JP5936856B2 - 照明装置 - Google Patents

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Description

本発明は、エレクトロルミネセンス(EL)を発現する発光部材を含む照明装置に関する。
有機化合物を発光体として用いた発光素子は、次世代の照明への応用が期待されている。有機化合物を発光体として用いた発光素子は、低電圧、低消費電力駆動などの特徴を有している。
発光素子を構成するEL層は、少なくとも発光層を有する。また、EL層は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを有する積層構造とすることもできる。
発光素子の発光機構は、一対の電極間にEL層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔がEL層の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に緩和する際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
また、このような発光素子においては、一対の電極および発光層を膜状に形成するため、大面積の発光素子を形成することにより、面状の発光を容易に得ることができる。このことは、白熱電球やLED(点光源)、あるいは蛍光灯(線光源)などの光源では得難い特色であるため、上述した発光素子は照明等の光源としての利用価値が高い。
また、複数の発光素子が直列に接続した構造を有する発光装置について、特許文献1、特許文献2に開示されている。
特開2006−49853号公報 特開2006−108651号公報
本発明の一態様は、複数の発光素子を集積化して、比較的に大きい面積の発光領域を有する照明装置およびその作製方法を提供することを課題の一とする。
本発明の一態様は、薄型、且つ、軽量である照明装置を提供することを課題の一とする。
また、本発明の一態様は、落下などの衝撃に耐えることのできる照明装置を提供することを課題の一とする。
比較的に大きい面積の発光領域を有する照明装置を形成する際、発光素子の一対の電極層のうち、どちらか一方の電極層は透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有する導電材料、例えばインジウム錫酸化物(以下、ITOと呼ぶ。)は、配線層に用いられる金属材料、例えばアルミニウムやチタンなどと比べて抵抗値が大きい。そのため、透光性を有する導電材料を用いて導電層や配線などを形成すると電圧降下が生じやすい。なお、抵抗値が大きい材料を用いた導電層によって形成される電流経路には必ず抵抗があり、電圧降下が生じる。
そこで、複数の発光素子を集積化し、且つ、電圧降下を抑制するため、複数の発光素子が直列に接続する構造とし、幅や厚さの異なる配線を複数用い、その配線や、電極や、発光素子などの配置を最適化する。
本発明の一形態は、複数段の発光素子ユニットと、複数段の発光素子ユニットの初段の発光素子ユニットと接する第1の配線と、複数段の発光素子ユニットの最終段の発光素子ユニットと接する第2の配線と、を有し、初段の発光素子ユニットは、並列に接続された少なくとも第1の発光素子、及び第2の発光素子を含み、初段の発光素子ユニットに隣り合う発光素子ユニットは、並列に接続された少なくとも第3の発光素子、及び第4の発光素子を含み、第1の発光素子、第2の発光素子、第3の発光素子、及び第4の発光素子はそれぞれ、遮光性を有する第1の電極層と、第1の電極層と接する有機化合物を含む層と、有機化合物を含む層と接する透光性を有する第2の電極層とを有し、第3の発光素子及び第4の発光素子の第1の電極層は有機化合物を含む層と接する第1の領域と、第1の領域より線幅の狭い第2の領域を有し、第1の発光素子の第2の電極層と、第3の発光素子の第1の電極層の第2の領域とが接することによって、第1の発光素子と第3の発光素子は直列に接続し、第2の発光素子の第2の電極層と、第4の発光素子の第1の電極層の第2の領域とが接することによって、第2の発光素子と第4の発光素子は直列に接続し、初段の発光素子ユニットに含まれる発光素子のそれぞれの第1の電極層は、第1の配線から分岐された領域であり、最終段の発光素子ユニットに含まれる発光素子のそれぞれの第2の電極層は第2の配線と接する照明装置である。
本発明の他の一形態は、複数段の発光素子ユニットと、複数段の発光素子ユニットの下に平坦化絶縁膜を介して重なって設けられる第1の配線及び第2の配線とを有し、複数段の発光素子ユニットの初段の発光素子ユニットと第1の配線とは平坦化絶縁膜に設けられた第1の開口において電気的に接続され、複数段の発光素子ユニットの最終段の発光素子ユニットと第2の配線とは平坦化絶縁膜に設けられた第2の開口において電気的に接続され、初段の発光素子ユニットは、並列に接続された少なくとも第1の発光素子、及び第2の発光素子を含み、初段の発光素子ユニットに隣り合う発光素子ユニットは、並列に接続された少なくとも第3の発光素子、及び第4の発光素子を含み、第1の発光素子、第2の発光素子、第3の発光素子、及び第4の発光素子はそれぞれ、遮光性を有する第1の電極層と、第1の電極層と接する有機化合物を含む層と、有機化合物を含む層と接する透光性を有する第2の電極層とを有し、第3の発光素子及び第4の発光素子の第1の電極層は有機化合物を含む層と接する第1の領域と、第1の領域より線幅の狭い第2の領域を有し、第1の発光素子の第2の電極層と、第3の発光素子の第1の電極層の第2の領域とが接することによって、第1の発光素子と第3の発光素子は直列に接続し、第2の発光素子の第2の電極層と、第4の発光素子の第1の電極層とが接することによって、第2の発光素子と第4の発光素子は直列に接続し、初段の発光素子ユニットに含まれる発光素子のそれぞれの第1の電極層は、第1の配線と接続し、最終段の発光素子ユニットに含まれる発光素子のそれぞれの第2の電極層は第2の配線と接続する照明装置である。
なお、複数段の発光素子ユニットの数は2以上であり、第1の配線に接する発光素子ユニットを初段の発光素子ユニットとよび、第2の配線に接する発光素子ユニットを最終段の発光素子ユニットと呼ぶ。例えば、複数段の発光素子ユニットの数が4つの場合、初段の発光素子ユニットには2段目の発光素子ユニットが隣り合って設けられ、2段目の発光素子ユニットには3段目の発光素子ユニットが隣り合って設けられ、3段目の発光素子ユニットには、最終段である4段目の発光素子ユニットが隣り合って設けられる。
上記構成の照明装置の一形態は、第1の配線及び第2の配線の膜厚は、3μm以上30μm以下である。また、第1の配線、第2の配線は、銅を含む導電層を有し、低抵抗な配線である。第1の電極層は第1の配線と分岐して同じ導電層で形成される場合、第1の電極層も銅を含む導電層となる。
また、第1の電極層は線幅の異なる領域を有し、有機化合物を含む層と接する第1の領域より線幅の狭い、隣り合う前段の発光素子の第2の電極層と接する第2の領域を有する。線幅の狭い第2の領域と、透光性を有する第2の電極層と接して設けることによって、電圧降下を抑制する。
上記構成とすることで、効率よく複数の発光素子を発光させる、またはトータルの発光面積を増大させることができる。
上記構成の照明装置の一形態において、第1の配線及び第2の配線の膜厚は、3μm以上30μm以下であるのが好ましい。
上記各構成の照明装置の一形態の発光素子のそれぞれは、第1の電極層上に接し、且つ開口を有する絶縁層を有し、有機化合物を含む層は、開口において第1の電極層と接する。この絶縁層が隔壁または土手と呼ばれ、隣り合う発光素子同士の短絡を防ぐ。この絶縁層に設けられた開口の面積、即ち有機化合物を含む層と第1の電極層が接触する領域が、一つの発光素子の発光領域の平面面積とほぼ同一となる。
上記構成の照明装置の一形態は、第1の複数段の発光素子ユニットと隣り合う第2の複数段の発光素子ユニットを有し、第1の複数段の発光素子ユニットと第2の複数段の発光素子ユニットとは、平面視して第2の配線の長さ方向を対称軸として線対称に配置する。複数の発光素子ユニットを線対称に配置し、対称軸と一致する直線方向に伸びている同電位の配線を共通化することでトータルの配線数を削減することができる。
上記構成の照明装置の一形態において、第1の発光素子と第2の発光素子は並列に接続され、第1の発光素子の第2の電極層は、第3の発光素子の第1の電極層と接することによって直列に接続し、第2の発光素子の第2の電極層は、第4の発光素子の第1の電極層と接することによって直列に接続する。直列に接続することで、より高い電圧を照明装置に入力することができるため、コンバータの負担を低減することができる。
上記構成の照明装置の一形態は、複数段の発光素子ユニットは筐体として機能する絶縁表面を有する基板上に設けられ、絶縁表面を有する基板は、凹部を有し、平面視して凹部に第1の配線及び第2の配線が配置される。
上記構成の照明装置の一形態は、第1の発光素子、第2の発光素子、第3の発光素子、及び第4の発光素子の発光は、透光性を有する第2の電極層を透過して取り出される。
また、信頼性を向上させるため、発光素子の上面を覆う無機絶縁膜(無機絶縁体)を設けることが好ましい。また、発光素子の光放射面と筐体との間にも無機絶縁膜を設ける構成としてもよい。無機絶縁膜は、外部からの水等の汚染物質から保護する保護層、封止膜として機能する。無機絶縁膜としては窒化膜、及び窒化酸化膜の単層又は積層を用いることができる。無機絶縁体としては厚さの薄いガラスを用いることができる。無機絶縁膜を設けることで、発光素子の劣化を軽減し、照明装置の耐久性や寿命を向上させることができる。
発光素子の放射面の形状は、四角形のような多角形のほか、円形であってもよく、発光素子を覆う筐体の形状も該放射面の形状に対応させればよく、直方型、多角柱、円柱などを用いることができる。
また、EL層は積層とし、中間層を介して2層以上設けられる構成としてもよい。発光色の異なるEL層を複数積層することで放射される光の色を調節することができる。また、同色であっても複数層設けることで電力効率を向上させる効果を奏する。
また、EL層は積層とし、その一層として正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を含む層を設ける構成としてもよい。複合材料を含む層は、第1の電極層と接する構成とすることで、発光素子の短絡を低減できる。
なお、本明細書中において照明装置とは、発光デバイス、もしくは光源(照明などを含む)を指し、少なくとも一対の電極間に発光層を有する発光素子を備える。また、照明装置にコネクター、例えばFPC(Flexible printed circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bonding)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にコンバータなどが設けられたモジュールも全て照明装置に含むものとする。
本発明の一態様は、複数の発光素子を集積化して、比較的に大きい面積の発光領域を有する照明装置およびその作製方法を提供することができる。
また、本発明の一態様は、薄型、且つ、軽量である照明装置を提供することができる。
また、照明装置に用いる基板として、プラスチックや薄膜の金属板を用いる場合は、落下などの衝撃に耐えることのできる照明装置を実現することができる。
本発明の一形態である照明装置は、効率よく複数の発光素子を発光させる、またはトータルの発光面積を増大させることができる。
本発明の一形態によれば、複数の発光素子ユニットを任意の段数で直列及び直並列に接続して照明装置を構成できるので、当該照明装置を大型化することができる。例えば、液晶パネルのマザーガラス基板のサイズに換算すれば、G5.5(1100mm×1300mm)乃至G11(3000mm×3300mm)に相当する大面積基板の一面を発光領域とする照明装置を実現することも可能となる。
照明装置を説明する平面図。 照明装置を説明する断面図。 照明装置を説明する平面図。 照明装置を説明する断面図。 照明装置を説明する平面図。 照明装置を説明する断面図。 照明装置を説明する断面図。 照明装置に適用できる発光素子の例を説明する図。 照明装置の使用形態の一例を説明する図。 照明装置の使用形態の一例を説明する図。 照明装置を説明する断面図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下の説明に限定されず、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の照明装置の一形態について図1、図2、図3、図4、図5、図6、図7、及び図11を用いて説明する。なお、図1、図2、図3、図4、図5、図6、図7、及び図11において、同じ箇所には同じ符号を用いて説明する。
図1に本実施の形態の照明装置の一部を拡大した平面図を示す。なお、図2(A)は、図1における線分A1−A2の断面図であり、図2(B)は、図1における線分B1−B2の断面図である。
図1の照明装置は、平面視して、第1の配線124と第2の配線128の上に複数の発光素子が配置している様子を示している。本実施の形態では、わかりやすく説明するため、24個の発光素子を用いて説明するが、発光素子の数は特に限定されない。
第1の配線124は、線幅が太く、膜厚が厚く、低抵抗材料からなる引き回し配線である。第1の配線124は、電源(ここでは図示しない)と電気的に接続されており、第1の配線124から各発光素子に電流が供給される。
また、第2の配線128は、線幅が太く、膜厚が厚く、低抵抗材料からなる引き回し配線である。第2の配線128は、固定電位(共通電位とも呼べる)である。
第1の配線124及び第2の配線128は、主配線とも呼べ、いろいろな箇所で分岐している。なお、第1の配線124及び第2の配線128の分岐している部分の線幅は、ほぼ同じである。図1では、1本の第1の配線124から分岐する方向が同じ方向であり櫛歯状となる例を示したが特に限定されず、配線の長さ方向を対称軸として分岐している部分が線対称となるように交差する配線のレイアウト(格子状の配線のレイアウト)としてもよく、また、互い違いに分岐する部分があってもよい。第1の配線124及び第2の配線128の膜厚は、3μm以上30μm以下であり、低抵抗材料を用いることが好ましく、例えば、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、ネオジム(Nd)、スカンジウム(Sc)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)から選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成する。
また、第1の配線124及び第2の配線128を形成するためにメッキ処理(電解メッキ法、或いは無電解メッキ法)を用いてもよい。メッキされる金属材料としては、低抵抗な材料、例えば銅、銀、金、クロム、鉄、ニッケル、白金、またはこれらの合金などを用いることができる。
本実施の形態では、第1の配線124をチタン層と、該チタン層上に銅層を形成した2層構造とし、図2(A)及び図2(B)に示すように第1層を124a、第2層を124bとして図示している。また、第2の配線128も第1層を128a、第2層を128bとして図示している。また、第1の配線124と第2の配線128は、図2(B)に示すように、互いに接して短絡しないように間に絶縁層103を介し、間隔を保って同一層上に配置されている。
絶縁層103は、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成することができる。なお、アクリル樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の、耐熱性を有する有機絶縁材料を用いると、平坦化絶縁膜として好適である。また上記有機絶縁材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層103を形成してもよい。
絶縁層103の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、スピンコート法、ディッピング法、印刷法、インクジェット法等を用いることができる。
図2(A)に示すように、第1の配線124は、第1の発光素子132a1の第1の電極層104a1と電気的に接続する。第1の発光素子132a1は、第1の電極層104a1、EL層106a1、及び第2の電極層108a1を含み、EL層106a1からの光は第2の電極層108a1を通過して外部へ放射されるため、第2の電極層108a1側が光放射面となる。よって第2の電極層108a1は少なくともEL層106a1からの光を透過する透光性を有する。
第1の電極層104a1は、仕事関数の小さい金属(代表的には周期表の1族もしくは2族に属する金属元素)や、これらを含む合金を用いることが好ましい。第1の電極層104a1として、具体的には、アルミニウムまたはアルミニウム合金を用いる。
また、第1の配線124は、第2の発光素子132a2の第1の電極層104a2と電気的に接続する。
本実施の形態では、わかりやすく説明するため、12個の発光素子を複数段の発光素子ユニットとして分類する。
第1の発光素子132a1と、第2の発光素子132a2とを初段の発光素子ユニット133a1と呼ぶ。この初段の発光素子ユニット133a1における複数の発光素子は、それぞれ並列に接続している。
電源から供給された電流は、第1の配線124から第1の電極層104a1を経てEL層106a1に順次供給される。そして、EL層106a1と電気的に接続する第2の電極層108a1は、第3の発光素子132a3の第1の電極層104a3と電気的に接続される。
第2の電極層108a1の材料としては、酸化インジウム(In)、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)、ITO、酸化インジウム酸化亜鉛(In―ZnO)またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。また、第2の電極層108a1の材料としてグラフェンを用いることができる。
また、初段の発光素子ユニット133a1に隣り合うように2段目の発光素子ユニット133a2が配置されている。
発光素子ユニット133a2は、初段の発光素子ユニット133a1の第1の発光素子132a1と直列に接続する第3の発光素子132a3を有している。
図2(A)には、複数の発光素子が直列に接続していることが図示されている。第1の発光素子132a1の第2の電極層108a1は、第3の発光素子132a3の第1の電極層104a3と電気的に接続され、さらに第1の電極層104a3は、EL層106a3に接続される。そして、EL層106a3と電気的に接続する第2の電極層108a3は、第2の配線128に電気的に接続される。
同様に発光素子ユニット133a3は、発光素子ユニット133a4と直列に電気的に接続し、最終段の発光素子ユニットである発光素子ユニット133a4の第2の電極層108a4は第2の配線128に電気的に接続される。
また、図2(A)に示すように、照明装置は、第1の電極層上に接し、且つ開口を有する絶縁層135を有し、EL層は、開口において第1の電極層と接する。この絶縁層135が、隣り合う発光素子同士の短絡を防ぐ。また、図2(B)に示すように、並列に接続され、隣り合って配置されている複数の発光素子の間にも絶縁層135が配置され、それぞれのEL層の周縁が絶縁層135上に位置する。また、図2(B)に示すように、並列に接続され、図2(A)に示すように、隣り合って配置されている複数の発光素子の間で無機絶縁膜140が絶縁層135と接する。
絶縁層135は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂材料を用い、第1の電極層上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
なお、第2の電極層108a2、108a3は、前述の第2の電極層108a1と同様の材料及び作製工程で形成することができる。
また、発光素子ユニット133a2は、初段の発光素子ユニット133a1の第2の発光素子132a2と直列に接続する第4の発光素子132a4を有している。
また、第1の電極層は線幅の異なる領域を有し、有機化合物を含む層と接する第1の領域と、第1の領域より線幅の狭い、隣り合う前段の発光素子の第2の電極層と接する第2の領域を有する。線幅の狭い第2の領域と、透光性を有する第2の電極層と接して設けることによって、電圧降下を抑制する。
図3の照明装置は、平面視して、第1の配線124と第2の配線128の間に複数の発光素子が配置している様子を示している。図3の照明装置は、第1の電極層104が第1の配線から分岐して同じ導電層で形成される場合であり、第1の配線と第1の電極層104とは同工程で形成される導電層である。
また、図3に示すように、第1の配線124は2箇所から分岐して突出し、さらにそれぞれ3カ所から分岐して突出したコンタクト部分があり、第2の配線128は1箇所から分岐して突出した部分がある。図3においてこれらの突出した2箇所の部分は櫛歯状に設けられている。
また、図3では、第1の配線124において2箇所から分岐して突出した部分はほぼ平行となっており、第2の配線128において1箇所から分岐して突出した部分ともほぼ平行となっている。第1の配線124において1箇所目から分岐して突出した部分と、第2の配線128において1箇所から分岐して突出した部分との間に初段の発光素子ユニット133a1乃至最終段の発光素子ユニット133a4が配置されている。
そして、第2の配線128の一部である1箇所から分岐して突出した部分の長さ方向は直線であり、その直線を対称軸としてレイアウトが線対称となるようにすることも本実施の形態の特徴の一つである。図1においても、直線170が対称軸に相当する。
第1の配線124において2箇所目から分岐して突出した部分と、第2の配線128において1箇所から分岐して突出した部分との間に初段の発光素子ユニット133b1乃至最終段の発光素子ユニット133b4が配置されている。
最終段の発光素子ユニット133a4と最終段の発光素子ユニット133b4の間に第2配線128の1箇所から分岐して突出した部分が配置される。このように、複数の発光素子ユニットを線対称に配置し、対称軸と長さ方向が一致する同電位の配線を共通化することでトータルの配線数を削減することができる。
なお、発光素子132の上面を覆う無機絶縁膜140を設けることが好ましい。また、発光素子132の光放射面と第1の筐体100との間にも無機絶縁体102を設ける構成としてもよい。無機絶縁膜140、無機絶縁体102は、外部からの水等の汚染物質から保護する保護層、封止膜として機能する。無機絶縁膜140、無機絶縁体102を設けることで、発光素子132の劣化を軽減し、照明装置の耐久性や寿命を向上させることができる。
無機絶縁膜140、無機絶縁体102としては窒化膜、及び窒化酸化膜の単層又は積層を用いることができる。具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウムなどを用いて、材料に合わせてCVD法、スパッタ法等により形成することができる。好ましくは、窒化珪素を用いてCVD法により形成するとよい。無機絶縁膜の膜厚は100nm以上1μm以下程度とすればよい。
また、無機絶縁膜140、無機絶縁体102として、酸化アルミニウム膜、ダイアモンドライクカーボン(DLC)膜、窒素含有炭素膜、硫化亜鉛及び酸化珪素を含む膜(ZnS・SiO膜)を用いてもよい。
また、無機絶縁体102として、膜厚の薄いガラス基板を用いることができる。例えば、30μm以上100μm以下の厚さのガラス基板を用いることができる。
無機絶縁体102としてガラス基板を用いることで、水分又は不純物等が照明装置の外部から発光素子に含まれる有機化合物や金属材料に侵入することを抑制することができる。したがって、水分又は不純物等による発光素子の劣化が抑制され、照明装置の信頼性を向上させることができる。また、曲げや折れに強い照明装置を実現するとともに、ガラス基板の膜厚が30μm以上100μm以下と薄いため、照明装置の軽量化を図ることができる。
第1の筐体100に用いる部材の具体例としては、プラスチック(有機樹脂)、ガラス、または石英などを用いることができる。プラスチックとしては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等からなる部材が挙げられる。なお、第1の筐体100として、プラスチックを用いると、照明装置の軽量化を実現することができるため好ましい。また、第1の筐体100として、プラスチックを用いると、落下などの衝撃に耐えることができる。
また、図1乃至4の構成は、フォトリソグラフィ工程によって、第1の配線、第2の配線、第1の電極層を形成することができる。また、EL層は蒸着マスクを用い、第2の電極層のパターン形成も蒸着マスクを用いる。
第1の筐体100として720mm×600mm、750mm×620mm等の大面積を有するガラス基板などを用いる場合、図5に示すようなレイアウトとすることもできる。図5は、大面積を有するガラス基板に図3に示した構成を効率よく複数の発光素子を配置した一例である。
ブロックAは、複数箇所で分岐した第1の配線124Aと、第2の配線128Aと、それらの間に複数段の発光ユニットが配置されている。
ブロックBは、複数箇所で分岐した第1の配線124Bと、第2の配線128Bと、それらの間に複数段の発光ユニットが配置されている。
ブロックCは、複数箇所で分岐した第1の配線124Cと、第2の配線128Cと、それらの間に複数段の発光ユニットが配置されている。
勿論、ブロックA、ブロックB、及びブロックCは同一のパターンである。また、図5ではコンバータを図示しており、それぞれブロックAには第1のコンバータ160A、ブロックBには第2のコンバータ160B、ブロックCには第3のコンバータ160Cが設けられ、1つの大きな照明装置を構成している。なお、図5の構成は一例であり、ブロックの数は図5の構成に限られない。例えば、ブロックを5つとしてもよい。
図1乃至4の構成は、フォトリソグラフィ工程を用いるため、フォトマスクを用い、露光を行う。例えばガラス基板として720mm×600mmのものを用い、1ショットが310mm×560mmの露光装置を用いる場合、効率よく露光を行うため、図5に示すように1ショット目でブロックA、2ショット目でブロックB、3ショット目でブロックCというように3ショットの露光を行うことが好ましい。なお、光学調整により露光装置の1ショットのサイズは可変であることは言うまでもなく、1ショットの露光領域が重ならないように露光位置を調節する。
なお、本実施の形態で示す照明装置において、発光素子132は筐体内に配置する構成としてもよい。この場合、発光素子132を封入する筐体は、複数の筐体を接着して組み合わせた構成であってもよい。例えば、第1の筐体100と対向して発光素子132を内包するように別の筐体を設けて、発光素子132を封入することができる。第1の筐体100と対向して設けられる第2の筐体は透光性を有する必要があり、第1の筐体100と同様な材料を用いることができる。
また、図7に示すように発光素子132の下面には、第1の筐体100の外側に金属板111を設けてもよい。また、金属板111は第1の筐体100の代わりに用いてもよい。金属板111の厚さに特に限定はないが、例えば、10μm以上200μm以下のものを用いると、照明装置の軽量化が図れるため好ましい。また、金属板111を構成する材料としては特に限定はないが、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属、または、アルミニウム合金若しくはステンレスなどの金属の合金などを好ましく用いることができる。
金属板111と第1の筐体100とは、接着層によって接着して設けることができる。接着層としては、可視光硬化性、紫外線硬化性、または熱硬化性の接着剤を用いることができる。これらの接着剤の材質としては、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。接着層に乾燥剤となる吸水物質を含ませてもよい。
金属板111は透水性が低いため、該金属板111と第1の筐体100とで発光素子132を封止することで、発光素子132への水分の侵入を抑制することが可能である。よって、金属板111を設けることで、水分に起因する劣化の抑制された信頼性の高い照明装置とすることが可能である。
金属板111の代わりに無機絶縁膜や、ガラス基板、石英基板などを用いてもよい。
発光素子132が設けられている空間に乾燥剤となる吸水物質を設けてもよい。吸水物質は粉状など固体の状態で配置してもよいし、スパッタ法などの成膜法によって吸水物質を含む膜の状態で発光素子132上に設けられてもよい。
発光素子132の放射面の形状は、四角形のような多角形のほか、円形であってもよく、該放射面を覆う筐体の形状も該放射面の形状に対応させればよい。
また、発光色の異なる複数の発光素子を設け、それぞれを外部電源に接続して電流、電圧値を制御することによって、照明装置からの発光色を調節し、演色性を高めることができる。
図6(A)及び(B)はコンバータを内蔵する照明装置の断面図の例である。なお、コンバータとは、入力された電力を照明装置の仕様に適した定電流に変換して照明装置へ入力する定電流電源、又は照明装置の仕様に適した定電圧に変換し照明装置へ入力する定電圧電源として機能するコンバータ回路を指す。
図6(A)に示す照明装置は、端子電極164によってコンバータ160と接続される。端子電極164は、第1の配線124及び第2の配線128と同じ工程で作製することが可能である。また、図6(A)に示す照明装置は、第1の筐体100と、第2の筐体168と、シール材162とによって発光素子132が封止されている。第1の筐体100と対向する第2の筐体168には、第1の筐体100と同様の材料のうち、透光性を有する基板を用いることができる。
発光素子132に含まれる第1の電極層104及び第2の電極層108は、コンバータ160と電気的に接続し、発光素子132にはコンバータ160によって照明装置の仕様に適用された電流が入力される。発光素子内に両端から分散されて電流が入力されているため、輝度ムラが低減し、発光素子の一部に負荷が集中することが抑制される。
なお、コンバータ160を接続するための配線は、照明装置の光取り出し効率を低下させないように、照明装置の非発光領域と重畳させることが望ましい。なお、図6(B)に示すようにコンバータ160は、シール材162で封止された領域から突出させて設けることも可能である。または、コンバータ160を第1の筐体100上に配置せずに外付けとしてもよい。
また、図6(B)に示すように、無機絶縁膜140と第2の筐体168との間の領域を、樹脂134によって、封止することもできる。樹脂134としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等を用いることができる。無機絶縁膜140と第2の筐体168との間の領域を、樹脂134によって、封止すると、第2の筐体168上に物体を積載させた場合に物体の重量に耐える構造とすることができる。
図6において、コンバータ160はDC/DCコンバータであり、プリント基板(図示しない)を有する。プリント基板を用いると、プリント基板と端子電極との接続面における絶縁性が保証されるので、端子電極上に配置する際の位置合わせが容易に行える。また、プリント基板には、可撓性を有するフレキシブルプリント基板(FPC)や、一部に可撓性を有するセミフレキシブルプリント基板を用いてもよい。可撓性を有するプリント基板を用いることで、可撓性を有する照明装置や曲面を有した照明装置にコンバータを内蔵させることができる。
なお、端子電極上にコンバータ160を設ける際に照明装置の厚みが増すことを防ぐため、コンバータ160が備える回路素子を、絶縁層103に埋め込むように形成しても良い。
上記したように照明装置にコンバータを内蔵する構成とすることで、入力される電圧が変化しても、素子に適した安定な電流を供給する機能を有しているため、発光素子に過電流が流れてしまう不具合を防止できる。また、外部にコンバータを設けなくとも利用することのできる照明装置を提供できるため、照明装置の利用の幅が広がる。さらに、非発光領域上にコンバータや接続配線を設けることで、発光領域の面積の縮小を抑制することができるため、照度の高い照明装置を提供することができる。
なお、本実施の形態で示す照明装置に含むコンバータはDC/DCコンバータに限らず、交流電圧を直流電圧に変換するAC/DCコンバータでもよい。AC/DCコンバータを用いると、交流電源をそのまま印加して使用することができる。また、本実施の形態の照明装置は、1つのコンバータに電気的に接続される発光素子の数は、本実施の形態の記載の構成に限られない。
また、図11(A)(B)に示すように、第1の配線124(124a、124b)、及び第2の配線128(128a、128b)は第1の筐体100に設けられた凹部に埋め込まれるように配置してもよい。
第1の筐体100の凹部は、型となる支持体を用いて凹凸を有する形状になるように有機樹脂を加工して形成してもよいし、エッチングにより形成してもよい。
凹部を有する第1の筐体100上に無機絶縁体102を設ける場合は、凹部を有する第1の筐体100上に無機絶縁体102として、第1の筐体100の凹部を埋めるように無機絶縁体102上に第1の配線124(124a、124b)を形成すればよい。
照明装置には、光放射面側に光学フィルムを設けてもよい。例えば光放射面を覆う領域の発光素子132と反対側に拡散フィルムを設けてもよい。また、取り出し効率を高めるため、光放射面側に発光素子と重なるレンズアレイを設けてもよい。
本発明の一形態によれば、複数の発光素子ユニットを任意の段数で直列及び直並列に接続して照明装置を構成できるので、当該照明装置を大型化することができる。例えば、液晶パネルのマザーガラス基板のサイズに換算すれば、G5.5(1100mm×1300mm)乃至G11(3000mm×3300mm)に相当する大面積基板の一面を発光領域とする照明装置を実現することも可能となる。
また、本実施の形態で示す照明装置は、薄型、且つ、軽量とすることができる。
また、第1の筐体100や第2の筐体168としてプラスチックを用いる場合は、落下などの衝撃に耐えることのできる照明装置を実現することができる。
本実施の形態で示す照明装置は、効率よく複数の発光素子を発光させる、またはトータルの発光面積を増大させることができる。
(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様である照明装置に用いる有機EL発光を呈する発光素子の素子構造の一例について説明する。有機EL発光を呈する発光素子は、LEDと比較して発熱が小さい。したがって、筐体として有機樹脂を用いることができるため、照明装置として軽量化が可能となり、好ましい。
図8(A)に示す発光素子は、第1の電極層104と、第1の電極層104上にEL層106と、EL層106上に、第2の電極層108を有する。
EL層106は、少なくとも発光性の有機化合物を含む発光層が含まれていれば良い。そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質)を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。本実施の形態において、EL層106は、第1の電極層104側から、電子注入層705、電子輸送層704、発光層703、正孔輸送層702、及び正孔注入層701の順で積層されている。
図8(A)に示す発光素子の作製方法について説明する。
まず、第1の電極層104を形成する。第1の電極層104は、光の取り出し方向と反対側に設けられ、反射性を有する材料を用いて形成される。反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用いることができる。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金(アルミニウム合金)や銀と銅の合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、又は金属酸化物膜を積層することでアルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。上述の材料は、地殻における存在量が多く安価であるため、発光素子の作製コストを低減することができ、好ましい。
次に、第1の電極層104上に、EL層106を形成する。本実施の形態において、EL層106は、電子注入層705、電子輸送層704、発光層703、正孔輸送層702、及び正孔注入層701を有する。
電子注入層705は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層705には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層704を構成する物質を用いることもできる。
電子輸送層704は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)など、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX))、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ))などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)や、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10−6cm/Vs以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
発光層703は、発光性の有機化合物を含む層である。発光性の有機化合物としては、例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。赤(R)緑(G)青(B)のすべての発光に燐光性化合物を用いると、高い発光効率を得ることができる。
発光層703に用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、N,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニルスチルベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S)、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:YGAPA)、4−(10−フェニル−9−アントリル)−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBAPA)などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCABPhA)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPABPhA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)]−N−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアントラセン−2−アミン(略称:2YGABPhA)、N,N,9−トリフェニルアントラセン−9−アミン(略称:DPhAPhA)などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、5,12−ビス(1,1’−ビフェニル−4−イル)−6,11−ジフェニルテトラセン(略称:BPT)などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)テトラセン−5,11−ジアミン(略称:p−mPhTD)、7,14−ジフェニル−N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)アセナフト[1,2−a]フルオランテン−3,10−ジアミン(略称:p−mPhAFD)などが挙げられる。
