JP5881860B2 - パワーモジュール - Google Patents

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Description

この発明は、パワーモジュール等におけるパワー半導体素子が搭載された放熱基板を冷却フィンに密着させるパワーモジュールの取り付け構造に関するものである。
従来のパワーモジュールにおいては、ネジを用いて樹脂ケースと冷却フィンとを固定し、パワー半導体素子が搭載された放熱基板を冷却フィンに取り付ける手段として、樹脂ケースに設けられた突起部を用いて放熱基板を冷却フィンに押し付ける構造を用いていた(例えば、特許文献1参照)。
特許第3225457号公報(第2頁、第1図)
従来のパワーモジュールでは、樹脂ケースを用いて放熱基板を冷却フィンに固定していたため、ネジ軸力により樹脂ケースに応力が加わり、この応力により樹脂ケースの変形が発生する。この樹脂ケースの変形により、樹脂ケース内に充填した樹脂にクラックが発生する。このクラックにより、半導体素子の耐圧不良や電気的特性変動が発生するという問題点があった。
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、放熱基板の冷却フィンへの固定により発生する樹脂ケースの変形を抑制し、樹脂ケース内に充填した樹脂へのクラックの発生が防止可能なパワーモジュールを得るものである。
この発明に係るパワーモジュールにおいては、パワー半導体素子を搭載し、端部に傾斜部を有する放熱基板と、パワー半導体素子搭載面と接する樹脂ケースと、放熱基板裏面と接する冷却フィンと、放熱基板端部の傾斜部と接して放熱基板を冷却フィンに押さえ付ける押さえ手段とを備えたものである。
この発明は、放熱基板の断面における角部(外周部)を傾斜部とし、放熱基板の外周部に形成した傾斜部を押さえ手段を用いて押さえることで、放熱基板外周部の角部を支点とした樹脂ケースの変形を抑制したので、樹脂ケース内に充填した樹脂へのクラックの発生を防止することができる。
この発明の実施の形態1のパワーモジュールの断面構造模式図である。 この発明の実施の形態2のパワーモジュールの断面構造模式図である。 この発明の実施の形態2の別の形状のブッシュの断面構造摸式図である。 この発明の実施の形態3のパワーモジュールの断面構造模式図である。 この発明の実施の形態4のパワーモジュールの断面構造模式図である。
以下の各実施の形態を説明するための各図において、同一符号は同一または相当の構成を示す。
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1のパワーモジュールの断面構造模式図である。図1(a)に示すように、パワーモジュール100は、樹脂ケース6、冷却フィン10、押さえ手段である押さえ部品13、放熱基板20を備えている。樹脂ケース6は、外周部に貫通穴である通し穴15を備えている。冷却フィン10は、外周部にネジ穴16を備えている。
放熱基板20は、金属ベース1、絶縁層2を備え、放熱基板20上に金属パターン3が形成されており、金属パターン3上にはんだ(図示せず)を介してパワー半導体素子4が搭載される。また、放熱基板20は、端部に傾斜部を有している。傾斜部は、放熱基板20の内部から外周部へ向かって低くなっている。
パワー半導体素子4としては、例えば、IGBT(Insulated−Gate−Bipolar−Transistor)やパワーMOSFET(Metal−Oxide−Semionductor−Field−Effect−Transistor)が該当する。また、パワー半導体素子4として、FWD(Free−Wheeling−Diode)があってもよい。
これらのパワー半導体素子4と金属パターン3の形状とにより、例えば、インバータ回路が構成される。パワーモジュール100は、このインバータ回路を備える。
金属ベース1の材質としては、放熱性や密度の点でアルミや銅、またはそれらの合金を用いると良い。金属パターン3については、電気抵抗、放熱性の観点から銅や銅合金が望ましい。金属ベース1や金属パターン3の厚みは、生産性、経済性の観点からそれぞれ、金属ベース1については0.5mmから3.0mm程度、金属パターン3については0.1mmから0.5mm程度が望ましい。
絶縁層2には、例えば、エポキシや液晶ポリマーに高放熱材料からなるフィラーが充填された材料を用いるのが良い。絶縁層2の厚みは、使用する定格電圧、求められる放熱特性により決定するが、およそ0.1mmから0.3mmの範囲が望ましい。
このようにして、パワー半導体素子4が搭載された放熱基板20は形成される。図1における放熱基板20の両断面端の角部(外周部)には、傾斜部が設けられている。この傾斜部は、金属ベース1もしくは金属ベース1と絶縁層2とに形成される。また、パワー半導体素子4の搭載面の反対面側の金属ベース1の端部には傾斜部が形成されてなくても良い。
図1(b)は、放熱基板20の外周部の断面構造の拡大模式図である。傾斜部の傾斜としては、パワー半導体素子4を搭載する平面に対して20度から60度、望ましくは30度から45度の範囲が適している。図1(b)に示すように、例えば、30度の斜面の場合、放熱基板20の厚み方向の斜面寸法aを1.5mmとした場合、平面方向の斜面部幅bは1.5×√3=2.6mmとなる。斜面部幅bとしては、2mm以上確保することが外部からの振動などに対して基板を確実に押さえる上で望ましい。
パワー半導体素子4が搭載された放熱基板20は、接着材5を介して樹脂ケース6内に固定される。樹脂ケース6はPPS(Poly−Phenylene−Sulfide:ポリ・フェニレン・サルファイド)で構成される。樹脂ケース6には、端子7として、主端子や制御端子が内蔵されている。端子7は、樹脂ケース6内部に配置されたパワー半導体素子4と接続され、端子7を介してパワー半導体素子4が外部と電気的に接続される。例えば、パワー半導体素子4であるIGBTのゲートと制御端子と、パワー半導体素子4であるIGBTのエミッタと主端子と、コレクタと主端子とをそれぞれ接続する。これらの接続には、例えばφ0.4mmのアルミ線8が用いられる。アルミ線8は、超音波による方法を用いてパワー半導体素子4や端子7と接合される。また、アルミ線8の代わりに銅線を用いても良い。銅線はアルミ線に比べて低抵抗であるので、大電流を扱うパワー半導体素子4を使用する場合には、特に有効である。
パワー半導体素子4およびアルミ線8部分の保護、絶縁耐圧の確保を目的として、充填樹脂9は、樹脂ケース6と放熱基板20とで形成された領域に設けられる。充填樹脂9としては、例えば、ゲルまたはエポキシ樹脂を主成分とする樹脂が適用される。
放熱基板20と樹脂ケース6と充填樹脂9とが一体となったモジュールは、ネジ12を用いて、冷却フィン10に取り付けられる。樹脂ケース6には、ネジ締め用の通し穴15が設けられ、通し穴15内にはブッシュ11が設けられる。ブッシュ11は、樹脂ケース6を確実に冷却フィン10に固定する為に設けている。このモジュールは、冷却フィン10に形成されたネジ穴16に通し穴15を介してネジ12を締めることで冷却フィン10に固定される。ブッシュ11の形状としては、円筒形状が考えられるが、通し穴15に挿入可能であれば円筒形状に限定されるものではなく、多角形でも良い。また、ブッシュ11の長さとしては、樹脂ケース6の通し穴15の深さより長ければ良い。さらに、ブッシュ11は、樹脂ケース6のネジ12の挿入側で樹脂ケース6に引っ掛かる形状であっても良い。
このとき、ブッシュ11と冷却フィン10との間に押さえ部品13を設けることで、押さえ部品13はネジ軸力により圧縮される力を受ける。放熱基板20の端部には傾斜部が設けられ、金属ベース1の傾斜部、もしくは金属ベース1と絶縁層2とに形成される傾斜部に対して押さえ部品13を当てる構造にする。押さえ部品13には、放熱基板20の傾斜部と接触する部分に、この放熱基板20の傾斜部と接触可能な傾斜部が設けられている。押さえ部品13の厚みは放熱基板20の厚みと同一、若しくは0.1mmから0.2mm程度薄くする。本構造により、押さえ部品13は放熱基板20を冷却フィン10に押さえ込む作用を生み出す。ネジ締め後、ブッシュ11は通し穴15よりも冷却フィン10側に突き出ており、接着材5とブッシュ11とで、樹脂ケース6と押さえ部品13との間に隙間を形成する。また、押さえ部品13の材質としては、金属であることが望ましいが、金属に限定されるものではなく、経時変化の発生しにくい材質であれば良い。
例えば、放熱基板20の断面端に傾斜部を形成しない構造では、樹脂ケース6をM5ネジ2本で締め付けた場合、3.5Nmのネジトルクで充填樹脂9にクラックの発生が見られた。これは、放熱基板20の断面端に傾斜部を形成していないため、放熱基板20の平面と樹脂ケース6とが面接触し、放熱基板20の断面端の角部(外周部)を支点として樹脂ケース6にネジ締めによる回転モーメントが発生しているためと考えられる。樹脂ケース6に回転モーメントが発生すると、樹脂ケース6および充填樹脂9が変形する。樹脂ケース6に対して充填樹脂9のヤング率は一般的に低く、強度も弱いので、端子7などが形成されて樹脂ケース6がせり出している箇所での充填樹脂9に応力集中が発生しやすい。その結果、充填樹脂9にクラックが発生したものと考えられる。
しかしながら、本発明の構造では、放熱基板20の平面部と樹脂ケース6とが面接触し、さらに、放熱基板20の断面端の角部を傾斜部とし、傾斜部を有する押さえ部品13を用いて、放熱基板20を冷却フィン10へ押さえ付ける構造とする。放熱基板20の傾斜部と押さえ部品13の傾斜部との接触が少なくとも複数点以上となること、すなわち面接触に近い状態で押える。その結果、放熱基板20は、樹脂ケース6と押さえ部品13の傾斜部との2面で冷却フィン10に押さえ付けられる。また、放熱基板20断面端の角部を支点とした回転モーメント(応力)が、直接樹脂ケース6へ加わるのではなく、押さえ部品13を介して樹脂ケース6へ伝わる。そのため、樹脂ケース6に加わる回転モーメントがさらに低減され、樹脂ケース6の回転方向への変形もさらに抑制される。その結果、3.5Nmの締め付けトルクであっても充填樹脂9にクラックの発生は見られなかった。
以上のように構成されたパワーモジュールにおいては、放熱基板20の平面部と樹脂ケース6と、放熱基板20の傾斜部と押さえ部品13の傾斜部とで、放熱基板20を冷却フィン10に押さえ付ける構造とした。このように、放熱基板20の平面と斜面との2面以上を用いて、放熱基板20を冷却フィン10に押さえ付ける構造により、押さえ部品13が樹脂ケース6に応力を伝えにくくするため、樹脂ケース6を冷却フィン10にネジ締めした際に樹脂ケース6の曲げ変位を抑制できる。その結果、充填樹脂9での発生応力も低減できるので、充填樹脂9のクラックの発生を防止することが可能となる。また、この両者の傾斜部が面で接するために、押さえ部品13の要求寸法公差、位置公差を緩和でき、加工、組み立てが容易となる。さらに、経時変化が発生しやすい樹脂ではなく、経時変化が発生しにくい金属で形成された押さえ部品13を用いて押さえることで、放熱基板20の冷却フィン10への押さえ付け力の経時変化を低減でき、パワーモジュールの熱抵抗の長期安定化も可能となる。
また、押さえ部品13が熱伝導の良好な金属製であれば、パワー半導体素子4で発生した熱を、放熱基板20から押さえ部品13を介して冷却フィン10へと伝導することができるため、パワーモジュールの熱抵抗が低減することで、パワーモジュールを長寿命化できるという効果もある。
本実施例では、押さえ部品13は放熱基板20の外周部全てに設置した構造としたが、必ずしも外周部全てを押さえる必要は無く、樹脂ケース6にかかる応力が大きくなるネジ締め箇所近傍のみに設置してもよい。この場合には押さえ部品13のサイズを小さくすることができ、コスト面で有利となる。
実施の形態2.
本実施の形態2においては、実施の形態1で用いた押さえ手段である押さえ部品13をブッシュ11に置き換えた点が異なる。このようにブッシュ11を用いても、ブッシュ11が放熱基板20に形成された傾斜部を押さえるので、樹脂ケース6の曲げ変位を抑制でき、充填樹脂9での発生応力も低減できるので充填樹脂9のクラックの発生を防止することが可能となる。
図2は、この発明の実施の形態2のパワーモジュールの断面構造模式図である。図2には、実施の形態2の特徴的な部分である樹脂ケース6と冷却フィン10との固定部について拡大した断面模式図を示す。図2に示すように、パワーモジュール200は、樹脂ケース6、冷却フィン10、ブッシュ11、放熱基板20を備えている。樹脂ケース6は、外周部に貫通穴である通し穴15を備えている。冷却フィン10は、外周部にネジ穴16を備えている。
図3は、別の形状のブッシュ21の断面構造摸式図である。図3より、ブッシュ21は、放熱基板20に形成された傾斜部に対応した傾斜部を有している。
樹脂ケース6に設けられた通し穴15内にブッシュ21を配置し、このブッシュ21の冷却フィン10側の先端部分に形成された傾斜部を用いて、放熱基板20に形成された傾斜部を押さえる。そして、冷却フィン10に形成されたネジ穴16に通し穴15を介してネジ12を締め、樹脂ケース6とブッシュ21とで、放熱基板20の平面部と傾斜部とを押さえることで、放熱基板20は冷却フィン10に固定される。
例えば、本発明の構造において、M5ネジを用いて冷却フィン10に3.5Nmの締め付けトルクで取り付けても、充填樹脂9にクラックの発生は見られなかった。
ここで、ブッシュ11の形状としては、図3に示したような傾斜部を有する形状とすることで、放熱基板20に形成された傾斜部との接触面積が増え、放熱基板20を冷却フィン10へより安定して押し付けることが可能となる。
以上のように構成されたパワーモジュールにおいては、放熱基板20の平面部と樹脂ケース6と、放熱基板20に形成された傾斜部とブッシュ11とで放熱基板20を冷却フィン10に押さえ付ける構造とした。このように、放熱基板20の平面と斜面との2面以上を用いて、放熱基板20を冷却フィン10に押さえ付ける構造により、樹脂ケース6を冷却フィン10にネジ締めした際に樹脂ケース6の曲げ変位を抑制できる。その結果、充填樹脂9での発生応力も低減できるので充填樹脂9のクラックの発生を防止することが可能となる。また、押さえ部品13を取り付ける手間を省くことができ、製造工程を簡素化することが可能となる。
実施の形態3.
本実施の形態3においては、実施の形態1で用いた押さえ手段である押さえ部品13を樹脂ケース6の放熱基板20の傾斜部に対向する位置に形成した傾斜部に置き換えた点が異なる。このような構造とすることで、樹脂ケース6は押さえ手段を備えた一体構造となる。このような樹脂ケース6に設けた傾斜部を用いても、樹脂ケース6に設けた傾斜部が放熱基板20に形成された傾斜部を押さえることで、樹脂ケース6の曲げ変位を抑制でき、充填樹脂9での発生応力も低減できるので充填樹脂9のクラックの発生を防止することが可能となる。
図4は、この発明の実施の形態3のパワーモジュールの断面構造模式図である。図4は、実施の形態3の特徴的な部分である樹脂ケース6と冷却フィン10との固定部について拡大した断面模式図を示す。図4に示すように、パワーモジュール300は、傾斜部を有する樹脂ケース6、冷却フィン10、放熱基板20を備えている。樹脂ケース6は、外周部に貫通穴である通し穴15を備えている。冷却フィン10は、外周部にネジ穴16を備えている。
樹脂ケース6に設けられた通し穴15内にブッシュ11を配置し、樹脂ケース6に設けた傾斜部で放熱基板20に形成された傾斜部を押さえる。そして、冷却フィン10に形成されたネジ穴16に通し穴15を介してネジ12を締め、樹脂ケース6の平面部と傾斜部とで、放熱基板20の平面部と傾斜部とを押さえることで、放熱基板20は冷却フィン10に固定される。
例えば、本発明の構造においてM5ネジを用いて冷却フィン10に3.5Nmの締め付けトルクで取り付けても、充填樹脂9にクラックの発生は見られなかった。
以上のように構成されたパワーモジュールにおいては、放熱基板20の平面部と樹脂ケース6と、放熱基板20に形成された傾斜部と樹脂ケース6に形成された傾斜部とで、放熱基板20を冷却フィン10に押さえ付ける構造とした。このように、放熱基板20の平面と斜面との2面以上を用いて、放熱基板20を冷却フィン10に押さえ付ける構造により、樹脂ケース6を冷却フィン10にネジ締めした際に樹脂ケース6の曲げ変位を抑制できる。その結果、充填樹脂9での発生応力も低減できるので、充填樹脂9のクラックの発生を防止することが可能となる。また、樹脂ケース6に傾斜部を設けたことで、それぞれの傾斜部を合わせるために、樹脂ケース6の取り付け位置は、放熱基板20の内部側へ配置することが可能となる。そのため、放熱基板20の使用領域サイズを最小化し、充填樹脂9の使用量も少なくすることができ、その結果として充填樹脂9や樹脂ケース6、放熱基板20の熱膨張率差で発生する熱歪を小さくすることが可能となる。
実施の形態4.
本実施の形態4においては、実施の形態1で用いた押さえ手段である押さえ部品13を樹脂ケース6に設けられたバネ14に置き換えた点が異なる。このようなバネ14を用いても、バネ14が放熱基板20に形成された傾斜部を押さえることで、樹脂ケース6の曲げ変位を抑制でき、充填樹脂9での発生応力も低減できるので充填樹脂9のクラックの発生を防止することが可能となる。
図5は、この発明の実施の形態4のパワーモジュールの断面構造模式図である。図5は、実施の形態4の特徴的な部分である樹脂ケース6と冷却フィン10との固定部について拡大した断面模式図を示す。図5に示すように、パワーモジュール400は、樹脂ケース6、冷却フィン10、押さえ手段であるバネ14、放熱基板20を備えている。樹脂ケース6は、外周部に貫通穴である通し穴15を備えている。冷却フィン10は、外周部にネジ穴16を備えている。
樹脂ケース6に設けられた通し穴15内にブッシュ11を配置し、樹脂ケース6に設けられたバネ14で放熱基板20に形成された傾斜部を押さえる。そして、冷却フィン10に形成されたネジ穴16に通し穴15を介してネジ12を締め、樹脂ケース6と樹脂ケース6のバネ14とで、放熱基板20の平面部と傾斜部とを押さえることで、放熱基板20は冷却フィン10に固定される。バネ14は金属製の部材で形成されるが、放熱基板20を冷却フィン10に押さえ付けることが可能で、押さえ付け力の経時変化が低減できれば金属製の部品に限定されるものではない。また、樹脂ケース6に設けたバネ14の形状としては、放熱基板20に形成された傾斜部に対応した傾斜形状であることが望ましい。しかしながら、この形状に限定されるものではなく、放熱基板20を冷却フィン10に押さえ付けることが可能な形状であれば良い。
例えば、本発明の構造においてM5ネジを用いて冷却フィン10に3.5Nmの締め付けトルクで取り付けても、充填樹脂9にクラックの発生は見られなかった。
以上のように構成されたパワーモジュールにおいては、放熱基板20の平面部と樹脂ケース6と、放熱基板20に形成された傾斜部と樹脂ケース6に設けられたバネ14とで放熱基板20を冷却フィン10に押さえ付ける構造とした。このように、放熱基板20の平面と斜面との2面以上を用いて、放熱基板20を冷却フィン10に押さえ付ける構造により、樹脂ケース6を冷却フィン10にネジ締めした際に樹脂ケース6の曲げ変位を抑制できる。その結果、充填樹脂9での発生応力も低減できるので、充填樹脂9のクラックの発生を防止することが可能となる。また、樹脂ケース6にバネ14を設けたことで、バネ14と放熱基板20の傾斜部を合わせるために、樹脂ケース6の取り付け位置は、放熱基板20の内部側へ配置することが可能となる。そのため、放熱基板20の使用領域サイズを最小化し、充填樹脂9の使用量も少なくすることができ、その結果として充填樹脂9や樹脂ケース6、放熱基板20の熱膨張率差で発生する熱歪を小さくすることが可能となる。さらに、経時変化が発生しやすい樹脂ではなく、経時変化が発生しにくい金属で形成されたバネ14を用いることで、放熱基板20の冷却フィン10への押さえ付け力の経時変化を低減でき、パワーモジュールの熱抵抗の長期安定化が可能となる。
1 金属ベース
2 絶縁層
3 金属パターン
4 パワー半導体素子
5 接着材
6 樹脂ケース
7 端子
8 アルミ線
9 充填樹脂
10 冷却フィン
11 ブッシュ
12 ネジ
13 押さえ部品
14 バネ
15 通し穴
16 ネジ穴
20 放熱基板
21 傾斜部を有するブッシュ
100,200,300,400 パワーモジュール

Claims (8)

  1. 一方の面にパワー半導体素子が搭載され、端部に傾斜部を有する放熱基板と、
    前記パワー半導体素子を取り囲み、前記放熱基板の前記一方の面と接する樹脂ケースと、
    前記放熱基板の他方の面と接する冷却フィンと、
    前記放熱基板の前記傾斜部と接し、前記放熱基板を前記冷却フィンに押さえ付ける押さえ手段と、
    を備えたことを特徴とするパワーモジュール。
  2. 前記押さえ手段は、傾斜部を有する金属部材であることを特徴とする請求項1記載のパワーモジュール。
  3. 前記押さえ手段は、前記樹脂ケースの外周部に設けられた貫通穴に配置されたブッシュであることを特徴とする請求項1記載のパワーモジュール。
  4. 前記ブッシュは、前記放熱基板の前記傾斜部と接する部分に傾斜部を有することを特徴とする請求項3記載のパワーモジュール。
  5. 前記押さえ手段は、前記放熱基板の前記傾斜部と対向する位置に傾斜部が設けられた前記樹脂ケースであることを特徴とする請求項1記載のパワーモジュール。
  6. 前記押さえ手段は、前記樹脂ケースに接続された金属バネであることを特徴とする請求項1記載のパワーモジュール。
  7. 前記放熱基板の前記傾斜部は、前記放熱基板の前記一方の面側に形成されたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のパワーモジュール。
  8. 前記放熱基板の前記傾斜部は、前記放熱基板の外周部へ向かって低くなることを特徴とする請求項7に記載のパワーモジュール。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015037047A1 (ja) * 2013-09-10 2015-03-19 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体モジュール
WO2015079600A1 (ja) * 2013-11-26 2015-06-04 三菱電機株式会社 パワーモジュール、及びパワーモジュールの製造方法
WO2015083201A1 (ja) * 2013-12-05 2015-06-11 三菱電機株式会社 電力半導体装置
JP6323325B2 (ja) * 2014-04-21 2018-05-16 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法
US10770371B2 (en) * 2014-07-09 2020-09-08 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
US20160149380A1 (en) * 2014-11-20 2016-05-26 Hamilton Sundstrand Corporation Power control assembly with vertically mounted power devices
JP6589631B2 (ja) * 2015-12-25 2019-10-16 富士電機株式会社 半導体装置
JP6946698B2 (ja) * 2017-03-31 2021-10-06 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US11019756B2 (en) * 2017-04-20 2021-05-25 Mitsubishi Electric Corporation Power conversion device
US10785864B2 (en) * 2017-09-21 2020-09-22 Amazon Technologies, Inc. Printed circuit board with heat sink
JP6816691B2 (ja) * 2017-09-29 2021-01-20 三菱電機株式会社 半導体装置
US10319659B2 (en) * 2017-10-13 2019-06-11 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor package and related methods
JP7056366B2 (ja) * 2018-05-16 2022-04-19 富士電機株式会社 半導体モジュール及びそれを用いた半導体装置
USD906240S1 (en) * 2018-06-04 2020-12-29 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Powercore module
US11129310B2 (en) * 2018-11-22 2021-09-21 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor module, vehicle and manufacturing method
US11107962B2 (en) * 2018-12-18 2021-08-31 Soulnano Limited UV LED array with power interconnect and heat sink
JP2020141023A (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 株式会社 日立パワーデバイス 半導体装置
EP3859774B1 (en) * 2020-01-29 2022-05-04 Hitachi Energy Switzerland AG Power semiconductor module
KR102428948B1 (ko) * 2020-06-15 2022-08-04 에스티씨 주식회사 절연효율이 향상된 냉각모듈
JP7487695B2 (ja) 2021-03-26 2024-05-21 三菱電機株式会社 半導体装置
JP7400773B2 (ja) 2021-05-27 2023-12-19 株式会社デンソー 半導体装置
JP2023000129A (ja) * 2021-06-17 2023-01-04 株式会社 日立パワーデバイス パワー半導体モジュール

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06204366A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Mitsubishi Electric Corp ベアチップの放熱用台座
JPH11274398A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール
JP2000299419A (ja) * 1999-04-15 2000-10-24 Denso Corp 半導体装置
JP2006024639A (ja) * 2004-07-06 2006-01-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5172755A (en) 1992-04-01 1992-12-22 Digital Equipment Corporation Arcuate profiled heatsink apparatus and method
JPH06302732A (ja) 1993-02-17 1994-10-28 Toyota Autom Loom Works Ltd 半導体装置
JP3225457B2 (ja) 1995-02-28 2001-11-05 株式会社日立製作所 半導体装置
JP3272922B2 (ja) 1995-11-15 2002-04-08 株式会社東芝 半導体装置
DE10250604A1 (de) * 2002-10-30 2004-05-19 Tyco Electronics Amp Gmbh Integriertes Schaltungssystem mit Latentwärmespeichermodul
US8154114B2 (en) * 2007-08-06 2012-04-10 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module
US7808100B2 (en) * 2008-04-21 2010-10-05 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module with pressure element and method for fabricating a power semiconductor module with a pressure element
JP5388673B2 (ja) * 2008-05-07 2014-01-15 パナソニック株式会社 電子部品
DE102009026558B3 (de) 2009-05-28 2010-12-02 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul mit beweglich gelagerten Schaltungsträgern und Verfahren zur Herstellung eines solchen Leistungshalbleitermoduls
CN201491449U (zh) * 2009-09-04 2010-05-26 联昌电子企业股份有限公司 用于提高散热效能及减少焊接脚长度的倾斜式散热模块
JP5257817B2 (ja) * 2010-06-15 2013-08-07 三菱電機株式会社 半導体装置
DE102012213573B3 (de) * 2012-08-01 2013-09-26 Infineon Technologies Ag Halbleitermodulanordnung und verfahren zur herstellung und zum betrieb einer halbleitermodulanordnung
JP5871076B2 (ja) * 2012-09-13 2016-03-01 富士電機株式会社 半導体装置、半導体装置に対する放熱部材の取り付け方法及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06204366A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Mitsubishi Electric Corp ベアチップの放熱用台座
JPH11274398A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール
JP2000299419A (ja) * 1999-04-15 2000-10-24 Denso Corp 半導体装置
JP2006024639A (ja) * 2004-07-06 2006-01-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

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