JPH10326803A - 半導体素子用金銀合金細線 - Google Patents

半導体素子用金銀合金細線

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JPH10326803A
JPH10326803A JP9134114A JP13411497A JPH10326803A JP H10326803 A JPH10326803 A JP H10326803A JP 9134114 A JP9134114 A JP 9134114A JP 13411497 A JP13411497 A JP 13411497A JP H10326803 A JPH10326803 A JP H10326803A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の目的は、高濃度の銀を含有して、且
つ、アルミニウム電極との接合において高い接合信頼性
を有する、材料費の安価な金銀合金細線を提供すること
にある。 【解決手段】 Ａｇを１１〜１８．５重量％の範囲で含
有することを特徴とする金銀合金細線。さらに上記とＡ
ｇに、（ｂ）Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を総計
で０．０１〜４重量％の範囲、または（ｃ）Ｃａ、Ｉ
ｎ、希土類元素の少なくとも１種を総計で０．０００５
〜０．２重量％の範囲、または（ｄ）Ｍｎ，Ｃｒの少な
くとも１種を総計で０．０１〜０．２重量％の範囲で選
択し、或いは組合わせて含有する金銀合金細線。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子上の電
極と外部リードを接続するために利用される接合部信頼
性に優れた金合金細線に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素子上の内部
配線と、インナーリード部との電気的導通を得る接続法
として、線径２０〜５０μｍの細線を用いたボンディン
グワイヤ法が主流である。この細線の材料としては、現
在は金とアルミニウムが使用されている。アルミ細線で
はアルミ電極部との同種材料の接続が得られるため信頼
性が高いことが長所であり、金細線の長所として、金は
化学的に安定あることが挙げられる。金細線はアルミ電
極との接続に用いるボール接合において、大気中でのワ
イヤの溶融時の酸化の心配がなく、真球で清浄なボール
が容易に得られる。アルミ電極とのボール接合でも、超
音波を併用した熱圧着により良好な接合性が得られてお
り、高速接合、量産性に優れている。これに対し、アル
ミは大気中で溶融すると容易に酸化するため、ボール接
続には適用できず、ボールを形成しない接続法に用いら
れている。この接続法は使用時の量産性が落ちることか
ら、アルミ細線の使用は、高価でも高信頼性が要求され
るようなセラミックパッケージなどに限定されている。
このような理由からも、ＬＳＩの大半を占める樹脂封止
する半導体では、金細線が広く用いられている。
【０００３】半導体市場では、機能性を高めることに加
えて、激しい価格競争が行われ、構成部材の材料コスト
の削減などが切望されている。金細線では、原材料であ
る金が高価であり、金細線の製造法の改善での低コスト
化が期待できない。そこで素材コストの低減を目的とし
て、これまでも、金に代替可能な素材として銅、銀、パ
ラジウムの細線などが検討された。しかし、ボール形成
性、接合性、信頼性、樹脂との腐食の問題など、課題が
残されており、実用化には至っていないのが現状であ
る。このような現況のもと、高密度実装にも適用できる
特性を具備しており、且つ低コスト化できる半導体素子
用金細線が市場から切望されている。
【０００４】金細線のほとんど全ては、特性発現のため
に添加する不純物の総量を０．０１％以下におさえた、
純度が９９．９９％（４Ｎ：フォーナイン）の高純度細
線が用いられているのが現状であり、高機能化した半導
体の開発が進む中でも、成分範囲には大きな変動はみら
れていない。最近では、不純物総量として１％程度含有
する合金細線の検討もされているが、大幅な低コスト化
のメリットを重視した場合の、１０％以上の合金化を達
成した金合金細線が使用された実例はみられない。
【０００５】金中に％オーダー以上の高濃度添加させる
ことが可能な元素として、金と全率固溶するＡｇ，Ｐ
ｔ，Ｐｄ，Ｃｕなどが考えられる。しかし合金化に伴う
問題も多く、低コスト化のために高濃度含有させた半導
体用金合金細線として、実用化できるものは限られる。
例えば、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｕは高濃度含有することによ
り、５％程度の上限を目安として濃度が限られる。それ
以上含有すると、ワイヤの強度増加によるワイヤ接合時
の変形不良、またはボール部の硬度増加による接合時の
半導体素子への損傷などが問題となるためである。
【０００６】Ａｇの高濃度添加では、特開昭５５−１５
８６４２号公報において、低コスト化と硫化による細線
表面の変色などを考慮して、Ａｇの添加範囲として２０
〜５０重量％が開示されている。また特開昭５６−１３
７４０号公報および特開昭５６−１９６２８号公報にお
いては、Ａｇ添加により高温での機械的強さ、特に破断
強さに優れ、且つ接合部の引張強さに優れていることを
考慮して、Ａｇの添加範囲として１９〜５９重量％と他
元素群Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｒｕを０．００
０３〜０．１重量％と併用することについて開示されて
おり、また特開昭５６−１９６２８号公報においては、
同様の効果を得るためのＡｇの添加範囲として１９〜５
９重量％と、他元素群Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉを
０．０００３〜０．１重量％と併用することについて開
示されている。
【０００７】Ａｇに関して、高濃度含有しても、細線の
強度上昇も問題のないレベルであり、大気中でのボール
溶融時の酸化も抑えられ、ボール部の硬化は軽減されて
いることが確認され、低コスト化を達成するための高濃
度含有としてＡｇ添加は有望である。しかし、Ａｇを含
有する金合金細線をアルミ電極に接合後に高温保管する
と、接合強度が低下したり、さらに加熱したのみで剥離
にまでいたるものが発生する。こうした金ボール部とア
ルミ電極との接合信頼性の著しい低下は、現有品である
４Ｎ系の高純度金細線では認められない。
【０００８】Ａｇを高濃度含有させることにより、金ボ
ール部とアルミ電極との接合部において、高温での長期
信頼性が低下するため、金銀合金細線は実用化されてい
ない。
【０００９】
【発明が解決しょうとする課題】金細線を低コスト化す
るための有力な候補として期待される、高濃度の銀を含
有する金銀合金細線では、ボール接合において、ボール
形状、表面性状、接合性などにおいて良好な特性を有す
ること、狭ピッチ接続において隣接ワイヤと接触するこ
とのないループ形状および機械的特性を有することなど
が重要となる。さらに、銀の高濃度添加において最大の
課題として、上述した、半導体素子上のアルミ電極との
接合部において、長時間加熱したときの接合強度の低下
が懸念される。使用時の発熱および高温使用環境などに
も耐えうるために、大気、樹脂封止された状態で高温保
管された時の、接合部の長期信頼性を確保しなくてはな
らない。
【００１０】そこで本発明は、Ａｇ元素を高濃度に含有
する金銀合金細線において、アルミ電極との接合信頼
性、特に高温の長期信頼性を改善することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、金中にＡ
ｇを数％オーダー以上の高濃度含有させた金銀合金細線
において、Ａｇ濃度域においてある限定された範囲にお
いてのみ接合信頼性が非常に優れていることを見出し
た。その適性濃度域よりずれた場合として、下限値未満
および上限値を超える範囲のいずれにおいても、高温保
管後の接合強度の低下による不良が発生していることが
確認された。すなわち、ある限定された濃度域でのみ、
優れた接合信頼性が得られるものである。さらに、接合
性およびループ形状という観点の改善を考慮して、金と
銀の合金細線において、第３元素添加を検討した結果、
適正範囲の含有量とすることが良好であることを確認し
た。
【００１２】すなわち、本発明は、上記知見に基づくも
のであって、以下の各項に記載した構成を要旨とする。 （１）Ａｇを１１〜１８．５重量％の範囲で含有し、残
部を金および不可避不純物からなることを特徴とする半
