JP5932720B2 - 光電変換装置、および、光電変換装置の製造方法。 - Google Patents
光電変換装置、および、光電変換装置の製造方法。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5932720B2 JP5932720B2 JP2013124592A JP2013124592A JP5932720B2 JP 5932720 B2 JP5932720 B2 JP 5932720B2 JP 2013124592 A JP2013124592 A JP 2013124592A JP 2013124592 A JP2013124592 A JP 2013124592A JP 5932720 B2 JP5932720 B2 JP 5932720B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- region
- semiconductor region
- photoelectric conversion
- onto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 107
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 256
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 137
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 114
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 89
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 222
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/1461—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
105 転送ゲート電極
106 表面領域
107 第1の蓄積領域
108 第2の蓄積領域
109 第1の蓄積領域の第1部分
201 開口
202 開口
210 第1マスク部分
211 第2マスク部分
212 マスク部分
Claims (24)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に配された第1導電型の第1および第2の半導体領域を含む光電変換部と、
前記第1および前記第2の半導体領域の電荷を転送するための転送部と、
前記第1の半導体領域の上に配された第2導電型の第3の半導体領域と、を備える光電変換装置であって、
前記第1の半導体領域は、前記第1の半導体領域の他の部分よりも不純物濃度の低い部分を有し、
前記半導体基板の表面と平行な第1方向に沿って、前記第1の半導体領域の前記部分と前記他の部分とが並び、
前記第2の半導体領域は、前記不純物濃度の低い部分の下に配され、
前記第1の半導体領域の前記第1方向に沿った長さは、前記第2の半導体領域の前記第1方向に沿った長さより長く、
前記第1の半導体領域の前記他の部分の下であって、かつ、前記第2の半導体領域の横に、第2導電型の半導体領域が配されたことを特徴とする光電変換装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板に配された第1導電型の第1および第2の半導体領域を含む光電変換部と、
前記第1および前記第2の半導体領域の電荷を転送するための転送部と、
前記第1の半導体領域の上に配された第2導電型の第3の半導体領域と、
第2導電型の第4の半導体領域と、を備える光電変換装置であって、
前記第1の半導体領域は、第1部分と、前記第1部分とは別の第2部分とを含み、
前記半導体基板の表面と平行な第1方向に沿って、前記第1部分と、前記第4の半導体領域と、前記第2部分とが、この順に並び、
前記第2の半導体領域が、前記第4の半導体領域の下に配され、
前記第1の半導体領域の前記第1方向に沿った長さは、前記第2の半導体領域の前記第1方向に沿った長さより長く、
前記第1の半導体領域の前記第1部分または前記第2部分の下であって、かつ、前記第2の半導体領域の横に、第2導電型の半導体領域が配されたことを特徴とする光電変換装置。 - 前記不純物濃度の低い部分の、前記半導体基板の表面と平行な面への正射影と、前記第2の半導体領域の前記面への正射影とが一致することを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記不純物濃度の低い部分の、前記半導体基板の表面と平行な面への正射影が、前記第2の半導体領域の前記面への正射影を内包することを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記第2の半導体領域の前記半導体基板の表面と平行な面への正射影が、前記不純物濃度の低い部分の、前記面への正射影を内包することを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記第2の半導体領域の前記半導体基板の表面と平行な面への正射影と、前記第4の半導体領域の前記面への正射影とが一致することを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
- 前記第2の半導体領域の前記半導体基板の表面と平行な面への正射影が、前記第4の半導体領域の前記面への正射影を内包することを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
- 前記第4の半導体領域の前記半導体基板の表面と平行な面への正射影が、前記第2の半導体領域の前記面への正射影を内包することを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
- 前記転送部は、転送ゲート電極を含み、
前記第2の半導体領域の前記半導体基板の表面と平行な面への正射影の重心から、前記転送ゲート電極の前記面への正射影までの距離が、前記第1の半導体領域の前記面への正射影の重心から前記転送ゲート電極の前記面への正射影までの距離よりも短いことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光電変換装置。 - 半導体基板と、
第1導電型の第1および第2の半導体領域を含む光電変換部と、
前記第1および前記第2の半導体領域の電荷を転送するための転送部と、
前記第1の半導体領域の上に配された第2導電型の第3の半導体領域と、を備える光電変換装置の製造方法であって、
前記第1の半導体領域を形成するために、第1の開口を有する第1のマスクを用いて、前記半導体基板へ第1導電型の第1の不純物をイオン注入する工程と、
前記第2の半導体領域を形成するために、第2の開口を有する第2のマスクを用いて、前記半導体基板へ第1導電型の第2の不純物をイオン注入する工程と、
前記第3の半導体領域を形成するために、第3の開口を有する第3のマスクを用いて、前記半導体基板へ第2導電型の第3の不純物をイオン注入する工程と、
第4の開口を有する第4のマスクを用いて、前記半導体基板へ第2導電型の第4の不純物をイオン注入する工程と、を有し、
前記第1の開口の前記半導体基板の表面と平行な面への正射影は、前記第2の開口の前記面への正射影、および、前記第4の開口の前記面への正射影を内包し、
前記第2の開口の前記面への正射影と、前記第4の開口の前記面への正射影とは、部分的に重なり、
前記第3の開口の形状と、前記第4の開口の形状とは互いに異なり、
前記第1の不純物が注入される領域よりも深い位置に、前記第2の不純物を注入し、
前記第1の不純物が注入される領域の少なくとも一部に、前記第4の不純物を注入することを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記第1のマスクを用いたイオン注入を、第1のエネルギーで行い、
前記第2のマスクを用いたイオン注入を、前記第1のエネルギーより高い第2のエネルギーで行うことを特徴とする請求項10に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記第4のマスクを用いたイオン注入を、前記第2のエネルギーよりも低い第3のエネルギーで行うことを特徴とする請求項11に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記第2および前記第4のマスクとして、共通のマスクを用い、
前記第2の開口の前記面への正射影と、前記第4の開口の前記面への正射影とが、一致していることを特徴とする請求項10乃至請求項12のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記第1の不純物が注入される領域の少なくとも一部に、前記第2の不純物、および、前記第4の不純物の両方を注入することを特徴とする請求項10乃至請求項13のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記転送部が、転送ゲート電極を含み、
前記第1のマスクを用いたイオン注入を、前記第1の開口から前記転送ゲート電極が露出した状態で行うことを特徴とする請求項10乃至請求項14のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記転送部が、転送ゲート電極を含み、
前記第3のマスクを用いたイオン注入を、前記第3の開口から前記転送ゲート電極が露出した状態で行うことを特徴とする請求項10乃至請求項15のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記第1のマスクは、前記第1の開口によって互いに隔てられた、第1のマスク部分と、第2のマスク部分とを含み、
前記面において、前記第1の開口の前記面への正射影が、前記第1のマスク部分の前記面への正射影を囲み、
前記第1のマスク部分の前記面への正射影と、前記第2の開口の前記面への正射影とが、部分的に重なることを特徴とする請求項10乃至請求項16のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記第1のマスク部分の前記面への正射影と、前記第2の開口の前記面への正射影とが一致することを特徴とする請求項17に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記第1のマスク部分の前記面への正射影が、前記第2の開口の前記面への正射影を内包することを特徴とする請求項17に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記第2の開口の前記面への正射影が、前記第1のマスク部分の前記面への正射影を内包することを特徴とする請求項17に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記第2のマスクは、前記光電変換部の1つに対して、複数の前記第2の開口を有することを特徴とする請求項10乃至請求項20のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記第1の不純物と、前記第2の不純物とは、同じ種類の不純物であり、
前記第3の不純物と、前記第4の不純物とは、同じ種類の不純物であることを特徴とする請求項10乃至請求項21のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 半導体基板と、
第1導電型の第1および第2の半導体領域を含む光電変換部と、
前記第1および前記第2の半導体領域の電荷を転送するための転送部と、を備える光電変換装置の製造方法であって、
前記第1の半導体領域を形成するために、第1の開口を有する第1のマスクを用いて、前記半導体基板へ第1導電型の第1の不純物をイオン注入する工程と、
前記第2の半導体領域を形成するために、第2の開口を有する第2のマスクを用いて、前記半導体基板へ第1導電型の第2の不純物をイオン注入する工程と、を有し、
前記第1のマスクは、前記第1の開口によって互いに隔てられた、第1のマスク部分と、第2のマスク部分とを含み、
前記第1の開口の前記半導体基板の表面と平行な面への正射影が、前記第1のマスク部分の前記面への正射影を囲み、
前記第1のマスク部分の前記面への正射影と、前記第2の開口の前記面への正射影とが、部分的に重なり、
前記第1の不純物が注入される領域よりも深い位置に、前記第2の不純物を注入することを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 半導体基板を備える光電変換装置の製造方法であって、
前記半導体基板の表面と平行な第1方向に沿って延在する第1導電型の第1の半導体領域、および、前記第1の半導体領域よりも深い位置に配され、前記第1方向に沿った長さが、前記第1の半導体領域の前記第1方向に沿った長さよりも短い第2の半導体領域を含む光電変換部を形成する工程と、
前記第1の半導体領域の上に配された第2導電型の第3の半導体領域を形成する工程と、
前記第1および前記第2の半導体領域の電荷を転送するための転送部を形成する工程と、
前記第1の半導体領域と同じ深さであって、かつ、前記第2の半導体領域の上の領域に対して、前記領域の第1の導電型の不純物濃度を低くする、あるいは、前記領域を第2導電型とする工程と、を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013124592A JP5932720B2 (ja) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | 光電変換装置、および、光電変換装置の製造方法。 |
US14/300,028 US9437764B2 (en) | 2013-06-13 | 2014-06-09 | Photoelectric conversion device and method for manufacturing photoelectric conversion device |
DE102014211226.5A DE102014211226B4 (de) | 2013-06-13 | 2014-06-12 | Photoelektrische umwandlungseinrichtung und verfahren zum herstellen einer photoelektrischen umwandlungseinrichtung |
CN201410263602.6A CN104241305B (zh) | 2013-06-13 | 2014-06-13 | 光电转换设备以及光电转换设备的制造方法 |
GB1410584.5A GB2518261B (en) | 2013-06-13 | 2014-06-13 | Photoelectric conversion device and method for manufacturing photoelectric conversion device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013124592A JP5932720B2 (ja) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | 光電変換装置、および、光電変換装置の製造方法。 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015002192A JP2015002192A (ja) | 2015-01-05 |
JP2015002192A5 JP2015002192A5 (ja) | 2016-02-04 |
JP5932720B2 true JP5932720B2 (ja) | 2016-06-08 |
Family
ID=52009985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013124592A Active JP5932720B2 (ja) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | 光電変換装置、および、光電変換装置の製造方法。 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9437764B2 (ja) |
JP (1) | JP5932720B2 (ja) |
CN (1) | CN104241305B (ja) |
DE (1) | DE102014211226B4 (ja) |
GB (1) | GB2518261B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6706481B2 (ja) | 2015-11-05 | 2020-06-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子 |
JP6946379B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2021-10-06 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
JP6840555B2 (ja) * | 2017-01-30 | 2021-03-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
CN108198829A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-06-22 | 德淮半导体有限公司 | Cmos图像传感器及其形成方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000012828A (ja) | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Sony Corp | Ccd固体撮像素子の製造方法 |
JP2000031451A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-28 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP3621273B2 (ja) * | 1998-09-09 | 2005-02-16 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2000150857A (ja) | 1998-11-18 | 2000-05-30 | Nec Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2002164529A (ja) | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP2005167187A (ja) | 2003-11-13 | 2005-06-23 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
KR20080016259A (ko) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
JP5374941B2 (ja) * | 2008-07-02 | 2013-12-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP5493430B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-05-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011108824A (ja) | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Panasonic Corp | 固体撮像素子 |
JP2011146747A (ja) | 2011-04-28 | 2011-07-28 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法および半導体装置の製造方法 |
US9570489B2 (en) * | 2011-07-12 | 2017-02-14 | Sony Corporation | Solid state imaging device having impurity concentration on light receiving surface being greater or equal to that on opposing surface |
JP2013051327A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Sony Corp | 固体撮像素子および電子機器 |
JP2014165286A (ja) * | 2013-02-23 | 2014-09-08 | Nikon Corp | フォトダイオード、固体撮像素子及び撮像装置 |
-
2013
- 2013-06-13 JP JP2013124592A patent/JP5932720B2/ja active Active
-
2014
- 2014-06-09 US US14/300,028 patent/US9437764B2/en active Active
- 2014-06-12 DE DE102014211226.5A patent/DE102014211226B4/de active Active
- 2014-06-13 CN CN201410263602.6A patent/CN104241305B/zh active Active
- 2014-06-13 GB GB1410584.5A patent/GB2518261B/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140367747A1 (en) | 2014-12-18 |
DE102014211226B4 (de) | 2017-11-30 |
JP2015002192A (ja) | 2015-01-05 |
GB2518261A (en) | 2015-03-18 |
GB2518261B (en) | 2016-06-29 |
US9437764B2 (en) | 2016-09-06 |
CN104241305A (zh) | 2014-12-24 |
GB201410584D0 (en) | 2014-07-30 |
CN104241305B (zh) | 2017-04-12 |
DE102014211226A1 (de) | 2014-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7205627B2 (en) | Image sensor cells | |
JP5721147B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
KR100959435B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
JP5558859B2 (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 | |
US7939859B2 (en) | Solid state imaging device and method for manufacturing the same | |
US8952428B2 (en) | Element isolation structure of a solid-state pickup device | |
KR20090070518A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
KR101420710B1 (ko) | 고체 촬상장치 및 그 제조방법 | |
JP5932720B2 (ja) | 光電変換装置、および、光電変換装置の製造方法。 | |
US9520436B2 (en) | Solid-state imaging device and manufacturing method thereof | |
JP2016018823A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
KR100653849B1 (ko) | 고체촬상소자의 픽셀 구조 | |
CN105990387B (zh) | 固体摄像元件及其制造方法 | |
KR102009931B1 (ko) | 씨모스 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
JP5312511B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
KR100935269B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
JP6265731B2 (ja) | 撮像装置、撮像システム、および、撮像装置の製造方法。 | |
US20070023803A1 (en) | CMOS image sensor and method of fabricating the same | |
JP6007524B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
KR100924045B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
KR100871798B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
JP2016207791A (ja) | 撮像装置の製造方法 | |
US9818789B2 (en) | Solid-state imaging device and manufacturing method thereof | |
JP6706931B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2016051812A (ja) | 接合型電界効果トランジスタの製造方法、半導体装置の製造方法、撮像装置の製造方法、接合型電界効果トランジスタ及び撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151214 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151214 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20151214 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20160119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160303 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160428 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5932720 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |