JP5982865B2

JP5982865B2 - ガスセルの封止方法

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Publication number: JP5982865B2
Application number: JP2012038562A
Authority: JP
Inventors: 長坂　公夫; 公夫長坂
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2012-02-24
Filing date: 2012-02-24
Publication date: 2016-08-31
Anticipated expiration: 2032-02-24
Also published as: JP2013172811A

Description

本発明は、ガスセルの封止方法に関する。

電子部品や半導体のパッケージを封止する技術が知られている。例えば、特許文献１には、ガラスで構成される円柱状穴にガラス管を通し、円柱状穴の端部に液状のフリットシールをリング状に塗布した後、溶融封止する方法が記載されている。特許文献２には、ガラスで構成される細管に電流供給体を通した状態で、細管端部に固形のリング状フリットシールを接触させ、加熱溶融させることで細管と電流供給体の隙間に浸み込ませる方法が記載されている。

特開２０００−２０３８９１号公報特開２００７−３２９１４０号公報

ところで、生体の心臓等から発せられる磁場を検出する生体磁気測定装置として、光ポンピング式の磁気センサーが用いられている。この磁気センサーには、アルカリ金属ガスが封入されたガスセルが用いられる。このガスセルを封止する工程において、フリットシール等の封止材の収縮により封止材やガスセルの筐体にクラックが生じる場合がある。特許文献１に記載の技術では、フリットシールは溶融後、表面エネルギーが小さくなる方向に形状変化するため凝集し、その後硬化することで強い収縮応力が発生する。その結果、接合部界面に応力が集中し、そこが起点となり接合界面が剥離したり、フリットシールやガラス自体にクラックが生じる場合がある。特許文献２に記載の技術では、フリットシール層が肉薄となり硬化収縮応力が軽減できるが、隙間を狭くし過ぎるとフリットシールが流れ込みづらくなる場合がある。
本発明はガスセルを封止する工程において封止材の収縮によるクラックの発生を軽減する技術を提供することを目的とする。

本発明は、ガスセルに設けられた排気孔に、通気路を有する封止材と栓基材とを配置する配置工程と、前記排気孔と前記通気路とを介して前記ガスセル内を排気する排気工程と、前記封止材を加熱して溶融させるとともに、前記栓基材を前記排気孔に押し付ける加熱・加圧工程と、前記封止材が冷却硬化されることによって前記排気孔を封止する冷却工程と、を備え、前記排気孔は、内径が前記栓基材よりも大きい第１の部分と該栓基材よりも小さい第２の部分とを有し、前記配置工程においては、前記栓基材を前記第１の部分に配置するとともに、前記封止材を前記栓基材と前記第２の部分との間に配置し、前記加熱・加圧工程においては、前記第１の部分に配置された前記栓基材を前記第２の部分に押し当て、前記第１の部分の中心軸と前記第２の部分の中心軸とがずれていることを特徴とするガスセルの封止方法を提供する。この封止方法によれば、ガスセルを封止する工程において、封止材を肉薄にし、かつ接合面積が大きくとられることにより、封止材の収縮によるクラックの発生が軽減される。

また、本発明に係るガスセルの封止方法は、上記封止方法において、前記配置工程においては、前記栓基材の一部又は全部が前記封止材でコーティングされた栓基材を前記排気孔に配置することとしてもよい。この封止方法によれば、ガスセルを封止する工程において、封止材を肉薄にし、かつ接合面積が大きくとられることにより、封止材の収縮によるクラックの発生が軽減される。

また、本発明は、ガスセルに設けられた排気孔に、通気路を有する封止材と栓基材とを配置する配置工程と、前記排気孔と前記通気路とを介して前記ガスセル内を排気する排気工程と、前記封止材を加熱して溶融させるとともに、前記栓基材を前記排気孔に押し付ける加熱・加圧工程と、前記封止材が冷却硬化されることによって前記排気孔を封止する冷却工程と、を備え、前記栓基材は、前記排気孔の内径よりも大きく、前記配置工程においては、前記栓基材の一面に前記封止材が前記排気孔に相対する位置にスポット状に形成されており、前記一面が前記排気孔を覆う様に配置されることを特徴とするガスセルの封止方法を提供する。この封止方法によれば、栓基材と封止材を同時に配置することができ、封止材を排気孔と栓基材の空隙に配置することが容易になる。

