KR20080016259A - 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents

씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20080016259A
KR20080016259A KR1020060078127A KR20060078127A KR20080016259A KR 20080016259 A KR20080016259 A KR 20080016259A KR 1020060078127 A KR1020060078127 A KR 1020060078127A KR 20060078127 A KR20060078127 A KR 20060078127A KR 20080016259 A KR20080016259 A KR 20080016259A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ion implantation
conductivity type
implantation region
region
image sensor
Prior art date
Application number
KR1020060078127A
Other languages
English (en)
Inventor
임근혁
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020060078127A priority Critical patent/KR20080016259A/ko
Priority to US11/782,909 priority patent/US20080042229A1/en
Priority to DE102007034960A priority patent/DE102007034960A1/de
Priority to JP2007201084A priority patent/JP2008047896A/ja
Priority to CNA2007101411896A priority patent/CN101127324A/zh
Publication of KR20080016259A publication Critical patent/KR20080016259A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14689—MOS based technologies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서는 소자분리막에 의해 정의되는 활성화영역을 포함하는 제1 도전형 반도체기판; 상기 활성화영역에 복수로 분리되어 형성된 제2 도전형 제1 이온주입영역; 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역을 연결하는 제2 도전형 제2 이온주입영역; 및 상기 제2 도전형 제2 이온주입영역 상에 형성된 제1 도전형 이온주입영역;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 포토다이오드(photodiode)의 N형 이온주입영역의 공핍영역이 확장되는 것을 더욱 쉽게 만들 수 있으며, 이것을 통해 피닝(pinning)이 쉬워져서 포토다이오드 동작 시 리셋 동작이 쉽게 이루어져서 이미지 래깅(image lagging)을 없앨 수 있는 효과가 있다.
이미지 래깅(image lagging), 핀드포토다이오드(pinned photodiode), 피닝(pinning), 디플리션(depletion)

Description

씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법{CMOS Image Sensor and Manufacturing method thereof}
도 1은 종래기술에 의한 씨모스 이미지 센서의 단면도.
도 2는 종래기술에 의한 씨모스 이미지 센서의 디플리션을 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 단면도.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조공정의 단면도.
도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 디플리션을 나타내는 단면도.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 디플리션을 나타내는 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 설명>
110: 제1 도전형 반도체기판 120: 소자분리막
130: 제2 도전형 이온주입영역 140: 제1 도전형 이온주입영역
본 발명은 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자이다. 이미지 센서는 전하 결합 소자(charge coupled device: CCD) 이미지 센서와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서(Image Sensor)로 구분된다.
그런데, CCD 이미지 센서는 구동 방식이 복잡하고, 전력 소비가 클 뿐만 아니라, 다단계의 포토 공정이 요구되므로 제조 공정이 복잡한 단점이 있다.
최근에는 상기 CCD 이미지 센서의 단점을 극복하기 위한 차세대 이미지 센서로서 씨모스 이미지 센서가 주목을 받고 있다.
상기 씨모스 이미지 센서는 제어회로 및 신호처리회로 등을 주변회로로 사용하는 씨모스 기술을 이용하여 단위 화소 마다 모스 트랜지스터들을 반도체기판에 형성함으로써 상기 모스 트랜지스터들에 의해 각 단위 화소의 출력을 순차적으로 검출하는 스위칭 방식을 채용한 소자이다.
한편, 씨모스 이미지 센서는 트랜지스터의 개수에 따라 3T형, 4T형, 5T형 등으로 구분된다. 3T형은 1개의 포토다이오드와 3개의트랜지스터로 구성되며, 4T형은 1개의 포토다이오드와 4개의 트랜지스터로 구성된다.
도 1은 종래기술에 의한 씨모스 이미지 센서의 단면도이다.
종래 기술에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조공정은 소자분리영역(20)으로 분리된 P형 기판(10)의 활성화 영역에 N형 이온주입영역(30)을 형성한다. 그 다음 상기 N형 이온주입영역(30) 상측에 P형 이온주입영역(40)을 형성한다.
그런데, 종래기술에 의하면 포토다이오드의 N형 이온주입(implant) 시 포토다이오드의 전체를 개방(open)하고 이온을 주입하는 방법을 쓰고 있다.
한편, 씨모스 이미지 센서는 포토다이오드에 빛이 입사하고 이것이 포토다이오드의 공핍영역에 전자를 만들어 이 전자를 이용해 신호를 만들어 내는 기술이다.
공핍영역에 생기는 전자는 리셋(reset)이라는 공정을 통해 포토다이오드에서 빼내게 되는데, 이때 리셋하기 위해 포토다이오드 전체를 공핍화시켜야 하며 이것을 피닝(pinning)이 된다고 한다. 피닝이 완전히 되지 않을 경우 전자가 만들어질 수 있는 공핍영역이 좁아짐으로 감도나 포화레벨(saturation level)이 낮아지게 되고 리셋이 완전히 안 될 경우는 이미지 래깅(image lagging)을 유발하게 된다.
도 2는 종래기술에 의한 씨모스 이미지 센서의 디플리션을 나타내는 단면도이다.
상기 종래기술에 의한 씨모스 이미지 센서의 N형 이온주입영역(30)에 바이어스가 인가되어 N형 공핍영역이 확장(90)되고, 기판(10)의 P- 영역과 포토다이오드의 표면 부근의 P형 이온주입영역(40)이 함께 리버스(reverse)형태가 되어 P형 공핍영역이 확장(80)되어, 위쪽의 공핍영역과 아래쪽 공핍 영역이 맞닿게 되어 포토다이오드 부분이 전체가 디플리션되는 현상이 발생하며, 이것을 피닝(pinning)되었다고 하며 이러한 형태의 포토다이오드를 핀드포토다이오드(pinned photodiode)라 한다.
그런데, 종래기술에 의한 씨모스 이미지 센서에 의하면 N 이온주입영역(30)이 너무 넓게 분포될 경우 피닝(pinning)이 잘 안되어 리셋시 디플리션(depletion) 이 완전히 되지 않는 영역(50)이 발생하여 전자를 만들 수 있는 공핍영역이 좁게 되거나 혹은 전자가 완전히 리셋이 되지 않아 이미지 래깅(image lagging)을 유발하는 문제가 있다.
본 발명은 포토다이오드의 N 형 이온주입영역의 패턴(pattern)을 기존 방법과 달리 격자구조로 이온주입을 시킴으로 기존 방법보다 공핍영역을 보다 쉽게 만들 수 있게 하여 리셋(reset)을 용이하여 포토다이오드 공핍을 최대화시킬 수 있는 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공함을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 N 형 이온주입영역의 패턴(pattern)을 기존 방법과 달리 격자구조로 이온주입을 시킴으로 기존 방법보다 공핍영역을 보다 쉽게 만들 수 있게 하여 이미지 래깅(image lagging)을 없앰으로 포토다이오드의 특성을 향상시킬 수 있는 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서는 소자분리막에 의해 정의되는 활성화영역을 포함하는 제1 도전형 반도체기판; 상기 활성화영역에 복수로 분리되어 형성된 제2 도전형 제1 이온주입영역; 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역을 연결하는 제2 도전형 제2 이온주입영역; 및 상기 제2 도전형 제2 이온주입영역 상에 형성된 제1 도전형 이온주입영역;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조방법은 제1 도전형 반도체기판에 소자분리막을 형성하여 활성화영역을 정의하는 단계; 상기 활성화영역에 복수로 분리된 제2 도전형 제1 이온주입영역을 형성하는 단계; 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역을 연결하는 제2 도전형 제2 이온주입영역을 형성하는 단계; 및 상기 제2 도전형 제2 이온주입영역 상에 제1 도전형 이온주입영역을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의하면 포토다이오드(photodiode)의 N형 이온주입영역의 공핍영역이 확장되는 것을 더욱 쉽게 만들 수 있으며, 이것을 통해 피닝(pinning)이 쉬워져서 포토다이오드 동작 시 리셋 동작이 쉽게 이루어져서 이미지 래깅(image lagging)을 없앨 수 있는 장점이 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서는 제1 도전형 반도체기판(110), 제2 도전형 제1 이온주입영역(132), 제2 도전형 제2 이온주입영역(134) 및 제1 도전형 이온주입영역(140)을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서에서는 반도체기판(110)을 P형으로 하고, 상기 제2 도전형 이온주입영역(130)을 N형 이온주입영역으로, 상기 제1 도전형 이온주입영역(140)은 P형 이온주입영역으로 설명하였으나, 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 도전형 반도체기판(110)은 소자분리막(120)에 의해 정의되는 활성 화영역을 포함한다. 상기 제1 도전형 반도체기판(110)은 P형 반도체기판일 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체기판(110)은 Si 웨이퍼에 P형 에피택시얼을 형성하거나, Si 웨이퍼에 멀티이온주입에 의해 P형 웰(well)을 형성하여 만들 수 있다.
상기 소자분리막(120)은 LOCOS에 의해 형성하거나, STI(Shallow Trench Isolation)공정에 의해 형성할 수 있다.
다음으로, 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)은 상기 활성화영역에 복수로 분리되어 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)은 4개의 예를 도시하였으나, 그에 한정되는 것이 아니고 2개, 3개, 5개 등 복수로 형성될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체기판(110)이 P형인 경우, 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)은 N형 이온주입영역일 수 있다.
