JP2020141023A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】冷却構造を大型化することなく半導体装置の放熱性を向上可能であり、なおかつ、温度変動に起因する半導体装置の変形を抑制可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップと、チップ接合層を介して前記半導体チップを搭載する絶縁基板と、基板接合層を介して前記絶縁基板を搭載する放熱ベースと、を備え、前記基板接合層は、少なくとも前記半導体チップの直下に配置され、且つ、前記基板接合層の面積は、前記絶縁基板の面積の１／２以下であることを特徴とする。【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体装置の構造に係り、特に、電力制御に用いられるパワー半導体装置に適用して有効な技術に関する。

コンバータやインバータ等の電力変換器において、その電力制御に利用されるパワー半導体装置では、スイッチング動作を行うための電力消費に加え、電力を流した際に一部の電力が熱として逃げてしまうなどの電力損失が発生する。電力を無駄にするこの電力損失を抑えるためのデバイス構造の開発と共に、発生する熱を効果的に放熱（冷却）するための冷却構造の開発も進められている。

本技術分野の背景技術として、例えば、特許文献１のような技術がある。特許文献１には「セラミック基板の両面に導体層を形成した絶縁基板が放熱ベースに半田層を介して半田接合されると共に、その絶縁基板上にＩＧＢＴ等の半導体チップが半田層を介して半田接合されたパワー半導体モジュールを形成する際、絶縁基板と半導体チップの接合、および絶縁基板と放熱ベースの接合に鉛フリー半田を用いる」技術が開示されている。

また、「絶縁基板と放熱ベースの接合時には、接合前にあらかじめ放熱ベースに絶縁基板が半田接合される面と反対の面側に接合後に平坦か平坦に近い状態が得られるような凸状の反りを与えておく。これにより、放熱ベースを冷却フィン等に取り付けた際、それらの熱抵抗が低く抑えられ、半導体チップの熱が効率的に放散されて異常な温度上昇が防止される」技術も開示されている。

特開２００８−９１９５９号公報

ところで、近年、パワー半導体装置の電流密度が上昇している。特に、炭化ケイ素（SiC）を用いたパワー半導体チップは、その最大動作温度がシリコン（Si）よりも高く、より大電流を流すことが可能であり、鉄道向けインバータや送電システム等、様々な分野で普及しつつある。

パワー半導体装置の電流密度が上昇すると、一つのパワー半導体に流れる電流量が増加し発熱量が増大する。また、外気の変化や、半導体装置の発熱変動による半導体装置の温度変動と、半導体装置を構成する部材間の熱膨張係数の差により半導体装置の反りが発生する。

放熱性を向上しないまま発熱量が増大すると、半導体チップの温度が定格を超え破壊の原因になったり、寿命の低下を招く。また半導体装置の反りにより、半導体装置と半導体装置を冷却する冷却器を接着するグリースが剥がれ半導体装置と冷却器の間に隙間が生じ放熱性の劣化を招く。

一方、冷却（放熱）性能を優先した場合、冷却器を大型化する必要があり、それに伴いコンバータやインバータ等の電力変換器も大型化してしまう。

そこで、本発明の目的は、冷却構造を大型化することなく半導体装置の放熱性を向上可能であり、なおかつ、温度変動に起因する半導体装置の変形を抑制可能な半導体装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明は、半導体チップと、チップ接合層を介して前記半導体チップを搭載する絶縁基板と、基板接合層を介して前記絶縁基板を搭載する放熱ベースと、を備え、前記基板接合層は、少なくとも前記半導体チップの直下に配置され、且つ、前記基板接合層の面積は、前記絶縁基板の面積の１／２以下であることを特徴とする。

本発明によれば、冷却構造を大型化することなく半導体装置の放熱性を向上可能であり、なおかつ、温度変動に起因する半導体装置の変形を抑制可能な半導体装置を実現することができる。

これにより、半導体装置を用いるコンバータやインバータ等の設備機器の小型化及び信頼性向上を図ることができる。

上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。

本発明の実施例１に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 従来の半導体装置の構成を示す断面図である。 本発明の実施例２に係る半導体装置（半導体モジュール）の構成を示す斜視図である。 本発明の効果を示すグラフである。 本発明の実施例３に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 図５の変形例を示す図である。 本発明の実施例４に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 図７の変形例を示す図である。

