JP6575268B2 - 窒化物半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施形態に係る窒化物半導体装置1は、図1に示すように、半導体基体2と、半導体基体2の上に互いに離間して配置されたソース電極3及びドレイン電極4と、ソース電極3とドレイン電極4との間で半導体基体2の上部の一部に形成されたゲートリセスに配置されたゲート電極5を備える。半導体基体2は、基板10にバッファ層11と窒化物半導体層20を積層した構造である。窒化物半導体層20は、窒化物半導体層が積層されたヘテロ構造を有する。また、窒化物半導体層20上に、層間絶縁膜6が形成されている。
本発明の第2の実施形態に係る窒化物半導体装置1は、図9に示すように、ソース電極3及びドレイン電極4が単層構造である。その他の構成については、図1に示す第1の実施形態と同様である。
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
2…半導体基体
3…ソース電極
4…ドレイン電極
5…ゲート電極
6…層間絶縁膜
10…基板
11…バッファ層
20…窒化物半導体層
21…キャリア走行層
22…キャリア供給層
23…二次元キャリアガス層
Claims (3)
- 窒化物半導体層が積層されたヘテロ構造を有する半導体基体と、
前記半導体基体の上に互いに離間して配置されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で前記半導体基体の上に配置されたゲート電極と
を備え、
絶縁膜を介して配置された複数の電極層からなる多層電極構造を有し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が前記複数の電極層にそれぞれ形成され、
前記複数の電極層のそれぞれにおいて、前記ソース電極と前記ドレイン電極が対向して前記ゲート電極と平行に延伸する方向と垂直な方向の幅が、前記ソース電極が前記ドレイン電極の1.5倍以上である
ことを特徴とする窒化物半導体装置。 - 前記ゲート電極が、前記半導体基体の上部の一部に形成されたゲートリセスに配置されていることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体装置。
- 前記ソース電極のインダクタンスに起因して前記ソース電極に生じる電位の変動によってオン状態になることが抑制されるように、前記ドレイン電極の前記幅に対する前記ソース電極の前記幅が設定されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物半導体装置。
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