JP5918365B2 - 静電気放電保護構造及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図2は、本発明の第一実施例に係る静電気放電保護構造を示す断面図であり、該静電気放電保護構造は、P型サブストレート110と、低濃度不純物ドープによりP型サブストレート110内に形成したNウェル121とを含む。Nウェル121内での高濃度不純物ドープにより、N+のウェル接触区域131とP+のウェル反浸入区域133とを形成し、かつP型サブストレート110内での高濃度不純物ドープにより、P+のサブストレート接触区域132とN+のサブストレート反浸入区域134とを形成する。サブストレート反浸入区域134とウェル反浸入区域133は、いずれもサブストレート接触区域132とウェル接触区域131との間に位置している。
図3は、本発明の第二実施例に係る静電気放電保護構造を示す断面図である。本実施例の作動原理と第一実施例の作動原理とが類似する。具体的には、本実施例の該静電気放電保護構造は、P型サブストレート210と、低濃度不純物ドープによりP型サブストレート210内に形成したNウェル221とを含む。Nウェル221内での高濃度不純物ドープにより、N+のウェル接触区域231とP+のウェル反浸入区域233とを形成し、かつP型サブストレート210内での高濃度不純物ドープにより、P+のサブストレート接触区域232とN+のサブストレート反浸入区域234とを形成する。サブストレート反浸入区域234とウェル反浸入区域233は、いずれもサブストレート接触区域232とウェル接触区域231との間に位置している。
図4は、本発明の第三実施例に係る静電気放電保護構造を示す断面図である。本実施例は、第一実施例のP型サブストレートNウェルの構造をN型サブストレートPウェルの構造に変更させる実施例である。該静電気放電保護構造は、N型サブストレート310と、低濃度不純物ドープによりN型サブストレート310内に形成したPウェル321とを含む。Pウェル321内での高濃度不純物ドープにより、P+のウェル接触区域331とN+のウェル反浸入区域333とを形成し、かつN型サブストレート310内での高濃度不純物ドープにより、N+のサブストレート接触区域332とP+のサブストレート反浸入区域334とを形成する。サブストレート反浸入区域334とウェル反浸入区域333は、いずれもサブストレート接触区域332とウェル接触区域331との間に位置している。
図4は、本発明の第四実施例に係る静電気放電保護構造を示す断面図である。本実施例は、第二実施例のP型サブストレートNウェルの構造をN型サブストレートPウェルの構造に変更させる実施例である。該静電気放電保護構造は、N型サブストレート410と、低濃度不純物ドープによりN型サブストレート410内に形成したPウェル421とを含む。Pウェル421内での高濃度不純物ドープにより、P+のウェル接触区域431とN+のウェル反浸入区域433とを形成し、かつN型サブストレート410内での高濃度不純物ドープにより、N+のサブストレート接触区域432とP+のサブストレート反浸入区域434とを形成する。サブストレート反浸入区域434とウェル反浸入区域433は、いずれもサブストレート接触区域432とウェル接触区域431との間に位置している。
Claims (11)
- 第一導電種類を有するサブストレートと、
前記サブストレート内に設けられ、第二導電種類を有するウェル区域と、
前記サブストレート内に設けられ、第一導電種類を有するサブストレート接触区域と、
前記ウェル区域内に設けられ、第二導電種類を有するウェル接触区域と、
前記サブストレート内に設けられ、かつ前記サブストレート接触区域と前記ウェル接触区域との間に位置し、第二導電種類を有するサブストレート反浸入区域と、
前記ウェル区域内に設けられ、かつ前記サブストレート接触区域と前記ウェル接触区域との間に位置し、第一導電種類を有するウェル反浸入区域と、
前記サブストレートとウェル区域との間の横向きの隣接位置に設けられ、かつ前記サブストレート反浸入区域とウェル反浸入区域との間に設けられて、直接前記サブストレートとウェル区域と接触する貫通区域と、
前記サブストレート内に設けられ、かつ前記サブストレート反浸入区域と貫通区域との間に位置する第一隔離区域と、
前記ウェル区域内に設けられ、かつ前記ウェル反浸入区域と貫通区域との間に位置する第二隔離区域と、
前記貫通区域に接近する酸化層であって、
前記酸化層の一端が前記第一隔離区域に設けられ、他端が前記サブストレートに設けられるか、あるいは前記酸化層の一端が前記第二隔離区域に設けられ、他端が前記ウェル区域に設けられ;
直接前記貫通区域と接触しない、酸化層と、
前記酸化層に設けられるフィールドプレート構造とを含むことを特徴とする静電気放電保護構造。 - 前記第一導電種類がP型であり、前記第二導電種類がN型であり、前記貫通区域は、N型導電種類を有し、前記酸化層の一端が前記第一隔離区域に設けられ、他端が前記サブストレートに設けられ、
前記静電気放電保護構造は、陽極導線と陰極導線をさらに含み、前記陽極導線は、前記ウェル反浸入区域とウェル接触区域とに電気連結され、前記陰極導線は、前記サブストレート接触区域とサブストレート反浸入区域とフィールドプレート構造とに電気連結されることを特徴とする請求項1に記載の静電気放電保護構造。 - 前記第一導電種類がP型であり、前記第二導電種類がN型であり、前記貫通区域は、P型導電種類を有し、前記酸化層の一端が前記第二隔離区域に設けられ、他端が前記ウェル区域に設けられ、
前記静電気放電保護構造は、陽極導線と陰極導線をさらに含み、前記陽極導線は、前記ウェル反浸入区域とウェル接触区域とフィールドプレート構造とに電気連結され、前記陰極導線は、前記サブストレート接触区域とサブストレート反浸入区域とに電気連結されることを特徴とする請求項1に記載の静電気放電保護構造。 - 前記第一導電種類がN型であり、前記第二導電種類がP型であり、前記貫通区域は、P型導電種類を有し、前記酸化層の一端が前記第一隔離区域に設けられ、他端が前記サブストレートに設けられ、
前記静電気放電保護構造は、陽極導線と陰極導線をさらに含み、前記陽極導線は、前記サブストレート接触区域とサブストレート反浸入区域とフィールドプレート構造とに電気連結され、前記陰極導線は、前記ウェル反浸入区域とウェル接触区域とに電気連結されることを特徴とする請求項1に記載の静電気放電保護構造。 - 前記第一導電種類がN型であり、前記第二導電種類がP型であり、前記貫通区域は、N型導電種類を有し、前記酸化層の一端が前記第二隔離区域に設けられ、他端が前記ウェル区域に設けられ、
前記静電気放電保護構造は、陽極導線と陰極導線をさらに含み、前記陽極導線は、前記サブストレート接触区域とサブストレート反浸入区域とに電気連結され、前記陰極導線は、前記ウェル反浸入区域とウェル接触区域とフィールドプレート構造とに電気連結されることを特徴とする請求項1に記載の静電気放電保護構造。 - 前記フィールドプレート構造の材料が多結晶質シリコンであることを特徴とする請求項1に記載の静電気放電保護構造。
- 前記第一隔離区域と第二隔離区域の構造がSTI(Shallow Trench Isolation)構造であることを特徴とする請求項1に記載の静電気放電保護構造。
- 静電気放電保護構造の製造方法であって、
第一導電種類を有するサブストレートを提供するステップと、
前記サブストレート内に第一隔離区域と第二隔離区域を形成するステップと、
イオンを注入することにより、前記サブストレート内に第一導電種類を有するウェル区域を形成し、かつ前記第一隔離区域が前記サブストレート内に位置し、前記第二隔離区域が前記ウェル区域内に位置するようにするステップと、
熱酸化により酸化層を形成し、かつ該酸化層の一端が前記第一隔離区域に設けられ、他端が前記サブストレートに設けられるようにするか、あるいは前記酸化層の一端が前記第二隔離区域に設けれ、他端が前記ウェル区域に設けられるようにするステップと、
蓄積により前記酸化層に前記フィールドプレート構造を形成するステップと、
イオンの注入により、前記サブストレートとウェル区域内に接触区域、反浸入区域及び貫通区域を形成するステップとを含み、
前記接触区域は、前記サブストレート内に設けられ、第一導電種類を有するサブストレート接触区域と、前記ウェル区域内に設けられ、第二導電種類を有するウェル接触区域とを具備し、前記反浸入区域は、前記サブストレート内に設けられ、前記サブストレート接触区域とウェル接触区域との間に位置し、かつ第二導電種類を有するサブストレート反浸入区域と、前記ウェル区域内に設けられ、前記サブストレート接触区域とウェル接触区域との間に位置し、かつ第一導電種類を有するウェル反浸入区域とを具備し、前記貫通区域は、前記サブストレートとウェル区域との間の横向きの隣接位置に設けられ、前記サブストレート反浸入区域と前記ウェル反浸入区域との間に設けられ、かつ前記サブストレートとウェル区域に接触し、
前記第一隔離区域は、前記サブストレート内に設けられ、かつ前記サブストレート反浸入区域と貫通区域との間に位置することを特徴とする静電気放電保護構造の製造方法。 - イオンの注入により、前記サブストレートとウェル区域内に接触区域と貫通区域を形成した後、陰極導線と陽極導線を設ける導線を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の静電気放電保護構造の製造方法。
- 前記フィールドプレート構造の材料が多結晶質シリコンであることを特徴とする請求項8に記載の静電気放電保護構造の製造方法。
- 前記第一隔離区域と第二隔離区域の構造がSTI構造であることを特徴とする請求項8に記載の静電気放電保護構造の製造方法。
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