JP2014011335A5 - - Google Patents

Description

本発明の一観点によれば、接着剤層と、前記接着剤層の第１の面に形成された配線層と、前記接着剤層の前記第１の面とは反対側の第２の面に形成された支持基板と、前記第１の面上に、前記接着剤層及び前記配線層を被覆するように形成されたソルダレジスト層と、を有し、前記配線層の前記接着剤層と接する側の面の一部が、前記接着剤層及び前記支持基板の厚さ方向を貫通する貫通孔から露出され、前記配線層の一部が、前記ソルダレジスト層から露出され、前記支持基板は、前記接着剤層に剥離可能に接着されている。

Claims (5)

1. 接着剤層と、
   前記接着剤層の第１の面に形成された配線層と、
   前記接着剤層の前記第１の面とは反対側の第２の面に形成された支持基板と、
   前記第１の面上に、前記接着剤層及び前記配線層を被覆するように形成されたソルダレジスト層と、を有し、
   前記配線層の前記接着剤層と接する側の面の一部が、前記接着剤層及び前記支持基板の厚さ方向を貫通する貫通孔から露出され、
   前記配線層の一部が、前記ソルダレジスト層から露出され、
   前記支持基板は、前記接着剤層に剥離可能に接着されていることを特徴とする配線基板。
2. 接着剤層と、
   前記接着剤層の第１の面に形成された配線層と、
   前記第１の面上に、前記接着剤層及び前記配線層を被覆するように形成されたソルダレジスト層と、
   前記配線層上又は前記ソルダレジスト層上に実装された半導体素子と、
   前記第１の面上に形成され、前記半導体素子及び前記配線層を封止する封止樹脂と、を有し、
   前記配線層の前記接着剤層と接する側の面の一部が、前記接着剤層の厚さ方向を貫通する貫通孔によって前記接着剤層から露出され、
   前記配線層の一部が、前記ソルダレジスト層から露出され、
   前記接着剤層の厚さは５μｍ〜２０μｍであることを特徴とする半導体装置。
3. 片面に接着剤層が形成された支持基板を準備する工程と、
   前記支持基板及び前記接着剤層の厚さ方向を貫通する貫通孔を形成する工程と、
   前記接着剤層上に金属箔を接着する工程と、
   前記金属箔をパターニングし、前記貫通孔によって前記支持基板及び前記接着剤層から露出されるパッドを有する配線層を形成する工程と、
   前記接着剤層上に、前記接着剤層及び前記配線層を被覆するソルダレジスト層を形成し、前記配線層の一部を前記ソルダレジスト層から露出させる工程と、を有し、
   前記支持基板が前記接着剤層に剥離可能に接着されていることを特徴とする配線基板の製造方法。
4. 前記ソルダレジスト層及び前記支持基板をマスクとし、前記配線層を給電層とする電解めっき法により、前記配線層及び前記第１金属層及び前記第２金属層を被覆するようにめっき層を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。
5. 片面に接着剤層が形成された支持基板を準備する工程と、
   前記支持基板及び前記接着剤層に貫通孔を形成する工程と、
   前記接着剤層上に金属箔を接着する工程と、
   前記金属箔をパターニングし、前記貫通孔によって前記支持基板及び前記接着剤層から露出されるパッドを有する配線層を形成する工程と、
   前記接着剤層上に、前記接着剤層及び前記配線層を被覆するソルダレジスト層を形成し、前記配線層の一部を前記ソルダレジスト層から露出させる工程と、
   前記配線層上又は前記ソルダレジスト層上に半導体素子を実装する工程と、
   前記半導体素子及び前記配線層を封止するように前記接着剤層上に封止樹脂を形成する工程と、
   前記支持基板を前記接着剤層から剥離する工程と、
   を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。