以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。なお、各図面において同一の構成については同一の符号を付し、重複する部分についてはその詳細な説明は省略する。

先ず、本発明の適用対象となる半導体装置（パワー半導体装置）について説明する。半導体装置は、直流電源から供給された直流電力をモーターなどの誘導性負荷に供給するための交流電力に変換する機能（インバータ機能）、或いは、モーターにより発電された交流電力を直流電源に供給するための直流電力に変換する機能（コンバータ機能）を備えている。

これらの変換機能を果すため、半導体装置はスイッチング機能を有するパワー半導体チップを有しており、導通動作や遮断動作を繰り返すことにより、直流電力から交流電力へ、或いは、交流電力から直流電力へ電力変換し、電力を制御する。

半導体装置は、放熱ベースの上に、配線パターンを形成した絶縁基板を半田（はんだ）等で接合し、その絶縁基板の配線パターンの上に、パワー半導体チップを半田（はんだ）等で搭載する。パワー半導体チップには、表裏に電極が備えられ、裏面電極は絶縁基板上の配線パターンと接続され、表面電極はワイヤー等を介して絶縁基板上の配線パターンに接続される。鉄道用などの大電力用の半導体装置では、絶縁基板を複数搭載することで、大電流に対応できるようにしている。

半導体装置の絶縁基板上に搭載されるパワー半導体チップは、スイッチング素子としてMOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）やIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）と、還流ダイオードが搭載される。

上述したように、電力制御に用いられる半導体装置（パワー半導体装置）では、より放熱性を向上させることと、変形（反り）を低減する必要がある。そのため、一般的に、１．７ｋＶ以上の高電圧半導体装置には、絶縁基板として窒化アルミニウム（AlN）が用いられ、放熱ベースとしてアルミシリコンカーバイド（Al-SiC）が用いられている。AlNは線膨張係数が４．６×１０^−６／Ｋ程度、Al-SiCは７．８×１０^−６／Ｋ程度で両者の線膨張係数差は小さいため、温度変動による反りを小さく抑えられる。

パワー半導体モジュールの放熱性を高めるためには、放熱ベースに高い熱伝導率の材質を適用することが有効である。例えばAl-SiC（熱伝導率１８０Ｗ／ｍＫ程度）よりも熱伝導率の高い銅（熱伝導率３９０Ｗ／ｍＫ程度）を適用することにより、Al-SiCを適用した場合に比べて半導体装置の熱抵抗を４０％程度低減することができる。

しかしながら、銅は線膨張係数が１７×１０^−６／ＫでAlNとの線膨張係数差が大きいため温度変動による反りが大きくなる。例えば、温度を−４０℃から２００℃に変化させた場合の半導体装置の反り範囲は、Al−SiCを放熱ベースに適用した場合は６０μｍであるのに対し、銅を放熱ベースに適用した場合には、反り範囲は６７７μｍとそり量が大きくなる。

図１および図２を参照して、本発明の実施例１の半導体装置について説明する。図１は本実施例の半導体装置の構成を示す断面図である。また、図２は本発明の構成を分かり易くするために比較例として示す従来の半導体装置の構成を示す断面図である。

本実施例の半導体装置は、図１に示すように、半導体チップ１０１、チップ接合層１０２、絶縁基板１０３、基板接合層１０４、放熱ベース１０５、ワイヤー１０６を備える。

絶縁基板１０３は、絶縁層１０３Ｉと、裏面金属層１０３Ｍ、ドレイン配線パターン１０３Ｄ、ソース配線パターン１０３Ｓで構成されている。

また、放熱ベース１０５は、薄板部１０５Ａと厚板部１０５Ｂで構成されている。

絶縁層１０３Ｉには、厚さ０．６３ｍｍ程度の窒化アルミニウム（AlN）が用いられている。なお、耐圧や用途によっては、窒化珪素（Si_３N_４）や酸化アルミニウム（Al_２O_３）等のセラミック材料が用いられることもある。

