JP5897871B2 - スルホニウム化合物の製造方法 - Google Patents
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Description
4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム ヘキサフルオロホスファートの合成
四ツ口コルベンに攪拌機、温度計、コンデンサーをそれぞれ設置する。なお、以下の実施例、比較例においても同様の装置を使用した。
4−ヒドロキシフェニルメチルスルフィド14.5g(0.103モル)、ベンジルクロライド13.8g(0.109モル)、水300mlを35℃で20時間反応させた。反応終了後、未反応物を除去するため、酢酸イソプロピル100mlで洗浄して4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム クロライド27.6g(0.103モル)の水溶液を得た。これに酢酸イソプロピル200mlを加え、次いで、ヘキサフルオロリン酸カリウム 18.9g(0.103モル)を投入し、10℃で30分間反応する。 反応後、分液して生成物が抽出された酢酸イソプロピル層を取り出し、水200mlで有機溶媒相を洗浄した。水分を脱水し、有機溶媒相を減圧濃縮し、白色結晶を得た。 得量は36.7gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は94.8%、また、融点は148.0〜150.0℃であった。なお、Kイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。
4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートの合成
実施例1の前半と同様に合成した4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム クロライド27.6g(0.103モル)の水溶液に酢酸イソプロピル200mlを加え、次いで、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸ナトリウム10%水溶液 723.0g(0.103モル)を滴下し、30℃で1時間反応した。反応後、実施例1と同様に処理して、白色結晶を得た。得量は89.1gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は95.0%、融点は86.5〜88.0℃であった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。
4−ヒドロキシフェニル(α-ナフチルメチル)メチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートの合成
4−ヒドロキシフェニルメチルスルフィド14.5g(0.103モル)、α-ナフチルメチルクロライド18.2g(0.103モル)、水180mlを35℃で20時間反応させ、4−ヒドロキシフェニル(α-ナフチルメチル)メチルスルホニウム クロライド32.7g(0.103モル)の水溶液を得た。これに酢酸イソプロピル200mLを加え、次いで、ヘキサフルオロアンチモン酸ナトリウム 26.6g(0.103モル)を投入し、5℃で1時間反応した。反応後、実施例1と同様に処理して白色結晶を得た。得量は49.5gであった。NMR分析、IR分析及び元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は93.0%、融点は125.0〜127.0℃であった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。
4−ヒドロキシフェニル(α-ナフチルメチル)メチルスルホニウム テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートの合成
実施例3の前半と同様に合成した4−ヒドロキシフェニル(α-ナフチルメチル)メチルスルホニウム クロライド32.7g(0.103モル)の水溶液に、酢酸イソプロピル400mlを加え、次いで、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸ナトリウム10%水溶液 724.5g(0.103モル)を滴下し、35℃で1時間反応した。反応後、実施例1と同様に処理して白色結晶を得た。得量は86.2gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は87.0%、融点は130.0〜132.0℃であった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。
4−ヒドロキシフェニル(ジメチル)スルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートの合成
4−ヒドロキシフェニルメチルスルフィド63.5g(0.453モル)、硫酸ジメチル60.0g(0.468モル)を水中で反応させ、4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム メチル硫酸塩120.6g(0.453モル)の水溶液を得た。これに酢酸イソプロピル375mLを加え、次いでヘキサフルオロアンチモン酸ナトリウム 117.2g(0.453モル)を投入し、10℃で30分間反応した。反応後、実施例1と同様に処理して白色結晶を得た。得量は171.8gであった。NMR分析、IR分析及び元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は97.0%、融点は171.0〜172.0℃であった。なお、Naイオンの含有濃度は、検出限界の1ppm未満であった。
4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートの合成
実施例1の前半で合成した4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム クロライド27.6g(0.103モル)の水溶液にテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸ナトリウム10%水溶液 723.0g(0.103モル)を滴下し、30℃で1時間反応した。反応後、酢酸イソプロピル200mlを加え、表記物を抽出した。抽出した酢酸イソプロピル層を実施例1と同様に処理して白色結晶を得た。得量は90.0gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は96.0%、融点は86.0〜88.0℃であった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。
4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム トリフルオロメタンスルホン酸塩の合成
実施例1の前半で合成した4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム クロライド27.6g(0.103モル)の水溶液に酢酸イソプロピル200mlを加え、次いでトリフルオロメタンスルホン酸リチウム 16.0g(0.103モル)を投入し、20℃で30分間反応した。反応後、実施例1と同様に処理して、白色結晶を得た。 得量は36.6gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は93.0%、また、融点は131.0〜132.5℃であった。 なお、リチウムイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。
4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミト゛の合成
実施例1の前半で合成した4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム クロライド27.6g(0.103モル)の水溶液に、酢酸イソプロピル200mlを加え、次いでリチウム=ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド 29.6g(0.103モル)を投入し、20℃で30分間反応した。反応後、実施例1と同様に処理して、白色結晶を得た。得量は49.8gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は94.1%、また、融点は77.5〜79.0℃であった。なお、リチウムイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。
4−ヒドロキシフェニル(O−メチルベンジル)メチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートの合成
4−ヒドロキシフェニルメチルスルフィド27.5g(0.196モル)、O−メチルベンジルクロライド29.0g(0.206モル)、水400mlを35℃で20時間反応させ、4−ヒドロキシフェニル(O−メチルベンジル)メチルスルホニウム クロライド55.0g(0.196モル)の水溶液を得た。これに酢酸イソプロピル450mlを加え、次いでヘキサフルオロアンチモン酸ナトリウム50.7g(0.196モル)を投入し、10℃で30分間反応した。反応後、分液により酢酸イソプロピル層を取り出し、トルエン150mlを加え、水 200mlで有機溶媒相を洗浄した。水分を分液、脱水し、有機溶媒相を減圧濃縮し、白色結晶を得た。得量は88.7gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は94.0%、また、融点は138.0〜139.5℃であった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。
4−ヒドロキシフェニル(α-ナフチルメチル)メチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートの合成
実施例3の前半で合成した4−ヒドロキシフェニル(α-ナフチルメチル)メチルスルホニウム クロライド32.7g(0.103モル)の水溶液に、酢酸イソプロピル200mLを加え、次いでヘキサフルオロアンチモン酸ナトリウム 26.6g(0.103モル)を投入し、5℃で1時間反応した。反応後、分液により酢酸イソプロピル層を取り出し、トルエン75mlを加え、水 50mlで有機溶媒相を洗浄した。水分を分液、脱水し、有機溶媒相を減圧濃縮し、白色結晶を得た。得量は51.4gであった。NMR分析、IR分析及び元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は96.6%、融点は125.0〜127.0℃であった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。
4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートの合成
実施例1の前半で合成した4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム クロライド26.7g(0.100モル)の水溶液に、酢酸イソプロピル450mLを加え、次いでヘキサフルオロアンチモン酸ナトリウム 25.9g(0.100モル)を投入し、10℃で30分間反応した。反応後、実施例9と同様に処理して白色結晶を得た。得量は43.5gであった。NMR分析、IR分析及び元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は93.0%、融点は114.0〜115.5℃であった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。
4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートの合成
4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウム メチル硫酸塩30.9g(0.100モル)に、酢酸イソプロピル300mLを加え、次いでヘキサフルオロアンチモン酸カリウム 25.9g(0.100モル)の水100ml溶液を滴下し、5℃で30分間反応した。反応後、分液により酢酸イソプロピル層を取り出し、酢酸イソプロピル150ml、トルエン150mlを加え、水200mlで有機溶媒相を洗浄した。水分を分液、脱水し、有機溶媒相を減圧濃縮し、白色結晶を得た。得量は40.4gであった。NMR分析、IR分析及び元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は93.3%、融点は154.5〜156.0℃であった。なお、Kイオンの含有濃度は、検出限界の1ppm未満であった。
4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートの合成
実施例1の前半で合成した4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム クロライド27.6g(0.103モル)の水溶液に、酢酸イソプロピル200mlを加え、次いでテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸ナトリウム10%水溶液 723.0g(0.103モル)を滴下し、30℃で1時間反応した。反応後、分液により酢酸イソプロピル層を取り出し、酢酸イソプロピル250ml、ヘキサン150mlを加え、水 200mlで有機溶媒相を洗浄した。水分を分液、脱水し、有機溶媒相を減圧濃縮し、白色結晶を得た。得量は89.1gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は95.0%、融点は86.5〜88.0℃であった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。
4−ヒドロキシフェニル(α-ナフチルメチル)メチルスルホニウム テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートの合成
実施例3の前半で合成した4−ヒドロキシフェニル(α-ナフチルメチル)メチルスルホニウム クロライド32.7g(0.103モル)の水溶液に、酢酸イソプロピル400mlを加え、次いでテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸ナトリウム10%水溶液 723.0g(0.103モル)を滴下し、35℃で1時間反応した。反応後、分液により酢酸イソプロピル層を取り出し、酢酸イソプロピル50ml、トルエン180mlを加え、水 250mlで有機溶媒相を洗浄した。水分を分液、脱水し、有機溶媒相を減圧濃縮し、白色結晶を得た。得量は89.2gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は90.0%、融点は130.0〜131.5℃であった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。
実施例14のトルエンをヘプタンに変えた以外は実施例14に従って実施した。収率は89.8%、融点は129.5〜131.5℃であった。なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。
4−ヒドロキシフェニル(α-ナフチルメチル)メチルスルホニウム テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートの合成
実施例3の前半で合成した4−ヒドロキシフェニル(α-ナフチルメチル)メチルスルホニウム クロライド32.7g(0.103モル)の水溶液にテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸ナトリウム10%水溶液 723.0g(0.103モル)を滴下し、35℃で1時間反応した。反応後、酢酸イソプロピル450ml、トルエン180mlを加え、表記物を抽出して、水 250mlで有機溶媒相を洗浄し、分液、脱水した。有機溶媒相を減圧濃縮し、白色結晶を得た。得量は90.0gであった。NMR分析、IR分析、および元素分析の結果、生成物が表記であることを確認した。収率は90.8%、融点は130.0〜131.5℃であった。 なお、Naイオンおよび塩素イオンの含有濃度は、検出限界の各1ppm未満であった。
実施例1の酢酸イソプロピルを酢酸エチルに変更した以外は実施例1に従って合成した。得られた結晶はNMR分析、IR分析及び元素分析の結果、4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム ヘキサフルオロホスファートであることを確認した。収率は91.6%、融点は140.0〜143.0℃で、実施例に比べて収率、融点ともに低下し、塩素イオンの含有濃度は10ppmであった。
実施例11の酢酸イソプロピルを酢酸エチルに変更した以外は実施例11に従って合成した。得られた結晶はNMR分析、IR分析及び元素分析の結果、4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートであることを確認した。収率は89.8%、融点は112.0〜115.0℃で、Naイオンの含有量は20ppm、塩素イオンの含有濃度は10ppmであった。
実施例11の酢酸イソプロピルを酢酸n-ブチルに変更した以外は実施例11に従って合成した。酢酸n−ブチルの沸点は126℃であるので、最終的に減圧蒸留によって除去したが、実施例8よりも蒸留工程時間が1時間と、2倍以上となり、溶媒が微量に残留して結晶化にも6時間を要した。Naイオンの含有量は8ppm、塩素イオンの含有濃度は4ppmであったが、生成した4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートの収率は75.3%に低下し、融点も103.0〜110.0℃と低下し、かつ融点に幅があった。
実施例3の酢酸イソプロピルをヘプタンに変更した以外は実施例3に従って合成した。生成物の4−ヒドロキシフェニル(α-ナフチルメチル)メチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートの収率は5.3%で、生成物には未反応の原料と無機物が混在していた。
実施例7の酢酸イソプロピルを酢酸エチルに変更した以外は実施例7に従って合成した。得られた結晶はNMR分析、IR分析及び元素分析の結果、4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム トリフルオロメタンスルホン酸塩であることを確認した。収率は85.3%、融点は129.0〜133.0℃で実施例7に比べて収率が低下した。なお、リチウムイオンの含有量は20ppm、塩素イオンの含有濃度は15ppmであった。
実施例8の酢酸イソプロピルを酢酸エチルに変更した以外は実施例8に従って合成した。得られた結晶はNMR分析、IR分析及び元素分析の結果、4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミドであることを確認した。収率は87.5%、融点は75.0〜79.0℃であった。なお、リチウムイオンの含有量は18ppm、塩素イオンの含有濃度は13ppmであった。
減圧濃縮の前まで実施例3に従って合成し、熱カチオン重合開始剤である4−ヒドロキシフェニル(α-ナフチルメチル)メチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートの22.1%酢酸イソプロピル溶液を得た。これを酢酸イソプロピルで濃度が20%になるように希釈した。この溶液0.5gを、JER828(ジャパンエポキシレジン株式会社製 ビスフェノールA型エポキシ樹脂の商品名)10gと混合して、JISK7071(1988)の手法に準じて90℃におけるゲル化時間を測定したところ、1分20秒でゲル化した。
エポキシ樹脂JER828をセロキサイド2021(ダイセル化学工業株式会社製
エポキシ樹脂の商品名)に変更した以外は重合試験例1に記載の方法と同様にして80℃でゲル化時間を測定したところ、1分30秒でゲル化した。
減圧濃縮の前まで実施例11に従って合成し、熱カチオン重合開始剤である4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートの10%酢酸イソプロピル溶液を得た。この溶液1gを、JER828(ジャパンエポキシレジン株式会社製 ビスフェノールA型エポキシ樹脂の商品名)10gと混合して、JISK7071(1988)の手法に準じて120℃におけるゲル化時間を測定したところ、1分36秒でゲル化した。
エポキシ樹脂JER828をセロキサイド2021(ダイセル化学工業株式会社製
エポキシ樹脂の商品名)に変更した以外は重合試験例3に記載の方法と同様にして80℃でゲル化時間を測定したところ、4分32秒でゲル化した。
Claims (7)
- 化2で表されるスルホニウム化合物とMXで表される塩を、酢酸イソプロピルを主成分とする有機溶媒と水の2相系で反応させ、生成した化1で表されるスルホニウム化合物を有機溶媒層に抽出してなる化1で表されるスルホニウム化合物の製造方法。
(ただし、化1、化2において、R1は水素,メトキシカルボニル基,アセチル基,ベンゾイル基のいずれかを、R2は水素,ハロゲン,C1〜C4のアルキル基のいずれかを、R3はC1〜C4のアルキル基,C1〜C4のアルキル基で置換されていてもよいベンジル基,α−ナフチルメチル基のいずれかを、R4はC1〜C4のアルキル基を示す。Yはハロゲンまたはアルキル硫酸イオンを、Mはアルカリ金属,NH4を、XはSbF6,PF6,AsF6,BF4,CF3SO3,(CF3SO2)2N,B(C6F5)4のいずれかを示す。)
- 請求項1に記載の化2で表されるスルホニウム化合物とMXで表される塩を水溶媒で反応させ、生成した化1で表されるスルホニウム化合物を、酢酸イソプロピルを主成分とする有機溶媒で有機溶媒層に抽出してなる請求項1に記載の化1で表されるスルホニウム化合物の製造方法。
- 請求項1または2に記載の製造方法において、抽出後の有機溶媒層に酢酸イソプロピル 1容量に対して、トルエン、ヘキサン、ヘプタンから選ばれた一種または二種以上を0.5容量以下になるように混合してなる請求項1に記載の化1で表されるスルホニウム化合物の製造方法。
- 酢酸イソプロピルを主成分とする有機溶媒が酢酸イソプロピル 1容量に対して、トルエン、ヘキサン、ヘプタンから選ばれた一種または二種以上を0〜0.5容量混合したものである請求項1〜2のいずれかに記載のスルホニウム化合物の製造方法。
- 請求項1または2に記載の製造方法において、抽出後の有機溶媒層に酢酸イソプロピル 1容量に対して、トルエン、ヘキサン、ヘプタンから選ばれた一種または二種以上を脱水のための溶媒として混合してなる請求項3のスルホニウム化合物の製造方法。
- 請求項1に記載の化1で表されるスルホニウム化合物の酢酸イソプロピル溶液であって、酢酸イソプロピルに対する化1で表されるスルホニウム化合物の濃度が0.09〜0.46g/mLである、樹脂を含まない溶液。
- 酢酸イソプロピル 1容量に対して、トルエン、ヘキサン、ヘプタンから選ばれた一種または二種以上を0〜0.5容量混合した有機溶媒に、請求項1に記載の化1で表されるスルホニウム化合物を溶解した溶液であって、酢酸イソプロピルに対する化1で表されるスルホニウム化合物の濃度が0.08〜0.26g/mLである、樹脂を含まない樹脂を含まない溶液。
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