JP5949121B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置を示す断面図である。SiC基板1上にGaN系FET2が設けられている。SiC基板1の裏面に応力板3が接着されている。接着方法はどんなものでも構わないが、変形時に互いに歪応力を加えられるほどの密着性が求められる。
図3及び図4は、それぞれ本発明の実施の形態2に係る半導体装置を示す平面図及び断面図である。この半導体装置はディスクリートトランジスタである。GaN電流走行層4にアイソレーション注入で区切られたチャネル領域9が設けられている。チャネル領域9上でくし型のソース電極7のフィンガーとくし型のドレイン電極8のフィンガーが交互に配置され、両者の間にくし型のゲート電極6のフィンガーが配置されている。
図5は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置を示す断面図である。応力板3は、熱膨張率の異なる材料からなる複数の応力板3a,3b,3cを有する。これらの応力板3a,3b,3cの熱膨張率はSiC基板1の周辺部から中央部に向かって高くなる。これより、周辺部に比べて中央部に優先的にピエゾ効果による電流減少が生じるため、基板内の温度を均一に近づけることができる。また、周辺部の方が中央部よりも電流密度が大きくなるため、両者の電流経路の長さの違いを電流密度の違いで相殺し、外部回路との整合が取りやすくなる。
図6は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置を示す平面図及び断面図である。本実施の形態の半導体装置は複数段のGaN系FETを持つMMICチップである。前段FET11は入力信号を増幅する。後段FET12は、前段FET11の出力信号を増幅する。この場合には、入力電力が低く温度が上昇しない前段FET11に比べて、入力電力が大きく温度が上昇する後段FET12において、反り応力が優先的に働く。この結果、必要な後段FETの出力のみを低下させることができる。
2 GaN系FET(電界効果型トランジスタ)
3 応力板
4 GaN電流走行層
5 AlGaN電子供給層
6 ゲート電極
7 ソース電極
8 ドレイン電極
10 空隙
11 前段FET(第1の電界効果型トランジスタ)
12 後段FET(第2の電界効果型トランジスタ)
Claims (4)
- 基板と、
前記基板上に設けられた電界効果型トランジスタと、
前記基板の裏面に接着され、前記基板より大きい熱膨張率の材料からなる応力板とを備え、
前記電界効果型トランジスタは、
前記基板上に設けられたGaN電流走行層と、
前記GaN電流走行層上に設けられたAlGaN電子供給層と、
前記AlGaN電子供給層上に設けられたゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極とを有し、
前記基板と前記応力板との熱膨張率の違いにより前記GaN電流走行層及び前記AlGaN電子供給層に印加される圧縮応力が温度の上昇に従って大きくなることを特徴とする半導体装置。 - 前記応力板は、前記電界効果型トランジスタの周辺部の直下において空隙を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記応力板の熱膨張率は前記基板の周辺部から中央部に向かって高くなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記電界効果型トランジスタは、入力信号を増幅する第1の電界効果型トランジスタと、前記第1の電界効果型トランジスタの出力信号を増幅する第2の電界効果型トランジスタとを有することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置。
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