JP5994776B2 - 半導体パッケージ、半導体装置、半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体パッケージ、半導体装置、半導体パッケージの製造方法に関する。
近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使用される半導体パッケージは、従来にも増して益々小型化かつ多ピン化が進んできている。
半導体パッケージはその小型化に伴って、従来のようなリードフレームを使用した形態のパッケージでは、小型化に限界がきているため、最近では回路基板上にチップを実装したものとして、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）や、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）と言った、エリア実装型の新しいパッケージ方式が提案されている。
ＢＧＡやＣＳＰ等の新しいパッケージに用いられるインターポーザは、一般に、繊維基材に樹脂組成物を含浸してなる基板に導体パターンや導体ポストが形成されてなる。
上述したようなインターポーザは、チップとの熱膨張係数差が大きく、熱変形しやすい。また、インターポーザは、通常、チップよりも大面積となるため、チップと接触していない部分の面積が大きい。このようなチップと接触していない部分は、剛性が極めて低く、インターポーザが熱変形し、チップ側に反り、電気的接続の信頼性を低下させるという問題があった。
本発明によれば、基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、前記一方の面および前記他方の面のうちの、少なくとも１つの面に接合される補強部材とを有することを特徴とする半導体パッケージであって、前記補強部材は、板状の熱伝導 性の本体と、前記本体の一方の面側に設けられ、前記本体と前記配線基板とを接合する接 着層とを有し、前記接着層は、熱伝導材料を含み、前記基板には、前記基板を貫通する伝 熱部が設けられ、前記基板の一方の面および他方の面側には、それぞれ前記補強部材が設 けられ、前記伝熱部には各補強部材の前記接着層が接続され、前記伝熱部を介して一対の 前記補強部材が接続されている半導体パッケージを提供することができる。
さらに、本発明によれば、基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板を用意するとともに、本体と、前記本体の一方の面側に設けられ、熱伝導材料を含む接着層とを有する板部材を少なくとも１つ用意する第１の工程と、少なくとも１つの前記板部材を、該板部材の前記接着層を前記配線基板側にした状態で前記配線基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一つの面に接合する第２の工程と、前記配線基板に接合された前記板部材を所望の形状に加工することにより補強部材を得る第３の工程とを有していることを特徴とする半導体パッケージの製造方法であって、前記第２の工程では、前記配線基板の第１導体パターンまたは、第２導 体パターンに、前記接着層を直接接触させて、前記配線基板に前記板部材を接合し、前記 第３の工程では、前記本体に開口部を形成した後、前記本体の開口部に連通するとともに 、前記開口部よりも径が小さく、周縁部が前記本体の開口部の周縁部よりも内側に位置す る開口部を前記接着層に形成し、前記板部材の前記接着層および前記本体を貫通する貫通 孔を形成して、前記配線基板の第１導体パターンまたは第２導体パターンを露出させ、前 記第１導体パターンまたは、第２導体パターンをソルダーレジストとしての前記接着層で 保護し、前記貫通孔内に半田バンプを配置する工程を含み、前記貫通孔内に半田バンプを 配置する前記工程では、前記接着層の前記開口部内に前記半田バンプを配置する、半導体 パッケージの製造方法を提供することができる。
さらに、本発明によれば、基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パター ンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第 ２導体パターンとを備える配線基板を用意するとともに、本体と、前記本体の一方の面側 に設けられ、熱伝導材料を含む接着層とを有する板部材を少なくとも１つ用意する第１の 工程と、少なくとも１つの前記板部材を、該板部材の前記接着層を前記配線基板側にした 状態で前記配線基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一つの面に接 合する第２の工程と、前記配線基板に接合された前記板部材を所望の形状に加工すること により補強部材を得る第３の工程とを有していることを特徴とする半導体パッケージの製 造方法であって、前記第１の工程では、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パター ンのうち、少なくともいずれか一方を被覆し、被覆した導体パターンを露出させる開口部 が形成されたソルダーレジストを有する前記配線基板を用意し、前記第２の工程では、前 記ソルダーレジストの前記開口部内部を前記接着層で埋め込むように、前記接着層を前記 ソルダーレジストに圧着し、前記ソルダーレジスト上に前記接着層を介して前記本体を固 定することで、前記配線基板に前記板部材を接合し、前記第３の工程では、前記本体に開 口部を形成した後、前記ソルダーレジストの開口部内面を被覆するように前記ソルダーレ ジストの前記開口部の内部の前記接着層を残しつつ、前記ソルダーレジストの前記開口部 の内部の前記接着層を選択的に除去し、前記本体の開口部に連通する開口部を前記接着層 に形成し、前記板部材の前記接着層および前記本体を貫通する貫通孔を形成して、前記配 線基板の第１導体パターンまたは第２導体パターンを露出させる半導体パッケージの製造 方法を提供することができる。
さらに本発明によれば、基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターン と、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２ 導体パターンとを備える配線基板を用意するとともに、本体と、前記本体の一方の面側に 設けられ、熱伝導材料を含む接着層とを有する板部材を少なくとも１つ用意する第１の工 程と、少なくとも１つの前記板部材を、該板部材の前記接着層を前記配線基板側にした状 態で前記配線基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一つの面に接合 する第２の工程と、前記配線基板に接合された前記板部材を所望の形状に加工することに より補強部材を得る第３の工程とを有していることを特徴とする半導体パッケージの製造 方法であって、前記第３の工程では、前記板部材の前記本体をウェットエッチングするこ とで開口部を形成し、前記板部材の前記本体の開口部を介して前記接着層にレーザーを照 射することにより、前記接着層の所望の位置に開口部を形成して、前記板部材の前記接着 層および前記本体を貫通する貫通孔を形成して、前記配線基板の第１導体パターンまたは 第２導体パターンを露出させる半導体パッケージの製造方法を提供することができる。
さらに、本発明によれば、基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パター ンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第 ２導体パターンとを備える配線基板を用意するとともに、本体と、前記本体の一方の面側 に設けられ、熱伝導材料を含む接着層とを有する板部材を少なくとも１つ用意する第１の 工程と、少なくとも１つの前記板部材を、該板部材の前記接着層を前記配線基板側にした 状態で前記配線基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一つの面に接 合する第２の工程と、前記配線基板に接合された前記板部材を所望の形状に加工すること により補強部材を得る第３の工程とを有していることを特徴とする半導体パッケージの製 造方法であって、前記第１の工程では、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パター ンのうち、少なくともいずれか一方を被覆し、被覆した導体パターンを露出させる開口部 が形成されたソルダーレジストを有する前記配線基板を用意し、前記第２の工程では、前 記ソルダーレジストの前記開口部内部を前記接着層で埋め込むように、前記接着層を前記 ソルダーレジストに圧着し、前記ソルダーレジスト上に前記接着層を介して前記本体を固 定することで、前記配線基板に前記板部材を接合し、前記第３の工程では、前記本体に開 口部を形成した後、前記ソルダーレジストの開口部内面を被覆するように前記ソルダーレ ジストの前記開口部の内部の前記接着層を残しつつ、前記ソルダーレジストの前記開口部 の内部の前記接着層を選択的に除去し、前記本体の開口部に連通する開口部を前記接着層 に形成し、前記板部材の前記接着層および前記本体を貫通する貫通孔を形成して、前記配 線基板の第１導体パターンまたは第２導体パターンを露出させる半導体パッケージの製造 方法を提供することができる。
さらに本発明によれば、基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターン と、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２ 導体パターンとを備える配線基板を用意するとともに、本体と、前記本体の一方の面側に 設けられ、熱伝導材料を含む接着層とを有する板部材を少なくとも１つ用意する第１の工 程と、少なくとも１つの前記板部材を、該板部材の前記接着層を前記配線基板側にした状 態で前記配線基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一つの面に接合 する第２の工程と、前記配線基板に接合された前記板部材を所望の形状に加工することに より補強部材を得る第３の工程とを有していることを特徴とする半導体パッケージの製造 方法であって、前記第３の工程では、前記板部材の前記本体をウェットエッチングするこ とで開口部を形成し、前記板部材の前記本体の開口部を介して前記接着層にレーザーを照 射することにより、前記接着層の所望の位置に開口部を形成して、前記板部材の前記接着 層および前記本体を貫通する貫通孔を形成して、前記配線基板の第１導体パターンまたは 第２導体パターンを露出させる半導体パッケージの製造方法を提供することができる。
このような本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、板部材に接着層が形成されているため、板部材の配線基板への接合を簡単に行うことができる。そして、接着層は熱伝導性材料を含むため、配線基板からの熱を本体に伝達させることができ、配線基板の熱変形を抑制することができる。そのため、反りが抑制された半導体パッケージを簡単に製造することができる。
さらには、配線基板に板部材を接合した後、板部材を加工しているため、配線基板の導体パターン等の形状にあわせて板部材を加工することができる。
さらには、配線基板に板部材を接合した後、板部材を加工しているため、配線基板の導体パターン等の形状にあわせて板部材を加工することができる。
さらに、本発明によれば、基板、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターン、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターン、を有する配線基板と、前記配線基板の前記第１導体パターンまたは第２導体パターンに電気的に接続された半導体素子と、前記配線基板の前記一方の面に接合された補強部材とを備える半導体パッケージであって、前記補強部材は、前記配線基板に接着し、熱伝導性材料を含む接着層と、この接着層に設けられた本体とを備え、前記本体には、本体を貫通する開口部が形成され、前記接着層には、前記本体の開口部に連通するとともに、前記第１導体パターンを露出する開口部が形成され、前記配線基板の前記一方の面側からの平面視において、前記接着層の前記開口部の周縁部は、前記本体の前記開口部の内側に位置し、前記接着層の開口部内に、前記第１導体パターンに接続される半田バンプが配置され、前記配線基板は、前記第１導体パターンを被覆し、被覆した前記第１導体パタ ーンを露出させる開口部を有するソルダーレジストを有し、前記ソルダーレジストの前記 第１導体パターンと反対側の表面および、前記ソルダーレジストの前記開口部内面が前記 接着層で被覆され、前記接着層のうち、前記ソルダーレジストの前記開口部内面を被覆す る部分が前記接着層の前記開口部の内面を構成する半導体パッケージも提供できる。
このような半導体パッケージは、上述した半導体パッケージの製造方法により製造できる。
このような半導体パッケージは、上述した半導体パッケージの製造方法により製造できる。
本発明によれば、熱による不具合の発生を防止することができ、かつ配線基板に簡単に接合することのできる補強部材、この補強部材を備えた半導体パッケージ、半導体装置およびこの補強部材を使用した前記半導体パッケージの製造方法が提供される。
さらには、熱による不具合の発生を防止が抑制された半導体パッケージを製造することができる製造方法、この製造方法により製造された半導体パッケージが提供される。
さらには、熱による不具合の発生を防止が抑制された半導体パッケージを製造することができる製造方法、この製造方法により製造された半導体パッケージが提供される。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明は重複しないように適宜省略される。
<第１実施形態>
（半導体パッケージ）
まず、本発明の半導体パッケージを説明する。
（半導体パッケージ）
まず、本発明の半導体パッケージを説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図、図２は、図１に示す半導体パッケージを示す上面図、図３は、図１に示す半導体パッケージを示す下面図、図４ないし図７は、それぞれ、図１に示す半導体パッケージの製造方法の一例を示す図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図１ないし図７では、それぞれ、説明の便宜上、半導体パッケージの各部が誇張して描かれている。
図１に示すように、半導体パッケージ１は、配線基板２と、この配線基板２上に搭載された半導体素子３と、第１補強部材（本発明の補強部材）４と、第２補強部材（本発明の補強部材）５とを有する。
このような半導体パッケージ１によれば、半導体素子３と接合された部分以外の部分においても、配線基板２の両面が第１補強部材４および第２補強部材５により補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。特に、本実施形態では、第１補強部材４および第２補強部材５の熱膨張係数が配線基板２よりも小さいため、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
また、配線基板２自体の剛性を高める必要がなく、配線基板２の厚さを薄くすることができるので、配線基板２の厚さ方向での熱伝導性を高めることができる。これに加えて、接着層４２，５２は、熱伝導性材料を含んでいる。そのため、配線基板２の熱を第１補強部材４および第２補強部材５を介して放熱することができる。さらには半導体素子３からの熱を配線基板２および第２補強部材５を介して逃すことができる。したがって、半導体パッケージ１は、優れた放熱性を発揮することができる。
このようなことから、配線基板２の昇温を抑えることができるので、この点でも、配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
以下、半導体パッケージ１の各部を順次詳細に説明する。
［配線基板］
配線基板２は、半導体素子３を支持する基板であり、例えば、その搭載した半導体素子３と後述するようなマザーボード２００との電気的接続を中継する中継基板（インターポーザ）である。また、配線基板２は、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。
［配線基板］
配線基板２は、半導体素子３を支持する基板であり、例えば、その搭載した半導体素子３と後述するようなマザーボード２００との電気的接続を中継する中継基板（インターポーザ）である。また、配線基板２は、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。
配線基板２は、基板２１と、導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４と、導体ポスト２３１、２３２、２３３と、伝熱ポスト２４と、ソルダーレジスト２５、２６とを有している。
なお、本実施形態では、導体パターン２２１は、基板２１の一方の面側に設けられた第１導体パターンを構成し、導体パターン２２４は、基板２１の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンを構成する。
基板２１は、複数（本実施形態では３層）の絶縁層２１１、２１２、２１３で構成されている。より具体的には、基板２１は、絶縁層２１１、絶縁層２１２、絶縁層２１３がこの順で積層されて構成されている。なお、基板２１を構成する絶縁層の数は、これに限定されず、１または２層であってもよいし、４層以上であってもよい。
各絶縁層２１１、２１２、２１３は、絶縁性を有する材料で構成されている。具体的には、各絶縁層２１１、２１２、２１３は、基材（繊維基材）と、その基材に含浸された樹脂組成物とで構成されている。
基材は、各絶縁層２１１、２１２、２１３の芯材として用いられるものである。このような基材を有することにより、基板２１の剛性を高めることができる。
基材としては、例えば、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維で構成されたガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等のいずれか１種以上を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、あるいは、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等が挙げられる。これらの中でも、かかる基材としては、ガラス繊維基材が好ましい。これにより、基板２１の剛性を高めるとともに、基板２１の薄型化を図ることができる。さらに、基板２１の熱膨張係数も小さくすることができる。
このようなガラス繊維基材を構成するガラスとしては、例えば、Ｅガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｔガラス、Ｈガラス等のいずれか１種以上が挙げられる。これらの中でもＴガラスが好ましい。これにより、ガラス繊維基材の熱膨張係数を小さくすることができ、それによって基板２１の熱膨張係数を小さくすることができる。
また、絶縁層２１１、２１２、２１３が基材を含む場合、絶縁層２１１、２１２、２１３における基材の含有率は、それぞれ、３０〜７０ｗｔ％であることが好ましく、４０〜６０ｗｔ％であることがより好ましい。これにより、これらの絶縁層のひび割れ等の破損を確実に防ぎつつ、各絶縁層の電気絶縁性および熱膨張係数を十分に低いものとすることができる。なお、絶縁層２１１、２１２、２１３のうちの少なくとも１層は、基材を含まずに樹脂組成物のみで構成されていてもよい。
このような基材に含浸される樹脂組成物は、樹脂材料が含まれている。かかる樹脂材料としては、熱硬化性樹脂が好適に用いられる。
前記熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、シアネート樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等のいずれか１種以上が挙げられる。
これらの中でも、特に、シアネート樹脂が好ましい。これにより、基板２１の熱膨張係数を十分に小さくすることができる。さらに、基板２１の電気特性（低誘電率、低誘電正接等）を優れたものとすることができる。
また、前記樹脂組成物は、フィラーを含むのが好ましい。すなわち、絶縁層２１１、２１２、２１３は、それぞれ、フィラーを含むことが好ましい。これにより、絶縁層２１１、２１２、２１３の熱膨張係数を低くすることができる。
前記フィラーとしては、各種無機フィラーまたは有機フィラーが挙げられる。
無機フィラー（無機充填材）としては、例えば、シリカ、アルミナ、ケイ藻土、酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、金属フェライト等の酸化物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物、炭酸カルシウム（軽質、重質）、炭酸マグネシウム、ドロマイト、ドーソナイト等の炭酸塩、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、硫酸アンモニウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、タルク、マイカ、クレー、ガラス繊維、ケイ酸カルシウム、モンモリロナイト、ベントナイト等のケイ酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、カーボンブラック、グラファイト、炭素繊維等の炭素、その他鉄粉、銅粉、アルミニウム粉、亜鉛華、硫化モリブデン、ボロン繊維、チタン酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛が挙げられる。
無機フィラー（無機充填材）としては、例えば、シリカ、アルミナ、ケイ藻土、酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、金属フェライト等の酸化物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物、炭酸カルシウム（軽質、重質）、炭酸マグネシウム、ドロマイト、ドーソナイト等の炭酸塩、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、硫酸アンモニウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、タルク、マイカ、クレー、ガラス繊維、ケイ酸カルシウム、モンモリロナイト、ベントナイト等のケイ酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、カーボンブラック、グラファイト、炭素繊維等の炭素、その他鉄粉、銅粉、アルミニウム粉、亜鉛華、硫化モリブデン、ボロン繊維、チタン酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛が挙げられる。
また、有機フィラーとしては、合成樹脂粉末が挙げられる。この合成樹脂粉末としては、例えば、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル、アクリル樹脂、アセタール樹脂、ポリエチレン、ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリスルホン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、フッ素樹脂、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体等の各種熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂の粉末、またはこれらの樹脂の共重合体の粉末が挙げられる。また、有機フィラーの他の例としては、芳香族または脂肪族ポリアミド繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエステル繊維、アラミド繊維等が挙げられる。
前述したようなフィラーの中でも、無機フィラーを用いるのが好ましい。これにより、絶縁層２１１、２１２、２１３の熱膨張係数を効果的に低めることができる。また、絶縁層２１１、２１２、２１３の伝熱性を高めることもできる。
特に、無機フィラーの中でも、シリカが好ましく、溶融シリカ（特に球状溶融シリカ）が低熱膨張性に優れる点で好ましい。
無機フィラーの平均粒子径は、特に限定されないが、０．０５〜２．０μｍが好ましく、特に０．１〜１．０μｍが好ましい。これにより、絶縁層２１１、２１２、２１３中で、無機フィラーは、より均一に分散することができ、絶縁層２１１、２１２、２１３の物理的強度および絶縁性を特に優れたものとすることができる。
なお、上記無機フィラーの平均粒子径は、例えば、粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により測定することができる。また、本明細書において、平均粒子径とは、体積基準での平均粒子径を指す。
絶縁層２１１、２１２、２１３における無機充填材の含有量は、それぞれ、特に限定されないが、基材を除く樹脂組成物を１００ｗｔ％としたときに、３０〜８０ｗｔ％が好ましく、特に４５〜７５ｗｔ％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、絶縁層２１１、２１２、２１３は、熱膨張係数が十分に低く、吸湿性が特に低いものとなる。
また、前記樹脂組成物は、前述した熱硬化性樹脂の他、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。
また、前記樹脂組成物は、必要に応じて、顔料、酸化防止剤等の上記成分以外の添加物を含んでいてもよい。
また、絶縁層２１１、２１２、２１３は、互いに同じ材料で構成されていてもよいし、互いに異なる材料で構成されていてもよい。
上述したような複数の層で構成された基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、３０μｍ以上８００μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。
このような基板２１の絶縁層２１１の上面には、導体パターン２２１が形成されている。また、絶縁層２１１と絶縁層２１２との間には、導体パターン２２２が介挿されている。また、絶縁層２１２と絶縁層２１３との間には、導体パターン２２３が介挿されている。また、絶縁層２１３の下面には、導体パターン２２４が形成されている。
この導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４は、それぞれ、複数の配線を有する回路として機能するものである。
導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４の構成材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金等の各種金属および各種合金が挙げられる。中でも、かかる構成材料としては、銅および銅系合金を用いるのが好ましい。銅および銅系合金は、電気伝導率が比較的高いものである。そのため、配線基板２の電気的特性を良好なものとすることができる。また、銅および銅系合金は熱伝導性にも優れるので、配線基板２の放熱性を向上させることもできる。
また、導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４の平均厚さは、特に限定されないが、５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。
また、絶縁層２１１には、その厚さ方向に貫通するビアホールが形成され、そのビアホール内に導体ポスト（ビアポスト）２３１が設けられている。この導体ポスト２３１は、絶縁層２１１をその厚さ方向に貫通しており、導体ポスト２３１を介して導体パターン２２１と導体パターン２２２とが導通している。
同様に、絶縁層２１２には、その厚さ方向に貫通する導体ポスト（ビアポスト）２３２が設けられている。
この導体ポスト２３２は、絶縁層２１２をその厚さ方向に貫通しており、導体ポスト２３２を介して導体パターン２２２と導体パターン２２３とが導通している。
この導体ポスト２３２は、絶縁層２１２をその厚さ方向に貫通しており、導体ポスト２３２を介して導体パターン２２２と導体パターン２２３とが導通している。
また、絶縁層２１３には、その厚さ方向に貫通する導体ポスト（ビアポスト）２３３が設けられている。この導体ポスト２３３は、絶縁層２１３をその厚さ方向に貫通しており、導体ポスト２３３を介して導体パターン２２３と導体パターン２２４とが導通している。
また、絶縁層２１１の上面には、所定部位に貫通孔を有するソルダーレジスト２５が形成されている。このソルダーレジスト２５は、導体パターン２２１を被覆しており、前記貫通孔から導体パターン２２１の接続用電極部が露出している。この露出した部分には、金属バンプ（半田バンプ）３１が接合されており、この金属バンプ３１を介して半導体素子３と導体パターン２２１とが導通している。
ソルダーレジスト２５は、絶縁性を有しており、導体パターン２２１の不要部への半田の付着を防止したり、埃、熱、湿気などから導体パターン２２１を保護したり、導体パターン２２１間の電気絶縁性を維持したりする目的で形成されている。このようなソルダーレジスト２５の構成材料としては、絶縁性を有していれば、特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂を主材料とする熱硬化性レジスト等を用いることができる。また、例えば、ＰＳＲ４０００／ＡＵＳ３０８、ＡＵＳ７０３（太陽インキ製造製）およびＳＲ−７２００Ｇ（日立化成工業製）の商品名で市販されているものを用いることもできる。
ソルダーレジスト２５の形成方法は、特に限定されず、例えば、熱硬化性レジストを塗布して硬化させたのち、レーザー加工によって貫通孔を形成してもよいし、感光性液状レジストをスクリーン印刷し、露光硬化させる方法でもよい。
また、絶縁層２１３の下面には、所定部位に貫通孔を有するソルダーレジスト２６が形成されている。このソルダーレジスト２６は、導体パターン２２４を被覆しており、前記貫通孔からは導体パターン２２４の接続用電極部が露出している。この露出した部分には、金属バンプ（半田バンプ）７１が接合されている。この金属バンプ７１は、半導体パッケージ１を例えば後述するようなマザーボードに対して電気的に接続するためのものである。
本実施形態では、金属バンプ７１は、略球状をなしている。なお、金属バンプ７１の形状は、これに限定されない。
金属バンプ７１の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、錫−鉛系、錫−銀系、錫−亜鉛系、錫−ビスマス系、錫−アンチモン系、錫−銀−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀−銅系等の各種ろう材（半田）のいずれか１種以上を用いることができる。
また、基板２１には、その厚さ方向に貫通する複数のビアホールが形成され、その各ビアホールに伝熱ポスト２４が設けられている。
この各伝熱ポスト２４は、基板２１全体をその厚さ方向に貫通しており、上端が絶縁層２１１の上面から露出するとともに、下端が絶縁層２１３の下面から露出している。そして、伝熱ポスト２４は、その上端が第１補強部材４に接触し、下端が第２補強部材５に接触している。
本実施形態では、伝熱ポスト２４は、伝熱ポスト部２４１、２４２、２４３で構成されている。伝熱ポスト部２４１は、絶縁層２１１を貫通する中実の柱状の部材である。伝熱ポスト部２４２は、絶縁層２１２を貫通する中空の第一部分と、この中空部分２４２Ａに接続されて、絶縁層２１２の表裏面に位置する第二部分とを備える。そして、第二部分に伝熱ポスト部２４１が接続されている。また、他方の第二部分には、伝熱ポスト部２４３が接続されている。伝熱ポスト部２４３は、絶縁層２１３を貫通する中実の柱状の部材である。
そして、第１補強部材４の接着層４２は、ソルダーレジスト２５に形成された開口部に入り込み、この開口部から露出した伝熱ポスト２４の一方の端部（伝熱ポスト部２４１）に直接接触している。また、第２補強部材５の接着層５２は、ソルダーレジスト２６に形成された開口部に入り込み、この開口部から露出した伝熱ポスト２４の他方の端部（伝熱ポスト部２４３）に直接接触している。
本実施形態では、伝熱ポスト２４は、伝熱ポスト部２４１、２４２、２４３で構成されている。伝熱ポスト部２４１は、絶縁層２１１を貫通する中実の柱状の部材である。伝熱ポスト部２４２は、絶縁層２１２を貫通する中空の第一部分と、この中空部分２４２Ａに接続されて、絶縁層２１２の表裏面に位置する第二部分とを備える。そして、第二部分に伝熱ポスト部２４１が接続されている。また、他方の第二部分には、伝熱ポスト部２４３が接続されている。伝熱ポスト部２４３は、絶縁層２１３を貫通する中実の柱状の部材である。
そして、第１補強部材４の接着層４２は、ソルダーレジスト２５に形成された開口部に入り込み、この開口部から露出した伝熱ポスト２４の一方の端部（伝熱ポスト部２４１）に直接接触している。また、第２補強部材５の接着層５２は、ソルダーレジスト２６に形成された開口部に入り込み、この開口部から露出した伝熱ポスト２４の他方の端部（伝熱ポスト部２４３）に直接接触している。
この各伝熱ポスト（熱伝導部）２４は、前述した基板２１（絶縁層）よりも高い伝熱性を有する。これにより、たとえば、第１補強部材４から伝熱ポスト２４を介して第２補強部材５へ熱を効率的に伝達することができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
また、この各伝熱ポスト２４は、基板２１をその厚さ方向に貫通するものであるため、公知の導体ポストと同様に、簡単かつ高精度に形成することができる。
また、各伝熱ポスト２４は、中空であってもよいし、中実であってもよい。また、各伝熱ポスト２４の横断面形状としては、特に限定されず、例えば、円形、楕円形、多角形等が挙げられる。また、伝熱ポスト２４の数は、特に限定されず、任意であるが、配線基板２の機械的強度を損ねない程度に、できるだけ多くするのが好ましい。
各伝熱ポスト２４は、電気信号の伝送に寄与しないものである。これにより、第１補強部材４から伝熱ポスト２４を介して第２補強部材５へ熱をより効率的に伝達することができる。
本実施形態では、複数の伝熱ポスト２４は、配線基板２を平面視したときに、配線基板２の外周部に沿って互いに間隔を隔てて並設されている。特に、複数の伝熱ポスト２４は、配線基板２を平面視したときに、配線基板２の外周部に沿って周方向に等間隔で並設されているのが好ましい。これにより、配線基板２の温度分布をより均一化することができる。
また、複数の伝熱ポスト２４は、配線基板２を平面視したときに、前述した導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４に重ならないように設けられている。これにより、伝熱ポスト２４の形成が簡単となるとともに、伝熱ポスト２４と導体パターン２２１、２２２、２２３、２２４との短絡を防止することができる。
このような各伝熱ポスト２４の構成材料としては、前述した基板２１（絶縁層）よりも高い伝熱性を有するものであれば、特に限定されないが、金属材料を用いるのが好ましい。
かかる金属材料としては、例えば、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金等の各種金属および各種合金が挙げられる。中でも、かかる金属材料としては、伝熱性に優れる観点から銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金のいずれか１種以上を用いるのが好ましい。これにより、配線基板２の放熱性を向上させることもできる。
また、伝熱ポスト２４の構成材料は、前述した導体ポスト２３１〜２３３の構成材料と異なっていてもよいが、導体ポスト２３１〜２３３の構成材料と同じであるのが好ましい。
［半導体素子］
半導体素子３は、例えば、集積回路素子（ＩＣ）であり、より具体的には、例えば、ロジックＩＣ、メモリおよび受発光素子等である。
半導体素子３は、例えば、集積回路素子（ＩＣ）であり、より具体的には、例えば、ロジックＩＣ、メモリおよび受発光素子等である。
この半導体素子３は、前述した配線基板２の基板２１の上面（一方の面）に接合され、第１導体パターンである導体パターン２２１に電気的に接続されている。
具体的には、半導体素子３は、その下面に、図示しない複数の端子が設けられており、その各端子が金属バンプ３１を介して、配線基板２の導体パターン２２１の前記接続用電極部（端子）に電気的に接続されている。これにより、半導体素子３と配線基板２の導体パターン２２１とが電気的に接続されている。
金属バンプ３１の構成材料としては、特に限定されないが、前述した金属バンプ７１と同様、例えば、錫−鉛系、錫−銀系、錫−亜鉛系、錫−ビスマス系、錫−アンチモン系、錫−銀−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀−銅系等のいずれか１種以上の種ろう材（半田）を用いることができる。
また、半導体素子３は、接着層３２を介して、配線基板２の上面に接着（接合）されている。この接着層３２は、接着性および絶縁性を有する材料で構成され、例えば、アンダーフィル材の硬化物で構成されている。アンダーフィル材としては、特に限定されず、公知のアンダーフィル材を用いることができるが、後述する絶縁材８１を形成するための半田接合用レジストと同様のものを用いることもできる。
ただし、半導体素子３の側面と、第１補強部材４の貫通孔４ｂの内面との間に熱伝導性の部材（たとえば、銀ペースト）を配置し、半導体素子３の熱を第１補強部材４に伝熱してもよい。
ただし、半導体素子３の側面と、第１補強部材４の貫通孔４ｂの内面との間に熱伝導性の部材（たとえば、銀ペースト）を配置し、半導体素子３の熱を第１補強部材４に伝熱してもよい。
［第１補強部材］
第１補強部材（本発明の補強部材；スティフナー）４は、前述した配線基板２の基板２１の上面（一方の面）の、半導体素子３が接合されていない部分に接合されている。
ここで、補強部材が基板２１の面に接合されるとは、基板２１の面に直接接触している場合のみならず、基板２１の面上に形成された導体パターンやソルダーレジストを介して、間接的に基板２１の面に接着している場合も含む。この第１補強部材４は、本体４１と、本体４１の下面（一方の面）に設けられ、本体４１と配線基板２とを接合する接着層４２とを有している。
第１補強部材（本発明の補強部材；スティフナー）４は、前述した配線基板２の基板２１の上面（一方の面）の、半導体素子３が接合されていない部分に接合されている。
ここで、補強部材が基板２１の面に接合されるとは、基板２１の面に直接接触している場合のみならず、基板２１の面上に形成された導体パターンやソルダーレジストを介して、間接的に基板２１の面に接着している場合も含む。この第１補強部材４は、本体４１と、本体４１の下面（一方の面）に設けられ、本体４１と配線基板２とを接合する接着層４２とを有している。
本体４１は、基板２１、さらには配線基板２よりも熱膨張係数が小さい。これにより、補強部材を配線基板２に取り付けることで、基板２１、さらには配線基板２の熱膨張を抑えることができる。なお、配線基板２の熱膨張係数は、５ｐｐｍ／℃〜２５ｐｐｍ／℃であることが好ましい。
ここで、熱膨張係数は、５０℃〜１５０℃における面方向の平均線膨張係数を意味する。
また、本体４１は、板状をなしている。これにより、第１補強部材４の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
また、本体４１の表裏面は、平坦である。本体４１の表裏面には、たとえば、配線が形成されることで形成されるような凹凸（たとえば、５μｍ以上の凹凸）が形成されておらず、平坦であるため、本体４１の表裏面に、容易に均一な厚みの平坦な接着層４２を形成することができる。そのため、接着層４２と配線基板２表面とを確実に接着することができる。
ここで、熱膨張係数は、５０℃〜１５０℃における面方向の平均線膨張係数を意味する。
また、本体４１は、板状をなしている。これにより、第１補強部材４の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
また、本体４１の表裏面は、平坦である。本体４１の表裏面には、たとえば、配線が形成されることで形成されるような凹凸（たとえば、５μｍ以上の凹凸）が形成されておらず、平坦であるため、本体４１の表裏面に、容易に均一な厚みの平坦な接着層４２を形成することができる。そのため、接着層４２と配線基板２表面とを確実に接着することができる。
本体４１の基板２１と反対側の面（すなわち上面）は、半導体素子３の基板２１と反対側の面（すなわち上面）と同一面上またはそれよりも基板２１側（すなわち下側）に位置しているのが好ましい。これにより、半導体パッケージ１の製造に際し、第１補強部材４の設置後に半導体素子３を設置する場合、半導体素子３の設置が容易となる。
本実施形態では、本体４１の上面と、半導体素子３の上面とが同一面上に位置している。これにより、半導体パッケージ１を薄型化しつつ、配線基板２の反りを効果的に抑制または防止することができる。また、本体４１の上面上に他の構造体（例えば、基板、半導体素子、ヒートシンク等）を設ける場合、その構造体の設置を安定的に行うことができる。
なお、本体４１および半導体素子３を封止樹脂でモールドしてもよい。
なお、本体４１および半導体素子３を封止樹脂でモールドしてもよい。
また、図２に示すように、本体４１は、半導体素子３の周囲を囲むように設けられている。本実施形態では、本体４１は、半導体素子３を囲むように環状（より具体的には四角環状）をなしている。これにより、第１補強部材４による配線基板２の剛性を高める効果を優れたものとすることができる。
また、本体４１は、半導体素子３との間の距離（本体４１の開口部４１２の内面と半導体素子３の外周面との間の距離）が半導体素子３の全周に亘って一定となるように形成されている。これにより、本体４１および半導体素子３の一体性が増し、これらによる配線基板２の補強効果が好適に発揮される。
また、本体４１は、半導体素子３との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、半導体素子３および本体４１が一体的に配線基板２を補強し、半導体パッケージ１全体の熱膨張を抑えることができる。
また、本体４１の構成材料としては、前述したような熱膨張係数を有するものであれば、特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料等のいずれかを用いることができるが、本実施形態では、金属材料を用いている。本体４１が金属材料で構成されていると、本体４１の放熱性を高めることができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。
かかる金属材料としては、前述したような熱膨張係数を有するものであれば、特に限定されず、各種金属材料を用いることができるが、放熱性および低熱膨張を実現する観点から、Ｆｅを含む合金を用いるのが好ましい。
かかるＦｅを含む合金としては、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｐｔ系合金、Ｆｅ−Ｐｄ合金等のいずれか１種以上が挙げられ、特に、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を用いるのが好ましい。
このような金属材料は、放熱性に優れるだけでなく、熱膨張係数が低く、かつ、一般的な半導体素子３の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する。そのため、半導体素子３および本体４１が一体的に配線基板２を補強することができる。
Ｆｅ−Ｎｉ系合金としては、ＦｅおよびＮｉを含むものであれは、特に限定されず、ＦｅおよびＮｉの他に、残部（Ｍ）として、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。
より具体的には、Ｆｅ−Ｎｉ系合金としては、例えば、Ｆｅ−３６Ｎｉ合金（インバー）等のＦｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−３２Ｎｉ−５Ｃｏ合金（スーパーインバー）、Ｆｅ−２９Ｎｉ−１７Ｃｏ合金（コバール）、Ｆｅ−３６Ｎｉ−１２Ｃｏ合金（エリンバー）等のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−２８Ｍｏ−２Ｆｅ合金等のＮｉ−Ｍｏ−Ｆｅ合金等のいずれかが挙げられる。また、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金は、例えば、ＫＶ−２、ＫＶ−４、ＫＶ−６、ＫＶ−１５、ＫＶ−２５等のＫＶシリーズ（ＮＥＯＭＡＸマテリアル社製）、Ｎｉｖａｒｏｘ等の商品名で市販されている。また、Ｆｅ−Ｎｉ合金は、例えば、ＮＳ−５、Ｄ−１（ＮＥＯＭＡＸマテリアル社製）等の商品名で市販されている。また、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔｉ合金は、例えば、Ｎｉ−Ｓｐａｎ Ｃ−９０２（大同スペシャルメタル社製）、ＥＬ−３（ＮＥＯＭＡＸマテリアル社製）等の商品名で市販されている。
また、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ系合金としては、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｒを含むものであれば特に限定されないが、例えば、Ｆｅ−５４Ｃｏ−９．５Ｃｒ（ステンレスインバー）等のＦｅ−Ｃｏ−Ｃｒ合金が挙げられる。なお、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ系合金は、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｒの他に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。
また、Ｆｅ−Ｃｏ系合金としては、ＦｅおよびＣｏを含むものであれば特に限定されず、ＦｅおよびＣｏの他に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。
また、Ｆｅ−Ｐｔ系合金としては、ＦｅおよびＰｔを含むものであれば特に限定されず、ＦｅおよびＰｔの他に、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。
また、Ｆｅ−Ｐｄ系合金としては、ＦｅおよびＰｄを含むものであれば、特に限定されず、ＦｅおよびＰｄの他に、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｔ等の金属のうちの１種または２種以上の金属を含んでいてもよい。
特に、本体４１の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、１ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と本体４１との熱膨張係数差を小さくし、これらが一体として配線基板２を補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
また、本体４１と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値は、７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、２ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と本体４１との熱膨張係数差を小さくし、これらが一体として配線基板２を補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
上述したような熱膨張係数の観点から、本体４１を構成する金属材料がＦｅ−Ｎｉ系合金である場合、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｎｉの含有量が３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であるのが好ましく、Ｎｉの含有量が３５ｗｔ％以上４５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、本体４１の熱膨張係数を半導体素子３の熱膨張係数に近づけることができる。この場合、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｆｅの含有量が５０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下であるのが好ましく、Ｆｅの含有量が５５ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。
また、本体４１を構成する金属材料がＦｅ−Ｎｉ系合金である場合、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、ＦｅおよびＮｉの合計含有量が８５ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であるのが好ましく、ＦｅおよびＮｉの合計含有量が９０ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であるのがより好ましい。すなわち、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、残部（Ｍ）の含有量が０ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であるのが好ましく、残部（Ｍ）の含有量が０ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、本体４１の熱膨張係数を半導体素子３の熱膨張係数に近づけることができる。
また、本体４１の平均厚さは、配線基板２の熱膨張係数や、配線基板２の形状、大きさ、構成材料等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下程度である。
また、本体４１は金属材料で構成されるため、その表面が導電性であり、かつ、熱伝導性を有している。
また、本体４１は金属材料で構成されるため、その表面が導電性であり、かつ、熱伝導性を有している。
接着層４２は、本体４１の下面に設けられており、本体４１の平面視にて、本体４１の形状とほぼ同一の形状をなしている。すなわち、接着層４２は、本体４１の下面全域に設けられている。接着層４２は、本体４１を配線基板２に接合する機能を有している。
このような接着層４２は、熱伝導性を有しており、樹脂材料と、熱伝導材料とを含む樹脂組成物で構成されている。これにより、接着層としての機能を充分に発揮しつつ、熱伝導性に優れる接着層４２が得られる。そのため、配線基板２からの熱を効率的に本体４１に伝達することができ、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。また、接着層４２は、絶縁性を有している。これにより、導体パターン２２１と本体４１との短絡を防止することができ、半導体パッケージ１の信頼性が向上する。
前記樹脂組成物に含まれる樹脂材料としては、各種熱可塑性樹脂、各種熱硬化性樹脂が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリアミド（例：ナイロン６、ナイロン４６、ナイロン６６、ナイロン６１０、ナイロン６１２、ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロン６−１２、ナイロン６−６６）、熱可塑性ポリイミド、芳香族ポリエステル等の液晶ポリマー、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル（不飽和ポリエステル）樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。
中でも、接着層４２に用いる樹脂材料としては、熱硬化性樹脂（特に硬化前に液状をなすもの）を用いるのが好ましく、フェノール樹脂、エポキシ樹脂を用いるのがより好ましく、フェノール樹脂を用いるのが特に好ましい。かかるフェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。これにより、本体４１と配線基板２とを強固に接着することができるとともに、接着層４２の熱膨張係数を効果的に抑えることができる。
前記樹脂組成物に含まれる熱伝導性材料としては、特に限定されないが、無機フィラー（無機充填材）であるのが好ましい。これにより、接着層４２の熱伝導性をより高めることができる。
このような無機フィラーとしては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属、シリカ、アルミナ、ケイ藻土、酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、金属フェライト等の酸化物、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化ガリウム、窒化チタン等の窒化物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物、炭酸カルシウム（軽質、重質）、炭酸マグネシウム、ドロマイト、ドーソナイト等の炭酸塩、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、硫酸アンモニウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、タルク、マイカ、クレー、ガラス繊維、ケイ酸カルシウム、モンモリロナイト、ベントナイト等のケイ酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、カーボンブラック、グラファイト、炭素繊維等の炭素、その他鉄粉、銅粉、アルミニウム粉、亜鉛華、硫化モリブデン、ボロン繊維、チタン酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛のいずれか１種以上が挙げられる。なお、無機フィラーとして導電性を有するものを用いた場合、必要に応じて、接着層４２の接する部位に絶縁処理を施す。
中でも、無機フィラーとしては、絶縁性および熱伝導性に優れるという観点から、シリカ、アルミナ、ケイ藻土、酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、金属フェライト等の酸化物、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化ガリウム、窒化チタン等の窒化物のいずれか１種以上が好ましい。
また、無機フィラーの平均粒径（ｄ５０）は、熱伝導性を高める観点および分散性の観点から、０．０５〜１００μｍであることが好ましく、１〜５０μｍであることが更に好ましい。
さらには、接着層４２における無機フィラーの含有量は、熱伝導性の観点から２０ｗｔ％以上であることが好ましく、３０ｗｔ％以上であることが更に好ましく、接着層４２の成形性の観点から９５ｗｔ％以下であることが好ましく、９０ｗｔ％以下であることが更に好ましい。
このように接着層４２が熱伝導性材料を含む場合、本体４１も熱伝導性部材で構成され、本体４１表面に、接着層４２は直接接触する。
また、無機フィラーの平均粒径（ｄ５０）は、熱伝導性を高める観点および分散性の観点から、０．０５〜１００μｍであることが好ましく、１〜５０μｍであることが更に好ましい。
さらには、接着層４２における無機フィラーの含有量は、熱伝導性の観点から２０ｗｔ％以上であることが好ましく、３０ｗｔ％以上であることが更に好ましく、接着層４２の成形性の観点から９５ｗｔ％以下であることが好ましく、９０ｗｔ％以下であることが更に好ましい。
このように接着層４２が熱伝導性材料を含む場合、本体４１も熱伝導性部材で構成され、本体４１表面に、接着層４２は直接接触する。
また、接着層４２の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、０．０１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下程度である。
このような第１補強部材４には、図２に示すように、貫通孔４ｂが形成されている。この貫通孔４ｂは、本体４１および接着層４２を貫通するものである。図１に示すように、貫通孔４ｂは、本体４１を貫通する開口部４１２と、この開口部４１２に連通し、接着層４２を貫通する開口部４２３とで構成されている。本実施形態では、本体４１を貫通する前記開口部４１２の径と接着層４２を貫通する開口部４２３の径とは等しい。貫通孔４ｂは、半導体素子３を配置するための孔であり、第１補強部材４の表面側から平面視した際に、第１補強部材４の中央部分に形成されている。
また、第１補強部材４には、導体パターン２２１の所定部位（接続用電極部）を露出させるための貫通孔４ａが複数形成されている。貫通孔４ａは、本体４１および接着層４２を貫通するものである。すなわち、貫通孔４ａは、本体４１を貫通する開口部４１１と、この開口部４１１に連通し、接着層４２を貫通する開口部４２０とで構成されている。本実施形態では、本体４１を貫通する前記開口部４１１の径と接着層４２を貫通する開口部４２０の径とは等しい。複数の貫通孔４ａは、第１補強部材４の内周部に沿って互いに間隔を隔てて並設されている。特に、複数の貫通孔４ａは、第１補強部材４の内周部に沿って周方向に等間隔で並設されているのが好ましい。これにより、第１補強部材４の機械的強度を均一化することができる。本実施形態では、貫通孔４ａは、貫通孔４ｂを取り囲むように配置されている。また、貫通孔４ａには、後述する金属バンプ９１が配置されるが、貫通孔４ａの径は、金属バンプ９１よりも大きく、金属バンプ９１と貫通孔４ａとの間に絶縁材８２が充填される。より詳細に説明すると、開口部４１１の内面と金属バンプ９１との間、および、開口部４２０内面と金属バンプ７１との間に絶縁材８２が充填されている。
また、第１補強部材４には、導体パターン２２１の所定部位（接続用電極部）を露出させるための貫通孔４ａが複数形成されている。貫通孔４ａは、本体４１および接着層４２を貫通するものである。すなわち、貫通孔４ａは、本体４１を貫通する開口部４１１と、この開口部４１１に連通し、接着層４２を貫通する開口部４２０とで構成されている。本実施形態では、本体４１を貫通する前記開口部４１１の径と接着層４２を貫通する開口部４２０の径とは等しい。複数の貫通孔４ａは、第１補強部材４の内周部に沿って互いに間隔を隔てて並設されている。特に、複数の貫通孔４ａは、第１補強部材４の内周部に沿って周方向に等間隔で並設されているのが好ましい。これにより、第１補強部材４の機械的強度を均一化することができる。本実施形態では、貫通孔４ａは、貫通孔４ｂを取り囲むように配置されている。また、貫通孔４ａには、後述する金属バンプ９１が配置されるが、貫通孔４ａの径は、金属バンプ９１よりも大きく、金属バンプ９１と貫通孔４ａとの間に絶縁材８２が充填される。より詳細に説明すると、開口部４１１の内面と金属バンプ９１との間、および、開口部４２０内面と金属バンプ７１との間に絶縁材８２が充填されている。
各貫通孔４ａ内には、貫通孔４ａから露出する導体パターン２２１に接続された金属バンプ９１と、金属バンプ９１の周囲に形成され金属バンプ（半田バンプ）９１と本体４１との接触（短絡）を防止する絶縁性の絶縁材８２とが設けられている。金属バンプ９１は、前述した金属バンプ７１と同様の材料で構成される。第１補強部材４の上面から上方へ突出している。これにより、金属バンプ９１を介して、半導体パッケージ１と、その上方に位置する他の半導体パッケージとを電気的に接続することができる。なお、絶縁材８２は、後述する絶縁材８１と同様の材料構成である。
絶縁材８２は、金属バンプ９１の導体パターン２２１側の基部側面を取り囲み、金属バンプ９１に接触している。また、絶縁材８２は、金属バンプ９１の側面側から、導体パターン２２１側に向けて末広がりとなる形状となっている。すなわち、絶縁材８２は、配線基板厚み方向から直交する方向からの側面視において、台形形状となっている。これにより、絶縁材８２により、金属バンプ９１が補強され、かつ、絶縁材８２により、金属バンプ９１と本体４１との接触が防止される。なお、絶縁材８２、８１は半導体パッケージにおいて半硬化の状態であってもよく、完全硬化した状態であってもよい。
絶縁材８２は、金属バンプ９１の導体パターン２２１側の基部側面を取り囲み、金属バンプ９１に接触している。また、絶縁材８２は、金属バンプ９１の側面側から、導体パターン２２１側に向けて末広がりとなる形状となっている。すなわち、絶縁材８２は、配線基板厚み方向から直交する方向からの側面視において、台形形状となっている。これにより、絶縁材８２により、金属バンプ９１が補強され、かつ、絶縁材８２により、金属バンプ９１と本体４１との接触が防止される。なお、絶縁材８２、８１は半導体パッケージにおいて半硬化の状態であってもよく、完全硬化した状態であってもよい。
［第２補強部材］
第２補強部材（本願発明の補強部材；スティフナー）５は、配線基板２の基板２１の下面（他方の面）に接合されている。この第２補強部材５は、前述した第１補強部材４と同様に、本体５１と、本体５１の上面に設けられた熱伝導性の接着層５２とを有している。
第２補強部材（本願発明の補強部材；スティフナー）５は、配線基板２の基板２１の下面（他方の面）に接合されている。この第２補強部材５は、前述した第１補強部材４と同様に、本体５１と、本体５１の上面に設けられた熱伝導性の接着層５２とを有している。
本体５１は、板状をなしている。これにより、第２補強部材５の構成を簡単かつ小型なものとすることができる。
本体５１は、基板２１、さらには配線基板２よりも熱膨張係数が小さい。また、図３に示すように、本体５１は、配線基板２（基板２１）の外周部（導体パターン２２４よりも外側）に沿って設けられた部分（枠部）５１１と、金属バンプ７１同士の間に設けられた部分５１２とを有している。本体５１の部分５１１と配線基板２（基板２１）との接合により、本体５１が配線基板２を効果的に補強することができる。また、本体５１の部分５１２と配線基板２との接合により、本体５１の剛性が高められる。
より具体的に説明すると、図１および３に示すように、本体５１は、前述した各金属バンプ７１に非接触で各金属バンプ７１を囲むように形成された複数の開口部（貫通孔）５１３を有する。これにより、本体５１が配線基板２の下面に占める面積の割合を大きくすることができる。その結果、本体５１による配線基板２の剛性を高める効果を優れたものとすることができる。
ここで、本実施形態では、各開口部５１３は、平面視にて、円形をなしている。なお、各開口部５１３の平面視形状は、これに限定されず、例えば、楕円形、多角形等であってもよい。
また、各開口部５１３は、各金属バンプ７１に対応して（一対一で対応して）設けられている。これにより、本体５１の剛性の均一化を図ることができる。また、本体５１の放熱性も向上させることができる。
また、本体５１は、各金属バンプ７１との間の距離（すなわち、平面視における開口部５１３の壁面と金属バンプ７１の外周面との間の距離）が金属バンプ７１の全周に亘って一定となるように形成されている。これにより、本体５１および各金属バンプ７１の一体性が増し、これらによる配線基板２の補強効果が好適に発揮される。
また、前述した本体４１と同様、本体５１は、半導体素子３との熱膨張係数差が７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、本体５１が効果的に配線基板２を補強し、半導体パッケージ１全体の熱膨張を抑えることができる。
また、本体５１の構成材料としては、前述したような熱膨張係数を有するものであれば、特に限定されず、前述した本体４１の構成材料と同様のものを用いることができ、例えば、金属材料、あるいはセラミックス材料等を用いることができるが、本実施形態では、金属材料を用いる。本体５１が金属材料で構成されていると、本体５１の放熱性を高めることができる。その結果、半導体パッケージ１の放熱性を向上させることができる。また、本体５１は金属材料で構成されるため、その表面が導電性であり、かつ、熱伝導性を有している。
かかる金属材料としては、特に限定されないが、放熱性および低熱膨張を実現する観点から、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を用いるのが好ましい。Ｆｅ−Ｎｉ系合金としては、前述した本体４１と同様のものを用いることができる。
特に、本体５１の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、１ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と本体５１との熱膨張係数差を小さくし、本体５１が配線基板２を効果的に補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
また、本体５１と半導体素子３との熱膨張係数差の絶対値は、７ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、２ｐｐｍ／℃以下であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子３と本体５１との熱膨張係数差を小さくし、本体５１が配線基板２を効果的に補強することができる。そのため、配線基板２の反りを効果的に防止することができる。
また、本体５１と本体４１との熱膨張係数差の絶対値は、２ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましく、０ｐｐｍ／℃であるのがさらに好ましい。これにより、本体４１と本体５１との熱膨張係数差を小さくし、これらの熱膨張差に起因する配線基板２の反りを防止することができる。
このような観点から、本体５１の構成材料は、本体４１の構成材料と同種または同じであるのが好ましい。
また、本体５１の平均厚さは、配線基板２の熱膨張係数や、配線基板２の形状、大きさ、構成材料等に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下程度である。
接着層５２は、本体５１の上面に設けられており、本体５１の平面視にて、本体５１の形状とほぼ同一の形状をなしている。このような接着層５２は、前述した接着層４２と同様の構成であり、同じ樹脂組成物を使用できる。すなわち、接着層５２は、前述した樹脂材料と、熱伝導性材料とを含む。そして、接着層５２は、熱伝導性部材で構成される本体５１の熱伝導性の表面に直接接触している。
接着層５２は、本体５１の上面全域に設けられている。換言すると、第２補強部材には、導体パターン２２４を露出させるとともに、この導電パターン２２４に接続される金属バンプ７１が配置される貫通孔５ａが形成されている。この貫通孔５ａは前述した開口部５１３と、接着層５２に形成された開口部５２１とで構成される。接着層５２に形成された開口部５２１は開口部５１３に連通する。なお、本実施形態では、開口部５１３の径と、開口部５２１の径とは等しい。
貫通孔５ａは、金属バンプ７１よりも径が大きく、貫通孔５ａの内面と、金属バンプ７１との間には隙間が形成され、金属バンプ７１と貫通孔５ａとの間に絶縁材８１が充填されている。より詳細に説明すると、開口部５１３の内面と金属バンプ７１との間、および、開口部５２１内面と金属バンプ７１との間に絶縁材８１が充填されている。
接着層５２は、本体５１の上面全域に設けられている。換言すると、第２補強部材には、導体パターン２２４を露出させるとともに、この導電パターン２２４に接続される金属バンプ７１が配置される貫通孔５ａが形成されている。この貫通孔５ａは前述した開口部５１３と、接着層５２に形成された開口部５２１とで構成される。接着層５２に形成された開口部５２１は開口部５１３に連通する。なお、本実施形態では、開口部５１３の径と、開口部５２１の径とは等しい。
貫通孔５ａは、金属バンプ７１よりも径が大きく、貫通孔５ａの内面と、金属バンプ７１との間には隙間が形成され、金属バンプ７１と貫通孔５ａとの間に絶縁材８１が充填されている。より詳細に説明すると、開口部５１３の内面と金属バンプ７１との間、および、開口部５２１内面と金属バンプ７１との間に絶縁材８１が充填されている。
第２補強部材５と各金属バンプ７１との間には、絶縁材８１が設けられている（充填されている）。これにより、第２補強部材５（本体５１）と各金属バンプ７１との接触を防止することができる。そのため、半導体パッケージ１の信頼性を優れたものとしつつ、第２補強部材５の剛性および放熱性を高めることができる。
また、絶縁材８１は、金属バンプ７１の周囲を囲むように形成され、かつ、各金属バンプ７１に接合されている。これにより、絶縁材８１は、金属バンプ７１を補強している。
絶縁材８１は、金属バンプ７１の導体パターン２２４側の基部側面を取り囲み、金属バンプ７１に接触している。また、絶縁材８１は、金属バンプ７１の側面側から、導体パターン２２４側に向けて末広がりとなる形状となっている。これにより、絶縁材８１により、金属バンプ７１が補強され、かつ、絶縁材８２により、金属バンプ７１と本体５１との接触が防止される。
このような絶縁材８１は、絶縁性を有し、樹脂材料を含んで構成されている。このような絶縁材８１は、特に限定されないが、例えば、熱硬化性を有する半田接合用樹脂組成物により形成されるのが好ましい。
絶縁材８１は、金属バンプ７１の導体パターン２２４側の基部側面を取り囲み、金属バンプ７１に接触している。また、絶縁材８１は、金属バンプ７１の側面側から、導体パターン２２４側に向けて末広がりとなる形状となっている。これにより、絶縁材８１により、金属バンプ７１が補強され、かつ、絶縁材８２により、金属バンプ７１と本体５１との接触が防止される。
このような絶縁材８１は、絶縁性を有し、樹脂材料を含んで構成されている。このような絶縁材８１は、特に限定されないが、例えば、熱硬化性を有する半田接合用樹脂組成物により形成されるのが好ましい。
このような半田接合用樹脂組成物（以下、「硬化性フラックス」とも言う）は、半田接合時にフラックスとして作用し、次いで加熱することにより、硬化して半田接合部の補強材として作用する。また、かかる半田接合用樹脂組成物は、半田接合の際に、半田接合面および半田材料の酸化物などの有害物を除去し、半田接合面を保護するとともに、半田材料の精錬を行って、強度の大きい良好な接合を可能にする。さらに、半田接合用樹脂組成物は、半田接合後に洗浄などにより除去する必要がなく、そのまま加熱することにより、三次元架橋した樹脂となり、半田接合部の補強材として作用する。
かかる半田接合用樹脂組成物は、例えば、フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）および該樹脂の硬化剤（Ｂ）を含んで構成することができる。
フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）としては、特に制限はないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、多価フェノールノボラック樹脂、レゾール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂などを挙げることができる。
また、硬化性フラックスにおいて、樹脂（Ａ）の含有量は、硬化性フラックス全体の２０〜８０重量％であることが好ましく、２５〜６０重量％であることがより好ましい。樹脂（Ａ）の含有量が２０重量％未満であると、半田および金属表面の酸化物などの汚れを除去する作用が低下し、半田接合性が不良となるおそれがある。樹脂（Ａ）の含有量が８０重量％を超えると、十分な物性を有する硬化物が得られず、接合強度と信頼性が低下するおそれがある。
また、フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）のフェノール性ヒドロキシル基は、その還元作用により、半田および金属表面の酸化物などの汚れを除去するので、半田接合のフラックスとして効果的に作用する。
また、フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）の硬化剤（Ｂ）としては、例えば、エポキシ化合物、イソシアネート化合物などを挙げることができる。エポキシ化合物およびイソシアネート化合物としては、例えば、ビスフェノール系、フェノールノボラック系、アルキルフェノールノボラック系、ビフェノール系、ナフトール系、レゾルシノール系などのフェノールベースのエポキシ化合物、イソシアネート化合物や、飽和脂肪族、環状脂肪族、不飽和脂肪族などの骨格をベースとして変性されたエポキシ化合物、イソシアネート化合物などを挙げることができる。
また、硬化剤（Ｂ）の配合量は、硬化剤のエポキシ基、イソシアネート基などの反応性の官能基が、樹脂（Ａ）のフェノール性ヒドロキシル基の０．５〜１．５当量倍であることが好ましく、０．８〜１．２当量倍であることがより好ましい。硬化剤の反応性の官能基がヒドロキシル基の０．５当量倍未満であると、十分な物性を有する硬化物が得られず、補強効果が小さくなって、接合強度と信頼性が低下するおそれがある。硬化剤の反応性の官能基がヒドロキシル基の１．５当量倍を超えると、半田および金属表面の酸化物などの汚れを除去する作用が低下し、半田接合性が不良となるおそれがある。
このような半田接合用樹脂（硬化性フラックス）は、フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）と該樹脂の硬化剤（Ｂ）の反応により、良好な物性を有する硬化物が形成されるために、半田接合後に洗浄によりフラックスを除去するが必要なく、硬化物により半田接合部が保護されて、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、接合強度と信頼性の高い半田接合が可能となる。
なお、前述したような半田接合用樹脂は、フェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂（Ａ）と該樹脂の硬化剤（Ｂ）の他に、硬化性酸化防止剤（Ｃ）、微結晶状態で分散するフェノール性ヒドロキシル基を有する化合物（Ｄ）および該化合物の硬化剤（Ｅ）、溶剤（Ｆ）、硬化触媒、密着性や耐湿性を向上させるためのシランカップリング剤、ボイドを防止するための消泡剤、あるいは液状または粉末の難燃剤等を含んでいてもよい。
また、硬化性フラックスとしては、たとえば、熱硬化性樹脂と、フラックス活性化合物と、イミダゾール等の硬化促進剤とを含むものであってもよい。
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂（不飽和ポリエステル樹脂）、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂（ポリイミド前駆体樹脂）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、シアネート樹脂などが挙げられる。特に、エポキシ樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、シアネート樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐湿性の観点からエポキシ樹脂を使用することが好ましい。
また、フラックス活性化合物としては、フェノール性水酸基および／またはカルボキシル基を有する化合物が好ましい。フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メジトール、３，５−キシレノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、カテコール、ｐ−ｔｅｒｔ−アミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノールなどのフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、ｏ−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＦノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂などのフェノール性水酸基を含有する樹脂が挙げられる。
また、硬化性フラックスとしては、たとえば、熱硬化性樹脂と、フラックス活性化合物と、イミダゾール等の硬化促進剤とを含むものであってもよい。
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂（不飽和ポリエステル樹脂）、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂（ポリイミド前駆体樹脂）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、シアネート樹脂などが挙げられる。特に、エポキシ樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、シアネート樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐湿性の観点からエポキシ樹脂を使用することが好ましい。
また、フラックス活性化合物としては、フェノール性水酸基および／またはカルボキシル基を有する化合物が好ましい。フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メジトール、３，５−キシレノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、カテコール、ｐ−ｔｅｒｔ−アミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノールなどのフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、ｏ−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＦノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂などのフェノール性水酸基を含有する樹脂が挙げられる。
カルボキシル基を有する化合物としては、例えば、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸などが挙げられる。前記脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物などが挙げられる。前記脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物などが挙げられる。前記芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテートなどが挙げられる。
さらには、カルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物としては、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）などの安息香酸誘導体；１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸などのナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；ジフェノール酸などが挙げられる。中でも、フェノールフタリン、ゲンチジン酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸が好ましく、フェノールフタリン、ゲンチジン酸が特に好ましい。
さらには、カルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物としては、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）などの安息香酸誘導体；１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸などのナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；ジフェノール酸などが挙げられる。中でも、フェノールフタリン、ゲンチジン酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸が好ましく、フェノールフタリン、ゲンチジン酸が特に好ましい。
以上説明したように構成された半導体パッケージ１によれば、半導体素子３と接合された部分以外の部分においても、配線基板２の両面が第１補強部材４および第２補強部材５により補強されるため、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。特に、第１補強部材４および第２補強部材５の熱膨張係数が配線基板２よりも小さいため、半導体素子３が配線基板２の全面に亘って設けられているのと同様に、半導体パッケージ１全体の剛性が増す。そのため、配線基板２と半導体素子３との熱膨張係数差に起因する配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
補強部材４，５を設けることで、配線基板２のそりの発生を抑制できるので、配線基板２の厚みを薄くすることが可能となる。配線基板２の厚さを薄くすることができるので、配線基板２の厚さ方向での熱伝導性を高めることができる。これに加えて、接着層４２，５２は、熱伝導性材料を含んでいる。そのため、配線基板２の熱を第１補強部材４および第２補強部材５を介して放熱することができる。さらには半導体素子３からの熱を配線基板２および第２補強部材５を介して逃すことができる。したがって、半導体パッケージ１は、優れた放熱性を発揮することができる。
このようなことから、配線基板２の昇温を抑えることができるので、この点でも、配線基板２の反りを抑制または防止することができる。
また、半導体パッケージ１によれば、第１補強部材４が絶縁性を有する接着層４２を有しているため、本体４１と導体パターン２２１との短絡を防止しつつ、第１補強部材４を配線基板２に簡単に接合することができる。第２補強部材５についても同様である。そのため、後述するように、半導体パッケージ１の製造が簡単となる。
さらに、本実施形態では、補強部材４，５は、熱伝導性の接着層４２，５２を有しており、この接着層４２、５２が、伝熱ポスト２４に接続されている。半導体素子３で発生した熱を、接着層４２、伝熱ポスト２４を介して、接着層５２、さらには、本体５１に伝達して放熱させることができる。
また、配線基板２の熱を伝熱ポストを介して、補強部材４，５に伝達して放熱することもできる。
また、本実施形態では、絶縁材８２が金属バンプ９１と、第１補強部材４の貫通孔４ａの内面との間に配置され、金属バンプ９１と第１補強部材４の本体４１との接触が抑制されている。本体４１の表面は導電性であるが、絶縁材８２により、第１補強部材４の本体４１に金属バンプ９１を介して電気が流れてしまうことを抑制でき、信頼性の高い半導体パッケージとすることができる。
同様に、絶縁材８１が金属バンプ７１と、第２補強部材の貫通孔５ａの内面との間に配置され、金属バンプ７１と第２補強部材５の本体５１との接触が抑制されている。本体５１の表面は導電性であるが、絶縁材８１により、第２補強部材の本体５１に金属バンプ７１を介して電気が流れてしまうことを抑制でき、信頼性の高い半導体パッケージとすることができる。
さらには、絶縁材８２（８１）が金属バンプ９１（７１）を取り囲むように設けられているので、絶縁材８２（８１）により金属バンプ９１（７１）を補強することができる。
また、本実施形態では、補強部材４（５）の接着層４２（５２）は、ソルダーレジスト２５（２６）を被覆している。これにより、ソルダーレジストを接着層により保護することができる。
さらに、本実施形態では、補強部材４，５は、熱伝導性の接着層４２，５２を有しており、この接着層４２、５２が、伝熱ポスト２４に接続されている。半導体素子３で発生した熱を、接着層４２、伝熱ポスト２４を介して、接着層５２、さらには、本体５１に伝達して放熱させることができる。
また、配線基板２の熱を伝熱ポストを介して、補強部材４，５に伝達して放熱することもできる。
また、本実施形態では、絶縁材８２が金属バンプ９１と、第１補強部材４の貫通孔４ａの内面との間に配置され、金属バンプ９１と第１補強部材４の本体４１との接触が抑制されている。本体４１の表面は導電性であるが、絶縁材８２により、第１補強部材４の本体４１に金属バンプ９１を介して電気が流れてしまうことを抑制でき、信頼性の高い半導体パッケージとすることができる。
同様に、絶縁材８１が金属バンプ７１と、第２補強部材の貫通孔５ａの内面との間に配置され、金属バンプ７１と第２補強部材５の本体５１との接触が抑制されている。本体５１の表面は導電性であるが、絶縁材８１により、第２補強部材の本体５１に金属バンプ７１を介して電気が流れてしまうことを抑制でき、信頼性の高い半導体パッケージとすることができる。
さらには、絶縁材８２（８１）が金属バンプ９１（７１）を取り囲むように設けられているので、絶縁材８２（８１）により金属バンプ９１（７１）を補強することができる。
また、本実施形態では、補強部材４（５）の接着層４２（５２）は、ソルダーレジスト２５（２６）を被覆している。これにより、ソルダーレジストを接着層により保護することができる。
（半導体パッケージの製造方法）
以上説明したような半導体パッケージ１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
以上説明したような半導体パッケージ１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
以下、図４〜図７に基づいて、半導体パッケージ１の製造方法の一例を簡単に説明する。
半導体パッケージ１の製造方法は、［１］配線基板２を製造する工程と、［２］配線基板２に第１、第２補強部材４、５を接合する工程と、［３］配線基板２に半導体素子３を搭載する工程とを有している。なお、工程［２］、「３」は、順番が逆であってもよい。すなわち工程［３］の後に、工程［２］を行ってもよい。
［１−Ａ］
まず、図４（ａ）に示すように、絶縁層２１２Ａの両面に金属層２２２Ａ、２２３Ａが設けられてなる積層体（例えば銅張り積層板）を用意する。
まず、図４（ａ）に示すように、絶縁層２１２Ａの両面に金属層２２２Ａ、２２３Ａが設けられてなる積層体（例えば銅張り積層板）を用意する。
ここで、絶縁層２１２Ａは、前述した配線基板２の絶縁層２１２を形成するためのものである。また、金属層２２２Ａは、前述した配線基板２の導体パターン２２２を形成するためのものである。また、金属層２２３Ａは、前述した配線基板２の導体パターン２２３を形成するためのものである。
［１−Ｂ］
次に、図４（ｂ）に示すように、絶縁層２１２Ａおよび金属層２２２Ａ、２２３Ａからなる積層体に貫通孔（ビアホール、スルーホール）を形成する。これにより、絶縁層２１２が得られる。貫通孔の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、レーザーを照射することにより形成することができる。
次に、図４（ｂ）に示すように、絶縁層２１２Ａおよび金属層２２２Ａ、２２３Ａからなる積層体に貫通孔（ビアホール、スルーホール）を形成する。これにより、絶縁層２１２が得られる。貫通孔の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、レーザーを照射することにより形成することができる。
［１−Ｃ］
次に、図４（ｃ）に示すように、所定の貫通孔内に導体ポスト２３２を形成する。また、所定の貫通孔内に伝熱ポスト部２４２を形成する。導体ポスト２３２および伝熱ポスト部２４２の形成方法としては、それぞれ、特に限定されないが、例えば、導電性ペーストを充填する方法、無電解めっきにより埋め込む方法、電解めっきにより埋め込む方法等を用いることができる。特に、導体ポスト２３２および伝熱ポスト部２４２をそれぞれ中空状に形成する場合には、電解めっきが好適に用いられる。
次に、図４（ｃ）に示すように、所定の貫通孔内に導体ポスト２３２を形成する。また、所定の貫通孔内に伝熱ポスト部２４２を形成する。導体ポスト２３２および伝熱ポスト部２４２の形成方法としては、それぞれ、特に限定されないが、例えば、導電性ペーストを充填する方法、無電解めっきにより埋め込む方法、電解めっきにより埋め込む方法等を用いることができる。特に、導体ポスト２３２および伝熱ポスト部２４２をそれぞれ中空状に形成する場合には、電解めっきが好適に用いられる。
［１−Ｄ］
次に、図４（ｄ）に示すように、金属層２２２Ａ、２２３Ａをそれぞれ選択的に除去して、パターンニングすることにより、導体パターン２２２、２２３を形成する。かかるパターンニングの方法としては、特に限定されないが、エッチングが好適に用いられる。
次に、図４（ｄ）に示すように、金属層２２２Ａ、２２３Ａをそれぞれ選択的に除去して、パターンニングすることにより、導体パターン２２２、２２３を形成する。かかるパターンニングの方法としては、特に限定されないが、エッチングが好適に用いられる。
以上のようにして、絶縁層２１２、導体パターン２２２、２２３、導体ポスト２３２および伝熱ポスト部２４２が形成される。
［１−Ｅ］
次に、図４（ｅ）に示すように、導体パターン２２２上に、絶縁層２１１Ａおよび金属層２２１Ａからなる積層体を貼り付ける。このとき、導体パターン２２２に絶縁層２１１Ａが接するように前記積層体を貼り付ける。同様に、導体パターン２２３上に、絶縁層２１３Ａおよび金属層２２４Ａからなる積層体を貼り付ける。このとき、絶縁層２１３Ａが導体パターン２２３に接するように積層体を貼り付ける。
次に、図４（ｅ）に示すように、導体パターン２２２上に、絶縁層２１１Ａおよび金属層２２１Ａからなる積層体を貼り付ける。このとき、導体パターン２２２に絶縁層２１１Ａが接するように前記積層体を貼り付ける。同様に、導体パターン２２３上に、絶縁層２１３Ａおよび金属層２２４Ａからなる積層体を貼り付ける。このとき、絶縁層２１３Ａが導体パターン２２３に接するように積層体を貼り付ける。
ここで、絶縁層２１１Ａは、例えば、プリプレグであって、前述した配線基板２の絶縁層２１１を形成するためのものであり、前述した絶縁層２１１の樹脂組成物の未硬化物（半硬化物）が基材に含浸してなるものである。同様に、絶縁層２１３Ａは、例えば、プリプレグであって、前述した配線基板２の絶縁層２１３を形成するためのものであり、前述した絶縁層２１３の樹脂組成物の未硬化物（半硬化物）が基材に含浸してなるものである。
［１−Ｆ］
次に、絶縁層２１１Ａおよび金属層２２４Ａからなる積層体に、図４（ｆ）に示すように、貫通孔（ビアホール）Ｈを形成する。これにより、絶縁層２１１が得られる。同様に、絶縁層２１３Ａおよび金属層２２４Ａからなる積層体に、貫通孔（ビアホール）Ｈを形成する。これにより、絶縁層２１３が得られる。貫通孔Ｈの形成方法としては、それぞれ、特に限定されないが、前述した工程［１−Ｂ］と同様の方法を用いることができる。
次に、絶縁層２１１Ａおよび金属層２２４Ａからなる積層体に、図４（ｆ）に示すように、貫通孔（ビアホール）Ｈを形成する。これにより、絶縁層２１１が得られる。同様に、絶縁層２１３Ａおよび金属層２２４Ａからなる積層体に、貫通孔（ビアホール）Ｈを形成する。これにより、絶縁層２１３が得られる。貫通孔Ｈの形成方法としては、それぞれ、特に限定されないが、前述した工程［１−Ｂ］と同様の方法を用いることができる。
［１−Ｇ］
次に、貫通孔Ｈ内に、図５（ａ）に示すように、導体ポスト２３１、２３３を形成する。また、貫通孔Ｈ内に伝熱ポスト部２４１、２４３を形成する。導体ポスト２３１、２３３および伝熱ポスト部２４１、２４３の形成方法としては、それぞれ、特に限定されないが、例えば、導電性ペーストを充填する方法、無電解めっきにより埋め込む方法、電解めっきにより埋め込む方法等を用いることができる。
次に、貫通孔Ｈ内に、図５（ａ）に示すように、導体ポスト２３１、２３３を形成する。また、貫通孔Ｈ内に伝熱ポスト部２４１、２４３を形成する。導体ポスト２３１、２３３および伝熱ポスト部２４１、２４３の形成方法としては、それぞれ、特に限定されないが、例えば、導電性ペーストを充填する方法、無電解めっきにより埋め込む方法、電解めっきにより埋め込む方法等を用いることができる。
［１−Ｈ］
次に、図５（ｂ）に示すように、金属層２２１Ａ、２２４Ａをそれぞれパターンニングすることにより、導体パターン２２１、２２４を形成する。かかるパターンニングの方法としては、前述した工程［１−Ｄ］と同様の方法を用いることができる。
次に、図５（ｂ）に示すように、金属層２２１Ａ、２２４Ａをそれぞれパターンニングすることにより、導体パターン２２１、２２４を形成する。かかるパターンニングの方法としては、前述した工程［１−Ｄ］と同様の方法を用いることができる。
［１−Ｉ］
次に、図５（ｃ）に示すように、開口部を有するソルダーレジスト２５、２６を形成する。このソルダーレジスト２５、２６は、それぞれ、特に限定されないが、例えば、レジスト材料を塗布し露光・現像し、選択的に除去することにより形成することができる。
ソルダーレジスト２５の開口部からは、導体パターン２２１が露出し、ソルダーレジスト２６の開口部からは、導体パターン２２４が露出する。
以上より、配線基板２を得る。
次に、図５（ｃ）に示すように、開口部を有するソルダーレジスト２５、２６を形成する。このソルダーレジスト２５、２６は、それぞれ、特に限定されないが、例えば、レジスト材料を塗布し露光・現像し、選択的に除去することにより形成することができる。
ソルダーレジスト２５の開口部からは、導体パターン２２１が露出し、ソルダーレジスト２６の開口部からは、導体パターン２２４が露出する。
以上より、配線基板２を得る。
［２−Ａ］
前記工程［１］とは別に、第１補強部材４および第２補強部材５を用意する。第１補強部材４および第２補強部材５は、例えば、次のようにして製造することができ、予め用意しておくことができる。なお、第１、第２補強部材４、５の製造方法は、互いに同様であるため、以下では、第１補強部材４の製造方法について代表して説明し、第２補強部材５の製造方法については、その説明を省略する。
前記工程［１］とは別に、第１補強部材４および第２補強部材５を用意する。第１補強部材４および第２補強部材５は、例えば、次のようにして製造することができ、予め用意しておくことができる。なお、第１、第２補強部材４、５の製造方法は、互いに同様であるため、以下では、第１補強部材４の製造方法について代表して説明し、第２補強部材５の製造方法については、その説明を省略する。
まず、図６（ａ）に示すように、板状の本体４１Ａと、本体４１Ａの一方の面（図７では上面）に形成された接着層４２Ａとを有する基材（板部材）４Ａを用意する（第２補強部材５を製造する場合には、板状の本体５１Ａと、本体５１Ａの一方の面に形成された接着層５２Ａとを有する基材（板部材）５Ａを用意すればよい。他の工程は、第１補強部材４の製造工程と同様である）。
本体４１Ａは、前述した第１補強部材４の本体４１を形成するためのものであり、例えば金属材料で構成されている。また、接着層４２Ａは、第１補強部材４の接着層４２を形成するためのものであり、例えば樹脂材料と無機フィラーとを含んだ前述した樹脂組成物で構成されている。なお、図示していないが、接着層４２Ａの上面（図７（ａ）で見ると下面）には、接着層４２Ａの乾燥や埃の付着等による接着力の低下を防止するための保護シートを設けてよい。
本体４１Ａの一方の面上に接着層４２Ａを設ける方法としては、たとえば、本体４１Ａの一方の面上に、接着層４２Ａとなるワニスを塗布し、乾燥させる方法がある。また、フィルム状の接着層４２Ａを本体４１Ａ上に貼り付ける方法を採用してもよい。
本体４１Ａは、前述した第１補強部材４の本体４１を形成するためのものであり、例えば金属材料で構成されている。また、接着層４２Ａは、第１補強部材４の接着層４２を形成するためのものであり、例えば樹脂材料と無機フィラーとを含んだ前述した樹脂組成物で構成されている。なお、図示していないが、接着層４２Ａの上面（図７（ａ）で見ると下面）には、接着層４２Ａの乾燥や埃の付着等による接着力の低下を防止するための保護シートを設けてよい。
本体４１Ａの一方の面上に接着層４２Ａを設ける方法としては、たとえば、本体４１Ａの一方の面上に、接着層４２Ａとなるワニスを塗布し、乾燥させる方法がある。また、フィルム状の接着層４２Ａを本体４１Ａ上に貼り付ける方法を採用してもよい。
次いで、基材４Ａを所望の形状に加工する。具体的には、基材４Ａに貫通孔４ａ、４ｂを形成する。これにより、図６（ｂ）に示すように、第１補強部材４が得られる。なお、基材４Ａを所望の形状に加工する方法（貫通孔４ａ、４ｂを形成する方法）としては、特に限定されず、例えば、打ち抜き加工、ドライエッチング、ウェットエッチング等の各種エッチング加工、レーザー照射加工などを用いることができる。レーザーとしては、例えばＣＯ２レーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー等を用いることができる。これらの方法の中でも、エッチングまたはレーザー照射加工が、より微細な加工を行うことができる点で好ましい。
［２−Ｂ］
次に、前記［２−Ａ］の工程によって製造しておいた第１、第２補強部材４、５を用意し、図７（ａ）に示すように、第１補強部材４を、接着層４２を配線基板２側にして配線基板２の上面のソルダーレジスト２５に貼り付けるとともに、第２補強部材５を、接着層５２を配線基板２側にして配線基板２の下面のソルダーレジスト２６に貼り付ける。第１、第２補強部材４、５の貼り付けは、例えば、真空プレス、ラミネート等によって行うことができる。ソルダーレジスト２５に形成された複数の開口部と、補強部材４に形成された貫通孔４ａ、４ｂとがそれぞれ連通するように、第１補強部材４を貼り付ける。
同様に、ソルダーレジスト２６に形成された複数の開口部と、補強部材５に形成された貫通孔５ａとがそれぞれ連通するように、第２補強部材５を貼り付ける。
次に、前記［２−Ａ］の工程によって製造しておいた第１、第２補強部材４、５を用意し、図７（ａ）に示すように、第１補強部材４を、接着層４２を配線基板２側にして配線基板２の上面のソルダーレジスト２５に貼り付けるとともに、第２補強部材５を、接着層５２を配線基板２側にして配線基板２の下面のソルダーレジスト２６に貼り付ける。第１、第２補強部材４、５の貼り付けは、例えば、真空プレス、ラミネート等によって行うことができる。ソルダーレジスト２５に形成された複数の開口部と、補強部材４に形成された貫通孔４ａ、４ｂとがそれぞれ連通するように、第１補強部材４を貼り付ける。
同様に、ソルダーレジスト２６に形成された複数の開口部と、補強部材５に形成された貫通孔５ａとがそれぞれ連通するように、第２補強部材５を貼り付ける。
［３−Ａ］
次に、図７（ｂ）に示すように、第１補強部材４内の貫通孔４ｂ内であり、かつ、配線基板２の上面に、アンダーフィル材を塗布した後、半導体素子３を金属バンプ３１を介して半田リフローにより接合する。なお、この場合、アンダーフィル材として前述した絶縁材８１と同じようなフラックス活性のある樹脂を用いる。また、半導体素子３を搭載し、フラックスあるいは半田ペースト等を用いてリフローにより半導体素子３を配線基板２に接合させた後、通常のキャピラリーアンダーフィル材を配線基板２と半導体素子３との間に充填・硬化させることもできる。
次に、図７（ｂ）に示すように、第１補強部材４内の貫通孔４ｂ内であり、かつ、配線基板２の上面に、アンダーフィル材を塗布した後、半導体素子３を金属バンプ３１を介して半田リフローにより接合する。なお、この場合、アンダーフィル材として前述した絶縁材８１と同じようなフラックス活性のある樹脂を用いる。また、半導体素子３を搭載し、フラックスあるいは半田ペースト等を用いてリフローにより半導体素子３を配線基板２に接合させた後、通常のキャピラリーアンダーフィル材を配線基板２と半導体素子３との間に充填・硬化させることもできる。
［３−Ｂ］
次に、配線基板２の下面（第２補強部材の開口部５１３内）に、絶縁材８１Ａを塗布した後、金属ボール（半田ボール）７１Ａを半田リフローにより半田接合する。
具体的には、図１３（ａ）に示すように、各貫通孔５ａから露出する導体パターン２２４上に、それぞれ絶縁材８１Ａを塗布する。その後、金属バンプ７１を絶縁材８１Ａ上に配置する。これにより、絶縁材８１Ａは金属パンプ７１に押しつぶされて、第２導体パターン上に広がるとともに、金属バンプ７１の周囲を取り囲む。その後、金属バンプ７１を、例えば２００〜２８０℃×１０〜６０秒間加熱することにより、金属バンプ７１と第２導体パターンとを半田接合する（図７（ｃ）参照）。
次に、配線基板２の下面（第２補強部材の開口部５１３内）に、絶縁材８１Ａを塗布した後、金属ボール（半田ボール）７１Ａを半田リフローにより半田接合する。
具体的には、図１３（ａ）に示すように、各貫通孔５ａから露出する導体パターン２２４上に、それぞれ絶縁材８１Ａを塗布する。その後、金属バンプ７１を絶縁材８１Ａ上に配置する。これにより、絶縁材８１Ａは金属パンプ７１に押しつぶされて、第２導体パターン上に広がるとともに、金属バンプ７１の周囲を取り囲む。その後、金属バンプ７１を、例えば２００〜２８０℃×１０〜６０秒間加熱することにより、金属バンプ７１と第２導体パターンとを半田接合する（図７（ｃ）参照）。
絶縁材８１Ａは、前述した絶縁材８１を形成するためのものであり、例えば、加熱により硬化するものである。絶縁材８１を形成するに際しては、例えば、絶縁材８１Ａを配線基板２の下面に塗布し、前述した半田接合の後、加熱により絶縁材８１Ａを硬化させることにより、絶縁材８１を得る。
このようにして得られた絶縁材８１は、前述したように金属バンプ７１の周囲を囲むように形成される。このとき、絶縁材８１Ａは、半田接合時にフラックスとして機能し、且つ、金属バンプ７１Ａとの界面張力により半田接合部周辺をリング状に補強する形状で硬化する。
［３−Ｃ］
次に、貫通孔４ａ内に、絶縁材８２Ａを塗布した後、金属ボール（半田ボール）９１Ａを半田リフローにより半田接合する。
具体的には、図１３（ｂ）に示すように、各貫通孔４ａから露出する導体パターン２２１上に、それぞれ絶縁材８２Ａを塗布する。その後、金属バンプ９１を絶縁材８２Ａ上に配置する。これにより、絶縁材８２Ａは金属パンプ９１に押しつぶされて、導体パターン２２１上に広がるとともに、金属バンプ９１の周囲を取り囲む。その後、金属バンプ９１を、例えば２００〜２８０℃×１０〜６０秒間加熱することにより、金属バンプ９１と第１導体パターンとを半田接合する（図７（ｄ）参照）。これにより、図７（ｄ）に示すように、金属バンプ９１および絶縁材８２が形成される。
絶縁材８２Ａは、前述した絶縁材８２を形成するためのものであり、例えば、加熱により硬化するものである。絶縁材８２を形成するに際しては、例えば、絶縁材８２Ａを配線基板２の下面に塗布し、前述した半田接合の後、加熱により絶縁材８２Ａを硬化させることにより、絶縁材８２を得る。
次に、貫通孔４ａ内に、絶縁材８２Ａを塗布した後、金属ボール（半田ボール）９１Ａを半田リフローにより半田接合する。
具体的には、図１３（ｂ）に示すように、各貫通孔４ａから露出する導体パターン２２１上に、それぞれ絶縁材８２Ａを塗布する。その後、金属バンプ９１を絶縁材８２Ａ上に配置する。これにより、絶縁材８２Ａは金属パンプ９１に押しつぶされて、導体パターン２２１上に広がるとともに、金属バンプ９１の周囲を取り囲む。その後、金属バンプ９１を、例えば２００〜２８０℃×１０〜６０秒間加熱することにより、金属バンプ９１と第１導体パターンとを半田接合する（図７（ｄ）参照）。これにより、図７（ｄ）に示すように、金属バンプ９１および絶縁材８２が形成される。
絶縁材８２Ａは、前述した絶縁材８２を形成するためのものであり、例えば、加熱により硬化するものである。絶縁材８２を形成するに際しては、例えば、絶縁材８２Ａを配線基板２の下面に塗布し、前述した半田接合の後、加熱により絶縁材８２Ａを硬化させることにより、絶縁材８２を得る。
このようにして得られた絶縁材８２は、前述したように金属バンプ９１の周囲を囲むように形成される。このとき、絶縁材８２Ａは、半田接合時にフラックスとして機能し、且つ、金属バンプ９１Ａとの界面張力により半田接合部周辺をリング状に補強する形状で硬化する。
以上のようにして、半導体パッケージ１が得られる。
このような本実施形態の製造方法では、貫通孔４ａ、４ｂ（５ａ）があらかじめ形成された補強部材４（５）を配線基板２に取り付けている。配線基板２に取り付けた後は、補強部材に貫通孔を形成する加工を行なわないため、補強部材４（５）を加工する際に配線基板を損傷してしまうことを防止できる。
以上のようにして、半導体パッケージ１が得られる。
このような本実施形態の製造方法では、貫通孔４ａ、４ｂ（５ａ）があらかじめ形成された補強部材４（５）を配線基板２に取り付けている。配線基板２に取り付けた後は、補強部材に貫通孔を形成する加工を行なわないため、補強部材４（５）を加工する際に配線基板を損傷してしまうことを防止できる。
（半導体装置）
次に、半導体装置について好適な実施形態に基づいて説明する。
次に、半導体装置について好適な実施形態に基づいて説明する。
図８は、図１に示す半導体パッケージを備える半導体装置を模式的に示す断面図である。
図８に示すように、半導体装置１００は、マザーボード（基板）２００と、このマザーボード２００に搭載された半導体パッケージ１であるボトムパッケージ３００と、ボトムパッケージ３００に搭載された他の半導体パッケージであるトップパッケージ４００とを有している。
このような半導体装置１００においては、半導体パッケージ１の金属バンプ７１がマザーボード２００の端子（図示せず）に接合されているとともに、半導体パッケージ１の金属バンプ９１がトップパッケージ４００の端子（図示せず）に接合されている。これにより、半導体パッケージ１とトップパッケージ４００とマザーボード２００とがそれぞれ電気的に接続され、これらの間で電気的信号の伝送が行われる。
以上説明したような半導体装置１００によれば、前述したような放熱性および信頼性に優れた半導体パッケージ１を備えるので、信頼性に優れる。
なお、トップパッケージ４００は、必要に応じて省略してもよい。
なお、トップパッケージ４００は、必要に応じて省略してもよい。
<第２実施形態>
（半導体パッケージ）
図９は、本発明の第２実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図９中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
（半導体パッケージ）
図９は、本発明の第２実施形態に係る半導体パッケージを模式的に示す断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図９中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第２実施形態の半導体パッケージについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態の半導体パッケージは、第１、第２補強部材の接着層がソルダーレジストを兼ねており、ソルダーレジスト２５，２６を有しない点以外は、前述した第１実施形態と同様である。
図９に示すように、半導体パッケージ１Ａの配線基板２Ａは、第１実施形態の配線基板２からソルダーレジスト２５、２６を省略した構成となっている。そして、配線基板２Ａが有する絶縁層２１１の上面に第１補強部材４の接着層４２が接合しており、接着層４２と導体パターン２２１とが接触している。また、絶縁層２１３の下面に第２補強部材５の接着層５２が接合しており、接着層５２と導体パターン２２４とが接触している。これら接着層４２、５２は、配線基板２を保護するソルダーレジストとしても機能している。
なお、配線基板２の上面のうち、第１補強部材４と重ならない場所、すなわち、第１補強部材４の内側であって、半導体素子３が搭載される領域には、接着層４２が形成されない。しかしながら、このような領域には、接着層３２が形成されおり、この接着層３２がソルダーレジストを兼ねている。
同様に、配線基板２の下面のうち、第２補強部材５と重ならない場所、すなわち、第２補強部材の内側であって、金属バンプ７１が接合される領域には、接着層４２が形成されない。しかしながら、このような領域には、絶縁材８１が塗布されており、この絶縁材８１がソルダーレジストを兼ねている。
このような構成とすることにより、第１実施形態と比較して、部品点数を削減することができるため、製造コストおよび製造工程の削減、装置の小型化（薄型化）を図ることができる。
<第３実施形態>
（半導体パッケージ）
図１０は、本発明の第３実施形態に係る第１、第２補強部材の断面図、図１１は、図１０に示す第１、第２補強部材を用いて製造された半導体パッケージの断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１０、図１１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
（半導体パッケージ）
図１０は、本発明の第３実施形態に係る第１、第２補強部材の断面図、図１１は、図１０に示す第１、第２補強部材を用いて製造された半導体パッケージの断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１０、図１１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第３実施形態の半導体パッケージについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第３実施形態の半導体パッケージ１Ｂは、第１、第２補強部材の構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、図１０においては、配線基板２の形状を簡略化している。
図１０に示すように、本実施形態の第１補強部材４Ｂは、板状の本体４１と、本体４１の下面に設けられた接着層４２と、突起４３Ｂとを有している。本体４１および接着層４２は、前記実施形態と同様の構造、形状であり、貫通孔４ａ、４ｂが形成されているが、ここでは、図示を簡略化している。
突起４３Ｂは、本体４１から突出し、接着層４２を貫通する。この突起４３Ｂは、第１補強部材４Ｂを配線基板２の上面に接合したときに伝熱ポスト２４と接続（接触）する位置に形成されている。
突起４３Ｂは、本体４１から突出し、接着層４２を貫通する。この突起４３Ｂは、第１補強部材４Ｂを配線基板２の上面に接合したときに伝熱ポスト２４と接続（接触）する位置に形成されている。
第２補強部材５Ｂも、これと同様に、板状の本体５１と、本体５１の上面に設けられた接着層５２と、突起５３Ｂとを有している。本体５１および接着層５２は、前記実施形態と同様の構造、形状であり、貫通孔５ａが形成されているが、ここでは、図示を簡略化している。
突起５３Ｂは、本体５１から突出し、接着層５２を貫通する。この突起５３Ｂは、第２補強部材５Ｂを配線基板２の下面に接合したときに伝熱ポスト２４と接続する位置に形成されている。
突起５３Ｂは、本体５１から突出し、接着層５２を貫通する。この突起５３Ｂは、第２補強部材５Ｂを配線基板２の下面に接合したときに伝熱ポスト２４と接続する位置に形成されている。
このような突起４３Ｂ、５３Ｂの構成材料としては、特に限定されないが、熱伝導性に優れる観点、および後述するような伝熱ポスト２４との接合性の観点から、本体４１，５１と同様、金属材料で構成されているのが好ましい。また、突起４３Ｂ、５３Ｂは、本体４１、５１と一体的に形成されていてもよいし、別体として形成されていてもよい。なお、本実施形態では、突起４３Ｂ、５３Ｂは、メッキによって、本体４１、５１とは別体で形成されている。
例えば、第１補強部材４Ｂを配線基板２の上面に貼り付けるとともに、第２補強部材５Ｂを配線基板２の下面に貼り付け、これらを真空プレス等により配線基板２に対して押圧すると、図１１に示すように、その押圧力によって突起４３Ｂ、５３Ｂがそれぞれ変形するとともに伝熱ポスト２４に圧着される。これにより、配線基板２の熱をより効率的に突起４３Ｂ、５３Ｂを介して本体４１、５１に伝達することができるため、より放熱性に優れる半導体パッケージ１Ｂとなる。また、接着層４２、５２の接着力に加えて突起４３Ｂ５３Ｂの圧着力により配線基板２と第１、第２補強部材４Ｂ、５Ｂを接合することができるため、機械的強度のより高い半導体パッケージ１Ｂとなる。
なお、接着層４２，５２は、突起４３Ｂ、５３Ｂや本体４１，５１を介して間接的に伝熱ポスト２４に接触することとなる。
なお、接着層４２，５２は、突起４３Ｂ、５３Ｂや本体４１，５１を介して間接的に伝熱ポスト２４に接触することとなる。
また、伝熱ポスト２４表面にあらかじめ半田ペーストを印刷塗布し、突起４３Ｂ、４５Ｂを位置決め、加圧・加熱し半田と突起４３Ｂ、４５Ｂを合金化させてもよい。このように接合部を合金化することで、配線基板２と補強部材の一体性が増し機械的強度のより高い半導体パッケージ１Ｂとなる。
なお、第１、第２補強部材４Ｂ、５Ｂの配線基板２への接合は、別々に行ってもよい。すなわち、第１、第２補強部材４Ｂ、５Ｂの一方を先に配線基板２に接合し、次いで、他方を接合してもよい。
また、本実施形態においては、突起４３Ｂとともに、接着層４２が伝熱ポストに直接接触してもよい。同様に、突起４５Ｂとともに、接着層５２が伝熱ポストに直接接触してもよい。
また、本実施形態においては、突起４３Ｂとともに、接着層４２が伝熱ポストに直接接触してもよい。同様に、突起４５Ｂとともに、接着層５２が伝熱ポストに直接接触してもよい。
<第４実施形態>
（半導体パッケージ）
図１２は、本発明の第４実施形態に係る半導体パッケージの断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
（半導体パッケージ）
図１２は、本発明の第４実施形態に係る半導体パッケージの断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第４実施形態の半導体パッケージについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第４実施形態の半導体パッケージは、第１、第２補強部材にアライメントマークが形成されている以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、第１補強部材および第２補強部材は、互いに同様の構成であるため、以下では、第１補強部材について代表して説明し、第２補強部材についてはその説明を省略する。
図１２に示すように、第１補強部材４Ｃの本体４１の上面の所定の位置には、アライメントマーク４４Ｃが形成されている。このアライメントマーク４４Ｃは、１つであってもよいが、例えば、４隅のうちの少なくとも２隅といったように、異なる位置に２つ以上形成されているのが好ましい。これにより、配線基板２に対する第１補強部材４Ｃの位置決めをより精度よく行うことができる。このようなアライメントマーク４４Ｃは、例えば、本体４１の上面に、メッキ等を塗布することによって形成される凸部で構成することができる。このような第１補強部材４Ｃによれば、配線基板２との位置決めを容易に行うことができ、配線基板２への接合をより簡単かつ高精度に行うことができる。
第１補強部材４Ｃの配線基板２への接合は、例えば、次のようにして行われる。まず、配線基板２をステージ等に固定するとともに、第１補強部材４Ｃをステージに対して移動可能な移動ステージに固定する。次いで、第１補強部材４Ｃの各アライメントマーク４４Ｃを例えばＣＣＤカメラ等の撮像手段によって検知しながら、各アライメントマーク４４Ｃが所定の位置となるように移動ステージを移動させる。そして、各アライメントマーク４４Ｃが所定の位置となるように第１補強部材４Ｃの移動が完了したのち、移動ステージをステージ側へ移動させ、配線基板２に第１補強部材４Ｃを貼り合わせる。
同様に、第２補強部材５Ｃの本体５１の下面の所定の位置には、アライメントマーク５４Ｃが形成されている。このアライメントマーク５４Ｃは、１つであってもよいが、例えば、４隅のうちの少なくとも２隅といったように、異なる位置に２つ以上形成されているのが好ましい。これにより、配線基板２に対する第２補強部材５Ｃの位置決めをより精度よく行うことができる。このようなアライメントマーク５４Ｃは、例えば、本体５１の下面に、メッキ等を塗布することによって形成される凸部で構成することができる。
このような第２補強部材５Ｃの配線基板２への接合は、第１補強部材４Ｃと同様の方法で行うことができる。
このような方法によれば、配線基板２に対する補強部材４Ｃ、５Ｃの接合を精度よく行うことができるため、信頼性の高い半導体パッケージを得ることができる。特に、第２補強部材５Ｃは、金属バンプ７１の周囲を囲むようにして形成された部分５１２を有しているため、配線基板２に対する第２補強部材５の接合を精度よく行うことができれば、部分５１２と金属バンプ７１との接触をより確実に防止することができる。これにより、金属バンプ７１の配設密度を高めることができる。また、このように、配線基板２に対する第１、第２補強部材４Ｃ、５Ｃの位置決めを精度よく行うことができれば、半導体パッケージ１の小型化を図ることもできる。
なお、配線基板２にもアライメントマークが形成されていてもよい。この場合には、例えば、導体パターン２２１を形成する層を利用して第１補強部材４のアライメントマーク４４Ｃに対応するアライメントマークを形成することができ、導体パターン２２４を形成する層を利用して第２補強部材５のアライメントマーク５４Ｃに対応するアライメントマークを形成することができる。そして、ＣＣＤカメラ等を用いて第１補強部材４Ｃのアライメントマークと、配線基板２のアライメントマークとを検知しつつ、これらが所定の位置関係となるように第１補強部材４Ｃおよび配線基板２を相対的に移動させることにより、配線基板２に対する第１補強部材４Ｃの位置決めを行うことができる。
<第５実施形態>
図１４〜図１８を参照して、本実施形態について説明する。
本実施形態の半導体パッケージ１Ｄの配線基板２Ａは、ソルダーレジスト２５、２６を有していない。他の点は前記第一実施形態と同様である。また、本実施形態の補強部材４Ｄ，５Ｄの接着層４２Ｄ，５２Ｄの形状が第一実施形態と異なっている。また、本実施形態の半導体パッケージの製造方法は、前記各実施形態とは異なる。その他の点については、第一実施形態と同様である。
以下に詳細に説明する。
図１４に示すように、本実施形態の半導体パッケージ１Ｄは、ソルダーレジスト２５、２６を有しておらず、補強部材４Ｄ，５Ｄの接着層４２Ｄ，５２Ｄがソルダーレジストとしての機能を果たしている。
第１補強部材４Ｄは、第一実施形態と同様の本体４１と、本体４１の一方の面に設けられた接着層４２Ｄを有している。接着層４２Ｄには、本体４１の開口部４１１に連通する開口部４２０が形成されており、本体４１の開口部４１１とともに貫通孔４ａを形成している。
また、接着層４２Ｄには、本体４１の開口部４１２に連通する複数の開口部４２３が形成されている。開口部４２３は接着層４２Ｄを貫通するものであり、金属バンプ３１に対応する箇所に設けられている。すなわち、本体４１の開口部４１２の内側に、複数の開口部４２３が点在し、本体４１の開口部４１２から接着層４２Ｄの開口部４２３が露出した状態となる。開口部４１２の径は、開口部４２３よりも大きく、配線基板の一方の面側の側からの平面視において、開口部４１２の内側に開口部４２３の周縁が位置することとなる。そして、複数の開口部４１２と、開口部４２３とで、複数の貫通孔４ｂを形成することとなる。開口部４１２の内側に開口部４２３の周縁が位置することで、本体４１が半田バンプに接触してしまうことを防止できる。
その他の点においては、接着層４２Ｄは、第一実施形態の接着層４２と同様である。
図１４〜図１８を参照して、本実施形態について説明する。
本実施形態の半導体パッケージ１Ｄの配線基板２Ａは、ソルダーレジスト２５、２６を有していない。他の点は前記第一実施形態と同様である。また、本実施形態の補強部材４Ｄ，５Ｄの接着層４２Ｄ，５２Ｄの形状が第一実施形態と異なっている。また、本実施形態の半導体パッケージの製造方法は、前記各実施形態とは異なる。その他の点については、第一実施形態と同様である。
以下に詳細に説明する。
図１４に示すように、本実施形態の半導体パッケージ１Ｄは、ソルダーレジスト２５、２６を有しておらず、補強部材４Ｄ，５Ｄの接着層４２Ｄ，５２Ｄがソルダーレジストとしての機能を果たしている。
第１補強部材４Ｄは、第一実施形態と同様の本体４１と、本体４１の一方の面に設けられた接着層４２Ｄを有している。接着層４２Ｄには、本体４１の開口部４１１に連通する開口部４２０が形成されており、本体４１の開口部４１１とともに貫通孔４ａを形成している。
また、接着層４２Ｄには、本体４１の開口部４１２に連通する複数の開口部４２３が形成されている。開口部４２３は接着層４２Ｄを貫通するものであり、金属バンプ３１に対応する箇所に設けられている。すなわち、本体４１の開口部４１２の内側に、複数の開口部４２３が点在し、本体４１の開口部４１２から接着層４２Ｄの開口部４２３が露出した状態となる。開口部４１２の径は、開口部４２３よりも大きく、配線基板の一方の面側の側からの平面視において、開口部４１２の内側に開口部４２３の周縁が位置することとなる。そして、複数の開口部４１２と、開口部４２３とで、複数の貫通孔４ｂを形成することとなる。開口部４１２の内側に開口部４２３の周縁が位置することで、本体４１が半田バンプに接触してしまうことを防止できる。
その他の点においては、接着層４２Ｄは、第一実施形態の接着層４２と同様である。
一方、第２補強部材５Ｄは、第一実施形態と同様の本体５１と、本体５１の一方の面に設けられた接着層５２Ｄを有している。接着層５２Ｄには、本体５１の開口部５１３に連通する開口部５２１が形成されており、本体５１の開口部５１３とともに貫通孔５ａを形成している。
ただし、接着層５２Ｄに形成された開口部５２１の径は、本体５１の開口部５１３の径よりも小さく、本体５１の開口部５１３から接着層５２の開口部５２１の周縁部が露出することとなる。開口部５１３の内側に開口部５２１の周縁が位置することで、本体５１が半田バンプに接触してしまうことを防止できる。
その他の点においては、接着層５２Ｄは、第一実施形態の接着層５２と同様である。
ただし、接着層５２Ｄに形成された開口部５２１の径は、本体５１の開口部５１３の径よりも小さく、本体５１の開口部５１３から接着層５２の開口部５２１の周縁部が露出することとなる。開口部５１３の内側に開口部５２１の周縁が位置することで、本体５１が半田バンプに接触してしまうことを防止できる。
その他の点においては、接着層５２Ｄは、第一実施形態の接着層５２と同様である。
次に、本実施形態の半導体パッケージの製造方法について説明する。
［１］第１の工程
まず、第一実施形態と同様に、配線基板２Ａを製造する。配線基板２Ａの製造工程は、第一実施形態の図４、図５（ａ）、（ｂ）の工程と同様である。なお、本実施形態では、ソルダーレジスト２５，２６は不要であるため、図５（ｃ）の工程は実施しない。
次に、以下の工程を実施する。
まず、第一実施形態と同様に、配線基板２Ａを製造する。配線基板２Ａの製造工程は、第一実施形態の図４、図５（ａ）、（ｂ）の工程と同様である。なお、本実施形態では、ソルダーレジスト２５，２６は不要であるため、図５（ｃ）の工程は実施しない。
次に、以下の工程を実施する。
（第１板部材４Ａの製造）
図１５（ａ）に示す第１板部材４Ａは、第１補強部材４Ｄとなる部材である。
図１５（ａ）に示す第１板部材４Ａは、第１補強部材４Ｄとなる部材である。
まず、第一実施形態と同様の方法で、図１５（ａ）に示すように、金属材料で構成された板状の本体４１Ａを用意し、次いで、この本体４１Ａの上面（一方の面）に、前記実施形態と同様の接着層４２Ａを形成する。接着層４２Ａは、熱伝導性の無機フィラーと樹脂材料とを含む熱伝導性の接着層である。これにより、第１板部材４Ａが得られる。接着層４２Ａの形成方法としては特に限定されず、例えば、接着性を有するシート材を本体４１Ａの上面にラミネートすることによって形成することができ、また、接着剤をスクリーン印刷等の各種印刷方法によって塗布することにより形成することができる。なお、接着層４２Ａの接着性の低下を抑制するために、接着層４２Ａの表面に保護シート（剥離シート）を積層しておくことが好ましい。
（第２板部材５Ａの製造）
第２板部材５Ａは、第２補強部材５Ｄとなる部材である。
第２板部材５Ａは、第２補強部材５Ｄとなる部材である。
まず、図１５（ｂ）に示すように、金属材料で構成された板状の本体５１Ａを用意し、次いで、この本体５１Ａの上面（一方の面）に前記実施形態と同様の接着層５２Ａを形成する。これにより、第２板部材５Ａが得られる。接着層５２Ａは、熱伝導性の無機フィラーと樹脂材料とを含む熱伝導性の接着層である。接着層５２Ａの形成方法としては特に限定されず、例えば、接着性を有するシート材を本体５１Ａの上面にラミネートすることによって形成することができ、また、接着剤をスクリーン印刷等の各種印刷方法によって塗布することにより形成することができる。なお、接着層５２Ａの接着性の低下を抑制するために、接着層５２Ａの表面に保護シート（剥離シート）を積層しておくことが好ましい。
ここで、第１板部材４Ａと第２板部材５Ａとを同じ構成とすることができ、その場合には、第１板部材４Ａと第２板部材５Ａを区別する必要がない。すなわち、第１板部材４Ａを２つ製造し、そのうちの一方を第２板部材５Ａとして利用してもよいし、逆に、第２板部材５Ａを２つ製造し、そのうちの一方を第１板部材４Ａとして利用してもよい。
［２］第２の工程
図１５（ｃ）に示すように、第１板部材４Ａを、接着層４２Ａを配線基板２Ａ側にして配線基板２の上面に貼り付ける（接合する）とともに、第２板部材５Ａを、接着層５２Ａを配線基板２側にして配線基板２Ａの下面に貼り付ける（接合する）。第１、第２板部材４Ａ、５Ａの配線基板２への貼り付けは、例えば、真空プレス、ラミネート等によって行うことができる。
図１５（ｃ）に示すように、第１板部材４Ａを、接着層４２Ａを配線基板２Ａ側にして配線基板２の上面に貼り付ける（接合する）とともに、第２板部材５Ａを、接着層５２Ａを配線基板２側にして配線基板２Ａの下面に貼り付ける（接合する）。第１、第２板部材４Ａ、５Ａの配線基板２への貼り付けは、例えば、真空プレス、ラミネート等によって行うことができる。
なお、第１、第２板部材４Ａ、５Ａの配線基板２Ａへの貼り付けは、同時に行ってもよいし、第１、第２板部材４Ａ、５Ａの一方を配線基板２Ａへ貼り付けた後に他方を貼り付けてもよいが、同時に行うことが好ましい。これにより半導体パッケージ１の製造工程を削減することができる。導体パターン２２１は、接着層４２Ａに直接接触するとともに、接着層４２Ａに食い込み、導体パターン２２４は、接着層５２Ａに直接接触するとともに、接着層５２Ａに食い込むこととなる。これにより、導体パターン２２１，２２４が、ソルダーレジストとしての接着層に保護されることとなる。
［３］第３の工程
まず、図１６（ａ）に示すように、第１板部材４Ａの本体４１Ａを所望の形状（平面視形状）に加工するとともに、第２板部材５Ａの本体５１Ａを所望の形状に加工する。具体的には、本体４１Ａを貫通する開口部４１１，４１２、本体５１Ａを貫通する開口部５１３を形成する。
加工方法としては、特に限定されず、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチング等の各種エッチング方法や、レーザーを照射する方法が挙げられるが、ウェットエッチングを用いることが好ましい。これにより、本体４１Ａ、５１Ａに対して精度の高い加工を行うことができる。なお、本体４１Ａ、５１Ａの加工は、同時に（同じ工程内にて）行ってもよいし、いずれか一方の加工を行った後に、他方の加工を行ってもよい。
まず、図１６（ａ）に示すように、第１板部材４Ａの本体４１Ａを所望の形状（平面視形状）に加工するとともに、第２板部材５Ａの本体５１Ａを所望の形状に加工する。具体的には、本体４１Ａを貫通する開口部４１１，４１２、本体５１Ａを貫通する開口部５１３を形成する。
加工方法としては、特に限定されず、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチング等の各種エッチング方法や、レーザーを照射する方法が挙げられるが、ウェットエッチングを用いることが好ましい。これにより、本体４１Ａ、５１Ａに対して精度の高い加工を行うことができる。なお、本体４１Ａ、５１Ａの加工は、同時に（同じ工程内にて）行ってもよいし、いずれか一方の加工を行った後に、他方の加工を行ってもよい。
次いで、第１板部材４Ａの接着層４２Ａの所定箇所に導体パターン２２１を露出させるための開口部４２０，４２３を形成するとともに、第２板部材５Ａの接着層５２Ａの所定箇所に導体パターン２２４を露出させるための開口部５２１を形成する。開口部の形成方法としては、特に限定されず、例えば、本体４１Ａ、５１Ａの除去された部分を介してレーザーを照射する方法が挙げられる。これにより、精度がよく、微細で、狭ピッチな開口を簡単に形成することができる。ここで、レーザーとしては、例えばＣＯ２レーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー等を用いることができる。
すなわち、本体４１Ａ、本体５１Ａに開口部を形成する際には、ウェットエッチングを実施し、接着層４２Ａ，５２Ａに開口部を形成する際には、レーザを使用することが好ましい。
本体４１Ａ、本体５１Ａに開口部を形成する際にウェットエッチングすることで、接着層４２Ａ，５２Ａをエッチングし、除去してしまうことなく、金属製の本体４１Ａ，５１Ａに容易に開口部４１１，４１２、５１３を形成することができる。その後、接着層４２Ａ，５２Ａに開口部を形成する際に、レーザを使用することで、接着層４２Ａ，５２Ａに比較的径の小さい開口部を形成することができる。
すなわち、本体４１Ａ、本体５１Ａに開口部を形成する際には、ウェットエッチングを実施し、接着層４２Ａ，５２Ａに開口部を形成する際には、レーザを使用することが好ましい。
本体４１Ａ、本体５１Ａに開口部を形成する際にウェットエッチングすることで、接着層４２Ａ，５２Ａをエッチングし、除去してしまうことなく、金属製の本体４１Ａ，５１Ａに容易に開口部４１１，４１２、５１３を形成することができる。その後、接着層４２Ａ，５２Ａに開口部を形成する際に、レーザを使用することで、接着層４２Ａ，５２Ａに比較的径の小さい開口部を形成することができる。
以上により、配線基板２の両面に設けられた第１補強部材４Ｄおよび第２補強部材５Ｄが得られる。
［４］第４の工程
［４−Ａ］
次に、図１６（ｂ）に示すように、配線基板２Ａの上面に、アンダーフィル材を塗布した後、半導体素子３を金属バンプ３１を介して半田リフローにより接合する。各金属バンプ３１は、各開口部４２３内に配置される。なお、この場合、アンダーフィル材として前述した絶縁材８１と同じようなフラックス活性のある樹脂を用いる。また、半導体素子３を搭載し、フラックスあるいは半田ペースト等を用いてリフローにより半導体素子３を配線基板２Ａに接合させた後、通常のキャピラリーアンダーフィル材を配線基板２Ａと半導体素子３との間に充填・硬化させることもできる。
［４−Ａ］
次に、図１６（ｂ）に示すように、配線基板２Ａの上面に、アンダーフィル材を塗布した後、半導体素子３を金属バンプ３１を介して半田リフローにより接合する。各金属バンプ３１は、各開口部４２３内に配置される。なお、この場合、アンダーフィル材として前述した絶縁材８１と同じようなフラックス活性のある樹脂を用いる。また、半導体素子３を搭載し、フラックスあるいは半田ペースト等を用いてリフローにより半導体素子３を配線基板２Ａに接合させた後、通常のキャピラリーアンダーフィル材を配線基板２Ａと半導体素子３との間に充填・硬化させることもできる。
［４−Ｂ］
次に、図１６（ｃ）に示すように、第一実施形態と同様の方法で、配線基板２Ａの下面、すなわち、第２補強部材５の貫通孔５ａ内に、絶縁材８１Ａを塗布した後、金属ボール（半田ボール）７１Ａを半田リフローにより半田接合する。金属ボールは、開口部５２１および開口部５１３の内側に配置される。金属ボールを搭載する際に、第２補強部材５がボール搭載用のマスクとして機能するためマスクを準備する必要がなく、製造コストを低減することができる。その後、加熱により絶縁材８１Ａを硬化させることにより、金属バンプ７１および絶縁材８１が形成される。かかる半田接合は、特に限定されないが、配線基板２Ａの下面に各金属バンプ７１が当接するように配置し、その状態で、例えば２００〜２８０℃×１０〜６０秒間加熱することにより行うことができる。
次に、図１６（ｃ）に示すように、第一実施形態と同様の方法で、配線基板２Ａの下面、すなわち、第２補強部材５の貫通孔５ａ内に、絶縁材８１Ａを塗布した後、金属ボール（半田ボール）７１Ａを半田リフローにより半田接合する。金属ボールは、開口部５２１および開口部５１３の内側に配置される。金属ボールを搭載する際に、第２補強部材５がボール搭載用のマスクとして機能するためマスクを準備する必要がなく、製造コストを低減することができる。その後、加熱により絶縁材８１Ａを硬化させることにより、金属バンプ７１および絶縁材８１が形成される。かかる半田接合は、特に限定されないが、配線基板２Ａの下面に各金属バンプ７１が当接するように配置し、その状態で、例えば２００〜２８０℃×１０〜６０秒間加熱することにより行うことができる。
絶縁材８１は、金属バンプ７１の周囲を囲むように形成される。このとき、絶縁材８１は、半田接合時にフラックスとして機能し、且つ、金属バンプ７１Ａとの界面張力により半田接合部周辺をリング状に補強する形状で硬化する。
絶縁材８１は、開口部５１３と金属バンプ７１との間に充填されるが、開口部５２１と金属バンプ７１との間に充填されてもよい。絶縁材８１の形状は前記実施形態と同様である。
絶縁材８１は、開口部５１３と金属バンプ７１との間に充填されるが、開口部５２１と金属バンプ７１との間に充填されてもよい。絶縁材８１の形状は前記実施形態と同様である。
［４−Ｃ］
次に、第一実施形態と同様の方法で、配線基板２Ａの上面、すなわち、第１補強部材４の貫通孔４ａ内に、絶縁材８２Ａを塗布した後、金属ボール（半田ボール）９１Ａを半田リフローにより配線基板２Ａに対して半田接合する。金属ボールは、開口部４１１および開口部４２０の内側に配置される。これにより、図７（ｄ）に示すように、金属バンプ９１および絶縁材８２が形成される。かかる半田接合は、前述した金属バンプ７１のときと同様に行うことができる。
絶縁材８２は、開口部４１１と金属バンプ７１との間に、開口部４２０と金属バンプ７１との間に充填される。絶縁材８２の形状は前記実施形態と同様である。
以上のようにして、半導体パッケージ１が得られる。
次に、第一実施形態と同様の方法で、配線基板２Ａの上面、すなわち、第１補強部材４の貫通孔４ａ内に、絶縁材８２Ａを塗布した後、金属ボール（半田ボール）９１Ａを半田リフローにより配線基板２Ａに対して半田接合する。金属ボールは、開口部４１１および開口部４２０の内側に配置される。これにより、図７（ｄ）に示すように、金属バンプ９１および絶縁材８２が形成される。かかる半田接合は、前述した金属バンプ７１のときと同様に行うことができる。
絶縁材８２は、開口部４１１と金属バンプ７１との間に、開口部４２０と金属バンプ７１との間に充填される。絶縁材８２の形状は前記実施形態と同様である。
以上のようにして、半導体パッケージ１が得られる。
このような半導体パッケージの製造方法によれば、第１、第２板部材４Ａ、５Ａに接着層４２Ａ、５２Ａが形成されているため、これらの配線基板２Ａへの接合を簡単に行うことができる。そのため、反りが抑制された半導体パッケージ１を簡単に製造することができる。また、接着層４２Ｄ、５２Ｄがソルダーレジストを兼ねているため、ソルダーレジストを別途形成する工程を省くことができる。そのため、半導体パッケージ１の製造工程を削減することができる。
また、本実施形態では、第１板部材４Ａ（あるいは第２板部材５Ａ）を配線基板２Ａに取り付けた後、本体４１Ａ（５１Ａ）に開口部を形成し、接着層４２Ａ（５２Ａ）に開口部を形成している。
このようにすることで、配線基板２Ａの導体パターンに合わせて、所望の位置に各開口部を形成することができる。あらかじめ、補強部材を作成し、配線基板２Ａに貼り付ける場合には、配線基板と補強部材との位置あわせを正確に実施する必要があるが、本実施形態では、配線基板２Ａに板部材を貼り付けた後、加工して補強部材を作製するため、配線基板２の導体パターンと、板部材との位置あわせに手間を要しない。
また、本実施形態では、本体４１の開口部４１２よりも、接着層４２Ｄの開口部４２３の径が小さくなっている。開口部４２３内に半田バンプ３１が配置されるが、開口部４２３の径が、開口部４１２よりも小さいため、開口部４２３の径を開口部４１２と同じとする場合に比べ、半田バンプ３１が開口部４２３により位置決めされやすくなり、半田バンプ３１を所定の位置に配置することができる。
さらに、開口部４１２の径は、開口部４２３よりも大きいので、半田バンプ３１を配置する際に、本体４１がじゃまにならない。
第２補強部材においても、開口部５２１の径が開口部５１３よりも小さくなっているため、同様の効果を奏することができる。
また、本実施形態では、第１板部材４Ａ（あるいは第２板部材５Ａ）を配線基板２Ａに取り付けた後、本体４１Ａ（５１Ａ）に開口部を形成し、接着層４２Ａ（５２Ａ）に開口部を形成している。
このようにすることで、配線基板２Ａの導体パターンに合わせて、所望の位置に各開口部を形成することができる。あらかじめ、補強部材を作成し、配線基板２Ａに貼り付ける場合には、配線基板と補強部材との位置あわせを正確に実施する必要があるが、本実施形態では、配線基板２Ａに板部材を貼り付けた後、加工して補強部材を作製するため、配線基板２の導体パターンと、板部材との位置あわせに手間を要しない。
また、本実施形態では、本体４１の開口部４１２よりも、接着層４２Ｄの開口部４２３の径が小さくなっている。開口部４２３内に半田バンプ３１が配置されるが、開口部４２３の径が、開口部４１２よりも小さいため、開口部４２３の径を開口部４１２と同じとする場合に比べ、半田バンプ３１が開口部４２３により位置決めされやすくなり、半田バンプ３１を所定の位置に配置することができる。
さらに、開口部４１２の径は、開口部４２３よりも大きいので、半田バンプ３１を配置する際に、本体４１がじゃまにならない。
第２補強部材においても、開口部５２１の径が開口部５１３よりも小さくなっているため、同様の効果を奏することができる。
（半導体装置）
次に、半導体装置について好適な実施形態に基づいて説明する。
図１７は、図１４に示す半導体パッケージを備える半導体装置を模式的に示す断面図である。
次に、半導体装置について好適な実施形態に基づいて説明する。
図１７は、図１４に示す半導体パッケージを備える半導体装置を模式的に示す断面図である。
図１７に示すように、半導体装置１００は、マザーボード（基板）２００と、このマザーボード２００に搭載された半導体パッケージ１Ｄであるボトムパッケージ３００と、ボトムパッケージ３００に搭載された他の半導体パッケージであるトップパッケージ４０とを有している。
このような半導体装置１００においては、半導体パッケージ１Ｄの金属バンプ７１がマザーボード２００の端子（図示せず）に接合されているとともに、半導体パッケージ１Ｄの金属バンプ９１がトップパッケージ４００の端子（図示せず）に接合されている。これにより、半導体パッケージ１Ｄとトップパッケージ４００とマザーボード２００とがそれぞれ電気的に接続され、これらの間で電気的信号の伝送が行われる。
以上説明したような半導体装置１００によれば、前述したような放熱性および信頼性に優れた半導体パッケージ１Ｄを備えるので、信頼性に優れる。
なお、トップパッケージ４００は、必要に応じて省略してもよい。
なお、トップパッケージ４００は、必要に応じて省略してもよい。
なお、図１８に示すように、第５実施形態において、第３実施形態と同様、本体４１（５１）に突起４３（５３）を設けてもよい。この突起４３（５３）は、接着層４２Ｄ，５２Ｄを貫通する熱伝導性の部材である。
さらには、第４実施形態と同様、本体４１（５１）に位置あわせマークを形成してもよい。
さらには、第４実施形態と同様、本体４１（５１）に位置あわせマークを形成してもよい。
<第６実施形態>
図１９に示す本実施形態の半導体パッケージ１Ｅは、第５実施形態の半導体パッケージにソルダーレジスト２５、２６を設けた構造となっている。
第５実施形態と同様の補強部材４Ｄを有しているが、接着層４２Ｄは、ソルダーレジスト２５を覆うように形成されている。これにより、ソルダーレジスト２５の耐久性が向上し、より長期にわたって導体パターン２２１を保護することができる。その結果、半導体パッケージ１の信頼性が向上する。
このような接着層４２Ｄには、複数の開口部４２３が形成されている。複数の開口部４２３は、ソルダーレジスト２５に形成された開口部に対応して設けられており、この開口部４２３から、導体パターン２２１の所定部位（接続用電極部）が露出している。
ソルダーレジスト２５の開口部からは、導体パターン２２１が露出しているため、接着層４２の開口部４２３からも導体パターン２２１が露出する。接着層４２Ｄの開口部４２３は、ソルダーレジストの開口部の内側に位置している。
また、接着層４２Ｄは、ソルダーレジスト２５の導体パターン２２１と反対側の表面およびソルダーレジスト２５の開口部の内面を一体的に被覆している。
また、接着層４２Ｄの開口部４２３の内側および本体４１の開口部４１２の内側には半田バンプが配置され、この半田バンプ３１は、導体パターン２２１に接続されている。他の点は、第五実施形態の補強部材４Ｄと同様である。
一方で、半導体パッケージ１Ｅは、第五実施形態と同様の補強部材５Ｄを有している。
接着層５２Ｄは、本体５１の上面に設けられており、所定箇所に複数の開口部５２１が形成されている。各開口部５２１は、本体５１の開口部５１３に対応して設けられている。また、各開口部５２１は、開口部５１３と同心的に設けられ、開口部５１３よりも小さい径を有する略円形をなしている。また、接着層５２は、ソルダーレジスト２６を覆うように形成されている。これら各開口部５２１から導体パターン２２４の接続用電極部が露出しており、この部位に金属バンプ７１が接合されている。すなわち、接着層５２Ｄの開口部の内側および本体の開口部の内側には半田バンプ７１が配置され、この半田バンプ７１は、導体パターン２２４に接続されている。
ソルダーレジスト２６の開口部からは、導体パターン２２４が露出しているため、接着層５２Ｄの開口部５２１からも導体パターン２２４が露出する。接着層５２Ｄの開口部５２１は、ソルダーレジスト２６の開口部の内側に位置している。
また、接着層５２Ｄは、ソルダーレジスト２６の導体パターン２２４と反対側の表面およびソルダーレジスト２６の開口部の内面を一体的に被覆している。
その他の点は、本実施形態の半導体パッケージは、第五実施形態の半導体パッケージと同様である。
図１９に示す本実施形態の半導体パッケージ１Ｅは、第５実施形態の半導体パッケージにソルダーレジスト２５、２６を設けた構造となっている。
第５実施形態と同様の補強部材４Ｄを有しているが、接着層４２Ｄは、ソルダーレジスト２５を覆うように形成されている。これにより、ソルダーレジスト２５の耐久性が向上し、より長期にわたって導体パターン２２１を保護することができる。その結果、半導体パッケージ１の信頼性が向上する。
このような接着層４２Ｄには、複数の開口部４２３が形成されている。複数の開口部４２３は、ソルダーレジスト２５に形成された開口部に対応して設けられており、この開口部４２３から、導体パターン２２１の所定部位（接続用電極部）が露出している。
ソルダーレジスト２５の開口部からは、導体パターン２２１が露出しているため、接着層４２の開口部４２３からも導体パターン２２１が露出する。接着層４２Ｄの開口部４２３は、ソルダーレジストの開口部の内側に位置している。
また、接着層４２Ｄは、ソルダーレジスト２５の導体パターン２２１と反対側の表面およびソルダーレジスト２５の開口部の内面を一体的に被覆している。
また、接着層４２Ｄの開口部４２３の内側および本体４１の開口部４１２の内側には半田バンプが配置され、この半田バンプ３１は、導体パターン２２１に接続されている。他の点は、第五実施形態の補強部材４Ｄと同様である。
一方で、半導体パッケージ１Ｅは、第五実施形態と同様の補強部材５Ｄを有している。
接着層５２Ｄは、本体５１の上面に設けられており、所定箇所に複数の開口部５２１が形成されている。各開口部５２１は、本体５１の開口部５１３に対応して設けられている。また、各開口部５２１は、開口部５１３と同心的に設けられ、開口部５１３よりも小さい径を有する略円形をなしている。また、接着層５２は、ソルダーレジスト２６を覆うように形成されている。これら各開口部５２１から導体パターン２２４の接続用電極部が露出しており、この部位に金属バンプ７１が接合されている。すなわち、接着層５２Ｄの開口部の内側および本体の開口部の内側には半田バンプ７１が配置され、この半田バンプ７１は、導体パターン２２４に接続されている。
ソルダーレジスト２６の開口部からは、導体パターン２２４が露出しているため、接着層５２Ｄの開口部５２１からも導体パターン２２４が露出する。接着層５２Ｄの開口部５２１は、ソルダーレジスト２６の開口部の内側に位置している。
また、接着層５２Ｄは、ソルダーレジスト２６の導体パターン２２４と反対側の表面およびソルダーレジスト２６の開口部の内面を一体的に被覆している。
その他の点は、本実施形態の半導体パッケージは、第五実施形態の半導体パッケージと同様である。
次に、本実施形態の半導体パッケージの製造方法について説明する。
まず、第一実施形態と同様に、配線基板２を製造する。配線基板２の製造工程は、第一実施形態の図４、図５（ａ）、（ｂ）（ｃ）の工程と同様である。
次に、以下の工程を実施する。
まず、第一実施形態と同様に、配線基板２を製造する。配線基板２の製造工程は、第一実施形態の図４、図５（ａ）、（ｂ）（ｃ）の工程と同様である。
次に、以下の工程を実施する。
［１］第１の工程
（第１板部材４Ａの製造）
第１板部材４Ａは、第１補強部材４Ｄとなる部材である。
（第１板部材４Ａの製造）
第１板部材４Ａは、第１補強部材４Ｄとなる部材である。
まず、図２０（ａ）に示すように、金属材料で構成された板状の本体４１Ａを用意し、次いで、この本体４１Ａの上面（一方の面）に、前記実施形態と同様の接着層４２Ａを形成する。接着層４２Ａは、熱伝導性の無機フィラーと樹脂材料とを含む熱伝導性の接着層である。これにより、第１板部材４Ａが得られる。接着層４２Ａの形成方法としては特に限定されず、例えば、接着性を有するシート材を本体４１Ａの上面にラミネートすることによって形成することができ、また、接着剤をスクリーン印刷等の各種印刷方法によって塗布することにより形成することができる。なお、接着層４２Ａの接着性の低下を抑制するために、接着層４２Ａの表面に保護シート（剥離シート）を積層しておくことが好ましい。
（第２板部材５Ａの製造）
第２板部材５Ａは、第２補強部材５Ｄとなる部材である。
第２板部材５Ａは、第２補強部材５Ｄとなる部材である。
まず、図２０（ｂ）に示すように、金属材料で構成された板状の本体５１Ａを用意し、次いで、この本体５１Ａの上面（一方の面）に前記実施形態と同様の接着層５２Ａを形成する。これにより、第２板部材５Ａが得られる。接着層５２Ａは、熱伝導性の無機フィラーと樹脂材料とを含む熱伝導性の接着層である。接着層５２Ａの形成方法としては特に限定されず、例えば、接着性を有するシート材を本体５１Ａの上面にラミネートすることによって形成することができ、また、接着剤をスクリーン印刷等の各種印刷方法によって塗布することにより形成することができる。なお、接着層５２Ａの接着性の低下を抑制するために、接着層５２Ａの表面に保護シート（剥離シート）を積層しておくことが好ましい。
ここで、第１板部材４Ａと第２板部材５Ａとを同じ構成とすることができ、その場合には、第１板部材４Ａと第２板部材５Ａを区別する必要がない。すなわち、第１板部材４Ａを２つ製造し、そのうちの一方を第２板部材５Ａとして利用してもよいし、逆に、第２板部材５Ａを２つ製造し、そのうちの一方を第１板部材４Ａとして利用してもよい。
［２］第２の工程
図２０（ｃ）に示すように、第１板部材４Ａを、接着層４２Ａを配線基板２側にして配線基板２の上面に貼り付ける（接合する）とともに、第２板部材５Ａを、接着層５２Ａを配線基板２側にして配線基板２の下面に貼り付ける（接合する）。第１、第２板部材４Ａ、５Ａの配線基板２への貼り付けは、例えば、真空プレス、ラミネート等によって行うことができる。
このとき、接着層４２Ａにソルダーレジスト２５が食い込み、ソルダーレジスト２５表面が接着層４２Ａで被覆されることとなる。また、ソルダーレジスト２５の開口部内に接着層４２Ａが充填される。
同様に、接着層５２Ａにソルダーレジスト２６が食い込み、ソルダーレジスト２６表面が接着層５２Ａで被覆されることとなる。また、ソルダーレジスト２６の開口部内に接着層５２Ａが充填される。
図２０（ｃ）に示すように、第１板部材４Ａを、接着層４２Ａを配線基板２側にして配線基板２の上面に貼り付ける（接合する）とともに、第２板部材５Ａを、接着層５２Ａを配線基板２側にして配線基板２の下面に貼り付ける（接合する）。第１、第２板部材４Ａ、５Ａの配線基板２への貼り付けは、例えば、真空プレス、ラミネート等によって行うことができる。
このとき、接着層４２Ａにソルダーレジスト２５が食い込み、ソルダーレジスト２５表面が接着層４２Ａで被覆されることとなる。また、ソルダーレジスト２５の開口部内に接着層４２Ａが充填される。
同様に、接着層５２Ａにソルダーレジスト２６が食い込み、ソルダーレジスト２６表面が接着層５２Ａで被覆されることとなる。また、ソルダーレジスト２６の開口部内に接着層５２Ａが充填される。
なお、第１、第２板部材４Ａ、５Ａの配線基板２への貼り付けは、同時に行ってもよいし、第１、第２板部材４Ａ、５Ａの一方を配線基板２へ貼り付けた後に他方を貼り付けてもよいが、同時に行うことが好ましい。これにより半導体パッケージ１の製造工程を削減することができる。
［３］第３の工程
まず、図２１（ａ）に示すように、第１板部材４Ａの本体４１Ａを所望の形状（平面視形状）に加工するとともに、第２板部材５Ａの本体５１Ａを所望の形状に加工する（本体５１Ａを貫通する開口部を形成する）。加工方法としては、特に限定されず、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチング等の各種エッチング方法や、レーザーを照射する方法が挙げられるが、ウェットエッチングを用いることが好ましい。これにより、本体４１Ａ、５１Ａに対して精度の高い加工を行うことができる。なお、本体４１Ａ、５１Ａの加工は、同時に（同じ工程内にて）行ってもよいし、いずれか一方の加工を行った後に、他方の加工を行ってもよい。
まず、図２１（ａ）に示すように、第１板部材４Ａの本体４１Ａを所望の形状（平面視形状）に加工するとともに、第２板部材５Ａの本体５１Ａを所望の形状に加工する（本体５１Ａを貫通する開口部を形成する）。加工方法としては、特に限定されず、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチング等の各種エッチング方法や、レーザーを照射する方法が挙げられるが、ウェットエッチングを用いることが好ましい。これにより、本体４１Ａ、５１Ａに対して精度の高い加工を行うことができる。なお、本体４１Ａ、５１Ａの加工は、同時に（同じ工程内にて）行ってもよいし、いずれか一方の加工を行った後に、他方の加工を行ってもよい。
次いで、第１板部材４Ａの接着層４２Ａの所定箇所に導体パターン２２１を露出させるための開口部を形成するとともに、第２板部材５Ａの接着層５２Ａの所定箇所に導体パターン２２４を露出させるための開口部を形成する。開口部の形成方法としては、特に限定されず、例えば、本体４１Ａ、５１Ａの除去された部分を介してレーザーを照射する方法が挙げられる。これにより、精度がよく、微細で、狭ピッチな開口を簡単に形成することができる。ここで、レーザーとしては、例えばＣＯ２レーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー等を用いることができる。
すなわち、本体４１Ａ、本体５１Ａに開口部を形成する際には、ウェットエッチングを実施し、接着層に開口部を形成する際には、レーザーを使用することが好ましい。
この工程では、ソルダーレジスト２５の開口部の内側に充填された接着層４２Ａを選択的に除去し、ソルダーレジスト２５の開口部の内側に、接着層４２の開口部４２３を形成することとなる。このとき、ソルダーレジスト２５の開口部の内側に充填された接着層４２Ａがソルダーレジスト２５の開口部内面（側面）に沿って膜状に残るように、接着層４２Ａを選択的に除去する。
同様に、ソルダーレジスト２６の開口部の内側に充填された接着層５２Ａを選択的に除去し、ソルダーレジスト２６の開口部の内側に、接着層５２の開口部５２１を形成することとなる。このとき、ソルダーレジスト２６の開口部の内側に充填された接着層５２Ａがソルダーレジスト２６の開口部内面（側面）に沿って膜状に残るように、接着層５２Ａを選択的に除去する。
以上の工程により、各接着層４２、５２に開口部が形成されるとともに、ソルダーレジスト２５，２６の導体パターンと反対側の表面および、ソルダーレジスト２５、２６の開口部内面が接着層４２，５２により被覆されることとなる。
すなわち、本体４１Ａ、本体５１Ａに開口部を形成する際には、ウェットエッチングを実施し、接着層に開口部を形成する際には、レーザーを使用することが好ましい。
この工程では、ソルダーレジスト２５の開口部の内側に充填された接着層４２Ａを選択的に除去し、ソルダーレジスト２５の開口部の内側に、接着層４２の開口部４２３を形成することとなる。このとき、ソルダーレジスト２５の開口部の内側に充填された接着層４２Ａがソルダーレジスト２５の開口部内面（側面）に沿って膜状に残るように、接着層４２Ａを選択的に除去する。
同様に、ソルダーレジスト２６の開口部の内側に充填された接着層５２Ａを選択的に除去し、ソルダーレジスト２６の開口部の内側に、接着層５２の開口部５２１を形成することとなる。このとき、ソルダーレジスト２６の開口部の内側に充填された接着層５２Ａがソルダーレジスト２６の開口部内面（側面）に沿って膜状に残るように、接着層５２Ａを選択的に除去する。
以上の工程により、各接着層４２、５２に開口部が形成されるとともに、ソルダーレジスト２５，２６の導体パターンと反対側の表面および、ソルダーレジスト２５、２６の開口部内面が接着層４２，５２により被覆されることとなる。
以上により、配線基板２の両面に設けられた第１補強部材４および第２補強部材５が得られる。
［４］第４の工程
［４−Ａ］
次に、図２１（ｂ）に示すように、配線基板２の上面に、アンダーフィル材を塗布した後、半導体素子３を金属バンプ３１を介して半田リフローにより接合する。各金属バンプ３１は、各開口部４２３内に配置される。なお、この場合、アンダーフィル材として前述した絶縁材８１と同じようなフラックス活性のある樹脂を用いる。また、半導体素子３を搭載し、フラックスあるいは半田ペースト等を用いてリフローにより半導体素子３を配線基板２に接合させた後、通常のキャピラリーアンダーフィル材を配線基板２と半導体素子３との間に充填・硬化させることもできる。
［４−Ａ］
次に、図２１（ｂ）に示すように、配線基板２の上面に、アンダーフィル材を塗布した後、半導体素子３を金属バンプ３１を介して半田リフローにより接合する。各金属バンプ３１は、各開口部４２３内に配置される。なお、この場合、アンダーフィル材として前述した絶縁材８１と同じようなフラックス活性のある樹脂を用いる。また、半導体素子３を搭載し、フラックスあるいは半田ペースト等を用いてリフローにより半導体素子３を配線基板２に接合させた後、通常のキャピラリーアンダーフィル材を配線基板２と半導体素子３との間に充填・硬化させることもできる。
［４−Ｂ］
次に、図２１（ｃ）に示すように、第一実施形態と同様の方法で、配線基板２の下面、すなわち、第２補強部材５の開口部５１３内に、絶縁材８１Ａを塗布した後、金属ボール（半田ボール）７１Ａを半田リフローにより半田接合する。金属ボールは、開口部５２１および開口部５１３の内側に配置される。金属ボールを搭載する際に、第２補強部材５がボール搭載用のマスクとして機能するためマスクを準備する必要がなく、製造コストを低減することができる。その後、加熱により絶縁材８１Ａを硬化させることにより、金属バンプ７１および絶縁材８１が形成される。かかる半田接合は、特に限定されないが、配線基板２の下面に各金属バンプ７１が当接するように配置し、その状態で、例えば２００〜２８０℃×１０〜６０秒間加熱することにより行うことができる。
次に、図２１（ｃ）に示すように、第一実施形態と同様の方法で、配線基板２の下面、すなわち、第２補強部材５の開口部５１３内に、絶縁材８１Ａを塗布した後、金属ボール（半田ボール）７１Ａを半田リフローにより半田接合する。金属ボールは、開口部５２１および開口部５１３の内側に配置される。金属ボールを搭載する際に、第２補強部材５がボール搭載用のマスクとして機能するためマスクを準備する必要がなく、製造コストを低減することができる。その後、加熱により絶縁材８１Ａを硬化させることにより、金属バンプ７１および絶縁材８１が形成される。かかる半田接合は、特に限定されないが、配線基板２の下面に各金属バンプ７１が当接するように配置し、その状態で、例えば２００〜２８０℃×１０〜６０秒間加熱することにより行うことができる。
得られた絶縁材８１は、金属バンプ７１の周囲を囲むように形成される。このとき、絶縁材８１Ａは、半田接合時にフラックスとして機能し、且つ、金属バンプ７１Ａとの界面張力により半田接合部周辺をリング状に補強する形状で硬化する。
絶縁材８１は、開口部５１３と金属バンプ７１との間に充填されるが、開口部５２１と金属バンプ７１との間に充填されてもよい。絶縁材８１の形状は前記実施形態と同様である。
絶縁材８１は、開口部５１３と金属バンプ７１との間に充填されるが、開口部５２１と金属バンプ７１との間に充填されてもよい。絶縁材８１の形状は前記実施形態と同様である。
［４−Ｃ］
次に、第一実施形態と同様の方法で、配線基板２の上面、すなわち、第１補強部材４の貫通孔４ａ内に、絶縁材８２Ａを塗布した後、金属ボール（半田ボール）９１Ａを半田リフローにより配線基板２に対して半田接合する。金属ボールは、開口部４１１および開口部４２０の内側に配置される。これにより、図２１（ｄ）に示すように、金属バンプ９１および絶縁材８２が形成される。かかる半田接合は、前述した金属バンプ７１のときと同様に行うことができる。
絶縁材８２は、開口部４１１と金属バンプ７１との間に、開口部４２０と金属バンプ７１との間に充填される。絶縁材８２の形状は前記実施形態と同様である。
以上のようにして、半導体パッケージ１が得られる。
次に、第一実施形態と同様の方法で、配線基板２の上面、すなわち、第１補強部材４の貫通孔４ａ内に、絶縁材８２Ａを塗布した後、金属ボール（半田ボール）９１Ａを半田リフローにより配線基板２に対して半田接合する。金属ボールは、開口部４１１および開口部４２０の内側に配置される。これにより、図２１（ｄ）に示すように、金属バンプ９１および絶縁材８２が形成される。かかる半田接合は、前述した金属バンプ７１のときと同様に行うことができる。
絶縁材８２は、開口部４１１と金属バンプ７１との間に、開口部４２０と金属バンプ７１との間に充填される。絶縁材８２の形状は前記実施形態と同様である。
以上のようにして、半導体パッケージ１が得られる。
このような半導体パッケージの製造方法によれば、第１、第２板部材４Ａ、５Ａに接着層４２Ａ、５２Ａが形成されているため、これらの配線基板２への接合を簡単に行うことができる。そのため、反りが抑制された半導体パッケージ１を簡単に製造することができる。
（半導体装置）
次に、半導体装置について好適な実施形態に基づいて説明する。
次に、半導体装置について好適な実施形態に基づいて説明する。
図２２は、図１９に示す半導体パッケージを備える半導体装置を模式的に示す断面図である。
図２２に示すように、半導体装置１００は、マザーボード（基板）２００と、このマザーボード２００に搭載された半導体パッケージ１Ｅであるボトムパッケージ３００と、ボトムパッケージ３００に搭載された他の半導体パッケージであるトップパッケージ４００とを有している。
このような半導体装置１００においては、半導体パッケージ１Ｅの金属バンプ７１がマザーボード２００の端子（図示せず）に接合されているとともに、半導体パッケージ１Ｅの金属バンプ９１がトップパッケージ４００の端子（図示せず）に接合されている。これにより、半導体パッケージ１Ｅとトップパッケージ４００とマザーボード２００とがそれぞれ電気的に接続され、これらの間で電気的信号の伝送が行われる。
以上説明したような半導体装置１００によれば、前述したような放熱性および信頼性に優れた半導体パッケージ１Ｅを備えるので、信頼性に優れる。なお、トップパッケージ４００は、必要に応じて省略してもよい。
なお、図２３に示すように、第五実施形態において、第三実施形態と同様、本体４１（５１）に突起４３（５３）を形成してもよい。
さらには、第四実施形態と同様、本体４１（５１）に位置あわせマークを形成してもよい。
さらには、第四実施形態と同様、本体４１（５１）に位置あわせマークを形成してもよい。
以上、本発明の補強部材、半導体パッケージおよび半導体装置を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、接着体を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
また、前述した実施形態では、半導体パッケージは、第１補強部材と第２補強部材とを有しているが、第１補強部材および第２補強部材のうちのいずれか一方を省略してもよい。
また、前述した実施形態では、第１補強部材が貫通孔を有し、この貫通孔内に金属バンプが形成されているが、貫通孔および金属バンプは、省略してもよい。
また、前述した実施形態では、配線基板に伝熱ポストが形成されているが、伝熱ポストはなくてもよい。
なお、本発明は、以下の態様を含むものである。
（１）基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板の前記一方の面および前記他方の面の少なくとも一方の面に接合される補強部材であって、前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の本体と、前記本体の一方の面側に設けられ、前記本体と前記配線基板とを接合する接着層とを有することを特徴とする補強部材。
（２）前記接着層には、前記配線基板の熱を前記本体に伝達する熱伝導材料が含まれている（１）に記載の補強部材。
（３）前記接着層は、樹脂材料と、前記熱伝導材料としての無機フィラーとを含む樹脂組成物で構成されている（２）に記載の補強部材。
（４）前記接着層は、絶縁性を有している（１）ないし（３）のいずれかに記載の補強部材。
（５）前記配線基板の前記一方の面に接合した状態で、前記第１導体パターンの所定部位を露出させる貫通孔が形成されている（１）ないし（４）のいずれかに記載の補強部材。（６）前記本体は、金属材料で構成されている（１）ないし（５）のいずれかに記載の補強部材。
（７）基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、前記一方の面および前記他方の面の少なくとも一方の面に接合された（１）ないし（６）のいずれかに記載の補強部材とを有することを特徴とする半導体パッケージ。
（８）（７）に記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。
（９）基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板を用意するとともに、前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の本体と、前記本体の一方の面側に設けられた絶縁性を有する接着層とを有する板部材を少なくとも１つ用意する第１の工程と、少なくとも１つの前記板部材を、該板部材の前記接着層を前記配線基板側にした状態で前記配線基板の前記一方の面および前記他方の面の少なくとも一方の面に接合する第２の工程と、前記配線基板に接合された前記板部材を所望の形状に加工することにより補強部材を得る第３の工程とを有していることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
（１０）前記接着層は、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンのうちの少なくとも一方を保護するソルダーレジストとしても機能する（９）に記載の半導体パッケージの製造方法。
（１１）前記第１の工程では、前記板部材として、前記配線基板の前記一方の面に接合する第１板部材と、前記配線基板の前記他方の面に接合する第２板部材とを用意し、前記第２の工程では、前記第１板部材を前記配線基板の前記一方の面に接合するとともに、前記第２板部材を前記配線基板の前記他方の面に接合する（９）または（１０）に記載の半導体パッケージの製造方法。
（１２）前記第３の工程では、前記板部材の前記本体をウェットエッチングにより所望の形状に加工するとともに、前記接着層にレーザーを照射することにより、前記接着層の所望の位置に開口を形成する（９）ないし（１１）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（１３）前記接着層には、前記配線基板の熱を前記本体に伝達する熱伝導材料が含まれている（９）ないし（１２）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（１４）前記接着層は、樹脂材料と、前記熱伝導材料としての無機フィラーとを含む樹脂組成物で構成されている（１３）に記載の半導体パッケージの製造方法。
（１５）前記補強部材の前記本体は、金属材料で構成されている（９）ないし（１４）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（１６）前記配線基板に半導体素子を搭載する第４の工程を有している（９）ないし（１５）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（１７）（９）ないし（１６）のいずれかに記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体パッケージ。
（１８）（１７）に記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。
（１９）基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンと、前記基板の前記一方の面側に前記第１導体パターンを覆うように設けられ、前記第１導体パターンの所定部位を露出させる開口を有する膜状の第１ソルダーレジストと、前記基板の前記他方の面側に前記第２導体パターンを覆うように設けられ、前記第２導体パターンの所定部位を露出させる開口を有する膜状の第２ソルダーレジストとを備える配線基板を用意するとともに、前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の本体と、前記本体の一方の面側に設けられた接着層とを有する少なくとも１つの板部材とを用意する第１の工程と、少なくとも１つの前記板部材を、該板部材の前記接着層を前記配線基板側にした状態で前記配線基板の前記一方の面および前記他方の面の少なくとも一方の面に接合する第２の工程と、前記配線基板に接合された前記板部材を所望の形状に加工することにより補強部材を得る第３の工程とを有していることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
（２０）前記第１の工程では、前記板部材として、前記配線基板の前記一方の面に接合する第１板部材と、前記配線基板の前記他方の面に接合する第２板部材とを用意し、前記第２の工程では、前記第１板部材を前記配線基板の前記一方の面に接合するとともに、前記第２板部材を前記配線基板の前記他方の面に接合する（１９）に記載の半導体パッケージの製造方法。
（２１）前記第３の工程では、前記板部材の前記本体をウェットエッチング処理により所望の形状に加工するとともに、前記接着層にレーザーを照射することにより、前記接着層の所望の位置に開口を形成する（１９）または（２０）に記載の半導体パッケージの製造方法。
（２２）前記配線基板に半導体素子を搭載する第４の工程を有している（１９）ないし（２１）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（２５）基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンと、前記基板の前記一方の面側に前記第１導体パターンを覆うように設けられ、前記第１導体パターンの所定部位を露出させる開口を有する膜状の第１ソルダーレジストと、前記基板の前記他方の面側に前記第２導体パターンを覆うように設けられ、前記第２導体パターンの所定部位を露出させる開口を有する膜状の第２ソルダーレジストとを備える配線基板を用意するとともに、前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の本体と、前記本体の一方の面側に設けられた接着層とを有する板部材を所望形状に加工してなる少なくとも１つの補強部材を用意する第１の工程と、少なくとも１つの前記補強部材を、該補強部材の前記接着層を前記配線基板側にした状態で前記配線基板の前記一方の面および前記他方の面の少なくとも一方の面に接合する第２の工程とを有していることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
（２６）前記配線基板に半導体素子を搭載する第３の工程を有している（２５）に記載の半導体パッケージの製造方法。
（２７）前記接着層には、前記配線基板の熱を前記本体に伝達する熱伝導材料が含まれている（１９）ないし（２６）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（２８）前記接着層は、樹脂材料と、前記熱伝導材料としての無機フィラーとを含む樹脂組成物で構成されている（２７）に記載の半導体パッケージの製造方法。
（２９）前記接着層は、絶縁性を有している（１９）ないし（２８）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（３０）前記本体は、金属材料で構成されている（１９）ないし（２９）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（３１）（１９）ないし（３０）のいずれかに記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体パッケージ。
（３２）（３１）に記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。
さらに以下に、本発明の参考形態の例を付記する。
１．基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の 面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備え る配線基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの、少なくとも１つの面に接合され る補強部材であって、
板状の本体と、
前記本体の一方の面側に設けられ、前記本体と前記配線基板とを接合するための接着層と を有し、
前記接着層は、熱伝導材料を含む補強部材。
２．前記接着層は、樹脂材料と、前記熱伝導材料としての無機フィラーとを含む樹脂組成 物で構成されている１に記載の補強部材。
３．２に記載の補強部材において、前記無機フィラーの平均粒径は、０．０５μｍ以上、 １００μｍ以下である補強部材。
４．前記接着層は、絶縁性を有している１ないし３のいずれかに記載の補強部材。
５．前記配線基板の前記一方の面に接合した際に、前記第１導体パターンの所定部位を露 出させるための複数の貫通孔が形成されている１ないし４のいずれかに記載の補強部材。 ６．１ないし５のいずれかに記載の補強部材において、前記本体は熱伝導性材料で構成さ れており、前記本体に接続されるとともに、前記接着層を貫通する熱伝導性の突起が形成 されている補強部材。
７．前記本体は、金属材料で構成されている１ないし６のいずれかに記載の補強部材。
８．基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の 面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備え る配線基板と、
前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記一方の面および前記他方の面のうちの、少なくとも１つの面に、前記接着層が接合さ れた１ないし７のいずれかに記載の補強部材とを有することを特徴とする半導体パッケー ジ。
９．８に記載の半導体パッケージにおいて、
前記補強部材の接着層は、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンのうちのい ずれか一方の導体パターンを被覆し、
前記補強部材には、前記接着層および前記本体を貫通する貫通孔が形成され、
この貫通孔からは、前記一方の導体パターンが露出し、
当該半導体パッケージは、前記貫通孔から露出した前記導体パターンに接合された半田バ ンプを有し、
前記補強部材の前記貫通孔を構成する前記接着層の内面と前記半田バンプとの間、および 前記貫通孔を構成する前記本体の内面と前記半田バンプとの間に絶縁材が配置されている 半導体パッケージ。
１０．９に記載の半導体パッケージにおいて、
前記絶縁材は、前記半田バンプの周囲を取り囲むとともに、前記半田バンプの側面から前 記一方の導体パターン側に向けて末広がりとなるように前記貫通孔に充填されている半導 体パッケージ。
１１．９または１０に記載の半導体パッケージにおいて、
前記絶縁材は、フラックス活性化合物および熱硬化性樹脂を含む半導体パッケージ。
１２．８ないし１１のいずれかに記載の半導体パッケージにおいて、
前記補強部材は、熱伝導性の前記本体と、熱伝導材料を含む前記接着層とを有し、
前記基板には、前記基板を貫通する伝熱部が設けられ、
前記基板の一方の面および他方の面側には、それぞれ前記補強部材が設けられ、
前記伝熱部には各補強部材の前記接着層が接続され、前記伝熱部を介して一対の前記補強 部材が接続されている半導体パッケージ。
１３．８ないし１２のいずれかに記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導 体装置。
１４．基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方 の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備 える配線基板を用意するとともに、本体と、前記本体の一方の面側に設けられ、熱伝導材 料を含む接着層とを有する板部材を少なくとも１つ用意する第１の工程と、
少なくとも１つの前記板部材を、該板部材の前記接着層を前記配線基板側にした状態で前 記配線基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一つの面に接合する第 ２の工程と、
前記配線基板に接合された前記板部材を所望の形状に加工することにより補強部材を得る 第３の工程とを有していることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
１５．１４に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記第３の工程では、前記板部材の前記接着層および前記本体を貫通する貫通孔を形成し て、前記配線基板の第１導体パターンまたは第２導体パターンを露出させる半導体パッケ ージの製造方法。
１６．１５に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記第２の工程では、前記配線基板の第１導体パターンまたは、第２導体パターンに、前 記接着層を直接接触させて、前記配線基板に前記板部材を接合し、
前記第３の工程で、前記貫通孔を形成するとともに、前記第１導体パターンまたは、第２ 導体パターンをソルダーレジストとしての前記接着層で保護し、
前記貫通孔内に半田バンプを配置する工程を含む半導体パッケージの製造方法。
１７．１６に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記第３の工程では、前記本体に開口部を形成した後、前記本体の開口部に連通するとと もに、前記開口部よりも径が小さく、周縁部が前記本体の開口部の周縁部よりも内側に位 置する開口部を前記接着層に形成して、前記貫通孔を形成し、
前記貫通孔内に半田バンプを配置する前記工程では、前記接着層の前記開口部内に前記半 田バンプを配置する半導体パッケージの製造方法。
１８．１５に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記第１の工程では、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンのうち、少なく ともいずれか一方を被覆し、被覆した導体パターンを露出させる開口部が形成されたソル ダーレジストを有する前記配線基板を用意し、
前記第２の工程では、前記ソルダーレジスト上に前記接着層を介して前記本体を固定する ことで、前記配線基板に前記板部材を接合する半導体パッケージの製造方法。
１９．１８に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記第２の工程では、前記ソルダーレジストの前記開口部内部を前記接着層で埋め込むよ うに、前記接着層を前記ソルダーレジストに圧着し、
前記第３の工程では、前記本体に開口部を形成した後、
前記ソルダーレジストの開口部内面を被覆するように前記ソルダーレジストの前記開口部 の内部の前記接着層を残しつつ、前記ソルダーレジストの前記開口部の内部の前記接着層 を選択的に除去し、前記本体の開口部に連通する開口部を前記接着層に形成することで、 前記貫通孔を形成する半導体パッケージの製造方法。
２０．前記第１の工程では、前記板部材として、前記配線基板の前記一方の面に接合する 第１板部材と、前記配線基板の前記他方の面に接合する第２板部材とを用意し、
前記第２の工程では、前記第１板部材を前記配線基板の前記一方の面に接合するとともに 、前記第２板部材を前記配線基板の前記他方の面に接合する１５ないし１９のいずれかに 記載の半導体パッケージの製造方法。
２１．前記第３の工程では、前記板部材の前記本体をウェットエッチングすることで開口 部を形成し、前記板部材の前記本体の開口部を介して前記接着層にレーザーを照射するこ とにより、前記接着層の所望の位置に開口部を形成して、前記貫通孔を形成する１５ない し２０のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
２２．前記接着層は、樹脂材料と、前記熱伝導材料としての無機フィラーとを含む樹脂組 成物で構成されている１５ないし２１のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。 ２３．前記補強部材の前記本体は、金属材料で構成されている１５ないし２２のいずれか に記載の半導体パッケージの製造方法。
２４．前記配線基板に半導体素子を搭載する第４の工程を有している１５ないし２３のい ずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
２５．基板、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターン、前記基板の他方の面 側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターン、を有する 配線基板と、
前記配線基板の前記第１導体パターンまたは第２導体パターンに電気的に接続された半導 体素子と、
前記配線基板の前記一方の面に接合された補強部材とを備える半導体パッケージであって 、
前記補強部材は、前記配線基板に接着し、熱伝導性材料を含む接着層と、この接着層に設 けられた本体とを備え、
前記本体には、本体を貫通する開口部が形成され、
前記接着層には、前記本体の開口部に連通するとともに、前記第１導体パターンを露出す る開口部が形成され、
前記配線基板の前記一方の面側からの平面視において、前記接着層の前記開口部の周縁部 は、前記本体の前記開口部の内側に位置し、
前記接着層の開口部内に、前記第１導体パターンに接続される半田バンプが配置された半 導体パッケージ。
２６．２５に記載の半導体パッケージにおいて、
前記配線基板は、前記第１導体パターンを被覆し、被覆した前記第１導体パターンを露出 させる開口部を有するソルダーレジストを有し、
前記ソルダーレジストの前記第１導体パターンと反対側の表面および、前記ソルダーレジ ストの前記開口部内面が前記接着層で被覆され、
前記接着層のうち、前記ソルダーレジストの前記開口部内面を被覆する部分が前記接着層 の前記開口部の内面を構成する半導体パッケージ。
２７．基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方 の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンと、前 記基板の前記一方の面側に前記第１導体パターンを覆うように設けられ、前記第１導体パ ターンの所定部位を露出させる開口部を有する膜状のソルダーレジストとを備える配線基 板を用意するとともに、板状の本体と、前記本体の一方の面側に設けられ、熱伝導性材料 を含む接着層とを有し、前記本体および前記接着層を貫通する貫通孔が形成された補強部 材を用意する第１の工程と、
前記補強部材の前記接着層を前記ソルダーレジストに接着し、前記貫通孔と前記ソルダー レジストの前記開口部を連通させる第２の工程とを含む半導体パッケージの製造方法。
この出願は、２０１１年６月６日に出願された日本特許出願２０１１−１２６２４２、２０１１−１２６２４３、２０１１−１２６２４４を基礎とする優先権を主張し、その開示をすべてここに取り込む。
（１）基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板の前記一方の面および前記他方の面の少なくとも一方の面に接合される補強部材であって、前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の本体と、前記本体の一方の面側に設けられ、前記本体と前記配線基板とを接合する接着層とを有することを特徴とする補強部材。
（２）前記接着層には、前記配線基板の熱を前記本体に伝達する熱伝導材料が含まれている（１）に記載の補強部材。
（３）前記接着層は、樹脂材料と、前記熱伝導材料としての無機フィラーとを含む樹脂組成物で構成されている（２）に記載の補強部材。
（４）前記接着層は、絶縁性を有している（１）ないし（３）のいずれかに記載の補強部材。
（５）前記配線基板の前記一方の面に接合した状態で、前記第１導体パターンの所定部位を露出させる貫通孔が形成されている（１）ないし（４）のいずれかに記載の補強部材。（６）前記本体は、金属材料で構成されている（１）ないし（５）のいずれかに記載の補強部材。
（７）基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、前記基板の前記一方の面に接合され、前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、前記一方の面および前記他方の面の少なくとも一方の面に接合された（１）ないし（６）のいずれかに記載の補強部材とを有することを特徴とする半導体パッケージ。
（８）（７）に記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。
（９）基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板を用意するとともに、前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の本体と、前記本体の一方の面側に設けられた絶縁性を有する接着層とを有する板部材を少なくとも１つ用意する第１の工程と、少なくとも１つの前記板部材を、該板部材の前記接着層を前記配線基板側にした状態で前記配線基板の前記一方の面および前記他方の面の少なくとも一方の面に接合する第２の工程と、前記配線基板に接合された前記板部材を所望の形状に加工することにより補強部材を得る第３の工程とを有していることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
（１０）前記接着層は、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンのうちの少なくとも一方を保護するソルダーレジストとしても機能する（９）に記載の半導体パッケージの製造方法。
（１１）前記第１の工程では、前記板部材として、前記配線基板の前記一方の面に接合する第１板部材と、前記配線基板の前記他方の面に接合する第２板部材とを用意し、前記第２の工程では、前記第１板部材を前記配線基板の前記一方の面に接合するとともに、前記第２板部材を前記配線基板の前記他方の面に接合する（９）または（１０）に記載の半導体パッケージの製造方法。
（１２）前記第３の工程では、前記板部材の前記本体をウェットエッチングにより所望の形状に加工するとともに、前記接着層にレーザーを照射することにより、前記接着層の所望の位置に開口を形成する（９）ないし（１１）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（１３）前記接着層には、前記配線基板の熱を前記本体に伝達する熱伝導材料が含まれている（９）ないし（１２）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（１４）前記接着層は、樹脂材料と、前記熱伝導材料としての無機フィラーとを含む樹脂組成物で構成されている（１３）に記載の半導体パッケージの製造方法。
（１５）前記補強部材の前記本体は、金属材料で構成されている（９）ないし（１４）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（１６）前記配線基板に半導体素子を搭載する第４の工程を有している（９）ないし（１５）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（１７）（９）ないし（１６）のいずれかに記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体パッケージ。
（１８）（１７）に記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。
（１９）基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンと、前記基板の前記一方の面側に前記第１導体パターンを覆うように設けられ、前記第１導体パターンの所定部位を露出させる開口を有する膜状の第１ソルダーレジストと、前記基板の前記他方の面側に前記第２導体パターンを覆うように設けられ、前記第２導体パターンの所定部位を露出させる開口を有する膜状の第２ソルダーレジストとを備える配線基板を用意するとともに、前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の本体と、前記本体の一方の面側に設けられた接着層とを有する少なくとも１つの板部材とを用意する第１の工程と、少なくとも１つの前記板部材を、該板部材の前記接着層を前記配線基板側にした状態で前記配線基板の前記一方の面および前記他方の面の少なくとも一方の面に接合する第２の工程と、前記配線基板に接合された前記板部材を所望の形状に加工することにより補強部材を得る第３の工程とを有していることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
（２０）前記第１の工程では、前記板部材として、前記配線基板の前記一方の面に接合する第１板部材と、前記配線基板の前記他方の面に接合する第２板部材とを用意し、前記第２の工程では、前記第１板部材を前記配線基板の前記一方の面に接合するとともに、前記第２板部材を前記配線基板の前記他方の面に接合する（１９）に記載の半導体パッケージの製造方法。
（２１）前記第３の工程では、前記板部材の前記本体をウェットエッチング処理により所望の形状に加工するとともに、前記接着層にレーザーを照射することにより、前記接着層の所望の位置に開口を形成する（１９）または（２０）に記載の半導体パッケージの製造方法。
（２２）前記配線基板に半導体素子を搭載する第４の工程を有している（１９）ないし（２１）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（２５）基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンと、前記基板の前記一方の面側に前記第１導体パターンを覆うように設けられ、前記第１導体パターンの所定部位を露出させる開口を有する膜状の第１ソルダーレジストと、前記基板の前記他方の面側に前記第２導体パターンを覆うように設けられ、前記第２導体パターンの所定部位を露出させる開口を有する膜状の第２ソルダーレジストとを備える配線基板を用意するとともに、前記基板よりも熱膨張係数の小さい板状の本体と、前記本体の一方の面側に設けられた接着層とを有する板部材を所望形状に加工してなる少なくとも１つの補強部材を用意する第１の工程と、少なくとも１つの前記補強部材を、該補強部材の前記接着層を前記配線基板側にした状態で前記配線基板の前記一方の面および前記他方の面の少なくとも一方の面に接合する第２の工程とを有していることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
（２６）前記配線基板に半導体素子を搭載する第３の工程を有している（２５）に記載の半導体パッケージの製造方法。
（２７）前記接着層には、前記配線基板の熱を前記本体に伝達する熱伝導材料が含まれている（１９）ないし（２６）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（２８）前記接着層は、樹脂材料と、前記熱伝導材料としての無機フィラーとを含む樹脂組成物で構成されている（２７）に記載の半導体パッケージの製造方法。
（２９）前記接着層は、絶縁性を有している（１９）ないし（２８）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（３０）前記本体は、金属材料で構成されている（１９）ないし（２９）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（３１）（１９）ないし（３０）のいずれかに記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体パッケージ。
（３２）（３１）に記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。
さらに以下に、本発明の参考形態の例を付記する。
１．基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の 面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備え る配線基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの、少なくとも１つの面に接合され る補強部材であって、
板状の本体と、
前記本体の一方の面側に設けられ、前記本体と前記配線基板とを接合するための接着層と を有し、
前記接着層は、熱伝導材料を含む補強部材。
２．前記接着層は、樹脂材料と、前記熱伝導材料としての無機フィラーとを含む樹脂組成 物で構成されている１に記載の補強部材。
３．２に記載の補強部材において、前記無機フィラーの平均粒径は、０．０５μｍ以上、 １００μｍ以下である補強部材。
４．前記接着層は、絶縁性を有している１ないし３のいずれかに記載の補強部材。
５．前記配線基板の前記一方の面に接合した際に、前記第１導体パターンの所定部位を露 出させるための複数の貫通孔が形成されている１ないし４のいずれかに記載の補強部材。 ６．１ないし５のいずれかに記載の補強部材において、前記本体は熱伝導性材料で構成さ れており、前記本体に接続されるとともに、前記接着層を貫通する熱伝導性の突起が形成 されている補強部材。
７．前記本体は、金属材料で構成されている１ないし６のいずれかに記載の補強部材。
８．基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の 面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備え る配線基板と、
前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記一方の面および前記他方の面のうちの、少なくとも１つの面に、前記接着層が接合さ れた１ないし７のいずれかに記載の補強部材とを有することを特徴とする半導体パッケー ジ。
９．８に記載の半導体パッケージにおいて、
前記補強部材の接着層は、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンのうちのい ずれか一方の導体パターンを被覆し、
前記補強部材には、前記接着層および前記本体を貫通する貫通孔が形成され、
この貫通孔からは、前記一方の導体パターンが露出し、
当該半導体パッケージは、前記貫通孔から露出した前記導体パターンに接合された半田バ ンプを有し、
前記補強部材の前記貫通孔を構成する前記接着層の内面と前記半田バンプとの間、および 前記貫通孔を構成する前記本体の内面と前記半田バンプとの間に絶縁材が配置されている 半導体パッケージ。
１０．９に記載の半導体パッケージにおいて、
前記絶縁材は、前記半田バンプの周囲を取り囲むとともに、前記半田バンプの側面から前 記一方の導体パターン側に向けて末広がりとなるように前記貫通孔に充填されている半導 体パッケージ。
１１．９または１０に記載の半導体パッケージにおいて、
前記絶縁材は、フラックス活性化合物および熱硬化性樹脂を含む半導体パッケージ。
１２．８ないし１１のいずれかに記載の半導体パッケージにおいて、
前記補強部材は、熱伝導性の前記本体と、熱伝導材料を含む前記接着層とを有し、
前記基板には、前記基板を貫通する伝熱部が設けられ、
前記基板の一方の面および他方の面側には、それぞれ前記補強部材が設けられ、
前記伝熱部には各補強部材の前記接着層が接続され、前記伝熱部を介して一対の前記補強 部材が接続されている半導体パッケージ。
１３．８ないし１２のいずれかに記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導 体装置。
１４．基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方 の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備 える配線基板を用意するとともに、本体と、前記本体の一方の面側に設けられ、熱伝導材 料を含む接着層とを有する板部材を少なくとも１つ用意する第１の工程と、
少なくとも１つの前記板部材を、該板部材の前記接着層を前記配線基板側にした状態で前 記配線基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一つの面に接合する第 ２の工程と、
前記配線基板に接合された前記板部材を所望の形状に加工することにより補強部材を得る 第３の工程とを有していることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
１５．１４に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記第３の工程では、前記板部材の前記接着層および前記本体を貫通する貫通孔を形成し て、前記配線基板の第１導体パターンまたは第２導体パターンを露出させる半導体パッケ ージの製造方法。
１６．１５に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記第２の工程では、前記配線基板の第１導体パターンまたは、第２導体パターンに、前 記接着層を直接接触させて、前記配線基板に前記板部材を接合し、
前記第３の工程で、前記貫通孔を形成するとともに、前記第１導体パターンまたは、第２ 導体パターンをソルダーレジストとしての前記接着層で保護し、
前記貫通孔内に半田バンプを配置する工程を含む半導体パッケージの製造方法。
１７．１６に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記第３の工程では、前記本体に開口部を形成した後、前記本体の開口部に連通するとと もに、前記開口部よりも径が小さく、周縁部が前記本体の開口部の周縁部よりも内側に位 置する開口部を前記接着層に形成して、前記貫通孔を形成し、
前記貫通孔内に半田バンプを配置する前記工程では、前記接着層の前記開口部内に前記半 田バンプを配置する半導体パッケージの製造方法。
１８．１５に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記第１の工程では、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンのうち、少なく ともいずれか一方を被覆し、被覆した導体パターンを露出させる開口部が形成されたソル ダーレジストを有する前記配線基板を用意し、
前記第２の工程では、前記ソルダーレジスト上に前記接着層を介して前記本体を固定する ことで、前記配線基板に前記板部材を接合する半導体パッケージの製造方法。
１９．１８に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記第２の工程では、前記ソルダーレジストの前記開口部内部を前記接着層で埋め込むよ うに、前記接着層を前記ソルダーレジストに圧着し、
前記第３の工程では、前記本体に開口部を形成した後、
前記ソルダーレジストの開口部内面を被覆するように前記ソルダーレジストの前記開口部 の内部の前記接着層を残しつつ、前記ソルダーレジストの前記開口部の内部の前記接着層 を選択的に除去し、前記本体の開口部に連通する開口部を前記接着層に形成することで、 前記貫通孔を形成する半導体パッケージの製造方法。
２０．前記第１の工程では、前記板部材として、前記配線基板の前記一方の面に接合する 第１板部材と、前記配線基板の前記他方の面に接合する第２板部材とを用意し、
前記第２の工程では、前記第１板部材を前記配線基板の前記一方の面に接合するとともに 、前記第２板部材を前記配線基板の前記他方の面に接合する１５ないし１９のいずれかに 記載の半導体パッケージの製造方法。
２１．前記第３の工程では、前記板部材の前記本体をウェットエッチングすることで開口 部を形成し、前記板部材の前記本体の開口部を介して前記接着層にレーザーを照射するこ とにより、前記接着層の所望の位置に開口部を形成して、前記貫通孔を形成する１５ない し２０のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
２２．前記接着層は、樹脂材料と、前記熱伝導材料としての無機フィラーとを含む樹脂組 成物で構成されている１５ないし２１のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。 ２３．前記補強部材の前記本体は、金属材料で構成されている１５ないし２２のいずれか に記載の半導体パッケージの製造方法。
２４．前記配線基板に半導体素子を搭載する第４の工程を有している１５ないし２３のい ずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
２５．基板、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターン、前記基板の他方の面 側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターン、を有する 配線基板と、
前記配線基板の前記第１導体パターンまたは第２導体パターンに電気的に接続された半導 体素子と、
前記配線基板の前記一方の面に接合された補強部材とを備える半導体パッケージであって 、
前記補強部材は、前記配線基板に接着し、熱伝導性材料を含む接着層と、この接着層に設 けられた本体とを備え、
前記本体には、本体を貫通する開口部が形成され、
前記接着層には、前記本体の開口部に連通するとともに、前記第１導体パターンを露出す る開口部が形成され、
前記配線基板の前記一方の面側からの平面視において、前記接着層の前記開口部の周縁部 は、前記本体の前記開口部の内側に位置し、
前記接着層の開口部内に、前記第１導体パターンに接続される半田バンプが配置された半 導体パッケージ。
２６．２５に記載の半導体パッケージにおいて、
前記配線基板は、前記第１導体パターンを被覆し、被覆した前記第１導体パターンを露出 させる開口部を有するソルダーレジストを有し、
前記ソルダーレジストの前記第１導体パターンと反対側の表面および、前記ソルダーレジ ストの前記開口部内面が前記接着層で被覆され、
前記接着層のうち、前記ソルダーレジストの前記開口部内面を被覆する部分が前記接着層 の前記開口部の内面を構成する半導体パッケージ。
２７．基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方 の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンと、前 記基板の前記一方の面側に前記第１導体パターンを覆うように設けられ、前記第１導体パ ターンの所定部位を露出させる開口部を有する膜状のソルダーレジストとを備える配線基 板を用意するとともに、板状の本体と、前記本体の一方の面側に設けられ、熱伝導性材料 を含む接着層とを有し、前記本体および前記接着層を貫通する貫通孔が形成された補強部 材を用意する第１の工程と、
前記補強部材の前記接着層を前記ソルダーレジストに接着し、前記貫通孔と前記ソルダー レジストの前記開口部を連通させる第２の工程とを含む半導体パッケージの製造方法。
この出願は、２０１１年６月６日に出願された日本特許出願２０１１−１２６２４２、２０１１−１２６２４３、２０１１−１２６２４４を基礎とする優先権を主張し、その開示をすべてここに取り込む。
Claims (32)
- 基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板と、
前記第１導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、
前記一方の面および前記他方の面のうちの、少なくとも１つの面に接合される補強部材とを有することを特徴とする半導体パッケージであって、
前記補強部材は、
板状の熱伝導性の本体と、
前記本体の一方の面側に設けられ、前記本体と前記配線基板とを接合する接着層とを 有し、
前記接着層は、熱伝導材料を含み、
前記基板には、前記基板を貫通する伝熱部が設けられ、
前記基板の一方の面および他方の面側には、それぞれ前記補強部材が設けられ、
前記伝熱部には各補強部材の前記接着層が接続され、前記伝熱部を介して一対の前記補 強部材が接続されている半導体パッケージ。 - 請求項１に記載の半導体パッケージにおいて、
前記補強部材の接着層は、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンのうちのいずれか一方の導体パターンを被覆し、
前記補強部材には、前記接着層および前記本体を貫通する貫通孔が形成され、
この貫通孔からは、前記一方の導体パターンが露出し、
当該半導体パッケージは、前記貫通孔から露出した前記導体パターンに接合された半田バンプを有し、
前記補強部材の前記貫通孔を構成する前記接着層の内面と前記半田バンプとの間、および前記貫通孔を構成する前記本体の内面と前記半田バンプとの間に絶縁材が配置されている半導体パッケージ。 - 請求項２に記載の半導体パッケージにおいて、
前記絶縁材は、前記半田バンプの周囲を取り囲むとともに、前記半田バンプの側面から前記一方の導体パターン側に向けて末広がりとなるように前記貫通孔に充填されている半導体パッケージ。 - 請求項２または３に記載の半導体パッケージにおいて、
前記絶縁材は、フラックス活性化合物および熱硬化性樹脂を含む半導体パッケージ。 - 前記接着層は、樹脂材料と、前記熱伝導材料としての無機フィラーとを含む樹脂組成物で構成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体パッケージ。
- 請求項５に記載の補強部材において、
前記無機フィラーの平均粒径は、０．０５μｍ以上、１００μｍ以下である半導体パッ ケージ。 - 前記接着層は、絶縁性を有している請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体パッケ ージ。
- 請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体パッケージにおいて、
前記補強部材の前記本体は熱伝導性材料で構成されており、
前記補強部材には、前記本体に接続されるとともに、前記接着層を貫通する熱伝導性の突起が形成されている、半導体パッケージ。 - 前記補強部材の前記本体は、金属材料で構成されている請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体パッケージ。
- 請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体パッケージを備えることを特徴とする半導体装置。
- 基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板を用意するとともに、本体と、前記本体の一方の面側に設けられ、熱伝導材料を含む接着層とを有する板部材を少なくとも１つ用意する第１の工程と、
少なくとも１つの前記板部材を、該板部材の前記接着層を前記配線基板側にした状態で前記配線基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一つの面に接合する第２の工程と、
前記配線基板に接合された前記板部材を所望の形状に加工することにより補強部材を得る第３の工程とを有していることを特徴とする半導体パッケージの製造方法であって、
前記第２の工程では、前記配線基板の第１導体パターンまたは、第２導体パターンに、 前記接着層を直接接触させて、前記配線基板に前記板部材を接合し、
前記第３の工程では、前記本体に開口部を形成した後、前記本体の開口部に連通すると ともに、前記開口部よりも径が小さく、周縁部が前記本体の開口部の周縁部よりも内側に 位置する開口部を前記接着層に形成し、前記板部材の前記接着層および前記本体を貫通す る貫通孔を形成して、前記配線基板の第１導体パターンまたは第２導体パターンを露出さ せ、
前記第１導体パターンまたは、第２導体パターンをソルダーレジストとしての前記接着 層で保護し、
前記貫通孔内に半田バンプを配置する工程を含み、
前記貫通孔内に半田バンプを配置する前記工程では、前記接着層の前記開口部内に前記 半田バンプを配置する、半導体パッケージの製造方法。 - 前記第１の工程では、前記板部材として、前記配線基板の前記一方の面に接合する第１板部材と、前記配線基板の前記他方の面に接合する第２板部材とを用意し、
前記第２の工程では、前記第１板部材を前記配線基板の前記一方の面に接合するとともに、前記第２板部材を前記配線基板の前記他方の面に接合する請求項１１に記載の半導体パッケージの製造方法。 - 前記第３の工程では、前記板部材の前記本体をウェットエッチングすることで開口部を形成し、前記板部材の前記本体の開口部を介して前記接着層にレーザーを照射することにより、前記接着層の所望の位置に開口部を形成して、前記貫通孔を形成する請求項１１ま たは１２に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 前記接着層は、樹脂材料と、前記熱伝導材料としての無機フィラーとを含む樹脂組成物で構成されている請求項１１ないし１３のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
- 前記補強部材の前記本体は、金属材料で構成されている請求項１１ないし１４のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
- 前記配線基板に半導体素子を搭載する第４の工程を有している請求項１１ないし１５のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
- 基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板を用意するとともに、本体と、前記本体の一方の面側に設けられ、熱伝導材料を含む接着層とを有する板部材を少なくとも１つ用意する第１の工程と、
少なくとも１つの前記板部材を、該板部材の前記接着層を前記配線基板側にした状態で前記配線基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一つの面に接合する第２の工程と、
前記配線基板に接合された前記板部材を所望の形状に加工することにより補強部材を得る第３の工程とを有していることを特徴とする半導体パッケージの製造方法であって、
前記第１の工程では、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンのうち、少な くともいずれか一方を被覆し、被覆した導体パターンを露出させる開口部が形成されたソ ルダーレジストを有する前記配線基板を用意し、
前記第２の工程では、前記ソルダーレジストの前記開口部内部を前記接着層で埋め込む ように、前記接着層を前記ソルダーレジストに圧着し、前記ソルダーレジスト上に前記接 着層を介して前記本体を固定することで、前記配線基板に前記板部材を接合し、
前記第３の工程では、前記本体に開口部を形成した後、
前記ソルダーレジストの開口部内面を被覆するように前記ソルダーレジストの前記開口 部の内部の前記接着層を残しつつ、前記ソルダーレジストの前記開口部の内部の前記接着 層を選択的に除去し、前記本体の開口部に連通する開口部を前記接着層に形成し、前記板 部材の前記接着層および前記本体を貫通する貫通孔を形成して、前記配線基板の第１導体 パターンまたは第２導体パターンを露出させる半導体パッケージの製造方法。 - 前記第１の工程では、前記板部材として、前記配線基板の前記一方の面に接合する第１板部材と、前記配線基板の前記他方の面に接合する第２板部材とを用意し、
前記第２の工程では、前記第１板部材を前記配線基板の前記一方の面に接合するとともに、前記第２板部材を前記配線基板の前記他方の面に接合する請求項１７に記載の半導体パッケージの製造方法。 - 前記第３の工程では、前記板部材の前記本体をウェットエッチングすることで開口部を形成し、前記板部材の前記本体の開口部を介して前記接着層にレーザーを照射することにより、前記接着層の所望の位置に開口部を形成して、前記貫通孔を形成する請求項１７ま たは１８に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 前記接着層は、樹脂材料と、前記熱伝導材料としての無機フィラーとを含む樹脂組成物で構成されている請求項１７ないし１９のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
- 前記補強部材の前記本体は、金属材料で構成されている請求項１７ないし２０のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
- 前記配線基板に半導体素子を搭載する第４の工程を有している請求項１７ないし２１のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
- 基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターンとを備える配線基板を用意するとともに、本体と、前記本体の一方の面側に設けられ、熱伝導材料を含む接着層とを有する板部材を少なくとも１つ用意する第１の工程と、
少なくとも１つの前記板部材を、該板部材の前記接着層を前記配線基板側にした状態で前記配線基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一つの面に接合する第２の工程と、
前記配線基板に接合された前記板部材を所望の形状に加工することにより補強部材を得る第３の工程とを有していることを特徴とする半導体パッケージの製造方法であって、
前記第３の工程では、前記板部材の前記本体をウェットエッチングすることで開口部を 形成し、前記板部材の前記本体の開口部を介して前記接着層にレーザーを照射することに より、前記接着層の所望の位置に開口部を形成して、前記板部材の前記接着層および前記 本体を貫通する貫通孔を形成して、前記配線基板の第１導体パターンまたは第２導体パタ ーンを露出させる半導体パッケージの製造方法。 - 請求項２３に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記第２の工程では、前記配線基板の第１導体パターンまたは、第２導体パターンに、前記接着層を直接接触させて、前記配線基板に前記板部材を接合し、
前記第３の工程で、前記貫通孔を形成するとともに、前記第１導体パターンまたは、第２導体パターンをソルダーレジストとしての前記接着層で保護し、
前記貫通孔内に半田バンプを配置する工程を含む半導体パッケージの製造方法。 - 請求項２４に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記第３の工程では、前記本体に開口部を形成した後、前記本体の開口部に連通するとともに、前記開口部よりも径が小さく、周縁部が前記本体の開口部の周縁部よりも内側に位置する開口部を前記接着層に形成して、前記貫通孔を形成し、
前記貫通孔内に半田バンプを配置する前記工程では、前記接着層の前記開口部内に前記半田バンプを配置する半導体パッケージの製造方法。 - 請求項２３に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記第１の工程では、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンのうち、少なくともいずれか一方を被覆し、被覆した導体パターンを露出させる開口部が形成されたソルダーレジストを有する前記配線基板を用意し、
前記第２の工程では、前記ソルダーレジスト上に前記接着層を介して前記本体を固定することで、前記配線基板に前記板部材を接合する半導体パッケージの製造方法。 - 請求項２６に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記第２の工程では、前記ソルダーレジストの前記開口部内部を前記接着層で埋め込むように、前記接着層を前記ソルダーレジストに圧着し、
前記第３の工程では、前記本体に開口部を形成した後、
前記ソルダーレジストの開口部内面を被覆するように前記ソルダーレジストの前記開口部の内部の前記接着層を残しつつ、前記ソルダーレジストの前記開口部の内部の前記接着層を選択的に除去し、前記本体の開口部に連通する開口部を前記接着層に形成することで、前記貫通孔を形成する半導体パッケージの製造方法。 - 前記第１の工程では、前記板部材として、前記配線基板の前記一方の面に接合する第１板部材と、前記配線基板の前記他方の面に接合する第２板部材とを用意し、
前記第２の工程では、前記第１板部材を前記配線基板の前記一方の面に接合するとともに、前記第２板部材を前記配線基板の前記他方の面に接合する請求項２３ないし２７のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。 - 前記接着層は、樹脂材料と、前記熱伝導材料としての無機フィラーとを含む樹脂組成物で構成されている請求項２３ないし２８のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
- 前記補強部材の前記本体は、金属材料で構成されている請求項２３ないし２９のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
- 前記配線基板に半導体素子を搭載する第４の工程を有している請求項２３ないし３０のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
- 基板、前記基板の一方の面側に設けられた第１導体パターン、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第１導体パターンと電気的に接続された第２導体パターン、を有する配線基板と、
前記配線基板の前記第１導体パターンまたは第２導体パターンに電気的に接続された半導体素子と、
前記配線基板の前記一方の面に接合された補強部材とを備える半導体パッケージであって、
前記補強部材は、前記配線基板に接着し、熱伝導性材料を含む接着層と、この接着層に設けられた本体とを備え、
前記本体には、本体を貫通する開口部が形成され、
前記接着層には、前記本体の開口部に連通するとともに、前記第１導体パターンを露出する開口部が形成され、
前記配線基板の前記一方の面側からの平面視において、前記接着層の前記開口部の周縁部は、前記本体の前記開口部の内側に位置し、
前記接着層の開口部内に、前記第１導体パターンに接続される半田バンプが配置され、
前記配線基板は、前記第１導体パターンを被覆し、被覆した前記第１導体パターンを露 出させる開口部を有するソルダーレジストを有し、
前記ソルダーレジストの前記第１導体パターンと反対側の表面および、前記ソルダーレ ジストの前記開口部内面が前記接着層で被覆され、
前記接着層のうち、前記ソルダーレジストの前記開口部内面を被覆する部分が前記接着 層の前記開口部の内面を構成する半導体パッケージ。
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