JP2000012828A - Ｃｃｄ固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
Ｃｃｄ固体撮像素子の製造方法Info
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- JP2000012828A JP2000012828A JP10176827A JP17682798A JP2000012828A JP 2000012828 A JP2000012828 A JP 2000012828A JP 10176827 A JP10176827 A JP 10176827A JP 17682798 A JP17682798 A JP 17682798A JP 2000012828 A JP2000012828 A JP 2000012828A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 分離領域中の不純物の拡散を最小限に抑える
ことによって電荷蓄積領域を十分に確保し、取扱電荷量
の低下を防ぐようにした、ＣＣＤ固体撮像素子の製造方
法の提供が望まれている。 【解決手段】 第１型の不純物をイオン注入して分離領
域を形成する工程と、分離領域によって他の領域から分
離された領域に第２型の不純物をイオン注入して電荷蓄
積領域を形成する工程と、を有したＣＣＤ固体撮像素子
の製造方法である。電荷蓄積領域３の形成工程を、この
電荷蓄積領域３の形成予定領域の周部１１に第２型の不
純物を高濃度でイオン注入し、かつその中央部１２に第
２型の不純物を周部１１より低濃度でイオン注入するこ
とによって行う。
ことによって電荷蓄積領域を十分に確保し、取扱電荷量
の低下を防ぐようにした、ＣＣＤ固体撮像素子の製造方
法の提供が望まれている。 【解決手段】 第１型の不純物をイオン注入して分離領
域を形成する工程と、分離領域によって他の領域から分
離された領域に第２型の不純物をイオン注入して電荷蓄
積領域を形成する工程と、を有したＣＣＤ固体撮像素子
の製造方法である。電荷蓄積領域３の形成工程を、この
電荷蓄積領域３の形成予定領域の周部１１に第２型の不
純物を高濃度でイオン注入し、かつその中央部１２に第
２型の不純物を周部１１より低濃度でイオン注入するこ
とによって行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、分離領域中の不純
物の拡散の影響を最小限に抑えることによって電荷蓄積
領域を十分に確保し、取扱電荷量の低下を防ぐようにし
た、ＣＣＤ固体撮像素子の製造方法に関する。
物の拡散の影響を最小限に抑えることによって電荷蓄積
領域を十分に確保し、取扱電荷量の低下を防ぐようにし
た、ＣＣＤ固体撮像素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＣＤ固体撮像素子としては、図
５に示すＨＡＤ（Hole AccumulationDiode ）センサ構
造を有したものが知られている。このＣＣＤ固体撮像素
子は、シリコン基板１中に形成されたｐウエル２の上方
に、フォトダイオードｎ層３とフォトダイオードｐ+ 層
４とからなる受光センサ部５を有したものである。この
受光センサ部５の一方の側には読み出しゲート部６を介
して垂直レジスタ部７が形成されており、他方の側には
画素分離部（チャネルストッパ）８が形成されている。
また、シリコン基板１の表面上には、前記読み出しゲー
ト部５および垂直レジスタ６の直上にポリシリコンから
なる垂直転送電極９が形成されている。
５に示すＨＡＤ（Hole AccumulationDiode ）センサ構
造を有したものが知られている。このＣＣＤ固体撮像素
子は、シリコン基板１中に形成されたｐウエル２の上方
に、フォトダイオードｎ層３とフォトダイオードｐ+ 層
４とからなる受光センサ部５を有したものである。この
受光センサ部５の一方の側には読み出しゲート部６を介
して垂直レジスタ部７が形成されており、他方の側には
画素分離部（チャネルストッパ）８が形成されている。
また、シリコン基板１の表面上には、前記読み出しゲー
ト部５および垂直レジスタ６の直上にポリシリコンから
なる垂直転送電極９が形成されている。
【０００３】ところで、近年においては、図５に示した
ようなＣＣＤ固体撮像素子はその小型化や多画素化等に
伴い、その製造においても加工がますます微細化する傾
向にある。このような加工の微細化により各構成要素を
微細化する際、取扱電荷量等の特性を確保するために
は、受光センサ部５のフォトダイオードｎ層３や垂直レ
ジスタ部７などの、主にｎ型不純物領域からなる電荷蓄
積領域の面積を十分に確保する必要がある。したがっ
て、全体の微細化を可能にするためには、電荷蓄積領域
以外の領域である画素分離部８などの、主にｐ型不純物
領域からなる分離領域の面積を十分に縮小することが重
要になっている。
ようなＣＣＤ固体撮像素子はその小型化や多画素化等に
伴い、その製造においても加工がますます微細化する傾
向にある。このような加工の微細化により各構成要素を
微細化する際、取扱電荷量等の特性を確保するために
は、受光センサ部５のフォトダイオードｎ層３や垂直レ
ジスタ部７などの、主にｎ型不純物領域からなる電荷蓄
積領域の面積を十分に確保する必要がある。したがっ
て、全体の微細化を可能にするためには、電荷蓄積領域
以外の領域である画素分離部８などの、主にｐ型不純物
領域からなる分離領域の面積を十分に縮小することが重
要になっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、分離領
域を縮小しようとしても、領域形成は加工精度、例えば
レジストパターンの最小線幅などによって制限されるた
め十分に縮小することができず、これにより電荷蓄積領
域を十分に確保するのが難しくなっている。したがっ
て、従来の製造方法では、分離領域を縮小しようとして
も該分離領域が電荷蓄積領域に比べ相対的に大きくなる
ことから、電荷取扱量等の特性の確保が困難になってし
まうのである。
域を縮小しようとしても、領域形成は加工精度、例えば
レジストパターンの最小線幅などによって制限されるた
め十分に縮小することができず、これにより電荷蓄積領
域を十分に確保するのが難しくなっている。したがっ
て、従来の製造方法では、分離領域を縮小しようとして
も該分離領域が電荷蓄積領域に比べ相対的に大きくなる
ことから、電荷取扱量等の特性の確保が困難になってし
まうのである。
【０００５】さらに、従来では電荷蓄積領域、例えば前
記ＣＣＤ固体撮像素子におけるフォトダイオードｎ層３
を、所望のポテンシャルを得るべくｎ型不純物をイオン
注入することによって形成することから、分離領域であ
る読み出しゲート部６や画素分離部８からのｐ型の不純
物拡散に大きく影響を受けている。
記ＣＣＤ固体撮像素子におけるフォトダイオードｎ層３
を、所望のポテンシャルを得るべくｎ型不純物をイオン
注入することによって形成することから、分離領域であ
る読み出しゲート部６や画素分離部８からのｐ型の不純
物拡散に大きく影響を受けている。
【０００６】すなわち、読み出しゲート部６や画素分離
部８がｐ型不純物のイオン注入によって形成されている
ことから、これら分離領域形成後の製造工程中の熱処理
により、該分離領域中のｐ型不純物が図６に示すように
フォトダイオードｎ層３の周部にまで拡散し、結果とし
てフォトダイオードｎ層３として機能するｎ領域が狭め
られ、実効的なセンサ領域が縮小されてしまうのであ
る。そして、このようにセンサ領域が縮小してしまう
と、取扱電荷量が減少するなど特性の低下を招いてしま
うことになる。
部８がｐ型不純物のイオン注入によって形成されている
ことから、これら分離領域形成後の製造工程中の熱処理
により、該分離領域中のｐ型不純物が図６に示すように
フォトダイオードｎ層３の周部にまで拡散し、結果とし
てフォトダイオードｎ層３として機能するｎ領域が狭め
られ、実効的なセンサ領域が縮小されてしまうのであ
る。そして、このようにセンサ領域が縮小してしまう
と、取扱電荷量が減少するなど特性の低下を招いてしま
うことになる。
【０００７】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、分離領域中の不純物の拡
散の影響を最小限に抑えることによって電荷蓄積領域を
十分に確保し、取扱電荷量の低下を防ぐようにした、Ｃ
ＣＤ固体撮像素子の製造方法を提供することにある。
で、その目的とするところは、分離領域中の不純物の拡
散の影響を最小限に抑えることによって電荷蓄積領域を
十分に確保し、取扱電荷量の低下を防ぐようにした、Ｃ
ＣＤ固体撮像素子の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のＣＣＤ固体撮像
素子の製造方法では、第１型の不純物をイオン注入して
分離領域を形成する工程と、前記分離領域によって他の
領域から分離された領域に第２型の不純物をイオン注入
して電荷蓄積領域を形成する工程と、を有してなり、前
記電荷蓄積領域の形成工程を、該電荷蓄積領域の形成予
定領域の周部に第２型の不純物を高濃度でイオン注入
し、かつその中央部に第２型の不純物を前記周部より低
濃度でイオン注入することによって行うことを前記課題
の解決手段とした。
素子の製造方法では、第１型の不純物をイオン注入して
分離領域を形成する工程と、前記分離領域によって他の
領域から分離された領域に第２型の不純物をイオン注入
して電荷蓄積領域を形成する工程と、を有してなり、前
記電荷蓄積領域の形成工程を、該電荷蓄積領域の形成予
定領域の周部に第２型の不純物を高濃度でイオン注入
し、かつその中央部に第２型の不純物を前記周部より低
濃度でイオン注入することによって行うことを前記課題
の解決手段とした。
【０００９】この製造方法によれば、電荷蓄積領域の形
成予定領域の周部に第２型の不純物を高濃度でイオン注
入し、かつその中央部に第２型の不純物を前記周部より
低濃度でイオン注入しているので、分離領域中の第１型
の不純物が前記形成予定領域の周部に拡散しても、該周
部には第２型の不純物が高濃度でイオン注入されている
ことからこの周部のポテンシャルが中央部に比べ著しく
低下することがなく、したがって得られる電荷蓄積領域
における実効領域の減少が防止される。
成予定領域の周部に第２型の不純物を高濃度でイオン注
入し、かつその中央部に第２型の不純物を前記周部より
低濃度でイオン注入しているので、分離領域中の第１型
の不純物が前記形成予定領域の周部に拡散しても、該周
部には第２型の不純物が高濃度でイオン注入されている
ことからこの周部のポテンシャルが中央部に比べ著しく
低下することがなく、したがって得られる電荷蓄積領域
における実効領域の減少が防止される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明のＣＣＤ固体撮像素
子の製造方法を、図５に示した構成のＣＣＤ固体撮像素
子の製造に適用した場合を例にして説明する。なお、以
下の実施形態例では、本発明における電荷蓄積領域を、
フォトダイオードｎ層３として説明している。
子の製造方法を、図５に示した構成のＣＣＤ固体撮像素
子の製造に適用した場合を例にして説明する。なお、以
下の実施形態例では、本発明における電荷蓄積領域を、
フォトダイオードｎ層３として説明している。
【００１１】図１は本発明の製造方法の第１実施形態例
を説明するための図である。この例では、まず、従来と
同様にｐウエル２、読み出しゲート６、垂直レジスタ部
７、画素分離部８、垂直転送電極９を形成したシリコン
基板１（ｐウエル２、読み出しゲート６、垂直レジスタ
部７、画素分離部８については図示を省略している）を
用意する。ここで、本発明の分離領域となる読み出しゲ
ート部６および画素分離部８は、いずれもｐ型（第１
型）不純物をイオン注入したことによって形成してい
る。
を説明するための図である。この例では、まず、従来と
同様にｐウエル２、読み出しゲート６、垂直レジスタ部
７、画素分離部８、垂直転送電極９を形成したシリコン
基板１（ｐウエル２、読み出しゲート６、垂直レジスタ
部７、画素分離部８については図示を省略している）を
用意する。ここで、本発明の分離領域となる読み出しゲ
ート部６および画素分離部８は、いずれもｐ型（第１
型）不純物をイオン注入したことによって形成してい
る。
【００１２】このような構成のシリコン基板１を用意し
たら、これに対し、そのフォトダイオードｎ層３の形成
予定領域の上、すなわち垂直転送電極９、９間に、その
中央部にのみレジストや酸化膜等からなるマスク１０を
形成配置する。なお、このマスク１０の形成について
は、従来公知のリソグラフィー技術やエッチング技術な
どが用いられる。そして、このマスク１０で前記形成予
定領域の中央部を覆った状態で、ｎ型（第２型）不純物
をイオン注入する。このときのｎ型不純物のイオン注入
エネルギーについては、ｎ型不純物の一部が前記マスク
１０を通過するものの、残部はマスク１０内に止まって
前記形成予定領域に到達しない強度とする。
たら、これに対し、そのフォトダイオードｎ層３の形成
予定領域の上、すなわち垂直転送電極９、９間に、その
中央部にのみレジストや酸化膜等からなるマスク１０を
形成配置する。なお、このマスク１０の形成について
は、従来公知のリソグラフィー技術やエッチング技術な
どが用いられる。そして、このマスク１０で前記形成予
定領域の中央部を覆った状態で、ｎ型（第２型）不純物
をイオン注入する。このときのｎ型不純物のイオン注入
エネルギーについては、ｎ型不純物の一部が前記マスク
１０を通過するものの、残部はマスク１０内に止まって
前記形成予定領域に到達しない強度とする。
【００１３】このような強度でイオン注入を行えば、前
記形成予定領域においては、マスク１０に覆われない周
部１１ではｎ型不純物が高濃度でイオン注入され、一方
マスク１０で覆われた中央部１２ではｎ型不純物が前記
周部１１より低濃度でイオン注入されるようになる。
記形成予定領域においては、マスク１０に覆われない周
部１１ではｎ型不純物が高濃度でイオン注入され、一方
マスク１０で覆われた中央部１２ではｎ型不純物が前記
周部１１より低濃度でイオン注入されるようになる。
【００１４】したがって、このイオン注入処理に先立
ち、あるいはこの処理後において、分離領域となる読み
出しゲート部６または画素分離部８から前記形成予定領
域の周部１１にｐ型不純物の拡散が起こっても、該周部
１１にはｎ型不純物が高濃度でイオン注入されているこ
とから、図２に示すように図２中破線で示す従来のポテ
ンシャル状態とは異なり、図２中実線で示すポテンシャ
ル状態のように周部１１のポテンシャルが中央部１２に
比べ著しく低下することがなくなる。よって、得られる
フォトダイオードｎ層３においては、その実行領域が減
少することなく十分な面積が確保され、これにより取扱
電荷量の低下を防止して良好な特性を保持することがで
きる。
ち、あるいはこの処理後において、分離領域となる読み
出しゲート部６または画素分離部８から前記形成予定領
域の周部１１にｐ型不純物の拡散が起こっても、該周部
１１にはｎ型不純物が高濃度でイオン注入されているこ
とから、図２に示すように図２中破線で示す従来のポテ
ンシャル状態とは異なり、図２中実線で示すポテンシャ
ル状態のように周部１１のポテンシャルが中央部１２に
比べ著しく低下することがなくなる。よって、得られる
フォトダイオードｎ層３においては、その実行領域が減
少することなく十分な面積が確保され、これにより取扱
電荷量の低下を防止して良好な特性を保持することがで
きる。
【００１５】図３は図１に示した第１実施形態例の変形
例を示す図である。この変形例が図１に示した例と異な
るところは、マスクとして、レジストからなるパターン
をリフロー処理し、図３に示したように中央部で厚く周
部で薄い凸レンズ形状のマスク１３を用いている点であ
る。
例を示す図である。この変形例が図１に示した例と異な
るところは、マスクとして、レジストからなるパターン
をリフロー処理し、図３に示したように中央部で厚く周
部で薄い凸レンズ形状のマスク１３を用いている点であ
る。
【００１６】すなわち、この例では、図１に示した例に
おけるマスク１０と同じ形状のレジストパターンを形成
し、その後これを加熱してリフロー処理し、図３に示し
たマスク１３を得る。そして、このマスク１３で前記形
成予定領域の中央部を覆った状態のもとで、図１に示し
た例と同様の強度でｎ型（第２型）不純物をイオン注入
する。
おけるマスク１０と同じ形状のレジストパターンを形成
し、その後これを加熱してリフロー処理し、図３に示し
たマスク１３を得る。そして、このマスク１３で前記形
成予定領域の中央部を覆った状態のもとで、図１に示し
た例と同様の強度でｎ型（第２型）不純物をイオン注入
する。
【００１７】このようにしてイオン注入を行うと、前記
形成予定領域においては、マスク１３に覆われない周部
１１ではｎ型不純物が高濃度でイオン注入される。一
方、マスク１０で覆われた中央部１２では、ｎ型不純物
が前記周部１１より低濃度でイオン注入され、さらにこ
の中央部１２内においても、その外部（周部１１側）で
不純物濃度が高く、内部で不純物濃度が低くなるように
イオン注入される。そして、このように中央部１２内に
おいてはその外部（周部１１側）で不純物濃度が高くな
るので、これのさらに外側となる周部１１との間の不純
物濃度差が緩和されるのである。
形成予定領域においては、マスク１３に覆われない周部
１１ではｎ型不純物が高濃度でイオン注入される。一
方、マスク１０で覆われた中央部１２では、ｎ型不純物
が前記周部１１より低濃度でイオン注入され、さらにこ
の中央部１２内においても、その外部（周部１１側）で
不純物濃度が高く、内部で不純物濃度が低くなるように
イオン注入される。そして、このように中央部１２内に
おいてはその外部（周部１１側）で不純物濃度が高くな
るので、これのさらに外側となる周部１１との間の不純
物濃度差が緩和されるのである。
【００１８】したがって、この例においても、分離領域
となる読み出しゲート部６または画素分離部８から前記
形成予定領域の周部１１にｐ型不純物の拡散が起こって
も、該周部１１にはｎ型不純物が高濃度でイオン注入さ
れていることから、周部１１のポテンシャルが中央部１
２に比べ著しく低下することがなくなり、また、ｐ型不
純物の拡散が進んで中央部１２の外部にまで到達して
も、この中央部１２の外部はその内部より高濃度でイオ
ン注入されていることから、やはりこの拡散によるポテ
ンシャルの低下の影響が少なくなる。よって、得られる
フォトダイオードｎ層３においては、図１に示した例と
同様に、その実行領域が減少することなく十分な面積が
確保され、これにより取扱電荷量の低下を防止して良好
な特性を保持することができる。
となる読み出しゲート部６または画素分離部８から前記
形成予定領域の周部１１にｐ型不純物の拡散が起こって
も、該周部１１にはｎ型不純物が高濃度でイオン注入さ
れていることから、周部１１のポテンシャルが中央部１
２に比べ著しく低下することがなくなり、また、ｐ型不
純物の拡散が進んで中央部１２の外部にまで到達して
も、この中央部１２の外部はその内部より高濃度でイオ
ン注入されていることから、やはりこの拡散によるポテ
ンシャルの低下の影響が少なくなる。よって、得られる
フォトダイオードｎ層３においては、図１に示した例と
同様に、その実行領域が減少することなく十分な面積が
確保され、これにより取扱電荷量の低下を防止して良好
な特性を保持することができる。
【００１９】図４（ａ）、（ｂ）は本発明の製造方法の
第２実施形態例を説明するための図である。この例で
も、図１に示した例と同様にして、まず、図４（ａ）に
示すようにｐウエル２、読み出しゲート６、垂直レジス
タ部７、画素分離部８、垂直転送電極９を形成したシリ
コン基板１（ｐウエル２、読み出しゲート６、垂直レジ
スタ部７、画素分離部８については図示を省略してい
る）を用意する。
第２実施形態例を説明するための図である。この例で
も、図１に示した例と同様にして、まず、図４（ａ）に
示すようにｐウエル２、読み出しゲート６、垂直レジス
タ部７、画素分離部８、垂直転送電極９を形成したシリ
コン基板１（ｐウエル２、読み出しゲート６、垂直レジ
スタ部７、画素分離部８については図示を省略してい
る）を用意する。
【００２０】このような構成のシリコン基板１を用意し
たら、これに対し、そのフォトダイオードｎ層３の形成
予定領域の上に、その中央部にのみレジストや酸化膜等
からなるマスク１４を形成配置する。ここで、このマス
ク１４としては、これが覆う前記形成予定領域の中央部
に、ｎ型不純物がイオン注入されるのを阻止する膜厚あ
るいは膜質を有するものが用いられる。
たら、これに対し、そのフォトダイオードｎ層３の形成
予定領域の上に、その中央部にのみレジストや酸化膜等
からなるマスク１４を形成配置する。ここで、このマス
ク１４としては、これが覆う前記形成予定領域の中央部
に、ｎ型不純物がイオン注入されるのを阻止する膜厚あ
るいは膜質を有するものが用いられる。
【００２１】そして、このようなマスク１４で前記形成
予定領域の中央部を覆った状態で、ｎ型（第２型）不純
物をイオン注入し、前記形成予定領域の、マスク１４に
覆われない周部１１にのみｎ型不純物をイオン注入す
る。続いて、図４（ｂ）に示すように前記マスク１４を
剥離除去し、その状態で、再度前記形成予定領域全面に
略均一にイオン注入を行う。
予定領域の中央部を覆った状態で、ｎ型（第２型）不純
物をイオン注入し、前記形成予定領域の、マスク１４に
覆われない周部１１にのみｎ型不純物をイオン注入す
る。続いて、図４（ｂ）に示すように前記マスク１４を
剥離除去し、その状態で、再度前記形成予定領域全面に
略均一にイオン注入を行う。
【００２２】このように、マスク１４を配設した状態で
行うイオン注入処理とマスク１４を無くした状態で行う
イオン注入処理とによってイオン注入を行うと、前記形
成予定領域においては、マスク１４に覆われない周部１
１ではｎ型不純物が２回イオン注入されることによって
その不純物濃度が高濃度となり、一方マスク１４で覆わ
れた中央部１２では、１回しかイオン注入されなかった
ことによりその不純物濃度が低濃度となる。
行うイオン注入処理とマスク１４を無くした状態で行う
イオン注入処理とによってイオン注入を行うと、前記形
成予定領域においては、マスク１４に覆われない周部１
１ではｎ型不純物が２回イオン注入されることによって
その不純物濃度が高濃度となり、一方マスク１４で覆わ
れた中央部１２では、１回しかイオン注入されなかった
ことによりその不純物濃度が低濃度となる。
【００２３】したがって、この例では、分離領域となる
読み出しゲート部６または画素分離部８から前記形成予
定領域の周部１１にｐ型不純物の拡散が起こっても、該
周部１１にはｎ型不純物の濃度が高濃度になっているこ
とから、図２中に実線で示したように周部１１のポテン
シャルが中央部１２に比べ著しく低下することがなくな
る。よって、本例においても、得られるフォトダイオー
ドｎ層３について、その実行領域を減少することなく十
分な面積を確保することができ、これにより取扱電荷量
の低下を防止して良好な特性を保持することができる。
読み出しゲート部６または画素分離部８から前記形成予
定領域の周部１１にｐ型不純物の拡散が起こっても、該
周部１１にはｎ型不純物の濃度が高濃度になっているこ
とから、図２中に実線で示したように周部１１のポテン
シャルが中央部１２に比べ著しく低下することがなくな
る。よって、本例においても、得られるフォトダイオー
ドｎ層３について、その実行領域を減少することなく十
分な面積を確保することができ、これにより取扱電荷量
の低下を防止して良好な特性を保持することができる。
【００２４】なお、前記実施形態例では、本発明におけ
る電荷蓄積領域をフォトダイオードｎ層３とし、このフ
ォトダイオードｎ層３をｎ型不純物のイオン注入によっ
て形成したが、他に例えば、本発明における電荷蓄積領
域を垂直レジスタ部７とし、これに図１、図３、図４
（ａ）、（ｂ）に示したような手法でｎ型不純物をイオ
ン注入するようにしてもよい。
る電荷蓄積領域をフォトダイオードｎ層３とし、このフ
ォトダイオードｎ層３をｎ型不純物のイオン注入によっ
て形成したが、他に例えば、本発明における電荷蓄積領
域を垂直レジスタ部７とし、これに図１、図３、図４
（ａ）、（ｂ）に示したような手法でｎ型不純物をイオ
ン注入するようにしてもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＣＣＤ固体
撮像素子の製造方法は、電荷蓄積領域の形成予定領域の
周部に第２型の不純物を高濃度でイオン注入し、かつそ
の中央部に第２型の不純物を前記周部より低濃度でイオ
ン注入するようにした方法であるから、分離領域中の第
１型の不純物が前記形成予定領域の周部に拡散しても、
該周部には第２型の不純物が高濃度でイオン注入されて
いることによりこの周部のポテンシャルが中央部に比べ
著しく低下することがなく、したがって得られる電荷蓄
積領域における実効領域の減少を防止することができ、
これにより取扱電荷量の低下を防止して良好な特性を保
持することができる。
撮像素子の製造方法は、電荷蓄積領域の形成予定領域の
周部に第２型の不純物を高濃度でイオン注入し、かつそ
の中央部に第２型の不純物を前記周部より低濃度でイオ
ン注入するようにした方法であるから、分離領域中の第
１型の不純物が前記形成予定領域の周部に拡散しても、
該周部には第２型の不純物が高濃度でイオン注入されて
いることによりこの周部のポテンシャルが中央部に比べ
著しく低下することがなく、したがって得られる電荷蓄
積領域における実効領域の減少を防止することができ、
これにより取扱電荷量の低下を防止して良好な特性を保
持することができる。
【図１】本発明のＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の第１
実施形態例を説明するための要部側断面図である。
実施形態例を説明するための要部側断面図である。
【図２】フォトダイオードｎ層における、ポテンシャル
概念図である。
概念図である。
【図３】図１に示した製造方法の変形例を説明するため
の要部側断面図である。
の要部側断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は本発明のＣＣＤ固体撮像素子
の製造方法の第２実施形態例を工程順に説明するための
要部側断面図である。
の製造方法の第２実施形態例を工程順に説明するための
要部側断面図である。
【図５】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の概略構成を
示す要部側断面図である。
示す要部側断面図である。
【図６】従来の課題を説明するための概念図である。
３…フォトダイオードｎ層、１０，１３，１４…マス
ク、１１…周部、１２…中央部
ク、１１…周部、１２…中央部
Claims (3)
- 【請求項１】 第１型の不純物をイオン注入して分離領
域を形成する工程と、前記分離領域によって他の領域か
ら分離された領域に第２型の不純物をイオン注入して電
荷蓄積領域を形成する工程と、を有したＣＣＤ固体撮像
素子の製造方法において、 前記電荷蓄積領域の形成工程を、該電荷蓄積領域の形成
予定領域の周部に第２型の不純物を高濃度でイオン注入
し、かつその中央部に第２型の不純物を前記周部より低
濃度でイオン注入することによって行うことを特徴とす
るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記電荷蓄積領域の形成工程における第
２型の不純物のイオン注入を、該電荷蓄積領域の形成予
定領域上の中央部にイオンの注入の度合いを低下させる
マスクを配した状態で行うことを特徴とする請求項１記
載のＣＣＤ固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記電荷蓄積領域の形成工程における第
２型の不純物のイオン注入を、該電荷蓄積領域の形成予
定領域上の中央部に不純物のイオン注入を阻止するマス
クを設けて行うイオン注入処理と、前記マスクの無い状
態で前記形成領域全面に略均一にイオン注入を行うイオ
ン注入処理とによって行うことを特徴とする請求項１記
載のＣＣＤ固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10176827A JP2000012828A (ja) | 1998-06-24 | 1998-06-24 | Ｃｃｄ固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10176827A JP2000012828A (ja) | 1998-06-24 | 1998-06-24 | Ｃｃｄ固体撮像素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012828A true JP2000012828A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=16020542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10176827A Pending JP2000012828A (ja) | 1998-06-24 | 1998-06-24 | Ｃｃｄ固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000012828A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6369414B2 (en) | 1998-12-07 | 2002-04-09 | Nec Corporation | Charge coupled device having charge accumulating layer free from tow-dimensional effect under miniaturization and process for fabrication thereof |
| JP2009105380A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-05-14 | Panasonic Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2011146747A (ja) * | 2011-04-28 | 2011-07-28 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法および半導体装置の製造方法 |
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| GB2518261A (en) * | 2013-06-13 | 2015-03-18 | Canon Kk | Photoelectric conversion device and method for manufacturing photoelectric conversion device |
| CN104867951A (zh) * | 2015-04-23 | 2015-08-26 | 豪威科技(上海)有限公司 | 一种背照式传感器芯片及其制造方法 |
-
1998
- 1998-06-24 JP JP10176827A patent/JP2000012828A/ja active Pending
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| GB2518261B (en) * | 2013-06-13 | 2016-06-29 | Canon Kk | Photoelectric conversion device and method for manufacturing photoelectric conversion device |
| US9437764B2 (en) | 2013-06-13 | 2016-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and method for manufacturing photoelectric conversion device |
| CN104867951A (zh) * | 2015-04-23 | 2015-08-26 | 豪威科技(上海)有限公司 | 一种背照式传感器芯片及其制造方法 |
| CN104867951B (zh) * | 2015-04-23 | 2018-05-04 | 豪威科技(上海)有限公司 | 一种背照式传感器芯片及其制造方法 |
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