KR100937671B1 - 씨모스 이미지 센서 제조 방법 - Google Patents
씨모스 이미지 센서 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100937671B1 KR100937671B1 KR1020070139764A KR20070139764A KR100937671B1 KR 100937671 B1 KR100937671 B1 KR 100937671B1 KR 1020070139764 A KR1020070139764 A KR 1020070139764A KR 20070139764 A KR20070139764 A KR 20070139764A KR 100937671 B1 KR100937671 B1 KR 100937671B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pixels
- pixel
- region
- photolithography process
- cmos image
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 31
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
씨모스 이미지 센서 제조 방법이 제안된다. 기판 내에서 픽셀들 사이에 P형 이온 도핑을 이용하여 격리 영역들이 형성된다. 이때 이중(Dual) 포토리쏘그래피 공정을 수행하여 최소 정의 포토 레지스트 공정 간격이 확보된다. 따라서, 상기 격리 영역이 정확히 형성되고 나아가 각 픽셀로부터 인접하는 픽셀로 전자들이 잘못 확산되는 것이 감소된다.
이중 포토리쏘그래피 공정, 하드 베이킹, 포토 다이오드 영역
Description
본 발명은 씨모스 이미지 센서 제조 방법에 관한 것이다.
도 1 은 일반적으로 씨모스 이미지 센서(CIS)에서 발생된 전기 크로스토크를 보여주는 다이어그램이다.
도 1 에 의하면, 실리콘 기판(1)의 표면 내에 N형 이온 도핑에 의해 N형 영역(2)이 형성되고, 상기 N형 영역(2)내에 P형 이온을 도핑하여 상기 기판(1)의 표면내에 P형 영역(3)이 형성된다. 상기 N형 영역(2)과 P형 영역(3)노출된 표면을 포함하는 상기 기판(1)의 전 표면상에 걸쳐 SiO₂와 같은 절연막(4)가 형성되고 상기 절연막(4) 중 상기 P형 영역(3)의 표면 상측에는 수광층(5)이 형성된다. 각 포토 다이오드는 상기 수광층(5), 상기 각 P형 영역(3) 및 상기 N형 영역(2)로 구성된다.
상기 일반적인 포토다이오드 동작에 따르면, 광전자(Photons)들이 상기 수광층(5)을 통과하여 상기 P형 영역(3)안으로 들어오면 전자들이 형성된다. 이때, 도 1 에 나타낸 바와 같이 장파장의 빛이 들어오면 상기 각 P형 영역(3)의 하측, 즉 제 1 포토 다이오드(6)(또는 제 1 픽셀)의 깊은 영역에서 전자들이 생성되게 되고 이 전자들은 인접하는 제 2 픽셀(7)로 확산되어(diffusion) 상기 제 2 픽셀(7)의 상기 P형 영역(3)으로 들어 갈 수 있다. 이는 상기 제 2 픽셀(7)의 신호가 아니므로 향후 노이즈(Noise) 성분으로 작용할 수 있다. 즉, 노이즈 성분은 전체 씨모스(CMOS) 이미지 센서의 크로스토크(Crosstalk)가 된다.
본 발명의 목적은 크로스토크를 방지할 수 있는 씨모스 이미지 센서 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 기판 내에서 픽셀들 사이에 P형 이온 도핑을 이용하여 격리 영역들을 형성하여 준다. 이때 이중(Dual) 포토리쏘그래피 공정을 수행하여 최소 정의 포토 레지스트 공정 간격을 확보한다. 따라서, 상기 격리 영역이 정확히 형성되고 나아가 각 픽셀로부터 인접하는 픽셀로 전자들이 잘못 확산되는 것이 감소된다.
본 발명의 일 형태에 의하면, 씨모스 이미지 센서를 제조하는 방법은, 기판상에 복수개의 씨모스 이미지 센서의 픽셀들을 형성하는 스텝; 상기 기판 내에서 상기 픽셀들 사이의 전기적 혼선을 방지하기 위한 격리 영역을 형성하기 위하여 1차 포토 리쏘그래피 공정을 수행하여 한쪽 대각선 방향으로 인접하는 픽셀들의 포토 다이오드 영역 상에만 제 1 포토 레지스트 패턴들을 남기는 스텝;상기 제 1 포토 레지스트 패턴들을 하드베이킹 하는 스텝; 제 2 포토 리쏘그래피 공정을 수행하여 상기 제 1 포토 리쏘그래피 공정이 수행되지 않은 다른 한쪽 대각선 방향으로 인접하는 픽셀들의 포토 다이오드 영역상에만 제 2 포토 레지스트 패턴을 남기는 스텝; 상기 격리 영역을 형성하기 위하여 상기 제 1 및 제 2 포토 레지스트 패턴들을 마스크로 사용하여 상기 기판 내에 이온을 주입하는 스텝을 구비함을 특징으로 한다.
전술한 바와 같이, 본 실시 예에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
상기 픽셀 대 픽셀 격리 영역을 기판내의 깊숙한 부분에 형성하기 위하여 포토 리쏘그래피 공정을 수행할 때 양 대각선 방향으로 별도로 포토 리쏘그래피 공정을 수행, 즉 이중 포토 리쏘그래피 공정을 수행하므로서 정의 가능한 포토 리쏘그래피 공정의 최소 간격을 얻을 수 있으므로 레지스트 패턴간의 이후 진행되는 격리 영역을 위한 이온 주입시 포토 다이오드 영역의 용량(Capacity) 감소 없이 인접하는 픽셀들간의 전기적인 혼선(Electrical Crosstalk)을 방지할 수 있게 된다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시 예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예의 구성과 그 작용을 설명하며, 도면에 도시되고 또 이것에 의해서 설명되는 본 발명의 구성과 작용은 적어도 하나의 실시 예로서 설명되는 것이며, 이것에 의해서 상기한 본 발명의 기술적 사상과 그 핵심 구성 및 작용이 제한되지는 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서 제조 방 법을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
이하에서, 첨부된 도 2 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도 2 내지 도 5 는 본 실시예에 따라 씨모스 이미지 센서를 제조하는 공정을 보여주는 다이어그램들이다.
먼저, 도 2 는 본 실시예에 따라 기판에 걸쳐 픽셀들이 형성된 상태의 씨모스 이미지 센서의 레이아웃(Layout) 다이어그램이다. 도 2 에 나타낸 바와 같이, 실리콘 기판(도시되지 않음)내에 액티브 영역이 형성되고 나서 P-N 접합 다이오드 같은 각 픽셀(100-400)의 포토 다이오드 영역(10)과 플로팅 확산 영역(Floating Diffusion)(20)이 형성된다. 상기 각 픽셀(100-400)의 상기 각 플로팅 확산 영역(20) 영역에 걸쳐서는 해당하는 트랜지스터들(30)이 형성된다.
이어서, 상기 기판의 전표면상에 걸쳐서 얇은 절연층(도시되지 않음)이 형성되고 나서 상기 각 픽셀(100-400)의 각 포토 다이오드 영역(10)상에 투명 물질로 된 수광층이 형성된다. 따라서, 상기 씨모스 이미지 센서(CMOS Image Sensor)가 만들어지게 된다. 여기서, 전술한 바와 같이, 상기 픽셀들(10-40) 중 상기 제 1 픽셀(10)의 포토 다이오드(10)내로 장파장의 빛이 들어오면 상기 제 1 픽셀(10)의 포토 다이오드(10) 깊은 영역에서는 전자들이 생성되게 되고 이 전자들은 인접하는 상기 제 2 픽셀로 확산되어(diffusion) 결국 상기 인접하는 상기 제 2 픽셀(20)의 상기 포토 다이오드 영역(1)으로 들어 갈 수 있다. 이는 상기 제 2 픽셀(20)의 신호가 아니고 상기 제 1 픽셀(10)의 신호이므로 향후 노이즈(Noise) 성분으로 작용할 수 있다. 즉, 노이즈 성분은 전체 씨모스(CMOS) 이미지 센서의 크로스토 크(Crosstalk)가 된다.
도 3 은 본 실시예에 따라 상기 픽셀들(100-400)간의 격리 영역 형성을 위한픽셀 대 픽셀 격리 이온 주입 공정 진행 전의 포토 리쏘그래피(Photo Lithography) 진행 공정을 보여주는 레이아웃도이다.
