JP5896132B2 - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器、および配線基板に関する。

電子デバイスとして、例えば、圧電振動素子等の電子部品と、電子部品が搭載される素子搭載用基板（パッケージ基板）と、蓋体と、を含んで構成されている圧電デバイスが知られている。圧電振動素子等の電子部品は、素子搭載用基板および蓋体によって囲まれる空間に気密に封止されている。

例えば、特許文献１には、素子搭載用基板にメタライズ層を介して設けられためっき層と、蓋体に設けられた金属層と、を重ね合わせ、蓋体の上部から、めっき層に対応する部分に周状に電子ビームを照射することにより、金属層とめっき層とを溶融して接合させて、圧電振動素子を気密に封止することが開示されている。

特開平１１−１１１８７６号公報

しかしながら、特許文献１に記載されているような封止方法では、基板と蓋体との接合強度が低下することがあった。

本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、基板と蓋体との接合強度を高めることができる電子デバイスの製造方法および電子デバイスを提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記電子デバイスを含む電子機器を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、蓋体との接合強度を高めることができる配線基板を提供することにある。

本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。

［適用例１］
本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、
一方の面に接合材を有する蓋体と、一部に凹部を有する表面に下地層を介して環状のめっき層が配置されている基板と、を準備する工程と、
平面視で前記めっき層の内側になる領域に電子部品を搭載する工程と、
前記基板と共に前記電子部品を収容して、前記めっき層と前記接合材が重なるように蓋体を配置する工程と、
前記接合材を加熱溶融することにより、前記基板と前記蓋体とを接合する工程と、
を含む。

このような電子デバイスの製造方法によれば、基板と下地金属との接触面積、および下地金属とめっき層との接触面積を大きくすることができ、アンカー効果を有することができる電子デバイスを形成することができる。これにより、基板とめっき層との接合強度を高めることができ、その結果、基板と蓋体との接合強度を高めることができる。

［適用例２］
本適用例に係る電子デバイスの製造方法において、
前記接合する工程は、エネルギービームを、前記めっき層に沿って照射しながら走査させ、平面視て前記凹部と重なる位置に２回以上照射してもよい。

このような電子デバイスの製造方法によれば、エネルギービームが２回以上照射される位置は、凹部と重なっているので、めっき層が溶融したとしても、溶融しためっき層が広がって薄くなることを抑制することができる。これにより、基板と蓋体との間に隙間ができることを抑制することができる。したがって、電子部品が収容されている空間と外部とが連通することを抑制することができ、電子部品が収容されている空間の気密性が高い電子デバイスを形成することができる。

［適用例３］
本適用例に係る電子デバイスの製造方法において、
前記基板の前記表面には、前記電子部品の周囲に沿って、前記凹部により凹凸が設けられていてもよい。

このような電子デバイスの製造方法によれば、例えば凹部をレーザービームの照射によって形成する場合に、レーザービームの照射時間を短くすることができる。これにより、製造工程の短縮化を図ることができる。

［適用例４］
本適用例に係る電子デバイスの製造方法において、
前記凹部は、平面視で前記めっき層の角部にあってもよい。

このような電子デバイスの製造方法によれば、熱が溜まりやすい角部には、凹部が設けられているので、めっき層が溶融したとしても、溶融しためっき層が広がって薄くなることを抑制することができる。そのため、電子部品が収容されている空間の気密性が高い電子デバイスを形成することができる。

［適用例５］
本適用例に係る電子デバイスの製造方法において、
前記接合部材が銀ろうであってもよい。

このような電子デバイスの製造方法によれば、基板とめっき層との接合強度を高めることができる。

［適用例６］
本適用例に係る電子デバイスは、
接合部で接合されている蓋体と基板とで構成されている内部空間に電子部品を収容している電子デバイスであって、
前記接合部には、基板表面の一部に凹部を有し、前記凹部内に金属層の一部が配置されている。

このような電子デバイスによれば、これにより、基板と金属層との接合強度を高めることができ、その結果、基板と蓋体との接合強度を高めることができる。

［適用例７］
本適用例に係る電子機器は、
本適用例に係る電子デバイスを含む。

このような電子機器は、本適用例に係る電子デバイスを含むので、高い信頼性を有することができる。

［適用例８］
本適用例に係る配線基板は、
表面に下地層を介して平面視で環状に配置されているめっき層と、
前記めっき層の一部が配置されている凹部と、
平面視で前記めっき層で囲まれている領域に電子部品を搭載するための電極と、
を備えている。

このような配線基板によれば、基板と下地金属との接触面積、および下地金属とめっき層との接触面積を大きくすることができ、アンカー効果を有することができる。これにより、例えば、接合材を介して配線基板と蓋体とを接合させる場合に、配線基板と蓋体との接合強度を高めることができる。

本実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す平面図。 本実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す断面図。 本実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す断面図。 本実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す断面図。 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す図。 本実施形態の第１変形例に係る電子デバイスを模式的に示す平面図。 本実施形態の第２変形例に係る電子デバイスを模式的に示す平面図。 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す図。

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。

１． 電子デバイス
まず、本実施形態に係る電子デバイスについて、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る電子デバイス１００を模式的に示す平面図である。図２〜図４は、本実施形態に係る電子デバイス１００を模式的に示す断面図である。なお、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図であり、図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図であり、図４は、図３の破線で囲まれた領域Ａの拡大図である。また、図１では、便宜上、蓋体３０および接合材３６の図示を省略している。

電子デバイス１００は、図１〜図４に示すように、パッケージ基板（基板）１０と、下地金属２および第１めっき層（めっき層）４を有する積層体２６と、蓋体３０と、接合材３６と、電子部品４０と、を含むことができる。積層体２６および接合材３６は、パッケージ基板１０と蓋体３０とを接合する接合部を構成している。さらに、電子デバイス１００は、例えば、表面電極２０ａ，２０ｂと、裏面電極２２ａ，２２ｂと、貫通電極２４ａ，２４ｂと、接着剤５０ａ，５０ｂと、を含むことができる。

パッケージ基板１０は、例えば、セラミックス（例えばアルミナ）からなる平板状の部材である。パッケージ基板１０は、例えば、単層のセラミックスである。パッケージ基板１０の材質は、セラミックスに限定されず、水晶、ガラス、シリコンであってもよい。図１に示す例では、パッケージ基板１０の平面形状は、矩形である。パッケージ基板１０の一方の主面（第１主面）１３には、表面電極２０ａ，２０ｂ、および積層体２６が設けられている。パッケージ基板１０の他方の主面（第２主面）１４には、裏面電極２２ａ，２２ｂが設けられている。パッケージ基板１０は、蓋体３０とともに、電子部品４０を収容するためのパッケージを構成している。

パッケージ基板１０は、第１部分１０ａと、平面視において第１部分１０ａを囲む第２部分１０ｂと、を備えている。図１に示す例では、第１部分１０ａの平面形状は、矩形であり、第２部分１０ｂは、第１部分１０ａの外縁に沿って設けられている。第１部分１０ａには電子部品４０が設けられ、第２部分１０ｂには積層体２６が設けられている。図示の例では、さらに第１部分１０ａには、表面電極２０ａ，２０ｂ、裏面電極２２ａ，２２ｂ、および貫通電極２４ａ，２４ｂが設けられている。

パッケージ基板１０は、図１および図４に示すように、第２部分１０ｂに凹部１８を有している。すなわち、パッケージ基板１０は、第１主面１３（表面）の一部に凹部１８を有している。パッケージ基板１０の第１主面（表面）１３には、電子部品４０の周囲に沿って（第２部分１０ｂに沿って）、第１凹部１８により凹凸が設けられている。すなわち、第１凹部１８の平面形状は、第２部分１０ｂに沿った環状ではない。より具体的には、第１凹部１８は、スポット状に設けられており、第２部分１０ｂに沿って周状に設けられていない。例えば、第１凹部の平面形状が第２部分に沿った環状であると、第２部分に沿って第１凹部により凹凸は設けられない。

凹部１８の幅（例えば直径）は、例えば、２０μｍ以上３０μｍ以下である。凹部１８の深さ（パッケージ基板１０の厚み方向の大きさ）は、例えば、５μｍ以上１０μｍ以下である。凹部の深さが５μｍ未満の場合は、下地金属と第１めっき層との接触面積を十分に確保できずに、下地金属と第１めっき層との接合強度が低下する場合がある。

パッケージ基板１０は、第１部分１０ａに、パッケージ基板１０を貫通する第１貫通孔１６ａおよび第２貫通孔１６ｂを有している。第１貫通孔１６ａ内には、第１貫通電極２４ａが設けられ、第２貫通孔１６ｂには、第２貫通電極２４ｂが設けられている。貫通孔１６ａ，１６ｂは、パッケージ基板１０の第１主面１３から第２主面１４まで延在している。貫通孔１６ａ，１６ｂは、第１主面１３側から第２主面１４側に向かうに従って、径が小さくなるテーパー形状を有している。

積層体２６は、第２部分１０ｂ上に設けられている。積層体２６は、図１に示すように、電子部品４０を囲むように設けられている。積層体２６は、凹部１８内に設けられている。積層体２６によって、凹部１８は埋まっている。積層体２６は、接合材３６と共に接合部として、蓋体３０とパッケージ基板１０とを接合するための部材である。

積層体２６は、下地金属２および第１めっき層４を含んで構成されている。図示の例では、積層体２６は、下地金属２と、第１めっき層４と、第２めっき層６と、を含んで構成されている。以下、積層体２６について詳細に説明する。

下地金属２は、第２部分１０ｂ上に、電子部品４０を囲むように設けられている。すなわち、下地金属２の平面形状は、環状である。下地金属２は、凹部１８内に設けられている。より具体的は、下地金属２は、凹部１８を規定するパッケージ基板１０の面（凹部１８の内面）に設けられている。下地金属２は、例えば、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）がこの順で積層された積層構造を有している。例えば、クロムの厚みは、０．４μｍ程度であり、銅の厚みは、０．２μｍ以上０．３μｍ以下である。なお、クロムに代えて、チタン（Ｔｉ）や、チタンとタングステンとの合金（ＴｉＷ）を用いてもよい。

第１めっき層４は、下地金属２上に、電子部品４０を囲むように設けられている。すなわち、第１めっき層４の平面形状は、環状である。第１めっき層４は、凹部１８内に設けられている。すなわち、第１めっき層４の一部は、凹部１８内に配置されている。より具体的には、第１めっき層４は、下地金属２を介して、凹部１８の内面に設けられ、凹部１８を埋めている。第１めっき層４の、平面視において凹部１８と重なる部分は、凹部１８と重ならない部分に比べて、大きな厚みを有している。第１めっき層４の、凹部１８と重なる部分の厚みは、凹部１８の深さによって決定される。第１めっき層４の、凹部１８と重ならない部分の厚みは、例えば、１０μｍ以上１５μｍ以下である。図示の例では、第１めっき層４の上面は、平坦な面である。第１めっき層４は、例えば、銅（Ｃｕ）の単層（金属層）である。

なお、図示はしないが、凹部１８の形状が転写されて、第１めっき層４が凹部を有する場合は、第１めっき層４の凹部内に接合材３６が設けられていてよい。さらに、第１めっき層の厚みが小さい場合は、第１めっき層４の凹部に設けられた接合材３６が、凹部１８内に配置されていてもよい。

第２めっき層６は、第１めっき層４上に、電子部品４０を囲むように設けられている。すなわち、第１めっき層４の平面形状は、環状である。図示の例では、第２めっき層６は、下地金属２および第１めっき層４の側面にも設けられている。第２めっき層６の厚みは、例えば、２μｍ以上５μｍ以下である。第２めっき層６は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）がこの順で積層された金属層である。

なお、下地金属２およびめっき層４，６の材質や層構造は、上述した例に限定されない。例えば、下地金属２は、クロム（Ｃｒ）および銅（Ｃｕ）の積層構造を有しておらず、パラジウム（Ｐｄ）から構成されていてもよい。また、下地金属２は、層状の形状を有していなくてもよい。このとき、第１めっき層４は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）がこの順で積層された積層構造を有していてもよいし、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）がこの順で積層された積層構造を有していてもよいし、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）がこの順で積層された積層構造を有していてもよい。また、例えば、第２めっき層６は、設けられていなくてもよい。

接合材３６は、積層体２６上に設けられている。接合材３６は、少なくとも蓋体３０のつば部３２と積層体２６との間に設けられている。図示の例では、接合材３６は、蓋体３０の一方の面の全面に設けられている。接合材３６としては、例えば、銀ろう、ニッケルろう等のろう材を用いる。接合部材３６は、例えば、銀ろう、ニッケルろうからなる金属層であってもよい。接合材３６は、積層体２６と共に接合部として、蓋体３０とパッケージ基板１０とを接合するための部材である。

第１表面電極２０ａおよび第２表面電極２０ｂは、パッケージ基板１０の第１主面１３に設けられている。表面電極２０ａ，２０ｂは、パッケージ基板１０の第１部分１０ａに設けられている。すなわち、表面電極２０ａ，２０ｂは、平面視において、第１めっき層４を含む積層体２６で囲まれた領域に設けられている。表面電極２０ａ，２０ｂ上には、接着剤５０ａ，５０ｂを介して、電子部品４０が接合されている。第１表面電極２０ａは、導電性の接着剤５０ａを介して、電子部品４０の第１マウント電極４８ａに電気的に接続されている。第２表面電極２０ｂは、導電性の接着剤５０ｂを介して、電子部品４０の第２マウント電極４８ｂに電気的に接続されている。表面電極２０ａ，２０ｂは、電子部品４０を搭載するための電極である。

第１裏面電極２２ａおよび第２裏面電極２２ｂは、パッケージ基板１０の第２主面１４に設けられている。第１裏面電極２２ａは、第１貫通電極２４ａを介して、第１表面電極２０ａに電気的に接続されている。第２裏面電極２２ｂは、第２貫通電極２４ｂを介して、第２表面電極２０ｂに電気的に接続されている。裏面電極２２ａ，２２ｂは、外部の装置（図示せず）に実装される際に用いられる外部端子として機能することができる。

第１貫通電極２４ａは、第１貫通孔１６ａ内に設けられている。第１貫通電極２４ａは、第１表面電極２０ａと第１裏面電極２２ａとを電気的に接続している。第２貫通電極２４ｂは、第２貫通孔１６ｂ内に設けられている。第２貫通電極２４ｂは、第２表面電極２０ｂと第２裏面電極２２ｂとを電気的に接続している。

表面電極２０ａ，２０ｂおよび裏面電極２２ａ，２２ｂは、積層体２６と同様に単層または複数層のめっき層から構成され、図示の例では、下地金属２と、第１めっき層４と、第２めっき層６と、を含んで構成されている。貫通電極２４ａ，２４ｂは、例えば、単層または複数層のめっき層から構成され、図示の例では、下地金属２と、第１めっき層４と、を含んで構成されている。

第１表面電極２０ａ、第１裏面電極２２ａ、および第１貫通電極２４ａは、一体に設けられている。すなわち、第１貫通電極２４ａは、第１表面電極２０ａおよび第１裏面電極２２ａに連続して設けられている。そのため、第１表面電極２０ａと第１貫通電極２４ａとの間、および第１貫通電極２４ａと第１裏面電極２２ａとの間には界面（繋ぎ目）がない。図示の例では、第１貫通電極２４ａの第１めっき層４が、第１表面電極２０ａの第１めっき層４および第１裏面電極２２ａの第１めっき層４に連続していることにより、第１表面電極２０ａ、第１裏面電極２２ａ、および第１貫通電極２４ａは、一体に設けられている。同様に、第２表面電極２０ｂ、第２裏面電極２２ｂ、および第２貫通電極２４ｂは、一体に設けられている。このように、電極２０ａ，２２ａ，２４ａが一体に設けられ、電極２０ｂ，２２ｂ，２４ｂが一体に設けられていることにより、電子部品４０を収容する空間３４は、高い気密性を有することができる。

パッケージ基板１０、第１金属層４を含む積層体２６、表面電極２０ａ，２０ｂ、裏面電極２２ａ，２２ｂ、および貫通電極２４ａ，２４ｂは、配線基板１０１を構成することができる。

蓋体３０は、全周につば部３２が設けられたキャップ状（容器状）の形状を有しており、その内側の空間３４に、電子部品４０を収容することができる。蓋体３０は、パッケージ基板１０とともに、電子部品４０を気密に封止するパッケージとして機能している。蓋体３０は、接合材３６を介して、積層体２６に接合されている。より具体的には、蓋体３０のつば部３２は、接合材３６および第２めっき層６を介して、第１めっき層４に接合されている。これにより、蓋体３０は、積層体２６および接合材３６を介して、パッケージ基板１０に接合されている。蓋体３０としては、例えば、コバール、４２アロイ、ステンレス鋼などの金属を用いる。

なお、ここでは、蓋体３０がキャップ状（容器状）の形状を有しており、その内側の空間３４に電子部品１００を収容している場合について説明したが、パッケージ基板１０が窪み部を有しており、この窪み部に電子部品４０が収容されてもよい。この場合、蓋体３０の形状は、平板状であってもよい。

電子部品４０は、パッケージ基板１０の第１部分１０ａに搭載されている。すなわち、電子部品４０は、平面視において、第１金属層４を含む積層体２６に囲まれる領域に搭載されている。電子部品４０は、接着剤５０ａ，５０ｂによって、表面電極２０ａ，２０ｂに接合されている。電子部品４０は、パッケージ基板１０および蓋体３０で囲まれる空間（接合部で接合されているパッケージ基板１０と蓋体３０とで構成されている内部空間）３４に収容されている。例えば、空間３４は減圧状態または窒素等の不活性気体に満たされた状態であり、電子部品４０は、減圧状態または窒素等の不活性気体に満たされた状態で動作する。なお、電子部品４０の形態としては、例えば、ジャイロセンサー、加速度センサー、振動子、ＳＡＷ（弾性表面波）素子、などの各種の電子部品を挙げることができる。

以下では、電子部品４０が、振動子である場合について説明する。電子部品４０は、圧電振動片４２と、励振電極４４ａ，４４ｂと、接続電極４６ａ，４６ｂと、マウント電極４８ａ，４８ｂと、を含んで構成されている。

圧電振動片４２は、例えば、ＡＴカット水晶基板、ＢＴカット水晶基板等の水晶基板からなる。圧電振動片４２は、図２に示すように、メサ構造を有している。これにより、圧電振動片４２は、高いエネルギー閉じ込め効果を有することができる。

第１励振電極４４ａは、圧電振動片４２の一方の主面（励振面、図示の例では上面）に設けられている。第１励振電極４４ａは、第１接続電極４６ａを介して、第１マウント電極４８ａに接続されている。第２励振電極４４ｂは、圧電振動片４２の他方の主面（励振面、図示の例では下面）に設けられている。第２励振電極４４ｂは、第２接続電極４６ｂを介して、第２マウント電極４８ｂに接続されている。励振電極４４ａ，４４ｂは、圧電振動片４２に電圧を印加することができる。

接着剤５０ａ，５０ｂは、電子部品４０をパッケージ基板１０に固定（接合）することができる。図示の例では、接着剤５０ａは、電子部品４０の第１マウント電極４８ａと、パッケージ基板１０に設けられた第１表面電極２０ａと、を接合している。また、接着剤５０ｂは、電子部品４０の第２マウント電極４８ｂと、パッケージ基板１０に設けられた第２表面電極２０ｂと、を接合している。接着剤５０ａ，５０ｂとしては、導電性の接着剤を用いることができる。具体的には、接着剤５０ａ，５０ｂとしては、例えば、銀ペーストを用いることができる。

本実施形態に係る電子デバイス１００は、例えば、以下の特徴を有する。

電子デバイス１００によれば、積層体２６および接合材３６によって構成されている接合部には、パッケージ基板１０表面に凹部１８を有し、凹部１８内に金属層（図３および図４に示す例では、第１めっき層４）の一部が配置されている。より具体的には、パッケージ基板１０と蓋体３０とを接合するための第１めっき層４（積層体２６を構成する第１めっき層４）は、下地金属２を介して、凹部１８内（凹部１８の内面）に設けられている。そのため、電子デバイス１００では、パッケージ基板１０と下地金属２との接触面積、および下地金属２と第１めっき層４との接触面積を大きくすることができ、アンカー効果を有することができる。これにより、電子デバイス１００では、パッケージ基板１０と第１めっき層４との接合強度を高めることができ、その結果、パッケージ基板１０と蓋体３０との接合強度を高めることができる。したがって、電子デバイス１００は、高い信頼性を有することができる。

さらに、電子デバイス１００によれば、例えば、パッケージ基板１０と蓋体３０との熱膨張係数の差に起因して生じる応力により、パッケージ基板１０に対して蓋体３０がずれることを、凹部１８内に設けられた第１めっき層４によって抑制することができる。

本実施形態に係る配線基板１０１は、例えば、以下の特徴を有する。

配線基板１０１によれば、下地金属２を介して平面視で環状に配置されている第１めっき層４と、第１めっき層の一部が配置されている凹部１８と、平面視において第１めっき層４で囲まれた領域（基板１０の第１部分１０ａ）に電子部品４０を搭載するための電極（表面電極２０ａ，２０ｂ）と、を有することができる。そのため、配線基板１０１では、パッケージ基板１０と下地金属２との接触面積、および下地金属２と第１めっき層４との接触面積を大きくすることができ、アンカー効果を有することができる。これにより、例えば、接合材３６を介して配線基板１０１と蓋体３０とを接合させる場合に、配線基板１０１と蓋体３０との接合強度を高めることができる。

２． 電子デバイスの製造方法
次に、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図５〜図１３は、本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。図１４は、本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す図であり、図中（Ａ）において断面図を示し、図中（Ｂ）において平面図を示している。なお、図５〜図１３および図１４（Ａ）は、図３に対応し、図１４（Ｂ）は、図１に対応している。また、図１４（Ｂ）では、便宜上、蓋体３０および接合材３６の図示を省略している。

図５に示すように、凹部１８および貫通孔１６ａ，１６ｂを有しているセラミック母基板（基板）１１０を準備する。第１凹部１８の平面形状は、上述のとおり、第２部分１０ｂに沿った環状ではない。セラミック母基板１１０は、例えば、単層のセラミックスである。セラミック母基板１１０は、さらに、チップ分離用の溝部１９を有している。溝部１９は、セラミック母基板１１０を劈開してパッケージ基板１０とするためのスクライブラインとして機能する。凹部１８は、第２部分１０ｂに設けられ、貫通孔１６ａ，１６ｂは、第１部分１０ａに設けられている。凹部１８、貫通孔１６ａ，１６ｂ、および溝部１９は、例えば、セラミック母基板１１０にレーザービームを照射することによって形成される。レーザービームの照射条件を調整することによって、貫通孔１６ａ，１６ｂは、テーパー形状に形成される。

次に、図６〜図１１に示すように、表面電極２０ａ，２０ｂ、裏面電極２２ａ，２２ｂ、貫通電極２４ａ，２４ｂ、および積層体２６を形成する。以下では、表面電極２０ａ，２０ｂ、裏面電極２２ａ，２２ｂ、貫通電極２４ａ，２４ｂ、および積層体２６をセミアディティブ法で形成する場合について説明する。

図６に示すように、凹部１８内および第２部分１０ｂ上に下地金属２を形成する。図示の例では、セラミック母基板１１０の全面に下地金属２を成膜する。より具体的には、セラミック母基板１１０の第１主面１３、第２主面１４、凹部１８を規定するセラミック母基板１１０の面、貫通孔１６ａ，１６ｂを規定するセラミック母基板１１０の面、および溝部１９を規定するセラミック母基板１１０の面に、下地金属２を形成する。下地金属２は、例えば、セラミック母基板１１０上にＣｒ層を成膜した後、Ｃｒ層上にＣｕ層を成膜することにより形成される。Ｃｒ層およびＣｕ層の成膜は、例えば、スパッタ法により行われる。貫通孔１６ａ，１６ｂがテーパー形状を有していることにより、貫通孔１６ａ，１６ｂを規定するセラミック母基板１１０の面に対して、下地金属２の付き回りが良くなる。そのため、下地金属２を途切れることなく、均一に成膜することができる。下地金属２は、第１めっき層４を電気めっきにより成膜する際のシード層となることができる。

図７に示すように、セラミック母基板１１０の第１主面１３および第２主面１４に、レジスト層（めっきレジスト）Ｒを形成する。図７に示す例では、第１主面１３および第２主面１４に、下地金属２を介して、レジスト層Ｒを形成する。レジスト層Ｒは、第１主面１３のうち、表面電極２０ａ，２０ｂが形成される領域および積層体２６が形成される領域を避けて形成される。また、レジスト層Ｒは、第２主面１４のうち、裏面電極２２ａ，２２ｂが形成される領域を避けて形成される。レジスト層Ｒは、例えば、感光性有機物質を塗布し、露光、現像を行うことにより形成される（フォトリソグラフィー技術）。

図８に示すように、めっきにより、凹部１８内および下地金属２上に第１めっき層４を形成する。図８に示す例では、第１めっき層４を、下地金属２を介して、セラミック母基板１０の第１主面１３、第２主面１４、凹部１８を規定するセラミック母基板１１０の面、貫通孔１６ａ，１６ｂを規定するセラミック母基板１１０の面に形成する。第１めっき層４は、レジスト層Ｒが形成されている領域を避けて形成される。めっきの手法として、例えば、電気めっき（電解めっき）を用いることができる。電気めっきを用いた場合、第１めっき層４の材質は、例えば、銅（Ｃｕ）である。

本工程により、第１めっき層４は、第１表面電極２０ａを構成する部分、第１裏面電極２２ａを構成する部分、および第１貫通電極２４ａを構成する部分が、一体に形成される（図３参照）。また、第１めっき層４は、第２表面電極２０ｂを構成する部分、第２裏面電極２２ｂを構成する部分、および第２貫通電極２４ｂを構成する部分が、一体に形成される（図３参照）。

なお、本工程では、めっきの手法として、無電解めっきを用いてもよい。この場合、下地金属２は、触媒として機能することができる。この場合、下地金属２の材質は、例えば、パラジウム（Ｐｄ）であり、下地金属２の形状は、層状でなくてもよい。また、第１めっき層４は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）がこの順で積層された積層構造を有していてもよいし、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）がこの順で積層された積層構造を有していてもよいし、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）がこの順で積層された積層構造を有していてもよい。

図９に示すように、レジスト層Ｒを除去（剥離）する。レジスト層Ｒの除去は、例えば、レジスト層Ｒを溶かす有機溶剤等を用いて行われる。

図１０に示すように、露出した下地金属２を除去する。下地金属２の除去は、例えば、ウェットエッチングにより行われる。

図１１に示すように、下地金属２および第１めっき層４を覆う第２めっき層６を形成する。第２めっき層６は、例えば、無電解めっきにより形成される。第２めっき層６は、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）がこの順で積層された積層構造を有している。第２めっき層６を形成することにより、下地金属２および第１めっき層４が酸化することを防ぐことができる。以上の工程により、表面電極２０ａ，２０ｂ、裏面電極２２ａ，２２ｂ、貫通電極２４ａ，２４ｂ、および積層体２６を形成することができ、配線基板１０１を形成することができる。これにより、一部に凹部１８を有する表面（第１主面１３）に下地金属２を介して環状の第１金属層４が配置されているセラミック母基板１１０を準備することができる。

なお、上述では、まずレジスト層Ｒを形成し、次に第１めっき層４を形成し、レジスト層Ｒを除去した後に第２めっき層６を形成して表面電極２０ａ，２０ｂや積層体２６等を形成する例について説明したが、まず第１めっき層４および第２めっき層６を成膜し、次にレジスト層Ｒを形成し、レジスト層Ｒをマスクとして第１めっき層４および第２めっき層６をエッチングした後に、レジスト層Ｒを除去して表面電極２０ａ，２０ｂや積層体２６等を形成してもよい。

図１２に示すように、電子部品４０をセラミック母基板１１０に（第１部分１０ａに）搭載する。より具体的には、電子部品４０は、平面視においてセラミック母基板１１０における、積層体２６に囲まれている（第１金属層４に囲まれている）領域（第１金属層の内側になる領域）に搭載される。例えば、セラミック母基板１１０に設けられた第１表面電極２０ａと電子部品４０の第１マウント電極４８ａとを、接着剤５０ａを介して接合し、第２表面電極２０ｂとマウント電極４８ｂとを、接着剤５０ｂを介して接合する。

図１３に示すように、一方の面に接合材３６が配置されている蓋体３０を準備する。蓋体３０は、例えば蓋体３０の母材であるコバールの一方の面の全面に接合材３６（銀ろう）、他方の面にニッケル（図示せず）が形成されたクラッド材を、絞り加工することで形成される。なお、蓋体３０を準備する工程は、その順番を問わず、例えば、積層体２６が表面に配置されたセラミック母基板１１０を準備する工程の前に行われてもよい。

次に、セラミック母基板１１０と共に電子部品４０を収容して、積層体２６と（第１金属層４と）接合材３６とが重なるように蓋体３０を配置する。すなわち、蓋体３０を、接合材３６を介して、積層体２６上に配置し、セラミック母基板１１０と蓋体３０とに囲まれる空間３４に電子部品４０を収容する。

図１４に示すように、接合材３６を加熱溶融することにより、積層体２６と蓋体３０とを接合し（第２めっき層６を介して第１めっき層４と蓋体３０とを接合し）、セラミック母基板１１０と蓋体３０とを接合する。接合材３６は、例えば、エネルギービーム（レーザービームまたは電子ビーム）の照射によって加熱溶融されてもよいし、電流を流すことにより発生する抵抗熱によって加熱溶融されてもよい。

図１４に示す例では、光源１から照射されたレーザービームＬを、平面視において積層体２６に沿って（第１めっき層４に沿って）蓋体３０に照射しながら走査させ、接合材３６を加熱溶融している。なお、図中の矢印Ｗは、レーザービームＬの照射経路を示している。

レーザービームＬの照射は、図１４（Ｂ）に示すように平面視において、凹部１８と重なる第１位置Ｓから始まる。第１位置Ｓから始まったレーザービームＬの照射は、凹部１８と重なる第２位置Ｅを通過し、周状に積層体２６に沿って行われる。その後、再び第１位置Ｓを通過し、第２位置Ｅで終了する。このように、凹部１８と重なる第１位置Ｓと第２位置Ｅとの間は、複数回（２回）レーザービームＬが照射される。これにより、レーザービームＬの照射を、途切れることなく、より確実に積層体２６に沿って周状に行うことができる。

なお、レーザービームＬの照射は、光源１を固定した状態で、セラミック母基板１１０が載置されているステージ（図示せず）を移動させて行われてもよいし、セラミック母基板１１０を固定した状態で、光源１を移動させて行われてもよいし、光源およびステージを固定した状態で、光源とステージとの間のミラーを駆動させて行われてもよい。また、レーザービームの代わりに電子ビームを用いてもよい。

以上の工程により、電子部品４０を空間３４に収容し、セラミック母基板１１０と蓋体３０とを接合することができる。本工程は、減圧雰囲気で行われるため、空間３４を減圧状態にすることができる。

図１〜図３に示すように、セラミック母基板１１０からパッケージ基板１０（電子デバイス１００）を切り出す。具体的には、セラミック母基板１１０を、溝部１９に沿って劈開させて、パッケージ基板１０（電子デバイス１００）を切り出す。

以上の工程により、電子デバイス１００を製造することができる。

本実施形態に係る電子デバイス１００の製造方法によれば、例えば、以下の特徴を有する。

電子デバイス１００の製造方法によれば、パッケージ基板１０と蓋体３０とを接合するための第１めっき層４（積層体２６を構成する第１めっき層４）を、下地金属２を介して、凹部１８内（凹部１８の内面）に形成することができる。そのため、電子デバイス１００では、パッケージ基板１０と下地金属２との接触面積、および下地金属２と第１めっき層４との接触面積を大きくすることができ、アンカー効果を有することができる。これにより、パッケージ基板１０と第１めっき層４との接合強度を高めることができ、その結果、パッケージ基板１０と蓋体３０との接合強度を高めることができる。したがって、高い信頼性を有する電子デバイス１００を形成することができる。

電子デバイス１００の製造方法によれば、エネルギービーム（レーザービームまたは電子ビーム）の照射は、平面視において、凹部１８と重なる第１位置Ｓから始まり、凹部１８と重なる第２位置Ｅを通過して積層体２６に沿って（第１めっき層４に沿って）行われ、再び第１位置Ｓを通過して第２位置Ｅで終了する。このように、第１位置Ｓと第２位置Ｅとの間は、複数回（２回）レーザービーム等が照射される。複数回レーザービーム等が照射される部分は、例えば、１回しか照射されない部分に比べて、第１めっき層４が溶融する可能性が高い。ここで、複数回レーザービーム等が照射される第１位置Ｓと第２位置Ｅとの間は、凹部１８と重なっているので、第１めっき層４が溶融したとしても、溶融した第１めっき層４が広がって薄くなることを抑制することができる。これにより、パッケージ基板１０と蓋体３０との間に隙間ができることを抑制することができる。したがって、圧電振動子４０が収容されている空間３４と外部とが連通することを抑制することができ、空間３４の気密性が高い電子デバイス１００を形成することができる。

なお、接合材３６が十分に厚い場合は、第１位置Ｓおよび第２位置Ｅは、凹部１８の外側（平面視において凹部１８と重ならない位置）に設けられていてもよい。

さらに、電子デバイス１００の製造方法によれば、凹部１８と重なる第１位置Ｓと第２位置Ｅとの間に、複数回レーザービーム等を照射することにより、レーザービーム等の照射を、途切れることなく、より確実に積層体２６に沿って周状に行うことができる。そのため、より確実に、積層体２６と蓋体３０とを接合させることができる。例えば、レーザービーム等の照射の開始位置と終了位置とが同じ場合は、照射位置がずれることにより、レーザービーム等が照射されない部分が生じることがある。そのため、積層体と蓋体とが接合されない部分が生じることがある。

電子デバイス１００の製造方法によれば、パッケージ基板１０の第１主面（表面）１３には、電子部品４０の周囲に沿って（第２部分１０ｂに沿って）、第１凹部１８により凹凸が設けられている。すなわち、第１凹部１８の平面形状は、第２部分１０ｂに沿った環状ではない。そのため、例えば凹部１８をレーザービームの照射によって形成する場合に、レーザービームの照射時間を短くすることができる。これにより、製造工程の短縮化を図ることができる。

３． 電子デバイスの変形例
３．１． 第１変形例
次に、本実施形態の第１変形例に係る電子デバイスについて、図面を参照しながら説明する。図１５は、本実施形態の第１変形例に係る電子デバイス２００を模式的に示す平面図である。なお、図１５では、便宜上、蓋体３０および接合材３６の図示を省略している。以下、電子デバイス２００において、上述した電子デバイス１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

電子デバイス１００では、図１に示すように、凹部１８は、１つ設けられていた。これに対し、電子デバイス２００では、図１５に示すように、凹部１８は、複数設けられている。

図１５に示す例では、パッケージ基板１０は、８つの凹部１８（１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ，１８ｅ，１８ｆ，１８ｇ，１８ｈ）を有している。凹部１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ，１８ｅ，１８ｆ，１８ｇ，１８ｈは、この順で、積層体２６に沿って周状に設けられている。

次に、電子デバイス２００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、以下では、上述した電子デバイス１００の製造方法と異なる点について説明し、同様の点については詳細な説明を省略する。

電子デバイス２００の製造方法では、接合材３６を溶融させるためのエネルギービームの照射を、図１５に示すように、分割して行うことができる。

より具体的には、第１のレーザービーム照射（照射経路Ｗ１）は、第１位置Ｓａから始まり、第２位置Ｅａおよび第１位置Ｓｂを通過して、第２位置Ｅｂで終了する。第２のレーザービーム照射（照射経路Ｗ２）は、第１位置Ｓｂから始まり、第２位置Ｅｂおよび第１位置Ｓｃを通過して、第２位置Ｅｃで終了する。第３のレーザービーム照射（照射経路Ｗ３）は、第１位置Ｓｃから始まり、第２位置Ｅｃおよび第１位置Ｓｄを通過して、第２位置Ｅｄで終了する。第４のレーザービーム照射（照射経路Ｗ４）は、第１位置Ｓｄから始まり、第２位置Ｅｄおよび第１位置Ｓｅを通過して、第２位置Ｅｅで終了する。第５のレーザービーム照射（照射経路Ｗ５）は、第１位置Ｓｅから始まり、第２位置Ｅｅおよび第１位置Ｓｆを通過して、第２位置Ｅｆで終了する。第６のレーザービーム照射（照射経路Ｗ６）は、第１位置Ｓｆから始まり、第２位置Ｅｆおよび第１位置Ｓｇを通過して、第２位置Ｅｇで終了する。第７のレーザービーム照射（照射経路Ｗ７）は、第１位置Ｓｇから始まり、第２位置Ｅｇおよび第１位置Ｓｈを通過して、第２位置Ｅｈで終了する。第８のレーザービーム照射（照射経路Ｗ８）は、第１位置Ｓｈから始まり、第２位置Ｅｈおよび第１位置Ｓａを通過して、第２位置Ｅａで終了する。

なお、第１位置Ｓａおよび第２位置Ｅａは、平面視において凹部１８ａと重なっている。同様に、位置Ｓｂ，Ｅｂは凹部１８ｂと重なり、位置Ｓｃ，Ｅｃは凹部１８ｃと重なり、位置Ｓｄ，Ｅｄは凹部１８ｄと重なり、位置Ｓｅ，Ｅｅは凹部１８ｅと重なり、位置Ｓｆ，Ｅｆは凹部１８ｆと重なり、位置Ｓｇ，Ｅｇは凹部１８ｇと重なり、位置Ｓｈ，Ｅｈは凹部１８ｈと重なっている。

以上の工程により、レーザービームの照射を、途切れることなく、積層体２６に沿って周状に行うことができる。

電子デバイス２００の製造方法によれば、エネルギービームの照射を複数回（図１５に示す例では８回）に分割して行うことができる。

３．２． 第２変形例
次に、本実施形態の第２変形例に係る電子デバイスについて、図面を参照しながら説明する。図１６は、本実施形態の第２変形例に係る電子デバイス３００を模式的に示す平面図である。なお、図１６では、便宜上、蓋体３０および接合材３６の図示を省略している。以下、電子デバイス３００において、上述した電子デバイス１００，２００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

電子デバイス１００では、図１に示すように、凹部１８は、パッケージ基板１０の第２部分１０ａの延在部（所定の方向に延在する部分）に設けられていた。これに対し、電子デバイス３００では、図１６に示すように、凹部１８は、第２部分１０ａの角部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄに設けられている。

図１６に示す例では、パッケージ基板１０は、４つの凹部１８（１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ）を有している。凹部１８ａは角部１１ａに設けられ、凹部１８ｂｂは角部１１ｂに設けられ、凹部１８ｃは角部１１ｃに設けられ、凹部１８ｄは角部１１ｄに設けられている。

パッケージ基板１０の第２部分１０ｂは、第１方向に延在する第１延在部１２ａ，１２ｂと、第１方向と交差する（図示の例では直交する）第２方向に延在する第２延在部１２ｃ，１２ｄを有することができる。角部１１ａは、第１延在部１２ａと第２延在部１２ｄの接続部分である。角部１１ｂは、第１延在部１２ａと第２延在部１２ｃの接続部分である。角部１１ｃは、第１延在部１２ｂと第２延在部１２ｃの接続部分である。角部１１ｄは、第１延在部１２ｂと第２延在部１２ｄの接続部分である。

積層体２６を構成する第１めっき層４は、例えば、パッケージ基板１０の第２部分１０ｂと同じ平面形状を有することができる。したがって、凹部１８は、平面視において、第１めっき層４の角部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに設けられている。平面視において、角部４ａは角度１１ａと重なり、角部４ｂは角度１１ｂと重なり、角部４ｃは角度１１ｃと重なり、角部４ｄは角度１１ｄと重なっている。

次に、電子デバイス３００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。電子デバイス３００の製造方法は、レーザービーム等の照射を４回に分割して行うこと以外は、基本的に電子デバイス１００の製造方法ないし電子デバイス２００の製造方法と同じである。したがって、その詳細な説明を省略する。

電子デバイス３００によれば、凹部１８は、平面視において、積層体２６を構成する第１金属層４の角部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに設けられている。より具体的には、平面視において、パッケージ基板１０の第２部分１０ｂの角部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄに凹部１８が設けられている。ここで、角部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄは、延在部１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄに比べて、熱が溜まりやすい部分である。そのため、角部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄでは、レーザービーム等の照射などによって接合材３６を加熱溶融させる際に、第１めっき層４が溶融することがある。電子デバイス３００では、角部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄには、凹部１８が設けられているので、第１めっき層４が溶融したとしても、溶融した第１めっき層４が広がって薄くなることを抑制することができる。そのため、電子デバイス３００は、高い気密性を有することができる。

４． 電子機器
次に、本実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。本実施形態に係る電子機器は、本発明に係る電子デバイスを含む。以下では、本発明に係る電子デバイスとして、電子デバイス１００を含む電子機器について、説明する。

図１７は、本実施形態に係る電子機器として、携帯電話機（ＰＨＳも含む）１２００を模式的に示す斜視図である。

図１７に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。

このような携帯電話機１２００には、電子デバイス１００が内蔵されている。

図１８は、本実施形態に係る電子機器として、デジタルスチルカメラ１３００を模式的に示す斜視図である。なお、図１８には、外部機器との接続についても簡易的に示している。

ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

デジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。

また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。

撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。

また、このデジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。

このようなデジタルスチルカメラ１３００には、電子デバイス１００が内蔵されている。

図１９（Ａ）は、本実施形態に係る電子機器として、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）１４００を模式的に示す図である。図１９（Ｂ）は、本実施形態に係る電子機器として、時計１５００を模式的に示す斜視図である。図１９（Ｃ）は、本実施形態に係る電子機器として、ゲーム機器１６００を模式的に示す平面図である。

電子デバイス１００は、図１９に示すＧＰＳ１４００、時計１５００、ゲーム機器１６００に搭載されている。

電子デバイス１００は、図１７〜図１９に示すように、様々な電子機器に搭載することができ、電子デバイス１００は、基準周波数発生機能、フィルタ機能、圧力センサー、温度センサー、加速度センサー等のセンサー機能としての役割を果たす。

以上のような電子機器１２００，１３００，１４００，１５００，１６００は、パッケージ基板１０と蓋体３０との接合強度を高めることができる電子デバイス１００を含むため、高い信頼性を有することができる。

なお、上記電子デバイス１００を備えた電子機器は、上記した電子機器１２００，１３００，１４００，１５００，１６００の他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、ロケット、船舶の計器類）、ロボットや人体などの姿勢制御、フライトシミュレーターなどに適用することができる。

上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

Ｅ…第２位置、Ｒ…レジスト層、Ｓ…第１位置、１…光源、２…下地金属、４…第１めっき層、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ…角部、６…第２めっき層、１０…パッケージ基板、１０ａ…第１部分、１０ｂ…第２部分、１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ…角部、１２ａ，１２ｂ…第１延在部，１２ｃ，１２ｄ…第２延在部，１３…第１主面、１４…第２主面、１６ａ…第１貫通孔、１６ｂ…第２貫通孔、１８…凹部、１９…溝部、２０ａ…第１表面電極、２０ｂ…第２表面電極、２２ａ…第１裏面電極、２２ｂ…第２裏面電極、２４ａ…第１貫通電極、２４ｂ…第２貫通電極、２６…積層体、３０…蓋体、３２…つば部、３４…空間、３６…接合材、４０…電子部品、４２…圧電振動片、４４ａ…第１励振電極、４４ｂ…第２励振電極、４６ａ…第１接続電極、４６ｂ…第２接続電極、４８ａ…第１マウント電極、４８ｂ…第２マウント電極、５０ａ…接着剤、５０ｂ…接着剤、１００…電子デバイス、１０１…配線基板、１１０…セラミック母基板、２００，３００…電子デバイス、１２００…携帯電話機、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１２０８…表示部、１３００…デジタルスチルカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１３１２…ビデオ信号出力端子、１３１４…入出力端子、１４３０…テレビモニター、１４４０…パーソナルコンピューター、１４００…ＧＰＳ、１５００…時計、１６００…ゲーム機器

Claims (3)

1. 一方の面に接合材を有する蓋体と、凹部および環状に配置されているめっき層を有して前記めっき層の一部が前記凹部の内部に配置されていて、平面視で前記めっき層に囲まれている領域に電子部品を配置している基板と、を準備する工程と、
   前記基板と共に前記電子部品を収容して、前記めっき層と前記接合材が重なるように蓋体を配置する工程と、
   エネルギービームを、平面視において前記めっき層に沿って周状に前記蓋体に照射し、前記接合材を溶融することにより、前記基板と前記蓋体とを接合する工程と、
   を含み、
   前記基板には、前記電子部品の周囲に沿って、前記凹部により凹凸が設けられ、
   前記接合する工程において、
   前記エネルギービームの照射は、平面視において、前記凹部と重なる第１位置から始まり、前記凹部と重なる第２位置を通過した後、再び前記第１位置を通過して、前記第２位置で終了することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
2. 前記凹部は、平面視で前記めっき層の角部に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
3. 前記接合材が銀ろうであることを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイスの製造方法。

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