絶縁層１０３Ｉの裏面側（放熱ベース１０５側）には、裏面金属層１０３Ｍが絶縁層１０３Ｉに接合されている。裏面金属層１０３Ｍは、厚さ０．２ｍｍ程度の銅の層である。裏面金属層１０３Ｍは、一般に、絶縁層１０３Ｉと面積がほぼ等しいベタパターンとなっている。

絶縁基板１０３の表面側（半導体チップ１０１側）には、ドレイン配線パターン１０３Ｄ及びソース配線パターン１０３Ｓが接合されている。ドレイン配線パターン１０３Ｄ及びソース配線パターン１０３Ｓは厚さ０．３ｍｍ程度の銅の層である。

チップ接合層１０２は、半導体チップ１０１とドレイン配線パターン１０３Ｄを接合している。本実施例では、チップ接合層１０２に銅の焼結体を用いている。

絶縁基板１０３は、放熱ベース１０５と基板接合層１０４を介して接続されている。本実施例では、基板接合層１０４に銅の焼結体を用いた。

放熱ベース１０５は、半導体チップ１０１で発生した熱を外部の冷却器に伝える役目と、半導体装置全体の剛性を担っている。本実施例では、放熱ベース１０５に銅を用いている。

ワイヤー１０６は、半導体チップ１０１とソース配線パターン１０３Ｓを電気的に接続するボンディングワイヤーである。本実施例では、ワイヤー１０６は直径４００μｍ程度のアルミニウムワイヤーである。

なお、半導体装置はこの他に、上記した構成を覆う樹脂ケース、放電防止のための内部充填剤等を必要とするが、本実施例で開示する技術内容とは直接関係しないため詳細な説明は省略する。

ここで、図２を用いて、本実施例の半導体装置と従来の半導体装置の違いについて説明する。

従来の半導体装置は、図２に示すように、基板接合層１０４が裏面金属層１０３Ｍ全体に備わっている。つまり、基板接合層１０４と絶縁基板１０３はほぼ等しい面積となっている。

これに対して、本実施例では、図１に示すように、基板接合層１０４は、少なくとも半導体チップ１０１の直下に配置され、且つ、基板接合層１０４の面積は、絶縁基板１０３の１／２以下となっている。つまり、本実施例の半導体装置は、半導体チップ１０１と、チップ接合層１０２を介して半導体チップ１０１を搭載する絶縁基板１０３と、基板接合層１０４を介して絶縁基板１０３を搭載する放熱ベース１０５を備えており、基板接合層１０４は、少なくとも半導体チップ１０１の直下に配置され、なおかつ、基板接合層１０４の面積は、絶縁基板１０３の面積の１／２以下となっている。

従来の半導体装置は、図２のように基板接合層１０４が裏面金属層１０３Ｍ全体に備わっていたため、広い範囲で温度変動による応力が掛かり、放熱ベース１０５の反りが大きかった。

一方、本実施例では、基板接合層１０４の面積を小さくし、絶縁基板１０３と放熱ベース１０５の接合面積を狭めることにより応力が掛かる範囲を縮小したため、放熱ベース１０５の反りを低減することができる。

半導体チップ１０１から発生した熱は、主に半導体チップ１０１直下を通り放熱ベース１０５に放散されるため、半導体チップ１０１の直下に基板接合層１０４を配置することにより効率よく放熱できる。

さらに、従来技術では、基板接合層１０４にSn系の半田（はんだ）材が適用されていたが、本実施例では銅の焼結体を適用している。従来の半導体装置のように、基板接合層１０４として、半田（はんだ）が用いられている場合、絶縁基板１０３と放熱ベース１０５の熱膨張係数差に起因した熱応力が基板接合層１０４に繰り返し掛かることにより、半田（はんだ）にクラックが入り破壊に至ることが問題になっていた。

本実施例で基板接合層１０４として用いている銅の焼結体は、従来の半田（はんだ）に比べ降伏応力が高く、熱応力が掛かってもクラックが入り難いという特性がある。従って、基板接合層１０４に銅の焼結体を用いることにより信頼性の高い接合が得られる。

また、銅の焼結体は半田（はんだ）に比べて熱伝導率が高いため、放熱性もより高めることができる。

また、基板接合層１０４に銅の焼結体を用いることで接合の信頼性が向上するため、従来の半田（はんだ）材を適用した場合、基板接合層の厚さは２００μｍ程度であるのに対し、本実施例では、基板接合層１０４を５０μｍ程度に薄くすることができ、さらに放熱性が向上する。

但し、基板接合層１０４の材質は、必ずしも銅の焼結体に限定する必要はなく、例えば、銀の焼結体を用いても同様に信頼性の高い接合と高い放熱性が得られる。

また、従来の半導体装置は、放熱ベース１０５は薄板部１０５Ａで構成されているのに対し、本実施例では、放熱ベース１０５は、絶縁基板１０３を搭載する薄板部１０５Ａと、絶縁基板１０３を搭載しない厚板部１０５Ｂを備えている。

つまり、放熱ベース１０５は、絶縁基板１０３を搭載する薄板部１０５Ａと、薄板部１０５Ａよりも厚く、絶縁基板１０３を搭載しない厚板部１０５Ｂを有している。

放熱ベース１０５の反りを低減するためには、放熱ベース１０５の剛性を高めるのも効果的な手段である。放熱ベース１０５の剛性を高めるには、放熱ベース１０５の厚さを増大すればよい。

但し、半導体チップ１０１の発熱は絶縁基板１０３を通って放熱ベース１０５に放散され外部に逃げるため、本実施例では、絶縁基板１０３を搭載する領域は薄板部１０５Ａとして放熱性を高め、絶縁基板１０４を搭載しない領域を厚板部１０５Ｂとすることで放熱ベース１０５の剛性を高めた。これにより、高い放熱性と、反りの低減を両立することができる。

図３および図４を参照して、本発明の実施例２の半導体装置（半導体モジュール）について説明する。図３は本実施例の半導体装置（半導体モジュール）の構成を示す斜視図である。図４は本発明（本実施例）による代表的な効果を示すグラフである。

本実施例の半導体装置（半導体モジュール）は、図３に示すように、半導体チップ１０１、チップ接合層１０２、絶縁基板１０３、基板接合層１０４、放熱ベース１０５を備える。

なお、半導体装置はこの他に、図示しないワイヤー及び上記した構成を覆う樹脂ケース、放電防止のための内部充填剤等を必要とするが、本実施例で開示する技術内容とは直接関係しないため詳細な説明は省略する。

本実施例の半導体チップ１０１には、炭化ケイ素（SiC）によるSiC-MOSを用いている。絶縁基板１０３の絶縁層１０３Ｉ（図示せず）には、厚さ０．６３ｍｍ程度の窒化アルミニウム（AlN）を用いている。裏面金属層１０３Ｍ（図示せず）は、厚さ０．２ｍｍ程度の銅の層である。ドレイン配線パターン１０３Ｄ（図示せず）及びソース配線パターン１０３Ｓ（図示せず）は、厚さ０．３ｍｍ程度の銅の層である。チップ接合層１０２には、銅の焼結体を用いている。基板接合層１０４には、銅の焼結体を用いている。放熱ベース１０５には、銅を用いている。

本実施例では、絶縁基板１０３が４枚備えられ、各絶縁基板１０３に半導体チップ１０１が８個コの字状に配置されている。基板接合層１０４は半導体チップ１０１の少なくとも直下に配置されるとともに、半導体チップ１０１の配置に合わせてコの字状となっている。また、基板接合層１０４の面積は、絶縁基板１０３の面積の約１／２となっている。

放熱ベース１０５は、絶縁基板１０３を搭載する薄板部１０５Ａと、絶縁基板１０３を搭載しない厚板部１０５Ｂを備えている。ここで、厚板部１０５Ｂの幅をＸ、厚さをＺ、放熱ベース１０５の長辺長さ（幅）をＬ、薄板部１０５Ａの厚さをＴ（図示せず）とする。本実施例では、Ｌは１４０ｍｍ、Ｔは５ｍｍである。