따라서, 전술한 바와 같이 본 실시예에서는 상기 픽셀들(100-400)간의 깊은 포토 다이오드 영역(10)까지 서로 영향을 미치지 않도록 상기 기판 내에서 상기 픽셀들(100-400) 사이에 상기 픽셀(화소) 대 픽셀(화소) 격리 영역(Pixel to Pixel Isolation region)을 형성한다.
최근에 픽셀수가 늘어남에 따라 픽셀 피치(Pixel Pitch)가 점점 더 축소되는 추세에 있다. 따라서, 상기 인접하는 픽셀들간 격리를 위한 이온 도핑(Ion Doping)을 진행하고자 할 때는 상기 픽셀 대 픽셀 격리 영역 형성을 위한 포토 리쏘그래피 공정의 정의(Define) 한계를 넘어서게 된다. 상기 픽셀들의 수 및 상기 기판내의 액티브 영역의 면적에 따라 상기 픽셀 피치가 줄어들게 되고 이에 따라 상기 격리 영역을 형성하고자 할 때 진행하는 상기 포토 리쏘그래피 공정의 공간 정의 한계(Space Defining Limit)를 넘어서게 된다.
잘 알려진 바와 같이, 상기 포토 리쏘그래피 공정을 위해서는 먼저 상기 P형 이온 주입을 원하지 않은 부분, 즉 상기 각 픽셀(100-400)의 상기 각 포토 다이오드 영역(10)으로는 상기 P형 이온이 주입되지 않도록 마스크를 씌어야 하는데 이 물질로서는 포토 레지스트가 사용되고 이 포토레지스트를 전체 기판 표면상에 씌우고 나서 이를 패터닝(노광, 현상 및 불필요한 부분 제거)하여 상기 포토 다이오드 영역(10)만을 남긴다. 따라서, 이 상기 각 포토 다이오드 영역(10)에 잔존하는 포토레지스트를 마스크 패턴이라 부른다.
도 3 에 나타낸 바와 같이, 부호 40 는 각 포토 다이오드 영역(10)을 가리기위한 이온 주입 마스크로서의 포토 레지스트 패턴을 지시한다. 한편, 부호 50 는 상기 포토 리쏘그래피 공정시 정의 가능한 최소 포토 레지스트 공간을 지시한다. 상기 픽셀(화소) 대 픽셀(화소) 격리 영역 형성을 위한 상기 P형 이온 주입의 깊이(Rp) 값이 최대 1-2㎛가 되어야 하므로 이때 상기 포토 레지스트의 두께(Thickness)는 2-4㎛가 되어야 한다.
따라서, 상기 두꺼운 포토 레지스트의 최소 정의 가능한 간격보다 상기 픽셀들(100-400)간 거리가 더 가깝게 되는 문제가 있다. 이 경우, 상기 픽셀 대 픽셀 격리 영역 형성을 위한 상기 P형 이온 주입 공정을 실시하면, 상기 각 픽셀(100-400)의 상기 각 포토 다이오드 영역까지 상기 P형의 이온들이 도핑(Doping) 되게 되므로 상기 각 포토 다이오드 영역(10)의 용량(Capacity)가 결국 줄어들게 되는 문제가 발생한다.
도 4 는 본 실시예에 따라 상기 픽셀 피치에 따른 포토 리쏘그래피 공정의 최소 정의 간격 한계를 극복하기 위하여 상기 P형 이온 주입을 위한 마스크로서 서로 대각선으로 인접하는 픽셀 상부에만 포토 레지스트 패턴을 형성하는 경우를 보여주는 레이 아웃 다이어그램이다.
도 4 에 따르면, 도 3 과 같이 상기 모든 픽셀들의 포토 다이오드 영역(10) 상에 상기 이온 주입 마스크를 형성하기 위해 상기 포토 레지스트 패턴을 형성하지 않고 일단 먼저 한쪽 대각선으로 인접하는 픽셀들만을 선택하고 나서 상기 포토 리쏘그래피 공정을 수행한다. 따라서, 상기 선택된 픽셀(100, 400)들의 상기 포토 다이오드 영역(10) 상에만 상기 포토 레지스트 패턴(60)을 남긴다. 이와 같이 상기 한쪽 대각선으로 인접하는 픽셀들(100,400)의 포토 다이오드 영역들(10) 상에만 상기 포토 레지스트 패턴를 코팅하고 나서, 상기 잔존하는 포토 레지스트 패턴을 하드 베이킹(Hard Baking) 한다.