導体素子用金銀合金細線。 （２）Ａｇを１１〜１８．５重量％の範囲で含有し、さ
らにＣｕ，Ｐｄ，Ｐｔの少なくとも１種を総計で０．０
１〜４重量％の範囲で含有し、残部を金および不可避不
純物からなることを特徴とする半導体素子用金銀合金細
線。 （３）Ａｇを１１〜１８．５重量％の範囲で含有し、さ
らにＣａ，Ｉｎ，希土類元素の少なくとも１種を総計で
０．０００５〜０．０５重量％の範囲で含有し、残部を
金および不可避不純物からなることを特徴とする半導体
素子用金銀合金細線。 （４）Ａｇを１１〜１８．５重量％の範囲で含有し、さ
らにＭｎ，Ｃｒの少なくとも１種を総計で０．０１〜
０．２重量％の範囲で含有し、残部を金および不可避不
純物からなることを特徴とする半導体素子用金銀合金細
線。
【００１３】（５）Ａｇを１１〜１８．５重量％の範囲
で含有し、Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔの少なくとも１種を総計で
０．０１〜４重量％の範囲で含有し、さらにＣａ，Ｉ
ｎ，希土類元素の少なくとも１種を総計で０．０００５
〜０．０５重量％の範囲で含有し、残部を金および不可
避不純物からなることを特徴とする半導体素子用金銀合
金細線。 （６）Ａｇを１１〜１８．５重量％の範囲で含有し、Ｍ
ｎ，Ｃｒの少なくとも１種を総計で０．０１〜０．２重
量％の範囲で含有し、Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔの少なくとも１
種を総計で０．０１〜４重量％の範囲で含有し、さらに
Ｃａ，Ｉｎ，希土類元素の少なくとも１種を総計で０．
０００５〜０．０５重量％の範囲で含有し、残部を金お
よび不可避不純物からなることを特徴とする半導体素子
用金銀合金細線。 （７）上記（１）乃至（６）のそれぞれに記載の細線を
用い、アルミまたはアルミ合金である配線電極部とを接
続した半導体素子。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、金銀合金細線に関する本
発明の構成についてさらに説明する。従来の金細線では
アルミ電極との接合部において、大気中での高温保管に
よって金／アルミの化合物は成長するが、実用上の大き
な問題は発生していない。加速加熱試験の一例として、
大気中で２００℃の高温で１０００時間の加熱試験を行
っても、接合強度の低下は認められない。
【００１５】しかし、金中に高濃度のＡｇが含有した金
銀合金細線では、アルミ電極との接合部において、高温
保管後に接合強度が低下するという、問題が発生した。
これは、通常の金細線ではみられない現象であり、金中
に高濃度含有するＡｇの影響により、接合部においての
金属間化合物相の成長が変化して、通常の金細線とは異
なる金属間化合物相が成長したためである。信頼性低下
が著しい一例として、％オーダーの高濃度のＡｇを含有
する金合金細線では、２００℃で１０時間加熱した接合
強度が、加熱前の１／３程度まで低下しているものも観
察された。
【００１６】本発明者らの研究において、接合信頼性に
関しては、Ａｇ濃度の増加に対して単調に変化するので
はなく、ある一定濃度域に限ってのみ、信頼性が優れて
いることを初めて見出した。このＡｇの適性な濃度域と
しては、１１〜１８．５重量％の範囲である。これは、
Ａｇの含有量が１１重量％未満および１８．５重量％を
超える範囲であれば、加熱後のアルミ電極との接合信頼
性が著しく低下するためである。すなわち、Ａｇの濃度
域が上記範囲内でのみ、優れた実用性能を発現するもの
であり、しかも低コスト化としての大きな効果も期待さ
れる。
【００１７】上記の金銀合金細線を製造する上におい
て、伸線工程の途中に加熱処理を施すことにより、最終
線径での熱処理（調質焼鈍）をした状態で、強度の増加
に加えて伸びも向上することが可能であり、ループ形状
におけるばらつきが低減することができる。
【００１８】また、最終線径での調質焼鈍を施した後
に、細線表面に銀の安定な酸化膜を形成させておくこと
により、細線の接着性および、大気中に放置している間
の経時変化などを抑制できる。これは、大気中でのさら
なる酸化の進行を抑えること、また金中の銀と大気中に
含まれる微量な硫化ガスとの反応を抑制できるためであ
る。
【００１９】さらに上記のＡｇを高濃度に有する半導体
素子用金銀合金細線において、接合信頼性を損なわない
で、使用性能を高める効果が得られることを見出した。
【００２０】本発明の金銀の合金細線に、さらにＣｕ，
Ｐｄ，Ｐｔの少なくとも１種を総計で０．０１〜４重量
％の範囲で含有させることにより、アルミ電極との接続
直後の接合強度が高まることができる。その効果は、上
記の元素を高純度の金のみに添加するよりも、Ａｇと併
用して含有させることにより、より高められる。Ｃｕ，
Ｐｄ，Ｐｔの含有量を上記範囲と定めたのは、０．０１
重量％未満であれば上記効果は小さく、４重量％を超え
るとボール部が硬化するため接合時に半導体素子に損傷
を与えることが懸念され、それを回避するために接合時
の変形を軽減すると接合強度がむしろ低下するという理
由に基づくものである。
【００２１】金中に多量の銀が含有すると、伸線時の強
度が増加することに関連して、製造工程において伸線加
工による硬化が進むため、伸線時の断線不良や加工ぐせ
が発生したり、さらに半導体素子とリード部とを結線し
た後にも、金銀合金細線のループ形成時に曲がり変形が
増えることが懸念される。本発明の金銀合金細線に、さ
らにＣａ，Ｉｎ，希土類元素の少なくとも１種を総計で
０．０００５〜０．０５重量％の範囲で含有すると、伸
線時の断線不良が低下し、ループ形成時の曲がり変形が
低下するため、隣接する細線ピッチが狭い高密度接合に
好適な金銀合金細線が得られる。その効果は、上記の元
素を高純度の金のみに添加するよりも、Ａｇと併用して
含有させることにおいて、高い効果が得られる。Ｃａ，
Ｉｎ，希土類元素の含有量を上記範囲と定めたのは、
０．０００５重量％未満であれば上記効果は小さく、
０．０５重量％を超えると伸線後に熱処理を施しても伸
線時の加工ぐせを低減することが困難になり、ワイヤの
ループ形成時の曲がり変形が増加するためである。
【００２２】本発明の金銀の合金細線に、Ｃｕ，Ｐｄ，
Ｐｔの少なくとも１種を総計で０．０１〜４重量％の範
囲で含有させ、さらにＣａ，Ｉｎ、希土類元素の少なく
とも１種を総計で０．０００５〜０．０５重量％の範囲
で含有させると、樹脂封止工程における金銀合金細線の
変形量が低減することが判明した。これは、高温強度が
増加することと関連するものである。上記の元素添加に
よる樹脂封止時の変形量の低減する効果については、Ａ
ｇと併用して含有させることにおいて、より高い効果が
得られる。ここで、各元素群の含有量を上記範囲と定め
たのは、前述した理由に基づくものである。
【００２３】本発明の金銀の合金細線に、さらにＭｎ，
Ｃｒの少なくとも１種を総計で０．０１〜０．２重量％
の範囲で含有すると、樹脂封止された接合部においての
信頼性が向上する。従来の金細線を用いて、樹脂封止後
に加熱されると、接合部に成長した金属間化合物相が樹
脂成分と腐食反応を起こして、電気抵抗の増加および接
合強度の低下を引き起こす。金銀の合金細線においても
同様の現象が起こるが、Ｍｎ，Ｃｒを含有することによ
り、その腐食反応が抑制される。ここで、含有量を上記
範囲と定めたのは、０．０１重量％未満では上記効果は
小さく、０．２重量％を超えると、真球で清浄なボール
部を得ることが困難となるためである。
【００２４】
【実施例】以下、実施例について説明する。金純度は約
９９．９９５重量％以上の電解金を、Ａｇ純度は９９．
９５％以上の高純度のものを用いた。前述の各添加元素
群を含有する母合金を個別に高周波真空溶解炉で溶解鋳
造して母合金を溶製した。
【００２５】このようにして得られた各添加元素の母合
金の所定量と金純度が約９９．９９５重量％以上の電解
金とにより、表１に示す化学成分の金合金を高周波真空
溶解炉で溶解鋳造し、その鋳塊を圧延した後に常温で伸
線加工を行い、必要に応じて金合金細線の中間焼鈍工程
を加え、さらに伸線工程を続け、最終線径が２５μｍの
金合金細線とした後に、連続焼鈍して伸び値が４％程度
になるように調整した。得られた金合金細線について、
半導体素子用途のボンディング性を中心とした使用性能
などを調べた結果を表１に併記した。
【００２６】ワイヤボンディングに使用される高速自動
ボンダーを使用して、アーク放電によりワイヤ先端に作
製した金銀合金ボールを１０本採取し、走査型電子顕微
鏡で観察した。ボール形状が異常なもの、ボール先端部
において収縮孔の発生が認められるもの等半導体素子上
の電極に良好な接合ができないものを△印で、形状が真
球で表面も清浄である良好なボールについて○印で示し
た。
【００２７】ボール接合部の接合強度については、アル
ミ電極の２μｍ上方で冶具を平行移動させて煎断破断を
読みとるシェアテスト法で測定し、４０本の破断荷重の
平均値を測定した。さらに金ボールをアルミニウム電極
に接合した半導体装置を樹脂封止しない状態で、窒素ガ
ス中において２００℃で２００時間加熱処理した後に、
４０本のシェアテストの平均値により接合強度の変化を
評価した。
【００２８】金銀合金細線のループ形成時のワイヤ曲が
りは、ワイヤ両端の接合距離（スパン）が４．５mmとな
るようボンディングしたワイヤを半導体素子とほぼ垂直
上方向から観察し、ワイヤ中心部からワイヤの両端接合
部を結ぶ直線と、ワイヤの曲がりが最大の部分との垂線
の距離を、投影機を用いて５０本測定した平均値で示し
た。
【００２９】樹脂封止後のワイヤ流れの測定に関して
は、ワイヤのスパンとして４．５mmが得られるようボン
ディングした半導体素子が搭載されたリードフレーム
を、モールディング装置を用いてエポキシ樹脂で封止し
た後に、軟Ｘ線非破壊検査装置を用いて樹脂封止した半
導体素子内部をＸ線投影し、前述したワイヤ曲がりと同
等の手順によりワイヤ流れが最大の部分の流れ量を４０
本測定し、その平均値をワイヤのスパン長さで除算した
値（百分率）を封止後のワイヤ流れと定義した。
【００３０】接合部における腐食調査としては、金細線
を接合した半導体装置をエポキシ樹脂で封止した後に、
窒素ガス中において２００℃で２００時間加熱処理した
後に、ボール接合部を垂直研磨し、接合界面に成長した
金とアルミニウムの金属間化合物層の腐食を観察した。
金属間化合物層は灰色を呈し、腐食が進行した化合物層
は褐色になり容易に識別可能であることを利用して、ボ
ール接合部における金属間化合物の腐食の進行を調べ
た。金属間化合物の腐食進行としては、ボール接合部の
研磨断面において腐食領域長さ（ｂ）が金属間化合物層
成長の長さ（ａ）に占める割合で評価したものであり、
腐食部が占める割合（ａ／ｂ）を３０個のボール接合部
で平均した値が、５％以下では腐食の抑制が顕著である
と判断して◎印、４０％以上で腐食が顕著なものは△
印、その中間である５％〜４０％のものは○印で表記し
た。
【００３１】表１（表１−１，表１−２）において、実
施例１〜３は本発明の請求項第１項記載に係わるもので
あり、実施例４〜１１は第２項、実施例１２〜２５は第
３項、実施例２６〜３０は第４請求項、実施例３１〜３
３は第５項、実施例３４〜３５は第６請求項記載に係わ
る金銀合金細線の結果である。
【００３２】また表２の実施例ｂ１〜ｂ２６は、Ａｇの
含有量が請求項第１項の範囲であることから本発明に関
わるものであるが、Ａｇ以外の元素添加量が請求項第２
項から第４請求項に記載されている適性な含有量からは
ずれる金合金細線について、比較として示したものであ
る。実施例ｂ１〜ｂ８は請求項第２項に対する比較、実
施例ｂ９〜ｂ２０は第３項、実施例ｂ２１〜ｂ２６は第
４項に対する比較として示した。
【００３３】表３はＡｇの含有量が本発明を外れる比較
例であり、加熱後の接合強度では、比較例１の高純度金
では低下しなかったが、比較例２，３ではＡｇ濃度が１
１重量％未満であり、比較例４，５ではＡｇ濃度が１
８．５重量％超であり、いずれも、加熱後に接合強度が
低下していた。それに対し、単独添加したＡｇ濃度が本
発明の成分範囲である実施例１〜３では、接合強度の低
下は認められず、非常に良好であった。
【００３４】実施例１〜３の金銀合金細線の伸線工程の
途中において、線径１００μｍの時に加熱処理を施して
おくと、線径が２５μｍでの連続焼鈍後の引張伸びが２
割以上向上し、ループ形状のばらつきも低減していた。
【００３５】さらに、実施例１〜３のいずれの細線と
も、線径である２５μｍでの調質熱処理において、温度
が５５０℃では、表面に銀の酸化膜が形成されており、
大気中に５ヶ月放置した後も、細線表面の変色は認めら
れず、５００本のリード端子との接合性テストでも不良
はみられなかった。それに対し、３００℃の低温で調質
熱処理した上記の細線では、表面の部分的に赤色部分が
認められ、接着性において２本で接着不良が認められ
た。
【００３６】Ａｇの適性量の含有に加えて、Ｃｕ，Ｐ
ｄ，Ｐｔを０．０１〜４重量％の範囲で含有する実施例
４〜１１では、接合直後の接合強度が６０ｇｆ以上と高
い値を示しており、例えば含有量が上記範囲をはずれる
実施例ｂ１〜ｂ８などと比較しても、２割以上の向上が
確認された。
【００３７】Ａｇの適性量の含有に加えて、Ｃａ，Ｉ
ｎ，希土類元素の含有量が０．０００５〜０．２重量％
の範囲である実施例１２〜２５では、ループ形成時のワ
イヤ曲がり量が２０μｍ以下であり、すなわち金細線の
直径よりも小さく抑えられているのに対し、例えば含有
量が上記範囲をはずれる実施例ｂ９〜ｂ２０ではワイヤ
曲がり量が３５μｍ以上であることと比較しても、４割
以上低減している。
【００３８】Ａｇの適性量の含有に加えて、Ｍｎ，Ｃｒ
のの含有量が０．０１〜０．２重量％の範囲である実施
例２６〜３０では、樹脂封止後に加熱した接合において
も化合物の腐食が抑制されていることが確認された。一
方、Ｍｎ，Ｃｒの含有量が０．２重量％を超えると、ゴ
ール部の形状が真球からずれて扁平であった。
【００３９】Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔの元素群と、Ｃａ，Ｉ
ｎ，希土類元素の元素群とを、本発明の請求項第５項に
記載の範囲で含有する実施例３１〜３３では、樹脂封止
時のワイヤ流れ率が２％以下であり、他の金合金細線に
おける流れ率が４％以上の結果と比較しても、半分以下
にまでに低く抑えられていることが確認された。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】
【表３】
【００４３】
【表４】
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、高濃度の銀を適性範囲で含有させて、材料費の低減
と、優れた接合信頼性を向上させた金銀合金細線を提供
するものである。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 Ａｇを１１〜１８．５重量％の範囲で含
    有し、残部を金および不可避不純物からなることを特徴
    とする半導体素子用金銀合金細線。
  2. 【請求項２】 Ａｇを１１〜１８．５重量％の範囲で含
    有し、さらにＣｕ，Ｐｄ，Ｐｔの少なくとも１種を総計
    で０．０１〜４重量％の範囲で含有し、残部を金および
    不可避不純物からなることを特徴とする半導体素子用金
    銀合金細線。
  3. 【請求項３】 Ａｇを１１〜１８．５重量％の範囲で含
    有し、さらにＣａ，Ｉｎ，希土類元素の少なくとも１種
    を総計で０．０００５〜０．０５重量％の範囲で含有
    し、残部を金および不可避不純物からなることを特徴と
    する半導体素子用金銀合金細線。
  4. 【請求項４】 Ａｇを１１〜１８．５重量％の範囲で含
    有し、さらにＭｎ，Ｃｒの少なくとも１種を総計で０．
    ０１〜０．２重量％の範囲で含有し、残部を金および不
    可避不純物からなることを特徴とする半導体素子用金銀
    合金細線。
  5. 【請求項５】 Ａｇを１１〜１８．５重量％の範囲で含
    有し、Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔの少なくとも１種を総計で０．
    ０１〜４重量％の範囲で含有し、さらにＣａ，Ｉｎ，希
    土類元素の少なくとも１種を総計で０．０００５〜０．
    ０５重量％の範囲で含有し、残部を金および不可避不純
    物からなることを特徴とする半導体素子用金銀合金細
    線。
  6. 【請求項６】 Ａｇを１１〜１８．５重量％の範囲で含
    有し、Ｍｎ，Ｃｒの少なくとも１種を総計で０．０１〜
    ０．２重量％の範囲で含有し、Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔの少な
    くとも１種を総計で０．０１〜４重量％の範囲で含有
    し、さらにＣａ，Ｉｎ，希土類元素の少なくとも１種を
    総計で０．０００５〜０．０５重量％の範囲で含有し、
    残部を金および不可避不純物からなることを特徴とする
    半導体素子用金銀合金細線。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１項記載の細
    線を用い、アルミまたはアルミ合金である配線電極部と
    を接続した半導体素子。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006035905A1 (ja) * 2004-09-30 2006-04-06 Tanaka Denshi Kogyo K.K. ワイヤバンプ材料
JP2007142187A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Texas Instr Japan Ltd 半導体装置
JP2008198977A (ja) * 2007-01-18 2008-08-28 Nippon Steel Materials Co Ltd 半導体実装用ボンディングワイヤ
JP2011129602A (ja) * 2009-12-16 2011-06-30 Tanaka Electronics Ind Co Ltd 高強度、高伸び率金合金ボンディングワイヤ
US8022541B2 (en) 2006-05-30 2011-09-20 Mk Electron Co., Ltd. Au-Ag based alloy wire for semiconductor package
WO2012169067A1 (ja) * 2011-06-10 2012-12-13 田中電子工業株式会社 高強度、高伸び率金合金ボンディングワイヤ
CN110029243A (zh) * 2019-04-02 2019-07-19 安徽捷澳电子有限公司 贵金属扁丝及其制备方法
KR20220047621A (ko) 2019-10-01 2022-04-18 타나카 덴시 코오교오 카부시키가이샤 와이어 접합 구조와 그것에 이용되는 본딩 와이어 및 반도체 장치
US11319613B2 (en) 2020-08-18 2022-05-03 Enviro Metals, LLC Metal refinement

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006035905A1 (ja) * 2004-09-30 2006-04-06 Tanaka Denshi Kogyo K.K. ワイヤバンプ材料
JP2007142187A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Texas Instr Japan Ltd 半導体装置
US8022541B2 (en) 2006-05-30 2011-09-20 Mk Electron Co., Ltd. Au-Ag based alloy wire for semiconductor package
JP2008198977A (ja) * 2007-01-18 2008-08-28 Nippon Steel Materials Co Ltd 半導体実装用ボンディングワイヤ
JP2011129602A (ja) * 2009-12-16 2011-06-30 Tanaka Electronics Ind Co Ltd 高強度、高伸び率金合金ボンディングワイヤ
WO2012169067A1 (ja) * 2011-06-10 2012-12-13 田中電子工業株式会社 高強度、高伸び率金合金ボンディングワイヤ
CN103155129A (zh) * 2011-06-10 2013-06-12 田中电子工业株式会社 高强度高伸长率的金合金接合线
CN110029243A (zh) * 2019-04-02 2019-07-19 安徽捷澳电子有限公司 贵金属扁丝及其制备方法
KR20220047621A (ko) 2019-10-01 2022-04-18 타나카 덴시 코오교오 카부시키가이샤 와이어 접합 구조와 그것에 이용되는 본딩 와이어 및 반도체 장치
DE112020004723T5 (de) 2019-10-01 2022-06-15 Tanaka Denshi Kogyo K.K. Drahtbondstruktur, hierfür verwendeter Bonddraht und Halbleitervorrichtung
US11319613B2 (en) 2020-08-18 2022-05-03 Enviro Metals, LLC Metal refinement
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