JP2013172077A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 一方の面に接合材を有する蓋体と、凹部および環状に配置されているめっき層を有して前記めっき層の一部が前記凹部の内部に配置されていて、平面視で前記めっき層に囲まれている領域に電子部品を配置している基板と、を準備する工程と、
   前記基板と共に前記電子部品を収容して、前記めっき層と前記接合材が重なるように蓋体を配置する工程と、
   前記接合材を溶融することにより、前記基板と前記蓋体とを接合する工程と、
   を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
2. 前記接合する工程は、エネルギービームを、前記めっき層に沿って前記蓋体に照射し、平面視で前記凹部と重なる位置に２回以上照射することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
3. 前記基板には、前記電子部品の周囲に沿って、前記凹部により凹凸が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイスの製造方法。
4. 前記凹部は、平面視で前記めっき層の角部に配置されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
5. 前記接合部材が銀ろうであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
6. 接合部で接合されている蓋体と基板とで構成されている内部空間に電子部品を収容している電子デバイスであって、
   前記接合部には、基板表面の一部に凹部を有し、前記凹部内に金属層の一部が配置されていることを特徴とする電子デバイス。
7. 請求項６に記載の電子デバイスを含むことを特徴とする電子機器。
8. 表面に環状に配置されているめっき層と、
   前記めっき層の一部が配置されている凹部と、
   平面視で前記めっき層で囲まれている領域に電子部品を搭載するための電極と、
   を備えていることを特徴とする配線基板。