상기 한쪽 대각선 방향의 상기 픽셀들(100,400)의 상기 포토 다이오드 영역들(10) 상에만 상기 코팅된 포토레지스트 패턴(60)을 형성하고 나서 하드베이킹 공정을 수행하는 이유는 상기 픽셀 대 픽셀 격리 영역을 형성하기 위한 상기 포토 리쏘그래피 공정을 완료하고 나서 실제 P형 이온 주입 공정을 수행 할 때, 상기 포토 리쏘그래피 공정의 정의 한계를 극복하기 위해서이다. 이하에서 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 5 는 다른 한쪽 대각선 방향으로 위치된 픽셀들 상에 픽셀 대 픽셀 격리영역을 형성하기 위한 포토 리쏘그래피 공정을 수행한 상태를 보여주는 씨모스 이미지 센서의 레이 아웃도이다.
도 5 에 따르면, 도 4 에 나타낸 바와 같은 한쪽 대각선 방향으로 위치된 픽셀들(100,400)의 각 포토 다이오드 영역(10)상에만 포토 레지스트 패턴(60)을 남기기 위한 포토 리쏘그래피 공정을 수행하고 나서 다시 상기 포토 리쏘그래피 공정이 수행되지 않은 다른 대각선 방향에 위치된 픽셀들(200,300)의 포토 다이오드 영역(10)에 포토 레지스트 패턴(70)을 남기기 위한 포토 리쏘그래피 공정을 수행한 다. 즉, 도 5 는 상기 포토 리쏘그래피 공정이 기진행된 상기 픽셀들 (100,400)을 제외하고 다시 다른 한쪽 대각선으로 위치된 픽셀들(200,300) 상부에 상기 포토 레지스트 패턴(70)을 정의한 것을 보여주는 다이어그램이다. 이어서, 상기 픽셀 대 픽셀 격리 영역을 형성하기 위한 P형 이온 주입을 수행하여 상기 기판 내에서 상기 인접하는 픽셀들사이에 크로스토크를 방지하기 위한 격리 영역(도시되지 않음)을 형성한다.
여기서, 상기 도 4 에서 상기 포토 리쏘그래피 공정이 기 수행되어 형성된상기 픽셀들(10,40)위에 형성된 상기 포토 레지스트 패턴(60)은 아마 하드베이킹(Hard Baking) 되었으므로 도 5 에 따른 포토 리쏘그래피 공정을 수행하고 나서 상기 격리 영역을 형성하기 위한 P형 이온 주입(Ion Implantation) 공정을 수행하더라도 상기 픽셀들(100,400)의 상기 포토 다이오드 영역(10)으로는 상기 P형 이온이 주입이 블록킹(Blocking)된다.
지금까지 본 발명의 바람직한 실시 예에 대해 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위 내에서 변형된 형태로 구현할 수 있을 것이다.
그러므로 여기서 설명한 본 발명의 실시 예는 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 하고, 본 발명의 범위는 상술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1 은 일반적으로 씨모스 이미지 센서(CIS)에서 발생된 전기 크로스토크를 보여주는 다이어그램이다.
도 2 내지 도 5 는 본 실시예에 따라 씨모스 이미지 센서를 제조하는 공정을 보여주는 다이어그램들이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10: 포토 다이오드, 20:플로팅 확산 영역, 30: 트랜지스터,
40: 포토레지스트 패턴, 50, 80: 정의 가능한 최소 포토레지스트 간격,
60: 제 1 포토 레지스트 패턴, 70: 제 2 포토레지스트 패턴,
100-400: 씨모스 이미지 센서 픽셀.
