JP5976875B2 - プラズマ処理チャンバの下側電極アセンブリ - Google Patents
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Description
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例1
プラズマ処理チャンバで利用される下側電極アセンブリであって、
(a)複数の金属プレートを含む金属ベースであって、
(i)前記複数の金属プレートを冶金結合するろう付け結合部の位置にある下方側面のろう付け線と、
(ii)前記下方側面から水平内向きに広がるエッジリング支持面と、
(iii)前記エッジリング支持面の上方の上方側面と、を備える、金属ベースと、
(b)前記エッジリング支持面上に取り付けられた下面を備える上側エッジリングと、
(c)前記下方側面を囲む下側エッジリングと、
(d)前記上側エッジリングおよび前記下側エッジリングの対向面の間、ならびに、前記下側エッジリングと前記ベースの外周との間のギャップと、を備え、
前記ギャップの平均ギャップ幅に対する総ギャップ長のアスペクト比は、前記ろう付け線の位置におけるアーク放電を妨げるのに十分である、下側電極アセンブリ。
適用例2
適用例1の下側電極アセンブリであって、
前記アスペクト比は、少なくとも20である、下側電極アセンブリ。
適用例3
適用例1の下側電極アセンブリであって、
前記下側および/または上側エッジリングは、誘電材料を含む、下側電極アセンブリ。
適用例4
適用例1の下側電極アセンブリであって、
前記誘電材料は、イットリア、セリア、アルミナ、窒化シリコン、および、石英からなる群より選択された少なくとも1つを含む、下側電極アセンブリ。
適用例5
適用例1の下側電極アセンブリであって、
前記金属ベースは、上側金属プレート、中間金属プレート、および、下側金属プレートを含み、
前記上側および中間プレートは、上側ろう付け線で真空ろう付けされ、
前記中間および下側プレートは、下側ろう付け線で真空ろう付けされる、下側電極アセンブリ。
適用例6
適用例1の下側電極アセンブリであって、
前記下側エッジリングは、前記金属ベースの前記下方側面に対向する側面であって、前記金属ベースの前記エッジリング支持面の上方に伸びる側面を備える、下側電極アセンブリ。
適用例7
適用例6の下側電極アセンブリであって、
前記下側エッジリングは、さらに、内向きに伸びる突出部を備え、前記突出部の下面は、前記エッジリング支持面の外側部分の上に存在する、下側電極アセンブリ。
適用例8
適用例1の下側電極アセンブリであって、
前記上側エッジリングは、その下面に2つの段差を備える、下側電極アセンブリ。
適用例9
適用例1の下側電極アセンブリであって、
前記上側および下側エッジリングは、前記対向面に、互いに対向する溝を備えており、前記溝の中に誘電体リングが配置される、下側電極アセンブリ。
適用例10
適用例1の下側電極アセンブリであって、
前記下側エッジリングは、その上面に環状突出部を備え、
前記上側エッジリングは、前記環状突出部を受け入れる環状凹部を備える、下側電極アセンブリ。
適用例11
適用例1の下側電極アセンブリであって、
前記上側エッジリングは、前記下面に単一の段差を備え、
前記段差は、前記下面内に少なくとも6.35mm伸びており、
前記下側エッジリングは、前記下側エッジリングの上側部分が、前記段差によって形成された後退部内に収まるように、前記ベースの前記下方側壁よりも大きい高さを有する、下側電極アセンブリ。
Claims (12)
- プラズマ処理チャンバで利用される下側電極アセンブリであって、
(a)複数の金属プレートを含む金属ベースであって、
(i)前記複数の金属プレートを冶金結合するろう付け結合部の位置にある下方側面のろう付け線と、
(ii)前記下方側面から水平内向きに広がるエッジリング支持面と、
(iii)前記エッジリング支持面の上方の上方側面と、を備える、金属ベースと、
(b)前記エッジリング支持面上に取り付けられた下面を備える上側エッジリングと、
(c)前記下方側面を囲む下側エッジリングと、
(d)前記上側エッジリングおよび前記下側エッジリングの対向面の間、ならびに、前記下側エッジリングと前記金属ベースの外周との間のギャップであって、前記ギャップの平均ギャップ幅に対する総ギャップ長のアスペクト比は、前記ろう付け線の位置におけるアーク放電を妨げるのに十分であるギャップと、
(e)前記エッジリング支持面の上に延びる外側面を含む前記下側エッジリングと、を備える下側電極アセンブリ。 - 請求項1に記載の下側電極アセンブリであって、
前記アスペクト比は、少なくとも20である、下側電極アセンブリ。 - 請求項1に記載の下側電極アセンブリであって、
前記下側および/または上側エッジリングは、誘電材料を含む、下側電極アセンブリ。 - 請求項3に記載の下側電極アセンブリであって、
前記誘電材料は、イットリア、セリア、アルミナ、窒化シリコン、および、石英からなる群より選択された少なくとも1つを含む、下側電極アセンブリ。 - 請求項1に記載の下側電極アセンブリであって、
前記金属ベースは、上側金属プレートと、中間金属プレートと、下側金属プレートと、前記上側金属プレートと前記中間金属プレートの間のろう付け線と、前記中間金属プレートと前記下側金属プレートの間のろう付け線と、を含む、下側電極アセンブリ。 - 請求項1に記載の下側電極アセンブリであって、
前記下側エッジリングは、前記金属ベースの前記下方側面に対向する側面であって、前記金属ベースの前記エッジリング支持面の上方に伸びる側面を備える、下側電極アセンブリ。 - 請求項6に記載の下側電極アセンブリであって、
前記下側エッジリングは、さらに、内向きに伸びる突出部を備え、前記突出部の下面は、前記エッジリング支持面の外側部分の上に存在する、下側電極アセンブリ。 - 請求項1に記載の下側電極アセンブリであって、
前記上側エッジリングは、その下面に2つの段差を備える、下側電極アセンブリ。 - 請求項1に記載の下側電極アセンブリであって、
前記下側エッジリングは、その上面に環状突出部を備え、
前記上側エッジリングは、前記環状突出部を受け入れる環状凹部を備える、下側電極アセンブリ。 - 請求項1に記載の下側電極アセンブリであって、
前記上側エッジリングは、前記下面に単一の段差を備え、
前記段差は、前記下面内に少なくとも6.35mm伸びており、
前記下側エッジリングは、前記下側エッジリングの上側部分が、前記段差によって形成された後退部内に収まるように、前記金属ベースの前記下方側面よりも大きい高さを有する、下側電極アセンブリ。 - 請求項1に記載の下側電極アセンブリであって、
前記下側エッジリングは、前記上側エッジリングの下面の下側段差に上面が受け入れられる環状突出部を備える、下側電極アセンブリ。 - 請求項1に記載の下側電極アセンブリであって、
前記ギャップは、前記下側エッジリングの垂直方向にオフセットされた二つの上面と、前記上側エッジリングの垂直方向にオフセットされた二つの下面と、の間にある、下側電極アセンブリ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US19315108P | 2008-10-31 | 2008-10-31 | |
US61/193,151 | 2008-10-31 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011534507A Division JP5743895B2 (ja) | 2008-10-31 | 2009-10-29 | プラズマ処理チャンバの下側電極アセンブリ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016142436A Division JP6385397B2 (ja) | 2008-10-31 | 2016-07-20 | プラズマ処理チャンバの下側電極アセンブリ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015181174A JP2015181174A (ja) | 2015-10-15 |
JP5976875B2 true JP5976875B2 (ja) | 2016-08-24 |
Family
ID=42130005
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011534507A Active JP5743895B2 (ja) | 2008-10-31 | 2009-10-29 | プラズマ処理チャンバの下側電極アセンブリ |
JP2015090990A Active JP5976875B2 (ja) | 2008-10-31 | 2015-04-28 | プラズマ処理チャンバの下側電極アセンブリ |
JP2016142436A Active JP6385397B2 (ja) | 2008-10-31 | 2016-07-20 | プラズマ処理チャンバの下側電極アセンブリ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011534507A Active JP5743895B2 (ja) | 2008-10-31 | 2009-10-29 | プラズマ処理チャンバの下側電極アセンブリ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016142436A Active JP6385397B2 (ja) | 2008-10-31 | 2016-07-20 | プラズマ処理チャンバの下側電極アセンブリ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9412555B2 (ja) |
EP (1) | EP2342951B1 (ja) |
JP (3) | JP5743895B2 (ja) |
KR (3) | KR101592061B1 (ja) |
CN (1) | CN102187741B (ja) |
TW (1) | TWI496511B (ja) |
WO (1) | WO2010062345A2 (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2007250967A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置および方法とフォーカスリング |
JP2008078208A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング及びプラズマ処理装置 |
-
2009
- 2009-10-29 JP JP2011534507A patent/JP5743895B2/ja active Active
- 2009-10-29 EP EP09829445.7A patent/EP2342951B1/en active Active
- 2009-10-29 KR KR1020117010001A patent/KR101592061B1/ko active IP Right Grant
- 2009-10-29 CN CN200980141249.1A patent/CN102187741B/zh active Active
- 2009-10-29 WO PCT/US2009/005857 patent/WO2010062345A2/en active Application Filing
- 2009-10-29 KR KR1020167013192A patent/KR101701101B1/ko active IP Right Grant
- 2009-10-29 KR KR1020157022860A patent/KR101624123B1/ko active IP Right Grant
- 2009-10-30 TW TW098136933A patent/TWI496511B/zh active
- 2009-10-30 US US12/609,377 patent/US9412555B2/en active Active
-
2015
- 2015-04-28 JP JP2015090990A patent/JP5976875B2/ja active Active
-
2016
- 2016-07-20 JP JP2016142436A patent/JP6385397B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101624123B1 (ko) | 2016-05-25 |
CN102187741B (zh) | 2014-08-06 |
WO2010062345A3 (en) | 2010-08-12 |
KR101592061B1 (ko) | 2016-02-04 |
TW201031277A (en) | 2010-08-16 |
JP2015181174A (ja) | 2015-10-15 |
CN102187741A (zh) | 2011-09-14 |
KR101701101B1 (ko) | 2017-01-31 |
JP6385397B2 (ja) | 2018-09-05 |
EP2342951A4 (en) | 2015-10-28 |
KR20110081255A (ko) | 2011-07-13 |
US9412555B2 (en) | 2016-08-09 |
EP2342951B1 (en) | 2019-03-06 |
JP2012507860A (ja) | 2012-03-29 |
KR20150102124A (ko) | 2015-09-04 |
WO2010062345A2 (en) | 2010-06-03 |
US20100108261A1 (en) | 2010-05-06 |
KR20160063412A (ko) | 2016-06-03 |
TWI496511B (zh) | 2015-08-11 |
JP2016219820A (ja) | 2016-12-22 |
EP2342951A2 (en) | 2011-07-13 |
JP5743895B2 (ja) | 2015-07-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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