磁気測定装置の構成を表すブロック図ガスセルアレイの外観図第１実施形態に係るガスセルの断面図第１実施形態に係るガスセルの排気管の断面図第１実施形態に係るプラグの斜視図第１実施形態に係るプラグの断面図第１実施形態に係るガスセルの製造工程を示すフローチャート第１実施形態に係るガスセルの封止工程を示すフローチャート第１実施形態に係るガスセルの排気管の断面図第２実施形態に係るガスセルの排気管の断面図第２実施形態に係るガスセルの排気管の断面図第２実施形態に係るガスセルの排気管の断面図第３実施形態に係るガスセルの排気管の断面図第３実施形態に係るフリットシールのスポットの配置図第３実施形態に係るガスセルの排気管の断面図

１．第１実施形態
（１）構成
図１は、一実施形態に係る磁気測定装置１の構成を表すブロック図である。磁気測定装置１は、心臓から発生する磁場（心磁）または脳から発生する磁場（脳磁）等、生体から発生する磁場を、生体の状態の指標として測定する生体状態測定装置である。磁気測定装置１は、ガスセルアレイ１０と、ポンプ光照射ユニット２０と、プローブ光照射ユニット３０と、検出ユニット４０とを有する。ガスセルアレイ１０は、複数のガスセルを有する。ガスセル内には、アルカリ金属ガス（例えば、セシウム（Ｃｓ））が封入されている。ポンプ光照射ユニット２０は、アルカリ金属原子と相互作用するポンプ光（例えば、セシウムのＤ１線に相当する波長８９４ｎｍの光）を出力する。ポンプ光は円偏光成分を有する。ポンプ光が照射されると、アルカリ金属原子の最外殻電子が励起され、スピン偏極が生じる。スピン偏極したアルカリ金属原子は、被測定物が生じる磁場Ｂによって歳差運動をする。一つのアルカリ金属原子のスピン偏極は、時間の経過とともに緩和するが、ポンプ光がＣＷ（Continuous Wave）光であるので、スピン偏極の形成と緩和は、同時平行的かつ連続的に繰り返される。その結果、原子の集団全体としてみれば、定常的なスピン偏極が形成される。

プローブ光照射ユニット３０は、直線偏光成分を有するプローブ光を出力する。ガスセルの透過前後において、プローブ光の偏光面は、ファラデー効果により回転する。偏光面の回転角は、磁場Ｂの関数である。検出ユニット４０は、プローブ光の回転角を検出する。検出ユニット４０は、入射した光の光量に応じた信号を出力する光検出器と、信号を処理するプロセッサーと、データを記憶するメモリーとを有する。プロセッサーは、光検出器から出力された信号を用いて磁場Ｂの大きさを算出する。プロセッサーは、算出した結果を示すデータをメモリーに書き込む。こうして、ユーザーは、被測定物から発生する磁場Ｂの情報を得ることができる。

図２は、ガスセルアレイ１０の外観図である。この例で、ガスセルアレイ１０は、ｘｙ平面上に２次元配置された複数（２×２個）のガスセル１１を有する。

図３は、ガスセルアレイ１０を構成するガスセル１１のIII−III断面図である。この断面は、ｘｚ平面に平行である。ガスセル１１は、内部にアルカリ金属ガスが封入される、直方体のセル（箱）である。ガスセル１１は、石英ガラスまたはホウケイ酸ガラス等、光透過性を有する材料を用いて形成される。ガスセル１１は、例えばガラス成型により製造される。なお、ガスセル１１は、ガラス加工により形成されてもよい。ガスセル１１は、アルカリ金属ガスが封入される主室１１１を有する。主室１１１は、排気管１１２によって外部に向けて開口されている。排気管１１２は、管状の形状をしている。

図４は、排気管１１２と、排気管１１２に挿入されるプラグ１２の断面図であり、図５は、プラグ１２の外観を示す斜視図である。また、図６は、プラグ１２のIV−IV断面図である。図４に示すように、排気管１１２は狭窄部１１２ａにおいて部分的に狭窄している。すなわち、排気管１１２は、内径がプラグ１２よりも大きい部分（第１の部分）とプラグ１２よりも小さい狭窄部１１２ａ（第２の部分）とを有している。排気管１１２の一端は真空ポンプ（図示略）に接続され、排気または必要に応じてアルカリ金属ガスが封入される。プラグ１２は、排気管１１２に挿入され、ガスセル１１を封止するために用いられる。プラグ１２は、図５に示すように、石英で構成された石英棒１２１に、フリットシール１２２がコーティングされて形成されている。石英棒１２１は、円柱状の形状をしている。石英棒１２１は、本発明に係る栓基材の一例である。石英棒１２１の一方端はフリットシール１２２で覆われている。これは石英棒１２１の一方端をペースト状のフリットシールに浸すことでコーティングし、これを仮焼成して製作される。また、フリットシール１２２の円筒面の一部に通気溝１２２ａを形成する。これは、仮焼成時に成型してもよく、また、仮焼成後に機械加工を施して加工してもよい。フリットシール１２２は、本発明に係る封止材の一例である。フリットシール１２２は、溶融した状態で排気管１１２と石英棒１２１との空隙を塞ぐ量を有している。

図４において、押し当て棒１３は、後述するガスセル１１の封止工程において、プラグ１２を狭窄部１１２ａに押し当てる押し当て部材である。バネ１４は、後述する封止工程において、押し当て棒１３に押力を加えるバネである。

（２）製造方法
図７は、ガスセル１１の製造工程を示すフローチャートである。ステップＳ１０（コーティング工程）において、ガスセル１１の内壁にコーティング層が形成される。コーティング層には、例えばパラフィンが用いられる。コーティング層は、ドライプロセスまたはウェットプロセスにより塗布される。ステップＳ２０（アンプル収納工程）において、ガスセル１１にアンプルが収納される。アンプルの内部にはアルカリ金属固体が封入されている。ステップＳ３０（封止工程）において、ガスセル１１は封止される。ガスセル１１の封止は、真空状態で行われる。

図８は、図７のステップＳ３０に示すガスセル１１の封止工程を示すフローチャートである。ステップＳ１１０（配置工程）において、ガスセル１１の排気管１１２の内部に、栓基材１２を挿入する（図４参照）。ガスセル１１が封止される前は、フリットシール１２２に通気溝１２２ａが設けられていることにより、排気管１１２と栓基材１２との間に隙間（通気溝１２２ａ）があり、ガスセル１１内部からの排気が可能な状態にある。フリットシール１２２は、石英棒１２１にコーティングされているから、栓基材１２が排気管１１２に挿入されることにより、フリットシール１２２は排気管１１２の内側と石英棒１２１の間の空隙を塞ぐ位置に配置されることになる。

ステップＳ１２０（排気工程）において、排気管１１２と石英棒１２１との空隙から、真空ポンプ等を用いてガスセル１１内を真空にする。ステップＳ１３０（加熱・加圧工程）において、プラグ１２を排気管１１２の狭窄部１１２ａに押し付けるとともに、プラグ１２を加熱してフリットシール１２２を溶融させる。この実施形態では、プラグ１２に対する加圧方法としては、フリットシール１２２を溶融させた状態で、石英棒（栓基材）１２１に対して、排気管１１２と石英棒１２１との空隙が小さくなる方向（図４の矢印Ｃ方向）に押力を加える。この実施形態では、図４に示すように、バネ１４によって押し当て棒１３に矢印Ｃ方向に力を加え、石英棒１２１を狭窄部１１２ａに押し当てる。

また、プラグ１２の加熱方法としては、プラグ１２の近傍を、バーナー、電熱線、レーザーやハロゲンランプ等の輻射による加熱手段によって、フリットシール１２２のガラス転移点以上に加熱して、フリットシール１２２を溶融する。鉛フリーのフリットシール１２２の場合、軟化点は４００〜４５０℃程度である。プラグ１２のフリットシール１２２の層が軟化することで、石英棒１２１と排気管１１２の狭窄部１１２ａが薄いフリットシール１２２の層を介して密着することになる。

図９は、石英棒１２１に対して力が加えられた状態を示す図である。バネ１４による押力の作用によりフリットシール１２２（封止材）が肉薄となるように変形し、排気管１１２の内側表面と石英棒１２１とにおいて、より広い面積において密着する。

ステップＳ１４０（冷却工程）において、フリットシール１２２を冷却する。冷却によりフリットシール１２２が硬化し、収縮応力が少ない状態で封止される。一般的に、フリットシール１２２の熱膨張係数は小さくても６ｐｐｍ／℃程度であり、排気管１１２がホウ硅酸ガラスの場合の熱膨張係数は３．３ｐｐｍ／℃程度であるため、フリットシール硬化時の剥離が懸念される。しかし、石英棒１２１の熱膨張係数は０．６ｐｐｍ／℃であることで収縮による形状変化が軽減され、フリットシール１２２の層が薄く、かつ接合面積が大きくとれるのでクラックが生じる可能性が低くなる。