Claims (2)
- 기판상에 복수개의 씨모스 이미지 센서의 픽셀들을 형성하는 스텝;상기 기판 내에서 상기 픽셀들 사이의 전기적 혼선을 방지하기 위한 격리 영역을 형성하기 위하여 1차 포토 리쏘그래피 공정을 수행하여 한쪽 대각선 방향으로 인접하는 픽셀들의 포토 다이오드 영역 상에만 제 1 포토 레지스트 패턴들을 남기는 스텝;상기 제 1 포토 레지스트 패턴들을 하드베이킹 하는 스텝;제 2 포토 리쏘그래피 공정을 수행하여 상기 제 1 포토 리쏘그래피 공정이 수행되지 않은 다른 한쪽 대각선 방향으로 인접하는 픽셀들의 포토 다이오드 영역상에만 제 2 포토 레지스트 패턴을 남기는 스텝;상기 격리 영역을 형성하기 위하여 상기 제 1 및 제 2 포토 레지스트 패턴들을 마스크로 사용하여 상기 기판 내에 이온을 주입하는 스텝을 구비함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 격리 영역은 P형 불순물 영역임을 특징으로 하는 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070139764A KR100937671B1 (ko) | 2007-12-28 | 2007-12-28 | 씨모스 이미지 센서 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070139764A KR100937671B1 (ko) | 2007-12-28 | 2007-12-28 | 씨모스 이미지 센서 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090071846A KR20090071846A (ko) | 2009-07-02 |
| KR100937671B1 true KR100937671B1 (ko) | 2010-01-19 |
Family
ID=41329135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070139764A KR100937671B1 (ko) | 2007-12-28 | 2007-12-28 | 씨모스 이미지 센서 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100937671B1 (ko) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070071007A (ko) * | 2005-12-29 | 2007-07-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 씨모스이미지센서의 제조 방법 |
| KR20070071001A (ko) * | 2005-12-29 | 2007-07-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR20070071175A (ko) * | 2005-12-29 | 2007-07-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR20070076611A (ko) * | 2006-01-19 | 2007-07-25 | 엠텍비젼 주식회사 | 누설 전류를 감소시킨 이미지 센서 |
-
2007
- 2007-12-28 KR KR1020070139764A patent/KR100937671B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070071007A (ko) * | 2005-12-29 | 2007-07-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 씨모스이미지센서의 제조 방법 |
| KR20070071001A (ko) * | 2005-12-29 | 2007-07-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR20070071175A (ko) * | 2005-12-29 | 2007-07-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR20070076611A (ko) * | 2006-01-19 | 2007-07-25 | 엠텍비젼 주식회사 | 누설 전류를 감소시킨 이미지 센서 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090071846A (ko) | 2009-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20080016259A (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| JP5814626B2 (ja) | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法 | |
| US20100109060A1 (en) | Image sensor with backside photodiode implant | |
| US8476102B2 (en) | Solid state image pickup device and method for manufacturing solid state image pickup device | |
| JP2008181970A (ja) | アライメントマーク形成方法、アライメント方法、半導体装置の製造方法および固体撮像装置の製造方法 | |
| JP6004635B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI458045B (zh) | 製備自我對準隔離區的方法 | |
| KR101393214B1 (ko) | 이중 프로파일 쉘로우 트렌치 분리 장치 및 시스템 | |
| US8409909B2 (en) | Range modulated implants for image sensors | |
| KR100570819B1 (ko) | 전송 게이트 전극들에 중첩하면서 자기정렬된 포토다이오드들을 갖는 이미지 센서의 화소들을 제조하는방법들 및 그에 의해 제조된 이미지 센서의 화소들 | |
| JP5489855B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| US8679884B2 (en) | Methods for manufacturing semiconductor apparatus and CMOS image sensor | |
| US9437637B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and resist pattern forming method | |
| JP2013182943A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| KR20090071067A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100937671B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 제조 방법 | |
| JP2013042074A (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 | |
| US20050158897A1 (en) | Image sensor device and method of fabricating the same | |
| JP2008135564A (ja) | フォトダイオード | |
| WO2004055896A1 (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 | |
| KR100769143B1 (ko) | 이미지 센서의 제조 방법 | |
| KR20230077528A (ko) | 후면 조사형 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100840650B1 (ko) | 수직형 시모스 이미지 센서의 제조 방법 | |
| KR20050079436A (ko) | 화소간 신호왜곡을 개선한 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR101115142B1 (ko) | 이미지 센서의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |