚t:0.05μm以上としたもの(実施例14〜18、23、24、27〜29)では、総合評価が「A」となって、線径(L):12μm以上25.4μm以下のボンディングワイヤPとしては、非常に有効であることが理解できる。
被覆層厚tが0.02μm未満であると、連続ボンディング性が低下し(比較例3、13)、0.02μmに近くなると、連続ボンディング性が向上し(比較例1)、0.02μm以上となると、連続ボンディング性が満足できるものとなり得る可能性が理解できる(実施例1〜44、比較例5〜12、14〜17)。
一方、被覆層厚tが0.09μmを越えると、ボールbが硬くなって、ボールbの真球性の問題が認められるようになる(比較例4、9、11、14)。
また、表面被覆層にPdを使用し、銀濃度:500ppm以上、被覆層厚t:0.05μm以上としたもの(実施例14〜18、23、24、27〜29)では、総合評価が「A」となって、線径(L):12μm以上25.4μm以下のボンディングワイヤPとしては、非常に有効であることが理解できる。
P ボンディングワイヤ
1 芯材
2 被覆層
a 集積回路素子の電極
b ボンディングボール
c 回路配線基板の導体配線
1 芯材
2 被覆層
a 集積回路素子の電極
b ボンディングボール
c 回路配線基板の導体配線
Claims (7)
- 集積回路素子の電極(a)と回路配線基板の導体配線(c)をボールボンディング法によって接続するための線径(L):12μm以上25.4μm以下のボンディングワイヤ(P)であって、
その芯材(1)の組成が、銀添加量500ppm以上、20000ppm以下で、残部が銅及び不可避不純物からなり、その芯材(1)の外周全面に、金、白金、パラジウム、銀の1種以上による厚み(t)0.02〜0.09μmの被覆層(2)を形成した導電率が90%以上、引張強さが230MPa以上であることを特徴とするボンディングワイヤ。 - 上記銀の添加量を500ppm以上12000ppm以下とした、導電率が95%以上、引張強さが250MPa以上としたことを特徴とする請求項1に記載のボンディングワイヤ。
- 上記被覆層(2)の厚み(t)が0.04〜0.09μmであることを特徴とする請求項1又は2に記載のボンディングワイヤ。
- 上記被覆層(2)をその融点が上記芯材(1)の融点より高いパラジウム又は白金としたことを特徴とする請求項1〜3の何れか1つに記載のボンディングワイヤ。
- 上記被覆層(2)をその融点が上記芯材(1)の融点より高いパラジウムとし、その厚み(t)が0.05〜0.09μmであることを特徴とする請求項2に記載のボンディングワイヤ。
- 集積回路素子の電極(a)と回路配線基板の導体配線(c)をボールボンディング法によって接続するための請求項1に記載のボンディングワイヤ(P)の製造方法であって、
純度99.99質量%以上の銅に添加量300ppm以上20000ppm以下の銀を添加した芯材(1)の外周全面に、金、白金、パラジウム、銀の1種以上による被覆層(2)を形成し、その被覆線を拡散熱処理して前記芯材(1)と被覆層(2)の密着性を高めた後、線径(L)12μm以上25.4μm以下まで伸線し、さらに、引張伸びが10%以上となるように調質熱処理を行ったことを特徴とするボンディングワイヤの製造方法。 - 上記銀の添加量を500ppm以上12000ppm以下とし、上記被覆層(2)がパラジウムから成ってその厚み(t)を0.05〜0.09μmとしたことを特徴とする請求項6に記載のボンディングワイヤの製造方法。
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-
2009
- 2009-04-08 JP JP2009094031A patent/JP2010245390A/ja active Pending
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