JP5881383B2 - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 92
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 13
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 10
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003698 anagen phase Effects 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
(特徴1)へテロ接合層は、窒化ガリウムを材料とする電子走行層と、電子走行層上に設けられている窒化アルミニウムガリウムを材料とする電子供給層を備えているのが望ましい。電子走行層の半導体材料は、InXaGaYaAl1−Xa−YaN(0≦Xa≦1、0≦Ya≦1、0≦Xa+Ya≦1)であるのが望ましい。電子供給層の半導体材料は、InXbGaYbAl1−Xb−YbN(0≦Xb≦1、0≦Yb≦1、0≦Xb+Yb≦1)であるのが望ましい。ここで、(1−Xa−Ya)<(1−Xb−Yb)である。
(特徴2)p型の埋込み層は、ソース電極側からドレイン電極側に向けて厚みが減少する厚み減少部を有しているのが望ましい。
(特徴3)半導体装置の製造方法は、p型の埋込み層の一部を除去する除去工程と、除去工程の後に埋込み層を熱処理する熱処理工程を備える。熱処理工程により、埋込み層の端部をマストランスポートさせ、埋込み層に厚み減少部が形成される。
(特徴4)特徴3において、半導体装置の製造方法は、埋込み層上に半導体を結晶成長させる工程をさらに備える。前記熱処理工程は、基板温度を前記結晶成長工程よりも高い温度にすることを特徴としている。
(1)埋込み層14の厚み減少部14aは、従来に比べ角部が平滑化されており、その部分での電界集中が緩和されており、より高耐圧化されていると評価できる。
(2)埋込み層14の材料は、アルミニウムを含む窒化ガリウムでもよい。この場合、埋込み層14に含まれるアルミニウムの濃度は、1×1020cm−3以下であることが好ましい。換言すれば、埋込み層14に含まれるアルミニウムのモル比は、窒化ガリウムに対して0.00001〜0.01に調整されていることが好ましい。窒化ガリウムにアルミニウムを含ませることにより、マストランスポートの進行速度を遅くすることができる。この場合、マストランスポートフェーズに要する時間は長くなるが、制御性が大幅に向上し、所望の形態の厚み減少部14aを形成することができる。
(3)上記半導体装置1はノーマリオフ型であったが、ノーマリオン型であってもよい。
14,114:埋込み層
14a,114a:厚み減少部
15,115:電子走行層
16,116:電子供給層
17,117:ヘテロ接合層
Claims (4)
- c面を表面とする窒化物半導体の半導体層と、
前記半導体層の前記表面の一部に設けられており、厚みが減少する厚み減少部を有する窒化物半導体のp型の埋込み層と、を備えており、
前記埋込み層では、前記厚み減少部の内部に酸素濃度がピークとなる部分が存在しており、そのピーク部分と前記厚み減少部の傾斜面の間にp型不純物の濃度が酸素濃度よりも高い部分が存在する半導体装置。 - 前記半導体層及び前記埋込み層上に設けられており、ヘテロ接合が構成されている窒化物半導体のヘテロ接合層と、
前記へテロ接合層上の一部に設けられているソース電極と、
前記へテロ接合層上の一部に設けられておりドレイン電極と、
前記へテロ接合層上の一部に設けられており、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に配置されているゲート部と、をさらに備えている請求項1に記載の半導体装置。 - 前記へテロ接合層は、電子走行層と、前記電子走行層よりもバンドギャップが広い電子供給層を有しており、
前記ゲート部の下方には、前記埋込み層と前記電子走行層と前記電子供給層がこの順で並んでいる請求項2に記載の半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置を製造する方法であって、
熱処理によるマストランスポートによって、前記埋込み層の前記厚み減少部を形成する工程を備える製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011251281A JP5881383B2 (ja) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | 半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011251281A JP5881383B2 (ja) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | 半導体装置とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013106022A JP2013106022A (ja) | 2013-05-30 |
JP5881383B2 true JP5881383B2 (ja) | 2016-03-09 |
Family
ID=48625321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011251281A Active JP5881383B2 (ja) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5881383B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3018629B1 (fr) * | 2014-03-14 | 2022-10-28 | Ommic | Structure semiconductrice formant transistor hemt |
US11430882B2 (en) | 2016-06-24 | 2022-08-30 | Wolfspeed, Inc. | Gallium nitride high-electron mobility transistors with p-type layers and process for making the same |
US10892356B2 (en) | 2016-06-24 | 2021-01-12 | Cree, Inc. | Group III-nitride high-electron mobility transistors with buried p-type layers and process for making the same |
TWI791888B (zh) | 2018-09-11 | 2023-02-11 | 美商美國亞德諾半導體公司 | 增強模式化合物半導體場效電晶體、半導體裝置、以及製造增強模式半導體裝置之方法 |
CN110021661B (zh) * | 2019-04-26 | 2022-06-17 | 江苏能华微电子科技发展有限公司 | 半导体器件及其制作方法 |
US11929428B2 (en) | 2021-05-17 | 2024-03-12 | Wolfspeed, Inc. | Circuits and group III-nitride high-electron mobility transistors with buried p-type layers improving overload recovery and process for implementing the same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61270879A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-12-01 | Nec Corp | モジユレ−シヨンド−プ・ホトデイテクタ |
JP3413345B2 (ja) * | 1997-05-20 | 2003-06-03 | 松下電器産業株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP2000349096A (ja) * | 1999-06-01 | 2000-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2007103451A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4775859B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2011-09-21 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体装置とそれを含む電力変換装置 |
JP5282978B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2013-09-04 | 日立電線株式会社 | Iii族窒化物半導体基板 |
-
2011
- 2011-11-17 JP JP2011251281A patent/JP5881383B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013106022A (ja) | 2013-05-30 |
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