상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)은 상기 제1 도전형 반도체기판(110)의 상측으로부터 1,000~6,000Å의 깊이에 형성할 수 있다. 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132) 사이에 상기 제1 도전형 반도체기판(110)이 사방에 존재함으로써 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)이 디플리션될 때 사방으로 공핍영역이 효과적으로 확장되어 종래기술에 비하여 피닝이 훨씬 용이하게 이루어지는 장점이 있다.
또한, 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역은 상기 제1 도전형 반도체기판(110)의 상측으로부터 9,000~11,000Å의 깊이에 형성할 수 있다. 즉, 종래기술보다 약 2~3배 깊은 위치에 제2 도전형 제1 이온주입영역을 형성하여도 피닝이 완전 히 이루질 수 있는 장점이 있다.
즉, 종래기술에 의할 경우 N형 이온주입영역이 세로방향으로 두껍게 분포될 경우, N형 이온주입영역의 가운데 부근은 피닝(pinning)이 완전히 되지 못할 수 있는데, 본 발명에 의하면 N형 이온주입영역의 두께가 두꺼워도 피닝이 완전히 될 수 있으므로 포토다이오드(photodiode)의 공핍영역이 두꺼워지고 결과적으로 빛에 대해 만들어 낼 수 있는 전자의 수가 많아져서 감도가 향상되고, 포화도(saturation) 또한 증가할 수 있는 효과가 있다.
다음으로, 상기 제2 도전형 제2 이온주입영역(134)은 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)을 전기적으로 연결하여 복수로 분리되어 있는 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)을 묶어주는 역할을 한다.
상기 제2 도전형 제2 이온주입영역(134)은 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)의 상측에 형성되는 것을 예시로 설명하였으나 그에 한정되는 것은 아니며, 제2 도전형 제2 이온주입영역(134)은 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)의 중간에 형성되거나, 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)의 하측에 형성되어 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)을 전기적으로 묶어줄 수 있다.
이로써, 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)과 상기 제2 도전형 제2 이온주입영역(134)이 제2 도전형 이온주입영역(130)을 형성하게 된다.
다음으로, 상기 제1 도전형 이온주입영역(140)은 상기 제2 도전형 제2 이온주입영역(134) 상에 형성된다. 상기 제1 도전형 반도체기판(110)이 P형인 경우, 상기 제1 도전형 이온주입영역(140)은 P형 이온주입영역일 수 있다.
본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서에 의하면 포토다이오드(photodiode)의 N형 이온주입영역의 공핍영역이 확장되는 것을 더욱 쉽게 만들 수 있으며, 이것을 통해 피닝(pinning)이 쉬워져서 포토다이오드 동작 시 리셋 동작이 쉽게 이루어져서 이미지 래깅(image lagging)을 없앨 수 있는 효과가 있다.
(제1 실시예)
도 4 내지 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조공정의 단면도이다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조방법은 활성화영역을 정의하는 단계, 제2 도전형 제1 이온주입영역을 형성하는 단계, 제2 도전형 제2 이온주입영역을 형성하는 단계 및 제1 도전형 이온주입영역을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조방법에서 반도체기판을 P형으로하고, 상기 제1 이온주입영역을 N형 이온주입영역으로, 상기 제2 이온주입영역은 P형 이온주입영역으로 설명하였으나, 그에 한정되는 것은 아니다.
우선, 도 4와 같이, 제1 도전형 반도체기판(110)에 소자분리막(120)을 형성하여 활성화영역을 정의한다. 상기 제1 도전형 반도체기판(110)은 P형 반도체기판일 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체기판(110)은 Si 웨이퍼에 P형 에피택시얼을 형성하거나, Si 웨이퍼에 멀티이온주입에 의해 P형 웰(well)을 형성하여 만들 수 있다.
상기 소자분리막(120)은 LOCOS에 의해 형성하거나, STI(Shallow Trench Isolation)공정에 의해 형성할 수 있다.
다음으로, 상기 반도체기판(110)의 활성화영역에 복수로 분리된 제1 감광막패턴(160)을 형성하고, 상기 제1 감광막패턴(160)을 마스크로하여 N형 이온을 주입하여 복수로 분리된 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)을 형성할 수 있다.
상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)은 상기 제1 도전형 반도체기판(110)의 상측으로부터 1,000~6,000Å의 깊이에 형성할 수 있다.
상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)은 80~200Kev의 에너지로 이온주입 하되, 80Kev에서 이온주입을 시작하여 60Kev씩 증가하면서 이온주입을 통해 복수로 분리된 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)을 상기 제1 도전형 반도체기판(110)의 1,000~6,000Å의 깊이에 형성할 수 있다.
상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132) 사이에 상기 제1 도전형 반도체기판(110)이 사방에 존재함으로써 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)이 디플리션될 때 사방으로 공핍영역이 효과적으로 확장되어 종래기술에 비하여 피닝이 훨씬 용이하게 이루어지는 장점이 있다.
이때, 상기 제1 감광막패턴(160)을 형성하기 위한 마스크는 도 5a 및 도 5b를 참조하여 설명한다.
도 5a 및 도 5b와 같이, 마스크의 어두운 부분(dark)에 제1 감광막패턴(160)이 남게 되고(양성감광막의 경우), 마스크의 밝은 부분(white)에 후속공정에서 제2 도전형 이온주입이 이루어진다. 음성감광막의 경우에는 마스크의 패턴이 그 반대가 되어야한다.
도 5a 및 도 5b의 I-I선 또는 II-II선은 도 4의 단면도의 모습과 대응될 수 있다.
다음으로, 도 6과 같이, 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)을 연결하는 제2 도전형 제2 이온주입영역(134)을 형성한다.
상기 반도체기판(110)의 활성화영역을 전체적으로 오픈하는 제2 감광막패턴(170)을 형성하고, 상기 제2 감광막패턴(170)을 마스크로 하여 N형 이온을 주입하여 복수로 분리된 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)을 전기적으로 묶어주는 제2 도전형 제2 이온주입영역(134)을 형성한다.
다음으로, 도 7과 같이, 상기 제2 도전형 제2 이온주입영역(134) 상에 제1 도전형 이온주입영역(140)을 형성한다. 상기 제2 감광막패턴(170)을 마스크로 하여 P형 이온주입을 하거나, 상기 제2 감광막패턴(170)을 제거하고 새로운 제3 감광막패턴(미도시)을 형성하고 P형 이온주입을 하여 제1 도전형 이온주입영역(140)을 형성할 수 있다.
도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 디플리션을 나타내는 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 N형 이온주입영역(130)에 바이어스가 인가되어 N형 공핍영역이 확장(190)되고, 기판(110)의 P- 영역과 포토다이오드의 표면 부근의 P형 이온주입영역(140)이 함께 리버스(reverse)형태가 되어 P형 공핍영역이 확장(180)되어, 위쪽의 공핍영역과 아래쪽 공핍 영역이 맞닿게 되어 포토다이오드 부분이 전체가 디플리션되는 현상이 발생한다.
특히, 본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서에서는 제1 도전형 반도체기판(110)의 하측에 제2 도전형 제1 이온주입영역(132)을 복수의 분리된 형태로 형성함으로써 제1 도전형 반도체기판(110)과 사방에서 인접함으로써 포토다이오드(photodiode)의 N형 이온주입영역(132)의 공핍영역이 확장되는 것을 더욱 쉽게 만들 수 있으며, 이것을 통해 피닝(pinning)이 쉬워져서 포토다이오드 동작 시 리셋 동작이 쉽게 이루어져서 이미지 래깅(image lagging)을 없앨 수 있는 장점이 있다.
(실시예 2)
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 디플리션을 나타내는 단면도이다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조방법은 활성화영역을 정의하는 단계, 제2 도전형 제1 이온주입영역을 형성하는 단계, 제2 도전형 제2 이온주입영역을 형성하는 단계 및 제1 도전형 이온주입영역을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조방법은 상기 제1 실시예의 제조방법을 채용할 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서는 상기 제1 실시예와 달리 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(232)을 상기 제1 도전형 반도체기판(110)의 상측으로부터 9,000~11,000Å의 깊이에 형성하는 점이다.
상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(232)은 80~800Kev의 에너지로 이온주입 하되, 80Kev에서 이온주입을 시작하여 60Kev씩 증가하면서 800Kev까지 이온주입을 통해 복수로 분리된 제2 도전형 제1 이온주입영역(232)을 상기 제1 도전형 반도체기판(110)의 9,000~11,000Å의 깊이에 형성할 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 씨모스 이미지센서의 제조방법에 의하면, 종래기술보다 약 2~3배 깊은 위치에 제2 도전형 제1 이온주입영역(232)을 형성하여도 피닝이 완전히 이루질 수 있는 장점이 있다.
즉, 종래기술에 의할 경우 N형 이온주입영역이 세로방향으로 두껍게 분포될 경우, N형 이온주입영역의 가운데 부근은 피닝(pinning)이 완전히 되지 못할 수 있는데, 본 발명에 의하면 N형 이온주입영역의 두께가 두꺼워도 피닝이 완전히 될 수 있으므로 포토다이오드(photodiode)의 공핍영역이 두꺼워지고 결과적으로 빛에 대해 만들어 낼 수 있는 전자의 수가 많아져서 감도가 향상되고, 포화도(saturation) 또한 증가할 수 있는 효과가 있다.
다음으로, 상기 제2 도전형 제2 이온주입영역(234)을 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(232)들이 연결되도록 형성함으로써, 상기 제2 도전형 제1 이온주입영역(232)을 전기적으로 연결하여 제2 도전형 이온주입영역(230)을 완성한다.
이후, 제1 도전형 이온주입영역을 상기 제2 도전형 제2 이온주입영역(234) 상에 형성할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자 에게 있어 명백할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법에 의하면 포토다이오드(photodiode)의 N형 이온주입영역의 공핍영역이 확장되는 것을 더욱 쉽게 만들 수 있으며, 이것을 통해 피닝(pinning)이 쉬워져서 포토다이오드 동작 시 리셋 동작이 쉽게 이루어져서 이미지 래깅(image lagging)을 없앨 수 있는 효과가 있다.
또한, 종래기술에 의할 경우 N형 이온주입영역이 세로방향으로 두껍게 분포될 경우 N형 이온주입영역의 가운데 부근은 피닝(pinning)이 완전히 되지 못할 수 있는데, 본 발명에 의하면 N형 이온주입영역의 두께가 두꺼워도 피닝이 완전히 될 수 있으므로 포토다이오드(photodiode)의 공핍영역이 두꺼워지고 결과적으로 빛에 대해 만들어 낼 수 있는 전자의 수가 많아져서 감도가 향상되고, 포화도(saturation) 또한 증가할 수 있는 효과가 있다.

Claims (13)

  1. 소자분리막에 의해 정의되는 활성화영역을 포함하는 제1 도전형 반도체기판;
    상기 활성화영역에 복수로 분리되어 형성된 제2 도전형 제1 이온주입영역;
    상기 제2 도전형 제1 이온주입영역을 연결하는 제2 도전형 제2 이온주입영역; 및
    상기 제2 도전형 제2 이온주입영역 상에 형성된 제1 도전형 이온주입영역;을 포함하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 도전형 제1 이온주입영역은
    상기 제1 도전형 반도체기판의 상측으로부터 1,000~6,000Å의 깊이에 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 도전형 제1 이온주입영역은
    상기 제1 도전형 반도체기판의 상측으로부터 9,000~11,000Å의 깊이에 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 도전형 제2 이온주입영역은
    상기 제2 도전형 제1 이온주입영역의 상측에 형성되는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 도전형 제2 이온주입영역은
    상기 제2 도전형 제1 이온주입영역의 중간에 형성되는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 도전형 제2 이온주입영역은
    상기 제2 도전형 제1 이온주입영역의 하측에 형성되는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 도전형은 P형이고, 상기 제2 도전형은 N형인 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
  8. 제1 도전형 반도체기판에 소자분리막을 형성하여 활성화영역을 정의하는 단계;
    상기 활성화영역에 복수로 분리된 제2 도전형 제1 이온주입영역을 형성하는 단계;
    상기 제2 도전형 제1 이온주입영역을 연결하는 제2 도전형 제2 이온주입영역을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 도전형 제2 이온주입영역 상에 제1 도전형 이온주입영역을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 도전형 제1 이온주입영역을 형성하는 단계는
    복수로 분리된 패턴이 형성된 마스크를 이용하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 도전형 제1 이온주입영역은
    상기 제1 도전형 반도체기판의 상측으로부터 1,000~6,000Å의 깊이에 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 도전형 제1 이온주입영역을 형성하는 단계는
    80~200Kev의 에너지로 이온주입 하되, 80Kev에서 이온주입을 시작하여 60Kev 씩 증가하면서 이온주입을 하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 도전형 제1 이온주입영역은
    상기 제1 도전형 반도체기판의 상측으로부터 9,000~11,000Å의 깊이에 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 도전형 제1 이온주입영역을 형성하는 단계는
    80~800Kev의 에너지로 이온주입 하되, 80Kev에서 이온주입을 시작하여 60Kev씩 증가하면서 이온주입을 하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
KR1020060078127A 2006-08-18 2006-08-18 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 KR20080016259A (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060078127A KR20080016259A (ko) 2006-08-18 2006-08-18 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
US11/782,909 US20080042229A1 (en) 2006-08-18 2007-07-25 Image Sensor and Method for Manufacturing the Same
DE102007034960A DE102007034960A1 (de) 2006-08-18 2007-07-26 Bildsensor und Verfahren zur Herstellung desselben
JP2007201084A JP2008047896A (ja) 2006-08-18 2007-08-01 イメージセンサー及びその製造方法