また、発光層703に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)テトラキス(1−ピラゾリル)ボラート(略称:FIr6)、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)、ビス{2−[3’,5’−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ピリジナト−N,C2’}イリジウム(III)ピコリナート(略称:Ir(CFppy)(pic))、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIr(acac))などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir(ppy))、ビス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(ppy)(acac))、ビス(1,2−ジフェニル−1H−ベンゾイミダゾラト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(pbi)(acac))、ビス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(bzq)(acac))、トリス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)(略称:Ir(bzq))などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス(2,4−ジフェニル−1,3−オキサゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(dpo)(acac))、ビス[2−(4’−パーフルオロフェニルフェニル)ピリジナト]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(p−PF−ph)(acac))、ビス(2−フェニルベンゾチアゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(bt)(acac))、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)−5−メチルピラジナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdppr−Me)(acac))、(アセチルアセトナト)ビス{2−(4−メトキシフェニル)−3,5−ジメチルピラジナト}イリジウム(III)(略称:Ir(dmmoppr)(acac))などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス(2−フェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir(pq))、ビス(2−フェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(pq)(acac))、(アセチルアセトナト)ビス(3,5−ジメチル−2−フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppr−Me)(acac))、(アセチルアセトナト)ビス(5−イソプロピル−3−メチル−2−フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppr−iPr)(acac))などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジナト−N,C3’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(btp)(acac))、ビス(1−フェニルイソキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(piq)(acac))、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)(acac))、(アセチルアセトナト)ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(tppr)(acac))、(ジピバロイルメタナト)ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(tppr)(dpm))、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィリン白金(II)(略称:PtOEP)等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェナントロリン)テルビウム(III)(略称:Tb(acac)(Phen))、トリス(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(DBM)(Phen))、トリス[1−(2−テノイル)−3,3,3−トリフルオロアセトナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(TTA)(Phen))等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光(異なる多重度間の電子遷移)であるため、燐光性化合物として用いることができる。
なお、発光層703としては、上述した発光性の有機化合物(ゲスト材料)を他の物質(ホスト材料)に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位(LUMO準位)が高く、最高被占有軌道準位(HOMO準位)が低い物質を用いることが好ましい。
ホスト材料としては、具体的には、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Almq)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(II)(略称:BeBq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(III)(略称:BAlq)、ビス(8−キノリノラト)亜鉛(II)(略称:Znq)、ビス[2−(2−ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnPBO)、ビス[2−(2−ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnBTZ)などの金属錯体、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、2,2’,2’’−(1,3,5−ベンゼントリイル)トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール)(略称:TPBI)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)などの複素環化合物や、9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、3,6−ジフェニル−9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:DPCzPA)、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、9,9’−ビアントリル(略称:BANT)、9,9’−(スチルベン−3,3’−ジイル)ジフェナントレン(略称:DPNS)、9,9’−(スチルベン−4,4’−ジイル)ジフェナントレン(略称:DPNS2)、3,3’,3’’−(ベンゼン−1,3,5−トリイル)トリピレン(略称:TPB3)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、6,12−ジメトキシ−5,11−ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物、N,N−ジフェニル−9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:CzA1PA)、4−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:DPhPA)、N,9−ジフェニル−N−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCAPA)、N,9−ジフェニル−N−{4−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]フェニル}−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCAPBA)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、NPB(またはα−NPD)、TPD、DFLDPBi、BSPBなどの芳香族アミン化合物などを用いることができる。
また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより効率良く行うためにNPB、あるいはAlq等をさらに添加してもよい。
ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層703の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
また、発光層703として高分子化合物を用いることができる。具体的には、青色系の発光材料として、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)(略称:PFO)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(2,5−ジメトキシベンゼン−1,4−ジイル)](略称:PF−DMOP)、ポリ{(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−[N,N’−ジ−(p−ブチルフェニル)−1,4−ジアミノベンゼン]}(略称:TAB−PFH)などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、ポリ(p−フェニレンビニレン)(略称:PPV)、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−alt−co−(ベンゾ[2,1,3]チアジアゾール−4,7−ジイル)](略称:PFBT)、ポリ[(9,9−ジオクチル−2,7−ジビニレンフルオレニレン)−alt−co−(2−メトキシ−5−(2−エチルヘキシロキシ)−1,4−フェニレン)]などが挙げられる。また、橙色〜赤色系の発光材料として、ポリ[2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキソキシ)−1,4−フェニレンビニレン](略称:MEH−PPV)、ポリ(3−ブチルチオフェン−2,5−ジイル)(略称:R4−PAT)、ポリ{[9,9−ジヘキシル−2,7−ビス(1−シアノビニレン)フルオレニレン]−alt−co−[2,5−ビス(N,N’−ジフェニルアミノ)−1,4−フェニレン]}、ポリ{[2−メトキシ−5−(2−エチルヘキシロキシ)−1,4−ビス(1−シアノビニレンフェニレン)]−alt−co−[2,5−ビス(N,N’−ジフェニルアミノ)−1,4−フェニレン]}(略称:CN−PPV−DPD)などが挙げられる。
なお、発光層を2層以上の積層構造としても良い。発光層を2層以上の積層構造とし、各々の発光層に用いる発光物質の種類を変えることにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得ることもできる。特に、高輝度が必要とされる照明用途には、発光層を積層させた構造が好適である。
正孔輸送層702は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、NPB、TPD、BPAFLP、4,4’−ビス[N−(9,9−ジメチルフルオレン−2−イル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DFLDPBi)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)等の芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
また、正孔輸送層702には、CBP、CzPA、PCzPAのようなカルバゾール誘導体や、t−BuDNA、DNA、DPAnthのようなアントラセン誘導体を用いても良い。
また、正孔輸送層702には、PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly−TPDなどの高分子化合物を用いることもできる。
正孔注入層701は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン(略称:HPc)、銅(II)フタロシアニン(略称:CuPc)等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
また、低分子の有機化合物である4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、4,4’−ビス(N−{4−[N’−(3−メチルフェニル)−N’−フェニルアミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)ビフェニル(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ベンゼン(略称:DPA3B)、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。
さらに、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)を用いることもできる。例えば、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−[4−(4−ジフェニルアミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)、ポリアニリン/ポリ(スチレンスルホン酸)(PAni/PSS)等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
特に、正孔注入層701として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることにより、第2の電極層108からの正孔注入性を良好にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料を用いて正孔注入層701を形成することにより、第2の電極層108からEL層106への正孔注入が容易となる。
複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。
複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、TDATA、MTDATA、DPAB、DNTPD、DPA3B、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN1、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB又はα−NPD)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:TPD)、4−フェニル−4’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)等の芳香族アミン化合物や、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、9−フェニル−3−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:PCzPA)、1,4−ビス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]−2,3,5,6−テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体を用いることができる。
また、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、2−tert−ブチル−9,10−ビス(4−フェニルフェニル)アントラセン(略称:t−BuDBA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、2−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuAnth)、9,10−ビス(4−メチル−1−ナフチル)アントラセン(略称:DMNA)、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]−2−tert−ブチルアントラセン、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。
さらに、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、9,9’−ビアントリル、10,10’−ジフェニル−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブチル)ペリレン、ペンタセン、コロネン、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル(略称:DPVBi)、9,10−ビス[4−(2,2−ジフェニルビニル)フェニル]アントラセン(略称:DPVPA)等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。
また、電子受容体としては、7,7,8,8−テトラシアノ−2,3,5,6−テトラフルオロキノジメタン(略称:F−TCNQ)、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
なお、上述したPVK、PVTPA、PTPDMA、Poly−TPD等の高分子化合物と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層701に用いてもよい。
なお、上述した電子注入層705、電子輸送層704、発光層703、正孔輸送層702、及び正孔注入層701は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む)、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
EL層は、図8(B1)(B2)に示すように、第1の電極層104と第2の電極層108との間に複数積層されていても良い。図8(B1)は第1の電極層104と第2の電極層108との間に、第1EL層800と第2EL層801とを間に電荷発生層803を設けて積層し、EL層を2層有する例であり、図8(B2)は第1の電極層104と第2の電極層108との間に第1EL層800と、第2EL層801と、第3EL層802とを間に電荷発生層803a、803bとを設けて積層し、EL層を3層有する例である。
EL層を積層する場合、積層されたEL層(第1EL層800、第2EL層801、第3EL層802)の間には、電荷発生層(電荷発生層803、803a、803b)を設けることが好ましい。電荷発生層803、803a、803bは上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層803、803a、803bは複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のEL層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のEL層の構造と組み合わせて用いることができる。
図8(B1)(B2)に示すように積層されるEL層の間に電荷発生層を配置すると、電流密度を低く保ったまま、高輝度でありながら長寿命な素子とできる。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。
また、EL層が2層積層された構成を有する積層型素子の場合において、第1EL層から得られる発光の発光色と第2EL層から得られる発光の発光色を補色の関係にすることによって、白色発光を外部に取り出すことができる。なお、第1EL層および第2EL層のそれぞれが補色の関係にある複数の発光層を有する構成としても、白色発光が得られる。補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色などが挙げられる。青色、黄色、青緑色、赤色に発光する物質としては、例えば、先に列挙した発光物質の中から適宜選択すればよい。
以下に、複数のEL層が積層する構成を有する発光素子の一例を示す。まず第1EL層および第2EL層のそれぞれが補色の関係にある複数の発光層を有し、白色発光が得られる構成の一例を示す。
例えば、第1EL層は、青色〜青緑色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第1発光層と、黄色〜橙色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第2発光層とを有し、第2EL層は、青緑色〜緑色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第3発光層と、橙色〜赤色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第4発光層とを有するものとする。
この場合、第1EL層からの発光は、第1発光層および第2発光層の両方からの発光を合わせたものであるので、青色〜青緑色の波長領域および黄色〜橙色の波長領域の両方にピークを有する発光スペクトルを示す。すなわち、第1EL層は2波長型の白色または白色に近い色の発光を呈する。
また、第2EL層からの発光は、第3発光層および第4発光層の両方からの発光を合わせたものであるので、青緑色〜緑色の波長領域および橙色〜赤色の波長領域の両方にピークを有する発光スペクトルを示す。すなわち、第2EL層は、第1EL層とは異なる2波長型の白色または白色に近い色の発光を呈する。
したがって、第1EL層からの発光および第2EL層からの発光を重ね合わせることにより、青色〜青緑色の波長領域、青緑色〜緑色の波長領域、黄色〜橙色の波長領域、橙色〜赤色の波長領域をカバーする白色発光を得ることができる。
また、黄色〜橙色の波長領域(560nm以上580nm未満)は、視感度の高い波長領域であるため、発光スペクトルのピークが黄色〜橙色の波長領域にある発光層を有するEL層を発光層に適用することは有用である。例えば、発光スペクトルのピークが青色の波長領域にある発光層を有する第1EL層と、発光スペクトルのピークが黄色の波長領域にある発光層を有する第2EL層と、発光スペクトルのピークが赤色の波長領域にある発光層を有する第3EL層と、を積層させた構成を適用することができる。
また、黄色〜橙色を呈するEL層を2層以上積層する構成としてもよい。黄色〜橙色を呈するEL層を2層以上積層することによって発光素子の電力効率をより向上させることができる。
例えば、図8(B2)のようにEL層を3層積層させた発光素子を構成する場合において、発光スペクトルのピークが青色の波長領域(400nm以上480nm未満)にある発光層を有する第1EL層に、発光スペクトルのピークが黄色〜橙色の波長領域にある発光層をそれぞれ有する第2、第3EL層を積層する構成を適用することができる。なお、第2EL層及び第3EL層からの発光スペクトルのピークの波長は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。
EL層をより多層に積層すると発光素子の電力効率が向上するが、それに伴い作製工程が煩雑化してしまうという問題がある。従って特に図8(B2)のように、EL層を3層積層する構成であると、2層の場合と比べて電力効率が高く、4層以上とする場合比べて簡略な工程で作製することができるため好ましい。
発光スペクトルのピークが黄色〜橙色の波長領域にあるEL層を用いることにより、視感度の高い波長領域を利用することができ、電力効率を高めることができる。これによって、発光素子全体の電力効率を高めることができる。このような構成は、例えば緑色の発光色を呈するEL層と赤色の発光色を呈するEL層とを積層して黄色〜橙色の発光を呈する発光素子を得る場合と比較して視感度の観点で有利であり、電力効率を高められる。また、黄色〜橙色の波長領域にある視感度の高い波長領域を利用したEL層が1層のみの場合と比較して、視感度の低い青色の波長領域の発光強度が相対的に小さくなるため、発光色は電球色(あるいは温白色)に近づき、かつ電力効率が向上する。
つまり、上記において、黄色〜橙色の波長領域にピークを有し、かつ、ピークの波長が560nm以上580nm未満にある光と、青色の波長領域にピークを有する光と、を合成した光の色(つまり、発光素子から発光される光の色)とを合わせることで、温白色や電球色のような自然な光の色を実現することができる。特に電球色を実現が容易である。
黄色〜橙色の波長領域にピークを有する発光性の物質として、例えばピラジン誘導体を配位子とする有機金属錯体を用いることができる。また、発光性の物質(ゲスト材料)を他の物質(ホスト材料)に分散させることにより、発光層を構成することもできる。上記黄色〜橙色の波長領域にピークを有する発光性の物質として、燐光性化合物を用いることができる。燐光性化合物を用いることにより、蛍光性化合物を用いた場合と比べて電力効率を3〜4倍高めることができる。上述したピラジン誘導体を配位子とする有機金属錯体は燐光性化合物であり、発光効率が高い上に、黄色〜橙色の波長領域の発光を得やすく、好適である。
また、青色の波長領域にピークを有する発光性の物質として、例えばピレンジアミン誘導体を用いることができる。上記青色の波長領域にピークを有する発光性の物質として、蛍光性化合物を用いることができる。蛍光性化合物を用いることにより、燐光性化合物を用いた場合と比べて長寿命の発光素子を得ることができる。上述したピレンジアミン誘導体は蛍光性化合物であり、極めて高い量子収率が得られる上に、長寿命であるため、好適である。
EL層は、図8(C)に示すように、第1の電極層104と第2の電極層108との間に、複合材料層708、電子リレー層707、電子注入バッファー層706、電子注入層705、電子輸送層704、発光層703、正孔輸送層702、及び正孔注入層701を有していても良い。
複合材料層708は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。
さらに、電子注入バッファー層706を設けることで、複合材料層708と電子輸送層704との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層708で生じた電子を電子輸送層704に容易に注入することができる。
電子注入バッファー層706には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物(アルカリ金属化合物(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、または希土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
また、電子注入バッファー層706が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、0.001以上0.1以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物(アルカリ金属化合物(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、または希土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))の他、テトラチアナフタセン(略称:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層704の材料と同様の材料を用いて形成することができる。
さらに、電子注入バッファー層706と複合材料層708との間に、電子リレー層707を形成することが好ましい。電子リレー層707は、必ずしも設ける必要は無いが、電子輸送性の高い電子リレー層707を設けることで、電子注入バッファー層706へ電子を速やかに送ることが可能となる。
複合材料層708と電子注入バッファー層706との間に電子リレー層707が挟まれた構造は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層706に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造である。したがって、駆動電圧の上昇を防ぐことができる。
電子リレー層707は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のLUMO準位は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるように形成する。また、電子リレー層707がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準位も複合材料層708におけるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるようにする。具体的なエネルギー準位の数値としては、電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位は−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下とするとよい。
電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
電子リレー層707に含まれるフタロシアニン系材料としては、具体的にはCuPc、SnPc(Phthalocyanine tin(II) complex)、ZnPc(Phthalocyanine zinc complex)、CoPc(Cobalt(II)phthalocyanine, β−form)、FePc(Phthalocyanine Iron)及びPhO−VOPc(Vanadyl 2,9,16,23−tetraphenoxy−29H,31H−phthalocyanine)のいずれかを用いることが好ましい。
電子リレー層707に含まれる金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結合はアクセプター性(電子を受容しやすい性質)を有するため、電子の移動(授受)がより容易になる。また、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる。したがって、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低電圧でより安定に駆動することが可能になる。
金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好ましい。具体的には、VOPc(Vanadyl phthalocyanine)、SnOPc(Phthalocyanine tin(IV) oxide complex)及びTiOPc(Phthalocyanine titanium oxide complex)のいずれかは、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすく、アクセプター性が高いため好ましい。
なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。具体的にはPhO−VOPcのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。
電子リレー層707はさらにドナー性物質を含んでいても良い。ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物(アルカリ金属化合物(酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、又は希土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))の他、テトラチアナフタセン(略称:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いることができる。電子リレー層707にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。
電子リレー層707にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記した材料の他、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より高いLUMO準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては、−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下の範囲にLUMO準位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定であるため、電子リレー層707を形成する為に用いる材料として、好ましい材料である。
ペリレン誘導体の具体例としては、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物(略称:PTCDA)、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボキシリックビスベンゾイミダゾール(略称:PTCBI)、N,N’−ジオクチル−3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:PTCDI−C8H)、N,N’−ジヘキシル−3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:Hex PTC)等が挙げられる。
また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ[2,3−f][1,10]フェナントロリン−2,3−ジカルボニトリル(略称:PPDN)、2,3,6,7,10,11−ヘキサシアノ−1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン(略称:HAT(CN))、2,3−ジフェニルピリド[2,3−b]ピラジン(略称:2PYPR)、2,3−ビス(4−フルオロフェニル)ピリド[2,3−b]ピラジン(略称:F2PYPR)等が挙げられる。
その他にも、7,7,8,8,−テトラシアノキノジメタン(略称:TCNQ)、1,4,5,8,−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(略称:NTCDA)、パーフルオロペンタセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン(略称:F16CuPc)、N,N’−ビス(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−ペンタデカフルオロオクチル)−1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:NTCDI−C8F)、3’,4’−ジブチル−5,5’’−ビス(ジシアノメチレン)−5,5’’−ジヒドロ−2,2’:5’,2’’−テルチオフェン)(略称:DCMT)、メタノフラーレン(例えば、[6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル等を用いることができる。
なお、電子リレー層707にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層707を形成すれば良い。
正孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、及び電子輸送層704は前述の材料を用いてそれぞれ形成すれば良い。
そして、EL層106上に、第2の電極層108を形成する。
第2の電極層108は、EL層から見て、光の取り出し方向に設けられるため、透光性を有する材料を用いて形成する。
透光性を有する材料としては、酸化インジウム、ITO、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、グラフェンなどを用いることができる。
また、第1の電極層104として、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料を用いることができる。または、それら金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等を用いてもよい。なお、金属材料(又はその窒化物)を用いる場合、透光性を有する程度に薄くすればよい。
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
(実施の形態3)
本実施の形態では、照明装置の応用例を示す。
図9は、本発明の一態様である照明装置を室内の照明装置として用いた一例を示している。本発明の一態様である照明装置は、天井用照明装置8202としてのみならず、壁用照明装置8204、床用照明装置8205としても用いることが可能である。床用照明装置8205として用いる場合には、床用照明装置8205の第2の筐体上に人や物体が積載されることになるため、積載される人や物体の重量に耐えることができる基板及び封止構造を用いる。床用照明装置8205の第2の筐体として、割れやすいガラス基板を用いる場合には、その上に透光性を有し、且つ、積載される人や物体の重量に耐えうる厚いプラスチック板を設けて保護してもよい。さらに、本発明の一態様の照明装置は薄型化及び大型化が可能であるため、照明装置8203のように、壁面そのものを光源として室内の照明を行うことも可能である。
本発明の一態様である照明装置は、面光源の光源を有するため、点光源の光源を用いた場合に比べ、光反射板等の部材を削減することができ、または熱の発生が白熱電球に比べて小さい点等、室内の照明装置として好ましい。また、照明装置全体の厚さが薄く、軽量なため、様々な箇所に設置可能である。
また、本発明の一態様である照明装置を、避難口誘導灯の照明装置として適用した例について図10に示す。
図10は、避難口誘導灯の外観の一例について示した図である。避難口誘導灯8232は、照明装置と、蛍光部が設けられた蛍光板とを組み合わせて構成することができる。また、特定の色を発光する照明装置と、図面のような形状の透過部が設けられた遮光板とを組み合わせて構成することもできる。本発明の一態様である照明装置は、一定の輝度で点灯することができるため、常時点灯が求められる避難口誘導灯として好ましい。
本発明の一態様の照明装置は、薄型化、軽量化、及び大面積化が可能であり、且つ、信頼性の高い照明装置を提供することが可能となる。
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
100 第1の筐体
102 無機絶縁体
103 絶縁層
104 電極層
106 EL層
108 電極層
111 金属板
124 配線
124A 配線
124B 配線
124C 配線
128 配線
128A 配線
128B 配線
128C 配線
132 発光素子
133 発光素子ユニット
134 樹脂
135 絶縁層
140 無機絶縁膜
160 コンバータ
160A コンバータ
160B コンバータ
160C コンバータ
162 シール材
164 端子電極
168 第2の筐体
170 直線
235 無機絶縁膜
241 筐体
241a 筐体
241b 筐体
242 筐体
701 正孔注入層
702 正孔輸送層
703 発光層
704 電子輸送層
705 電子注入層
706 電子注入バッファー層
707 電子リレー層
708 複合材料層
800 EL層
801 EL層
802 EL層
803 電荷発生層
803a 電荷発生層
803b 電荷発生層
8202 天井用照明装置
8203 照明装置
8204 壁用照明装置
8205 床用照明装置
8232 避難口誘導灯

Claims (8)

  1. 複数段の発光素子ユニットと、
    前記複数段の発光素子ユニットの初段の発光素子ユニットと接する第1の配線と、
    前記複数段の発光素子ユニットの最終段の発光素子ユニットと接する第2の配線と、を有し、
    前記初段の発光素子ユニットは、並列に接続された第1の発光素子及び第2の発光素子を有し、
    前記初段の発光素子ユニットに隣り合う発光素子ユニットは、並列に接続された第3の発光素子及び第4の発光素子を有し、
    前記第1の発光素子、前記第2の発光素子、前記第3の発光素子、及び前記第4の発光素子はそれぞれ、第1の電極層と、有機化合物を含む層と、第2の電極層と、を有し、
    前記第1の電極層は、遮光性を有し、
    前記有機化合物を含む層は、前記第1の電極層と接し、
    前記第2の電極層は、前記有機化合物を含む層と接し、透光性を有し、
    前記第3の発光素子の前記第1の電極層は、前記有機化合物を含む層と接する第1の領域と、前記第1の領域より線幅く、前記第1の発光素子の前記第1の電極層を囲むように設けられた第2の領域と、を有し、
    前記第4の発光素子の前記第1の電極層は、前記有機化合物を含む層と接する第1の領域と、前記第1の領域より線幅が狭く、前記第2の発光素子の前記第1の電極層を囲むように設けられた第2の領域と、を有し、
    前記第1の発光素子の前記第2の電極層と、前記第3の発光素子の前記第1の電極層の第2の領域とが接することによって、前記第1の発光素子と前記第3の発光素子は直列に接続し、
    前記第2の発光素子の前記第2の電極層と、前記第4の発光素子の前記第1の電極層の前記第2の領域とが接することによって、前記第2の発光素子と前記第4の発光素子は直列に接続し、
    前記初段の発光素子ユニットに含まれる発光素子のそれぞれの前記第1の電極層は、前記第1の配線から分岐された領域であり、
    前記最終段の発光素子ユニットに含まれる発光素子のそれぞれの前記第2の電極層は、前記第2の配線と接することを特徴とする照明装置。
  2. 複数段の発光素子ユニットと、
    前記複数段の発光素子ユニットの下に平坦化絶縁膜を介して重なって設けられる第1の配線及び第2の配線と、を有し、
    前記複数段の発光素子ユニットの初段の発光素子ユニットと前記第1の配線とは前記平坦化絶縁膜に設けられた第1の開口において電気的に接続され、
    前記複数段の発光素子ユニットの最終段の発光素子ユニットと前記第2の配線とは前記平坦化絶縁膜に設けられた第2の開口において電気的に接続され、
    前記初段の発光素子ユニットは、並列に接続された第1の発光素子及び第2の発光素子を有し、
    前記初段の発光素子ユニットに隣り合う発光素子ユニットは、並列に接続された第3の発光素子及び第4の発光素子を有し、
    前記第1の発光素子、前記第2の発光素子、前記第3の発光素子、及び前記第4の発光素子はそれぞれ、第1の電極層と、有機化合物を含む層と、第2の電極層と、を有し、
    前記第1の電極層は、遮光性を有し、
    前記有機化合物を含む層は、前記第1の電極層と接し、
    前記第2の電極層は、前記有機化合物を含む層と接し、透光性を有し、
    前記第3の発光素子の前記第1の電極層は、前記有機化合物を含む層と接する第1の領域と、前記第1の領域より線幅く、前記第1の発光素子の前記第1の電極層を囲むように設けられた第2の領域と、を有し、
    前記第4の発光素子の前記第1の電極層は、前記有機化合物を含む層と接する第1の領域と、前記第1の領域より線幅が狭く、前記第2の発光素子の前記第1の電極層を囲むように設けられた第2の領域と、を有し、
    前記第1の発光素子の前記第2の電極層と、前記第3の発光素子の前記第1の電極層の前記第2の領域とが接することによって、前記第1の発光素子と前記第3の発光素子は直列に接続し、
    前記第2の発光素子の前記第2の電極層と、前記第4の発光素子の前記第1の電極層の前記第2の領域とが接することによって、前記第2の発光素子と前記第4の発光素子は直列に接続し、
    前記初段の発光素子ユニットに含まれる発光素子のそれぞれの前記第1の電極層は、前記第1の配線と接続し、
    前記最終段の発光素子ユニットに含まれる発光素子のそれぞれの前記第2の電極層は、前記第2の配線と接続することを特徴とする照明装置。
  3. 請求項2において、
    前記複数段の発光素子ユニットは絶縁表面を有する基板上に設けられ、
    前記絶縁表面を有する基板は、凹部を有し、平面視して前記凹部に前記第1の配線及び前記第2の配線が配置されることを特徴とする照明装置。
  4. 請求項1乃至3のいずれか一項において、
    前記第1の配線及び前記第2の配線の膜厚は、3μm以上30μm以下であることを特徴とする照明装置。
  5. 請求項1乃至4のいずれか一項において、
    前記第1の配線、前記第2の配線、及び第1の電極層は、銅を含む導電層を有することを特徴とする照明装置。
  6. 請求項1乃至5のいずれか一項において、
    前記第1乃至第4の発光素子のそれぞれは、前記第1の電極層上に接し、且つ開口を有する絶縁層を有し、
    前記有機化合物を含む層は、前記開口において前記第1の電極層と接することを特徴とする照明装置。
  7. 請求項1乃至のいずれか一項において、
    前記第1の発光素子、前記第2の発光素子、前記第3の発光素子、及び前記第4の発光素子の発光は、前記第2の電極層を透過して取り出されることを特徴とする照明装置。
  8. 請求項1乃至のいずれか一項において、
    前記有機化合物を含む層は、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を含む層を有し、
    前記複合材料を含む層は、前記第1の電極層と接することを特徴とする照明装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8552440B2 (en) 2010-12-24 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
KR102015971B1 (ko) 2010-12-28 2019-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 유닛, 발광 장치, 조명 장치, 및 발광 유닛의 제작 방법
CN103262656B (zh) 2010-12-28 2016-08-24 株式会社半导体能源研究所 发光单元、发光装置以及照明装置
KR102050505B1 (ko) 2011-02-10 2019-11-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법, 조명 장치 및 표시 장치
KR102004305B1 (ko) 2011-02-11 2019-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법, 그리고 조명 장치 및 표시 장치
JP5925511B2 (ja) 2011-02-11 2016-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光ユニット、発光装置、照明装置
US8772795B2 (en) 2011-02-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and lighting device
US8735874B2 (en) 2011-02-14 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, and method for manufacturing the same
TWI562423B (en) 2011-03-02 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device and lighting device
TW201415685A (zh) * 2012-10-12 2014-04-16 Ultimate Image Corp 有機發光二極體照明裝置
KR101957701B1 (ko) * 2012-11-14 2019-03-14 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JPWO2014132322A1 (ja) * 2013-02-26 2017-02-02 株式会社日立製作所 照明装置
CN104037326A (zh) * 2013-03-06 2014-09-10 海洋王照明科技股份有限公司 一种叠层有机电致发光器件及其制备方法
CN104183738A (zh) * 2013-05-24 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104183729A (zh) * 2013-05-24 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN106575713B (zh) * 2014-08-08 2019-01-25 株式会社半导体能源研究所 发光装置、电子设备以及照明装置
CN104362255B (zh) * 2014-10-21 2018-07-10 深圳市华星光电技术有限公司 白光oled器件结构
KR101759294B1 (ko) * 2015-01-05 2017-07-18 코닝정밀소재 주식회사 탠덤형 유기발광소자
CN106711343B (zh) * 2016-12-29 2019-02-12 固安翌光科技有限公司 一种电荷产生结构及其制备方法和应用
CN106784355B (zh) * 2016-12-29 2019-10-18 深圳市华星光电技术有限公司 叠层有机电致发光器件
JP7057147B2 (ja) * 2018-01-31 2022-04-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子及び表示装置
FR3085574B1 (fr) * 2018-08-29 2023-08-04 Adhetec Ensemble electroluminescent
KR102297058B1 (ko) * 2019-06-17 2021-09-03 최플린 복수의 led 패키지 어레이를 포함하는 led 조명 기구의 배선 구조

Family Cites Families (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2972692A (en) 1958-05-02 1961-02-21 Westinghouse Electric Corp Method for operating electroluminescent cell and electroluminescent apparatus
US3833833A (en) 1973-08-20 1974-09-03 A Nelson Drive circuitry for light emitting film displays
JPS556687A (en) 1978-06-29 1980-01-18 Handotai Kenkyu Shinkokai Traffic use display
EP0597226A1 (en) 1992-11-09 1994-05-18 Motorola, Inc. Push-pull matrix addressing
TW364275B (en) 1996-03-12 1999-07-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device
DE69841721D1 (de) 1997-02-17 2010-07-29 Seiko Epson Corp Anzeigevorrichtung
US6462722B1 (en) 1997-02-17 2002-10-08 Seiko Epson Corporation Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same
DE19728763B4 (de) 1997-07-07 2007-10-31 Reitter & Schefenacker Gmbh & Co. Kg Schaltungseinrichtung zum Schutz von strombetriebenen Leuchtmitteln, insbesondere von LEDs, zu Signal- oder Beleuchtungszwecken
JP3775628B2 (ja) 1998-03-19 2006-05-17 パイオニア株式会社 電荷蓄積性発光素子の駆動装置及び駆動方法
JPH11307261A (ja) 1998-04-16 1999-11-05 Tdk Corp 有機el素子
JP4264994B2 (ja) 1998-07-10 2009-05-20 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法
GB9907120D0 (en) 1998-12-16 1999-05-19 Cambridge Display Tech Ltd Organic light-emissive devices
US6559594B2 (en) 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP4254023B2 (ja) * 2000-07-07 2009-04-15 セイコーエプソン株式会社 電流駆動素子用基板、及びその製造方法
JP2002132218A (ja) 2000-10-26 2002-05-09 Sony Corp 表示装置、輝度制限回路及び表示装置の駆動方法
GB2371910A (en) 2001-01-31 2002-08-07 Seiko Epson Corp Display devices
JP2003068472A (ja) 2001-08-29 2003-03-07 Hitachi Ltd 有機発光素子およびそれを用いた有機発光表示装置
KR100767377B1 (ko) 2001-09-28 2007-10-17 삼성전자주식회사 유기 이.엘 디스플레이 패널과 이를 구비하는 유기 이.엘디스플레이 장치
TWI235349B (en) 2001-11-26 2005-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Circuit-arrangement for an LED-array
GB0130411D0 (en) 2001-12-20 2002-02-06 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display device
US6747639B2 (en) 2001-12-28 2004-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Voltage-source thin film transistor driver for active matrix displays
JP2003217862A (ja) * 2002-01-18 2003-07-31 Honda Motor Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI258317B (en) 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
US6872472B2 (en) 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2003308977A (ja) * 2002-04-12 2003-10-31 Morio Taniguchi 有機エレクトロルミネッセンス発光装置とその製造方法
JP3901127B2 (ja) * 2002-06-07 2007-04-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4174710B2 (ja) 2002-08-01 2008-11-05 東北デバイス株式会社 有機elパネルを用いた大面積パネル
US7049757B2 (en) * 2002-08-05 2006-05-23 General Electric Company Series connected OLED structure and fabrication method
US6693296B1 (en) 2002-08-07 2004-02-17 Eastman Kodak Company OLED apparatus including a series of OLED devices
US7034470B2 (en) 2002-08-07 2006-04-25 Eastman Kodak Company Serially connecting OLED devices for area illumination
US6717358B1 (en) 2002-10-09 2004-04-06 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability
US7148632B2 (en) 2003-01-15 2006-12-12 Luminator Holding, L.P. LED lighting system
JP2004253364A (ja) 2003-01-27 2004-09-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置
JP2004234868A (ja) 2003-01-28 2004-08-19 Matsushita Electric Works Ltd 有機el照明素子
GB0302485D0 (en) * 2003-02-04 2003-03-05 Plastic Logic Ltd Pixel capacitors
US7012585B2 (en) 2004-02-06 2006-03-14 Eastman Kodak Company OLED apparatus having improved fault tolerance
US7285801B2 (en) 2004-04-02 2007-10-23 Lumination, Llc LED with series-connected monolithically integrated mesas
JP2005338419A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Matsushita Electric Works Ltd 面発光装置用封止体及び面発光装置
JP2006049853A (ja) 2004-06-29 2006-02-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、表示装置及び照明
GB2416621A (en) * 2004-07-27 2006-02-01 Cambridge Display Tech Ltd Laminated interconnects for opto-electronic device modules
JP4684042B2 (ja) * 2004-08-04 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置および電子機器
EP2299779A3 (en) 2004-09-13 2011-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light emitting layer device
CN101032040B (zh) * 2004-09-30 2012-05-30 株式会社半导体能源研究所 发光元件和发光设备
JP4161374B2 (ja) * 2005-02-25 2008-10-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP5055723B2 (ja) * 2005-08-11 2012-10-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置、その製造方法および電子機器
US7852009B2 (en) * 2006-01-25 2010-12-14 Cree, Inc. Lighting device circuit with series-connected solid state light emitters and current regulator
JP2007279107A (ja) * 2006-04-03 2007-10-25 Seiko Epson Corp 表示装置および表示装置の製造方法
US20090128024A1 (en) * 2006-04-20 2009-05-21 Kenichi Fukuoka Organic light-emitting device
US8053260B2 (en) * 2006-11-17 2011-11-08 General Electric Company Large-area lighting systems and methods of making the same
EP2111641B1 (en) * 2007-01-22 2017-08-30 Cree, Inc. Illumination devices using externally interconnected arrays of light emitting devices, and method of fabricating same
TW200837943A (en) * 2007-01-22 2008-09-16 Led Lighting Fixtures Inc Fault tolerant light emitters, systems incorporating fault tolerant light emitters and methods of fabricating fault tolerant light emitters
JP4893600B2 (ja) 2007-11-22 2012-03-07 パナソニック電工株式会社 面状発光型照明装置
US8022623B2 (en) * 2008-08-15 2011-09-20 General Electric Company Ultra-thin multi-substrate color tunable OLED device
JP2010238873A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Panasonic Corp フレキシブル半導体装置およびその製造方法
JP4661971B2 (ja) 2009-05-27 2011-03-30 住友化学株式会社 発光装置
KR101543333B1 (ko) * 2010-04-23 2015-08-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지, 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치
JP4702491B2 (ja) * 2010-05-25 2011-06-15 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8552440B2 (en) 2010-12-24 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
KR102015971B1 (ko) 2010-12-28 2019-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 유닛, 발광 장치, 조명 장치, 및 발광 유닛의 제작 방법
CN103262656B (zh) 2010-12-28 2016-08-24 株式会社半导体能源研究所 发光单元、发光装置以及照明装置

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