ここで、絶縁基板１０３の面積に対する基板接合層１０４の面積の比を基板接合層領域比（＝基板接合層１０４の面積／絶縁基板１０３の面積）と定義する。また、放熱ベース薄板部１０５Ａの厚さＴに対する放熱ベース厚板部１０５Ｂの厚さＺの厚さ比を、放熱ベース厚板部厚さ比（＝Ｚ／Ｔ）と定義する。また、放熱ベース１０５の長辺長さ（幅）Ｌに対する厚板部１０５Ｂの幅Ｘの長さ比を、放熱ベース厚板部幅比（＝Ｘ／Ｌ）と定義する。

図４に、厚板部１０５Ｂがない場合（図中の×）と、放熱ベース厚板部幅比０．０７で基板接合層領域比１（図中の●）と０．５（図中の○）、放熱ベース厚板部幅比０．１１で基板接合層領域比１（図中の■）と０．５（図中の□）の場合の半導体装置を−４０℃から２００℃の範囲で温度変動させた際の放熱ベース１０５の反り範囲を示す。

厚板部１０５Ｂがない場合（図中の×）は６７７μｍの反り範囲であったのに対し、例えば放熱ベース厚板部幅比０．１１で基板接合層領域比１で放熱ベース厚板部厚さ比４の場合の反り範囲は１２３μｍに大幅に低減している。また、放熱ベース厚板部幅比０．１１で基板接合層領域比０．５で放熱ベース厚板部厚さ比２の場合の反り範囲は１３５μｍでほぼ同等に低減している。

つまり、基板接合層領域比を、従来技術（図２）の１に対し、本実施例のように０．５（約１／２）にすることにより、放熱ベース厚さ比を２と縮小しても同等の効果が得られている。すなわち、基板接合層領域比を０．５（約１／２）にすることにより、放熱ベース１０５の厚板部１０５Ｂが小型化でき、半導体装置を小型軽量化できる。

通常、半導体装置と半導体装置を冷却する冷却器を接着するグリースの厚さは１００μｍ〜２００μｍ程度であるため、グリースの剥がれを確実に防止するためには、半導体装置の反り範囲は１００μｍ以内に抑えるのがより好ましい。

従って、放熱ベース１０５の厚板部１０５Ｂの幅Ｘを放熱ベース１０５の長辺長さ（幅）Ｌの０．０７倍以上０．１１倍以下とし、放熱ベース１０５の厚板部１０５Ｂの厚さＺを放熱ベース１０５の薄板部１０５Ａの厚さＴの２．５倍以上４倍以下とすることにより、放熱ベース１０５の反り範囲を１００μｍ以内に抑えることができる。

図５および図６を参照して、本発明の実施例３の半導体装置について説明する。図５は本実施例の半導体装置の構成を示す断面図である。また、図６は図５の変形例である。

本実施例の半導体装置は、図５に示すように、半導体チップ１０１、チップ接合層１０２、絶縁基板１０３、基板接合層１０４、放熱ベース１０５、ワイヤー１０６、放熱ベース接合螺子１０７を備える。各部品の材質や形状については、実施例１または実施例２に述べた通りである。

本実施例では、放熱ベース１０５は、放熱ベース薄板部１０５Ａと放熱ベース厚板部１０５Ｂが別部材となっており、放熱ベース接合螺子１０７によって横から螺子止めされることにより一体化していることが特徴である。

これにより、各部材の形状を単純化できるため複雑な切削加工等を必要とせず放熱ベース１０５の部材コストを低減することが可能である。

また、図６に示すように、放熱ベース薄板部１０５Ａと放熱ベース厚板部１０５Ｂの放熱ベース薄板部１０５Ａの延長部分から成る放熱ベース平板部１０５Ｈ上に、放熱ベース厚板部１０５Ｂの放熱ベース薄板部１０５Ａよりも厚さの大きい部分から成る放熱ベース凸部１０５Ｔを放熱ベース接合螺子１０７により上から螺子止めしても、同様の効果が得られる。

つまり、放熱ベース厚板部１０５Ｂに設けられた突起部（放熱ベース凸部１０５Ｔ）が放熱ベース平板部１０５Ｈ上に放熱ベース接合螺子１０７により接合されるように構成してもよい。

図７および図８を参照して、本発明の実施例４の半導体装置について説明する。図７は本実施例の半導体装置の構成を示す断面図である。また、図８は図７の変形例である。

本実施例の半導体装置は、図７に示すように、半導体チップ１０１、チップ接合層１０２、絶縁基板１０３、基板接合層１０４、放熱ベース１０５、ワイヤー１０６、放熱ベース接合層１０８を備える。各部品の材質や形状については、実施例１または実施例２に述べた通りである。

本実施例では、放熱ベース１０５は、放熱ベース薄板部１０５Ａと放熱ベース１０５Ｂが別部材となっており、放熱ベース接合層１０８によって横から接合されることにより一体化していることが特徴である。

これにより、各部材の形状を単純化できるため複雑な切削加工等を必要とせず放熱ベース１０５の部材コストを低減することが可能である。なお、本実施例では放熱ベース接合層１０８に銅の焼結体を用いている。これにより、信頼性の高い接合が得られる。

但し、放熱ベース接合層１０８の材質は、必ずしも銅の焼結体に限定する必要はなく、銀の焼結体を用いても同様に信頼性の高い接合が得られる。

また、図８に示すように、放熱ベース薄板部１０５Ａと放熱ベース厚板部１０５Ｂの放熱ベース薄板部１０５Ａの延長部分から成る放熱ベース平板部１０５Ｈ上に、放熱ベース厚板部１０５Ｂの放熱ベース薄板部１０５Ａよりも厚さの大きい部分から成る放熱ベース凸部１０５Ｔを放熱ベース接合層１０８により上から接合しても、同様の効果が得られる。

つまり、放熱ベース厚板部１０５Ｂに設けられた突起部（放熱ベース凸部１０５Ｔ）が放熱ベース平板部１０５Ｈ上に放熱ベース接合層１０８により接合されるように構成してもよい。

なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。

１０１…半導体チップ
１０２…（半導体）チップ接合層
１０３…絶縁基板
１０３Ｉ…絶縁層
１０３Ｄ…ドレイン配線パターン
１０３Ｓ…ソース配線パターン
１０３Ｍ…裏面金属層
１０４…基板接合層
１０５…放熱ベース
１０５Ａ…（放熱ベース）薄板部
１０５Ｂ…（放熱ベース）厚板部
１０５Ｈ…放熱ベース平板部
１０５Ｔ…放熱ベース凸部
１０６…ワイヤー
１０７…放熱ベース接合螺子
１０８…放熱ベース接合層

Claims (10)

1. 半導体チップと、
   チップ接合層を介して前記半導体チップを搭載する絶縁基板と、
   基板接合層を介して前記絶縁基板を搭載する放熱ベースと、を備え、
   前記基板接合層は、少なくとも前記半導体チップの直下に配置され、且つ、前記基板接合層の面積は、前記絶縁基板の面積の１／２以下であることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置であって、
   前記基板接合層の材質は、銅または銀の焼結体であることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１に記載の半導体装置であって、
   前記放熱ベースは、前記絶縁基板を搭載する薄板部と、
   前記薄板部よりも厚く、前記絶縁基板を搭載しない厚板部を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１に記載の半導体装置であって、
   前記放熱ベースの材質は、銅であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項３に記載の半導体装置であって、
   前記厚板部の幅は、前記放熱ベースの長辺幅の０．０７倍以上０．１１倍以下であり、
   前記厚板部の厚さは、前記薄板部の厚さの２．５倍以上４倍以下であることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項３に記載の半導体装置であって、
   前記厚板部は、前記薄板部に螺子により接合されることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項６に記載の半導体装置であって、
   前記厚板部に設けられた突起部が前記放熱ベースの平板部上に螺子により接合されることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項３に記載の半導体装置であって、
   前記厚板部は、前記薄板部に放熱ベース接合層により接合されることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項８に記載の半導体装置であって、
   前記厚板部に設けられた突起部が前記放熱ベースの平板部上に放熱ベース接合層により接合されることを特徴とする半導体装置。
10. 請求項８に記載の半導体装置であって、
    前記放熱ベース接合層は、銅または銀の焼結体であることを特徴とする半導体装置。

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