再び図７を参照する。ステップＳ４０（アンプル破壊工程）において、アンプルが破壊される。具体的には、アンプルに焦点を合わせたレーザー光がアンプルに照射され、アンプルに穴が開けられる。
ステップＳ５０（気化工程）において、アンプル内のアルカリ金属固体が気化される。具体的には、ガスセル１１を加熱することによりアルカリ金属固体を加熱し、気化させる。
ステップＳ６０（拡散工程）において、アルカリ金属ガスが拡散される。具体的には、ある温度（室温より高い温度が望ましい）で一定時間保持することにより、アルカリ金属ガスが拡散される。

本実施形態では、ガスセル１１の封止工程において、フリットシール１２２を加熱しつつ石英棒１２１（栓基材）をガスセル１１に押し当てることにより、フリットシール１２２が肉薄になり、なおかつ接合面積が広がる。これにより、フリットシール１２２の硬化収縮による破壊が防止される。

２．第２実施形態
図１０は、第２の実施形態に係るガスセル１１Ｂの排気管１１２Ｂの断面図である。本実施形態に係るガスセル１１Ｂが、上述した第１の実施形態に係るガスセル１１と異なる点は、排気管１１２に代えて、排気管１１２Ｂを備える点と、ガスセル１１Ｂの製造工程においてプラグ１２に代えて石英棒１２１Ｂとフリットシール玉１２２Ｂとを用いる点である。以下の説明においては、上述した第１の実施形態と同様の構成要素及び工程については、同じ符号を用いて適宜その説明を省略する。

図１０に示すように、排気管１１２Ｂの端部には嵌合穴１１２ｂが形成されており、この嵌合穴１１２ｂの内径よりも小さい内径の排気路１１２ｃでガスセル１１の主室１１１と嵌合穴１１２ｂとが繋がっている。すなわち、排気管１１２Ｂは、内径が石英棒１２１Ｂよりも大きい嵌合穴１１２ｂ（第１の部分）と石英棒１２１Ｂよりも小さい排気路１１２ｃ（第２の部分）とを有している。嵌合穴１１２ｂに球状のフリットシール玉１２２Ｂと石英棒１２１Ｂとが挿入される。

図１１は排気管１１２ＢのV−V断面図である。嵌合穴１１２ｂと排気路１１２ｃはともに円筒形状をしている。排気管１１２Ｂは、嵌合穴１１２ｂの中心軸ａ１と排気路１１２ｃの中心軸ａ２とがずれるように形成されている。これは、嵌合穴１１２ｂの中心軸と排気路１１２ｃの中心軸を一致させてしまうと、球状のフリットシール玉１２２Ｂが排気路１１２ｃに蓋をしてしまい、排気の効率が低下する可能性があるためである。

この実施形態では、配置工程Ｓ１１０において、嵌合穴１１２ｂにフリットシール玉１２２Ｂと石英棒１２１Ｂとを挿入する（図１０参照）。加熱・加圧工程Ｓ１３０において、嵌合穴１１２ｂにフリットシール玉１２２Ｂと石英棒１２１Ｂとが挿入された状態で、加熱によりフリットシール玉１２２Ｂを溶融させ、石英棒１２１Ｂはバネ１５によりガスセル１１の主室１１１の方向に力を加えられる。

図１２は、加熱・加圧工程Ｓ１３０においてフリットシール玉１２２Ｂが加熱により溶融されるとともに、石英棒１２１Ｂが排気路１１２ｃ側に押し付けられた状態を示す図である。図１２において、石英棒１２１Ｂが嵌合穴１１２ｂにおいて排気路１１２ｃ側に押し付けられることにより、その隙間をフリットシールが埋め合わせるように浸み込み、肉薄の状態となる。なお、フリットシール玉１２２Ｂの加熱方法については上述した第１の実施形態において示したそれと同様である。

この実施形態においても、上述した第１の実施形態と同様に、フリットシールを加熱しつつ石英棒１２１（栓基材）をガスセル１１に押し当てることにより、フリットシールが肉薄になり、なおかつ接合面積が広がる。これにより、フリットシールの硬化収縮による破壊が防止される。

３．第３実施形態
図１３は、第３の実施形態に係るガスセル１１Ｃの排気管１１２Ｃの断面図である。本実施形態に係るガスセル１１Ｃが、上述した第１の実施形態に係るガスセル１１と異なる点は、排気管１１２に代えて、排気管１１２Ｃを備える点と、ガスセル１１Ｃの製造工程において、プラグ１２に代えて、ガラスリッド１６とフリットシールのスポットＳ１，Ｓ２，…とを用いる点である。以下の説明においては、上述した第１の実施形態と同様の構成要素及び工程については、同じ符号を用いて適宜その説明を省略する。

排気管１１２Ｃには排気穴１１２ｄが設けられている。ガラスリッド１６の排気穴１１２ｄを覆う面には、複数の半球状のフリットシールのスポットＳ１，Ｓ２，…を仮焼成により形成しておく。ガラスリッド１６は排気穴１１２ｄの内径よりも大きい。なお、本実施形態において「ガラスリッド１６が排気穴１１２ｄを覆う」とは、排気穴１１２ｄが隠れる位置に排気穴１１２ｄとガラスリッド１６との空隙が確保された状態でガラスリッド１６を配置し、排気穴１１２ｄが完全に密閉されていない状態（すなわち排気穴１１２ｄからの排気が可能な状態）であることを示す。ガラスリッド１６の材料はガスセル１１Ｃと同様のものを用いてもよい。

図１４は、ガラスリッド１６に形成されたフリットシールのスポットＳ１，Ｓ２，…の配置を示す図である。ガラスリッド１６のほぼ中央（排気穴１１２ｄに相対する位置）に低背のスポットＳ３を、その周辺に高背のスポットＳ１，Ｓ２，Ｓ４，Ｓ５を複数個形成しておく。スポットの高低差により、中央のスポットＳ３は排気穴１１２ｄを塞がない。複数のスポットＳ１，Ｓ２，…が形成されたガラスリッド１６を、真空チャンバ（図示略）内に設置する。

図１５は、加熱・加圧工程Ｓ１３０においてフリットシールが溶融されるとともに、ガラスリッド１６がガスセル１１Ｃに押し付けられた状態を示す図である。加熱・加圧工程Ｓ１３０においては、ガラスリッド１６の背面に、セラミックヒーター等の加熱部材１７を接触させ、主室１１１の側から押力Ｄ（図１３参照）を加える。真空チャンバ内の圧力を所定の値に安定させたあと、加熱部材１７に印加しフリットシールを溶融する。それぞれのフリットシールのスポットが肉薄となり接合面積が広がる。これに伴って排気穴１１２ｄをフリットシールで塞ぐことで封止がなされる。

この実施形態においても、上述の実施形態と同様に、フリットシールを加熱しつつガスセル１１をガラスリッド１６（栓基材）に押し当てることにより、フリットシール１２２が肉薄になり、なおかつ接合面積が広がる。これにより、フリットシール１２２の硬化収縮による破壊が防止される。

４．他の実施形態
本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。以下、変形例をいくつか説明する。以下の変形例のうち２つ以上のものが組み合わせて用いられてもよい。

（１）変形例１
ガスセルの製造方法は、図７で例示したものに限定されない。図７に示した工程に別の工程が加えられてもよい。または、工程の順番が入れ替えられてもよいし、工程のうち一部が省略されてもよい。例えば、コーティング工程が省略されてもよい。

（２）変形例２
ガスセルの形状は実施形態で説明したものに限定されない。実施形態では、ガスセルの形状が直方体である例を説明したが、ガスセルの形状は、直方体以外の多面体、または、円柱等、一部に曲面を有するものであってもよい。例えば、ガスセルは、アルカリ金属原子が凝固する温度以下に温度が低下したときにアルカリ金属固体を溜めるためのリザーバー（金属溜まり）を有していてもよい。なお、アルカリ金属は、少なくとも測定時にガス化していればよく、常にガス状態である必要はない。

（３）変形例３
アンプル破壊工程の具体的内容は、実施形態で説明したものに限定されない。アンプルは、熱膨張係数が異なる２つの材料が張り合わされた部分を有してもよい。この場合、アンプル破壊工程においては、レーザー光照射に代わり、アンプル（が収納されたガスセル全体）が加熱される。加熱の際は、熱膨張係数の違いによりアンプルが破壊する程度の熱が加えられる。また、力学的な衝撃や振動を与えることにより、アンプルを主室１１１の内壁に衝突させ、アンプルを破壊してもよい。

別の例で、封止工程は、ガスセル内に、アルカリ金属ガスに加え、希ガス等の不活性ガス（バッファーガス）が封入された状態で行われてもよい。すなわち、ガスセル１１の封止は、不活性ガス雰囲気の中で行われてもよい。

（４）変形例４
上述の実施形態および変形例において、ガスセルにアルカリ金属原子を導入する際に固体状態で導入する例を説明した。しかし、ガスセルにアルカリ金属原子を導入するときの状態は、固体に限定されない。アルカリ金属原子は、固体、液体、または気体のうち、どの状態でガスセルに導入されてもよい。また、アンプルの代わりにカプセルが用いられてもよい。

また、コーティング工程において、コーティング材料をアンプル等に内蔵し、これを封止前に予めガスセル内に入れておき、封止後、レーザー照射等でアンプルを破壊し、気相成膜でコーティングさせても構わない。

（５）変形例５
また、上述の第１及び第２の実施形態では、栓基材として円柱の形状の石英棒を用いたが、栓基材の形状はこれに限らず、例えば、平板形状や他の形状であってもよい。
また、上述の第２の実施形態では、嵌合穴１１２ｂと排気路１１２ｃとはともに円筒形状であったが、嵌合穴と排気路の形状は円筒形状に限らず、例えば角柱の形状等、他の形状であってもよい。

（６）変形例６
ガスセル１１の用途は、磁気センサーに限定されない。例えば、ガスセル１１は、原子発振器に用いられてもよい。

（７）変形例７
上述の実施形態では、栓基材の熱膨張係数が排気管１１２の熱膨張係数より低い場合について説明したが、これに限らず、栓基材の熱膨張係数が、排気管の熱膨張係数と同等の材料で構成されてもよい。

（８）変形例８
上述の第１及び第２の実施形態では、加熱・加圧工程において、プラグ１２に対して力を加えたが、これに限らず、プラグ１２を固定し、ガスセル１１をプラグ側へ押すことによって、排気管１１２と石英棒１２１との空隙が小さくなる方向に力を加えるようにしてもよい。また、上述の第３の実施形態では、加熱・加圧工程において、ガスセル１１に対して力を加えたが、これに限らず、ガスセル１１を固定し、ガラスリッド１６をガスセル１１側へ押すことによって、ガラスリッド１６を排気穴１１２ｄに押し付けてもよい。

１…磁気測定装置、１０…ガスセルアレイ、１１，１１Ｂ，１１Ｃ…ガスセル、１２…プラグ、１３…押し当て棒、１４，１５…バネ、１６…ガラスリッド、２０…ポンプ光照射ユニット、３０…プローブ光照射ユニット、４０…検出ユニット、１１１…主室、１１２，１１２Ｂ，１１２Ｃ…排気管、１２１，１２１Ｂ…石英棒、１２２…フリットシール、１２２Ｂ…フリットシール玉

Claims

ガスセルに設けられた排気孔に、通気路を有する封止材と栓基材とを配置する配置工程と、
前記排気孔と前記通気路とを介して前記ガスセル内を排気する排気工程と、
前記封止材を加熱して溶融させるとともに、前記栓基材を前記排気孔に押し付ける加熱・加圧工程と、
前記封止材が冷却硬化されることによって前記排気孔を封止する冷却工程と、
を備え、
前記排気孔は、内径が前記栓基材よりも大きい第１の部分と該栓基材よりも小さい第２の部分とを有し、
前記配置工程においては、前記栓基材を前記第１の部分に配置するとともに、前記封止材を前記栓基材と前記第２の部分との間に配置し、
前記加熱・加圧工程においては、前記第１の部分に配置された前記栓基材を前記第２の部分に押し当て、
前記第１の部分の中心軸と前記第２の部分の中心軸とがずれていることを特徴とするガスセルの封止方法。
前記配置工程においては、前記栓基材の一部又は全部が前記封止材でコーティングされた栓基材を前記排気孔に配置する
ことを特徴とする請求項１に記載のガスセルの封止方法。
ガスセルに設けられた排気孔に、通気路を有する封止材と栓基材とを配置する配置工程と、
前記排気孔と前記通気路とを介して前記ガスセル内を排気する排気工程と、
前記封止材を加熱して溶融させるとともに、前記栓基材を前記排気孔に押し付ける加熱・加圧工程と、
前記封止材が冷却硬化されることによって前記排気孔を封止する冷却工程と、
を備え、
前記栓基材は、前記排気孔の内径よりも大きく、
前記配置工程においては、前記栓基材の一面に前記封止材が前記排気孔に相対する位置にスポット状に形成されており、前記一面が前記排気孔を覆う様に配置される
ことを特徴とするガスセルの封止方法。