CNA2007101411896A CN101127324A (zh) 2006-08-18 2007-08-13 图像传感器及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060078127A KR20080016259A (ko) 2006-08-18 2006-08-18 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080016259A true KR20080016259A (ko) 2008-02-21

Family

ID=39095305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060078127A KR20080016259A (ko) 2006-08-18 2006-08-18 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20080042229A1 (ko)
JP (1) JP2008047896A (ko)
KR (1) KR20080016259A (ko)
CN (1) CN101127324A (ko)
DE (1) DE102007034960A1 (ko)

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101360850B1 (ko) * 2013-11-13 2014-02-12 클레어픽셀 주식회사 씨모스 이미지 센서
KR101360849B1 (ko) * 2012-09-10 2014-02-12 클레어픽셀 주식회사 씨모스 이미지 센서
KR20140121430A (ko) * 2012-01-18 2014-10-15 캐논 가부시끼가이샤 고체 촬상 장치 및 카메라
KR20180080194A (ko) * 2015-11-05 2018-07-11 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 촬상 소자
KR20200056361A (ko) 2020-05-04 2020-05-22 김용원 발판보드에 설치하는 발전기
KR20200060309A (ko) 2020-05-08 2020-05-29 김용원 헬스차량에 설치하는 발전기
KR20200060308A (ko) 2020-05-07 2020-05-29 김용원 수상보드에 설치하는 발전기
KR20200060307A (ko) 2020-05-06 2020-05-29 김용원 자전거와 리어 캐리어에 설치하는 발전장치들
KR20200061324A (ko) 2020-05-11 2020-06-02 김용원 보트에 설치하는 발전기
KR20200062092A (ko) 2020-05-11 2020-06-03 김용원 수차와 공기 컴프레서를 이용한 공기 터빈구조 발전기와 바퀴구조 발전기를 합한 발전기
KR20200068614A (ko) 2020-05-26 2020-06-15 김용원 펠티어소자를 이용한 공기, 물 컨디션너 조절장치 내에 설치한 발전기
KR20200083393A (ko) 2020-06-16 2020-07-08 김용원 "공기 터빈구조 발전기"와 "바퀴구조를 합한 발전기"를 "발열소자를 이용한 발전기"와 적용 양방향 모터(양방향 프로펠러)를 양방향공기추진기(Propullor)와 결합 장착한 드론
KR20200088241A (ko) 2020-06-30 2020-07-22 김용원 역방향 모터(양방향 프로펠러)의 추진에 맞는 관성을 이기는 팬이 없는 양방향공기추진기(Propullor)를 장착한 드론
KR20200108392A (ko) 2020-08-31 2020-09-18 김용원 전동 오토바이 모터의 정격에 맞는 오토바이바퀴에 회전자와 물받이 고정자 발전기를 설치한 오토바이에 모터가 장착된 항공기 공기추진기(Propulsor)와 장착한 드론의 프로퓰러(Propullor)를 장착하는 제조기술)
KR20210018367A (ko) 2021-01-26 2021-02-17 김용원 전동 오토바이에 설치한 모터가 장착된 항공기 공기추진기와 장착한 프로퓰러(Propullor)로 구성한 오토에어크라프트(Autoaircraft)
KR20210029730A (ko) 2021-02-22 2021-03-16 김용원 산사태에 대비, 대응하는 에어 레이어들 블록들이 형성된 거대장비들(에어 레이어들 블록들)
KR20210040852A (ko) 2021-03-24 2021-04-14 김용원 전동에어버스
KR20210043513A (ko) 2021-03-26 2021-04-21 김용원 전동에어버스에 설치하는 연기(분연), 재 포집장치
KR20210045369A (ko) 2021-03-31 2021-04-26 김용원 전기 에어 카
KR20210049046A (ko) 2021-04-13 2021-05-04 김용원 전기에어버스를 강풍, 태풍에 구조하는 보조날개와 보조출입문 장치
KR20210055643A (ko) 2021-04-27 2021-05-17 김용원 모터가 장착된 회전축에 다량의 회전자바퀴와 다량의 고정자바퀴발전기를 설치한 전동보드
KR20210072739A (ko) 2021-05-27 2021-06-17 김용원 의료용 전동보드
KR20210080293A (ko) 2021-06-11 2021-06-30 김용원 바퀴 사이 발전기 케이스
KR20220016234A (ko) 2022-01-14 2022-02-08 김용원 공기추진기(공기펌프와 공기터빈)를 장착한 3륜 자전거
KR20220038026A (ko) 2022-02-24 2022-03-25 김용원 4합 공기터빈 : 공기터빈 축에 1. 인너 팬들의 인너 실린더와 2. 아웃터 팬들의 아웃터 실린더와 3. 양쪽 1. 인너 실린더들과 2. 아웃터 실린더들의 사이에 아웃터 팬들에 덕트팬들과 덕트흡입구와 4 1. 인너 실린더들과 2. 아웃터 실린더들의 사이에 아웃터 팬들의 3. 덕트팬들에 블레이드와 블레이드 외부 형틀
KR20220056159A (ko) 2022-04-04 2022-05-04 김용원 물탱크 내의 스팀집 슈퍼히터에 전력공급한 스팀공급으로 스팀터빈을 구동하는 것과 슈퍼히터로 스팀을 공급하는 스팀청소기에 발전기들을 설치하는 것과 공기터빈의 흡입구들의 공기필터들 설치와 펠티에소자를 이용한 냉온 공기배출과 얼음제조기 시스템
KR20220056835A (ko) 2022-04-18 2022-05-06 김용원 공기추진기(공기펌프와 여러 공기터빈들)들을 장착한 수상 자전거
KR20220076421A (ko) 2022-05-11 2022-06-08 김용원 공기추진기(공기펌프와 공기터빈들)들을 장착한 페달자전차
KR20220080053A (ko) 2022-05-27 2022-06-14 김용원 다중 에어 레이어 튜브보트

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5530086B2 (ja) * 2008-09-26 2014-06-25 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
JP5677238B2 (ja) * 2011-08-29 2015-02-25 株式会社日立製作所 固体撮像装置
CN103779365B (zh) 2012-10-19 2016-06-22 比亚迪股份有限公司 宽动态范围像素单元、其制造方法及其构成的图像传感器
JP5932720B2 (ja) * 2013-06-13 2016-06-08 キヤノン株式会社 光電変換装置、および、光電変換装置の製造方法。
JP6396775B2 (ja) * 2014-12-03 2018-09-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 撮像装置
JP7121468B2 (ja) * 2017-02-24 2022-08-18 ブリルニクス シンガポール プライベート リミテッド 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
JP2021027185A (ja) * 2019-08-06 2021-02-22 ローム株式会社 光半導体装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6489643B1 (en) * 1998-06-27 2002-12-03 Hynix Semiconductor Inc. Photodiode having a plurality of PN junctions and image sensor having the same
JP2000031451A (ja) * 1998-07-13 2000-01-28 Toshiba Corp 固体撮像装置およびその製造方法
KR100399951B1 (ko) * 1998-12-30 2003-12-18 주식회사 하이닉스반도체 칼라이미지센서제조방법
KR100485892B1 (ko) * 2002-11-14 2005-04-29 매그나칩 반도체 유한회사 시모스 이미지센서 및 그 제조방법

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140121430A (ko) * 2012-01-18 2014-10-15 캐논 가부시끼가이샤 고체 촬상 장치 및 카메라
US9818794B2 (en) 2012-01-18 2017-11-14 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image sensor and camera
KR101360849B1 (ko) * 2012-09-10 2014-02-12 클레어픽셀 주식회사 씨모스 이미지 센서
KR101360850B1 (ko) * 2013-11-13 2014-02-12 클레어픽셀 주식회사 씨모스 이미지 센서
KR20180080194A (ko) * 2015-11-05 2018-07-11 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 촬상 소자
KR20200056361A (ko) 2020-05-04 2020-05-22 김용원 발판보드에 설치하는 발전기
KR20200060307A (ko) 2020-05-06 2020-05-29 김용원 자전거와 리어 캐리어에 설치하는 발전장치들
KR20200060308A (ko) 2020-05-07 2020-05-29 김용원 수상보드에 설치하는 발전기
KR20200060309A (ko) 2020-05-08 2020-05-29 김용원 헬스차량에 설치하는 발전기
KR20200061324A (ko) 2020-05-11 2020-06-02 김용원 보트에 설치하는 발전기
KR20200062092A (ko) 2020-05-11 2020-06-03 김용원 수차와 공기 컴프레서를 이용한 공기 터빈구조 발전기와 바퀴구조 발전기를 합한 발전기
KR20200068614A (ko) 2020-05-26 2020-06-15 김용원 펠티어소자를 이용한 공기, 물 컨디션너 조절장치 내에 설치한 발전기
KR20200083393A (ko) 2020-06-16 2020-07-08 김용원 "공기 터빈구조 발전기"와 "바퀴구조를 합한 발전기"를 "발열소자를 이용한 발전기"와 적용 양방향 모터(양방향 프로펠러)를 양방향공기추진기(Propullor)와 결합 장착한 드론
KR20200088241A (ko) 2020-06-30 2020-07-22 김용원 역방향 모터(양방향 프로펠러)의 추진에 맞는 관성을 이기는 팬이 없는 양방향공기추진기(Propullor)를 장착한 드론
KR20200108392A (ko) 2020-08-31 2020-09-18 김용원 전동 오토바이 모터의 정격에 맞는 오토바이바퀴에 회전자와 물받이 고정자 발전기를 설치한 오토바이에 모터가 장착된 항공기 공기추진기(Propulsor)와 장착한 드론의 프로퓰러(Propullor)를 장착하는 제조기술)
KR20210018367A (ko) 2021-01-26 2021-02-17 김용원 전동 오토바이에 설치한 모터가 장착된 항공기 공기추진기와 장착한 프로퓰러(Propullor)로 구성한 오토에어크라프트(Autoaircraft)
KR20210029730A (ko) 2021-02-22 2021-03-16 김용원 산사태에 대비, 대응하는 에어 레이어들 블록들이 형성된 거대장비들(에어 레이어들 블록들)
KR20210040852A (ko) 2021-03-24 2021-04-14 김용원 전동에어버스
KR20210043513A (ko) 2021-03-26 2021-04-21 김용원 전동에어버스에 설치하는 연기(분연), 재 포집장치
KR20210045369A (ko) 2021-03-31 2021-04-26 김용원 전기 에어 카
KR20210049046A (ko) 2021-04-13 2021-05-04 김용원 전기에어버스를 강풍, 태풍에 구조하는 보조날개와 보조출입문 장치
KR20210055643A (ko) 2021-04-27 2021-05-17 김용원 모터가 장착된 회전축에 다량의 회전자바퀴와 다량의 고정자바퀴발전기를 설치한 전동보드
KR20210072739A (ko) 2021-05-27 2021-06-17 김용원 의료용 전동보드
KR20210080293A (ko) 2021-06-11 2021-06-30 김용원 바퀴 사이 발전기 케이스
KR20220016234A (ko) 2022-01-14 2022-02-08 김용원 공기추진기(공기펌프와 공기터빈)를 장착한 3륜 자전거
KR20220038026A (ko) 2022-02-24 2022-03-25 김용원 4합 공기터빈 : 공기터빈 축에 1. 인너 팬들의 인너 실린더와 2. 아웃터 팬들의 아웃터 실린더와 3. 양쪽 1. 인너 실린더들과 2. 아웃터 실린더들의 사이에 아웃터 팬들에 덕트팬들과 덕트흡입구와 4 1. 인너 실린더들과 2. 아웃터 실린더들의 사이에 아웃터 팬들의 3. 덕트팬들에 블레이드와 블레이드 외부 형틀
KR20220056159A (ko) 2022-04-04 2022-05-04 김용원 물탱크 내의 스팀집 슈퍼히터에 전력공급한 스팀공급으로 스팀터빈을 구동하는 것과 슈퍼히터로 스팀을 공급하는 스팀청소기에 발전기들을 설치하는 것과 공기터빈의 흡입구들의 공기필터들 설치와 펠티에소자를 이용한 냉온 공기배출과 얼음제조기 시스템
KR20220056835A (ko) 2022-04-18 2022-05-06 김용원 공기추진기(공기펌프와 여러 공기터빈들)들을 장착한 수상 자전거
KR20220076421A (ko) 2022-05-11 2022-06-08 김용원 공기추진기(공기펌프와 공기터빈들)들을 장착한 페달자전차
KR20220080053A (ko) 2022-05-27 2022-06-14 김용원 다중 에어 레이어 튜브보트

Also Published As

Publication number Publication date
US20080042229A1 (en) 2008-02-21
JP2008047896A (ja) 2008-02-28
CN101127324A (zh) 2008-02-20
DE102007034960A1 (de) 2008-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20080016259A (ko) 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
JP4870656B2 (ja) シーモスイメージセンサー及びその製造方法
US6979587B2 (en) Image sensor and method for fabricating the same
US7227199B2 (en) Image sensor and method of manufacturing the same
KR100760913B1 (ko) 씨모스 이미지 센서 및 이의 제조 방법
CN100466279C (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
JP5100988B2 (ja) イメージセンサー及びその製造方法
KR20170084519A (ko) 이미지 센서
US20080157249A1 (en) Image sensor and method of fabricating the same
KR100558530B1 (ko) 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR100720505B1 (ko) 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
KR20090071067A (ko) 이미지 센서 및 그 제조방법
US6472699B1 (en) Photoelectric transducer and manufacturing method of the same
KR100760914B1 (ko) 씨모스 이미지 센서의 제조 방법
JP2007184586A (ja) Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法
KR100769143B1 (ko) 이미지 센서의 제조 방법
KR100937670B1 (ko) 씨모스(ｃｍｏｓ) 이미지 센서의 제조방법
KR20070071018A (ko) 이미지 센서 및 그 제조방법
KR20060127498A (ko) 암전류를 감소시키기 위한 씨모스 이미지 센서의 제조 방법
KR100937671B1 (ko) 씨모스 이미지 센서 제조 방법
KR100824634B1 (ko) 이미지 센서의 제조 방법
JP2007180537A (ja) Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法
KR100720492B1 (ko) 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100840650B1 (ko) 수직형 시모스 이미지 센서의 제조 방법
KR20100079384A (ko) 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
E801 Decision on dismissal of amendment
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
E801 Decision on dismissal of amendment
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20080328

Effective date: 20081030