JP5872581B2 - バックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法 - Google Patents
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Description
本明細書に記載される発明は、米国エネルギー省によって授与された契約番号第DE−FC36−07GO17043号の下、政府の支援でなされたものである。政府は、本発明において特定の権利を有する。
図1は、本発明の一実施形態によるバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法における操作を表すフローチャート100を示す。図2A〜2Lは、本発明の一実施形態による、フローチャート100の操作に対応する、バックコンタクト型太陽電池の製造における種々の段階の断面図を示す。
フローチャート100の操作104および対応する図2Bに示すように、バックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法は、薄い誘電体層202にポリシリコン層204を形成する工程を含む。本明細書で使用されているポリシリコン層という言葉は、アモルファス−またはα−シリコンとして記載され得る材料をも含むことを意図することが理解されるべきである。
一実施形態では、図2Cで示されるように、このパターニングは、固体のp型ドーパント源の複数の領域206の間に位置するポリシリコン層204の領域208を露出させる。一実施形態では、固体のp型ドーパント源206を形成し、パターニングする工程は、ホウケイ酸ガラス(BSG)の層を形成してパターニングする工程を含む。特定の一実施形態では、BSG層は、均一のブランケット層として形成され、次いでリソグラフィおよびエッチング処理によってパターニングされる。別の特定の実施形態では、BSG層は、パターンをすでに有した状態で堆積され、したがって、形成およびパターニングの工程は同時に行われる。このような一実施形態では、パターニングされたBSG層は、インクジェット印刷方法またはスクリーン印刷方法によって形成される。固体のp型ドーパント源は、ドーパント不純物原子を含有する層であって、基板に堆積され得ることが理解されるべきである。これは、イオン注入方法とは異なる。
一実施形態では、トレンチ216は、ポリシリコン層204、薄い誘電体層202および基板202の一部に形成される。一実施形態では、トレンチ216は、リソグラフィおよびエッチング処理を用いて形成される。1つの特定の実施形態では、ポリシリコン層204をパターニングし、次いで基板200をパターニングするために、異なるエッチング操作が用いられる。
本実施形態の例を下記の各項目として示す。
[項目1]
バックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法であって、
薄い誘電体層を基板上に形成する工程と、
前記薄い誘電体層上にポリシリコン層を形成する工程と、
固体のp型ドーパント源を前記ポリシリコン層上に形成しパターニングする工程であって、前記パターニングによって、前記固体のp型ドーパント源の複数の領域の間に位置する前記ポリシリコン層を露出させる工程と、
前記ポリシリコン層の前記露出した領域の上および前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域の上に、n型ドーパント源層を形成する工程と、
前記基板を加熱し、複数のn型ドープポリシリコン領域を複数のp型ドープポリシリコン領域の間に形成する工程とを備え、
前記n型ドーパント源層を形成する工程は、前記基板を加熱することにより、前記n型ドーパント源層から前記ポリシリコンの露出した領域に向かってn型ドーパントの少なくとも一部を拡散するべくドライブインさせ、n型ドーパント含有の複数のポリシリコン領域を、前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域の間に形成するバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目2]
前記n型ドーパント源層を形成する工程の後であって前記基板を加熱する工程の前に、前記n型ドーパント含有の複数のポリシリコン領域と前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域との間に、複数のトレンチを形成する工程を更に備え、
前記複数のトレンチは、前記ポリシリコン層、前記薄い誘電体層および前記基板の一部に形成される項目1に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目3]
前記複数のトレンチを形成する工程の後であって前記基板を加熱する工程の前に、前記複数のトレンチによって露出された前記基板の部分をテクスチャ加工する工程を更に備える、
項目2に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目4]
前記複数のトレンチを形成する工程およびテクスチャ加工する工程は、前記複数のトレンチを形成する工程とテクスチャ加工する工程との間で、硬化工程を行うことなく実行される項目3に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目5]
前記n型ドーパント源層を形成する工程は、前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域からのp型ドーパントの少なくとも一部を前記ポリシリコン層に拡散するべくドライブインさせる工程を更に備える項目1に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目6]
前記基板を加熱する工程は、
前記n型ドーパントを含有する複数のポリシリコン領域におけるドーパントを活性化させる工程と、
前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域からのドーパントを前記ポリシリコン層に拡散させるドライブインを更に促進する工程と、
前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域の前記ドーパントを前記ポリシリコン層において活性化する工程とを含む項目5に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目7]
前記固体のp型ドーパント源を形成し、パターニングする工程は、ホウケイ酸ガラス(BSG)の層を形成し、パターニングする工程を含む項目1に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目8]
前記n型ドーパント源層を形成する工程は、P 2 O 5 の層を形成する工程を含む項目1に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目9]
前記基板を加熱する工程の前に、前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域を除去する工程を更に備える項目1に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目10]
レーザーアブレーションによって、前記複数のn型ドープポリシリコン領域および前記複数のp型ドープポリシリコン領域に複数のコンタクト開口を形成する工程を更に備える、
項目9に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目11]
項目1の前記製造方法により製造された太陽電池。
[項目12]
バックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法であって、
薄い誘電体層を基板上に形成する工程と、
ポリシリコン層を前記薄い誘電体層上に形成する工程と、
固体のp型ドーパント源を前記ポリシリコン層上に形成し、パターニングする工程であって、前記パターニングによって前記固体のp型ドーパント源の複数の領域の間に位置する前記ポリシリコン層を露出させる工程と、
前記基板を反応チャンバ内に搬入し、前記基板を前記反応チャンバから取り出すことなく、前記ポリシリコン層の前記露出した領域および前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域の上にn型ドーパント源層を形成し、前記n型ドーパント源層からのドーパントの少なくとも一部を前記ポリシリコン層の前記露出した領域へと拡散させるべくドライブインを行い、前記ポリシリコン層の露出された前記複数の領域および前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域の間にn型ドーパントを含有する複数のポリシリコン層を形成する工程と、
前記基板を前記反応チャンバから取り出す工程と、
前記基板を取り出した後に、前記基板を加熱し、複数のp型ドープポリシリコン領域の間に複数のn型ドープポリシリコン領域を形成する工程と、
を備えるバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目13]
前記n型ドーパント源層を形成する工程の後であって、前記基板を加熱する工程の前に、前記n型ドーパントを含有する複数のポリシリコン領域と前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域との間にトレンチを形成する工程を更に備え、
前記トレンチは、前記ポリシリコン層、前記薄い誘電体層および前記基板の一部に形成される項目12に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目14]
前記トレンチを形成する工程の後であって、前記基板を加熱する工程の前に、前記トレンチによって露出された前記基板の部分をテクスチャ加工する工程を更に備える
項目13に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目15]
前記トレンチを形成する工程およびテクスチャ加工する工程は、前記トレンチを形成する工程と前記テクスチャ加工する工程との間で硬化工程を行うことなく実行される、
項目14に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目16]
前記n型ドーパント源層を形成する工程は、前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域からドーパントを前記ポリシリコン層へ拡散させるべくドライブインする工程を更に備える項目12に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目17]
前記基板を加熱する工程は、
前記n型ドーパントを含有する複数の多結晶シリコン領域におけるドーパントを活性化する工程と、
前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域からのドーパントを拡散させるべく前記ドライブインを促進する工程と、
前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域からの前記ドーパントを、前記ポリシリコン層において活性化する工程とを含む項目16に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目18]
前記基板を前記反応チャンバに搬入すると同時に、前記固体のp型ドーパント源からドーパントの少なくとも一部を前記ポリシリコン層に拡散させるべくドライブインする工程を更に備える項目12に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目19]
前記基板を加熱する工程の前に、前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域を除去する工程を更に備える項目12に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目20]
レーザーアブレーションによって、前記複数のn型ドープポリシリコン領域および前記複数のp型ドープポリシリコン領域に複数のコンタクト開口を形成する工程を更に備える項目19に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目21]
前記複数のn型ドープポリシリコン領域に形成される前記複数のコンタクト開口は、前記複数のp型ドープポリシリコン領域に形成される前記複数のコンタクト開口とほぼ同一の高さを有する項目20に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
[項目22]
項目12に記載の前記製造方法により製造された太陽電池。
Claims (20)
- バックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法であって、
薄い誘電体層を基板上に形成する工程と、
前記薄い誘電体層上にポリシリコン層を形成する工程と、
固体のp型ドーパント源を前記ポリシリコン層上に形成しパターニングする工程であって、前記パターニングによって、前記固体のp型ドーパント源の複数の領域の間に位置する前記ポリシリコン層を露出させる工程と、
前記ポリシリコン層の前記露出した領域の上および前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域の上に、n型ドーパント源層を形成する工程と、
前記基板を加熱し、複数のn型ドープポリシリコン領域を複数のp型ドープポリシリコン領域の間に形成する工程とを備え、
前記n型ドーパント源層を形成する工程は、前記基板を加熱することにより、前記n型ドーパント源層から前記ポリシリコンの露出した領域に向かってn型ドーパントの少なくとも一部を拡散するべくドライブインさせ、n型ドーパント含有の複数のポリシリコン領域を、前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域の間に形成し、
前記製造方法は、
前記n型ドーパント源層を形成して前記ポリシリコン層の前記露出した領域に向かって前記n型ドーパントの少なくとも一部をドライブインさせた後、前記n型ドーパント源層および前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域を除去する工程を更に備え、
前記除去する工程の後に、前記基板を加熱する工程を行って、前記ポリシリコン層におけるドーパントを活性化させる
バックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。 - 前記n型ドーパント源層を形成する工程の後であって前記基板を加熱する工程の前に、前記n型ドーパント含有の複数のポリシリコン領域と前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域との間に、複数のトレンチを形成する工程を更に備え、
前記複数のトレンチは、前記ポリシリコン層、前記薄い誘電体層および前記基板の一部に形成される請求項1に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。 - 前記複数のトレンチを形成する工程の後であって前記基板を加熱する工程の前に、前記複数のトレンチによって露出された前記基板の部分をテクスチャ加工する工程を更に備える、
請求項2に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。 - 前記複数のトレンチを形成する工程およびテクスチャ加工する工程は、前記複数のトレンチを形成する工程とテクスチャ加工する工程との間で、硬化工程を行うことなく実行される請求項3に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
- 前記n型ドーパント源層を形成する工程は、前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域からのp型ドーパントの少なくとも一部を前記ポリシリコン層に拡散するべくドライブインさせる工程を更に備える請求項1に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
- 前記基板を加熱する工程は、
前記n型ドーパントを含有する複数のポリシリコン領域におけるドーパントを活性化させる工程と、
前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域からのドーパントを前記ポリシリコン層に拡散させるドライブインを更に促進する工程と、
前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域の前記ドーパントを前記ポリシリコン層において活性化する工程とを含む請求項5に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。 - 前記固体のp型ドーパント源を形成し、パターニングする工程は、ホウケイ酸ガラス(BSG)の層を形成し、パターニングする工程を含む請求項1に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
- 前記n型ドーパント源層を形成する工程は、P2O5の層を形成する工程を含む請求項1に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
- 前記除去する工程において、前記n型ドーパント源層を除去した後、複数のトレンチを形成し、前記複数のトレンチによって露出された前記基板の部分をテクスチャ加工し、その後前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域を除去する
請求項1に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。 - レーザーアブレーションによって、前記複数のn型ドープポリシリコン領域および前記複数のp型ドープポリシリコン領域に複数のコンタクト開口を形成する工程を更に備える、
請求項1に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。 - バックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法であって、
薄い誘電体層を基板上に形成する工程と、
ポリシリコン層を前記薄い誘電体層上に形成する工程と、
固体のp型ドーパント源を前記ポリシリコン層上に形成し、パターニングする工程であって、前記パターニングによって前記固体のp型ドーパント源の複数の領域の間に位置する前記ポリシリコン層を露出させる工程と、
前記基板を反応チャンバ内に搬入し、前記基板を前記反応チャンバから取り出すことなく、前記ポリシリコン層の前記露出した領域および前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域の上にn型ドーパント源層を形成し、前記n型ドーパント源層からのドーパントの少なくとも一部を前記ポリシリコン層の前記露出した領域へと拡散させるべくドライブインを行い、前記ポリシリコン層の露出された前記複数の領域および前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域の間にn型ドーパントを含有する複数のポリシリコン層を形成する工程と、
前記基板を前記反応チャンバから取り出す工程と、
前記基板を取り出した後に、前記n型ドーパント源層および前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域を除去する工程と、
前記除去する工程の後に、前記基板を加熱し、前記ポリシリコン層におけるドーパントを活性化させて、複数のp型ドープポリシリコン領域の間に複数のn型ドープポリシリコン領域を形成する工程と、
を備えるバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。 - 前記n型ドーパント源層を形成する工程の後であって、前記基板を加熱する工程の前に、前記n型ドーパントを含有する複数のポリシリコン領域と前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域との間にトレンチを形成する工程を更に備え、
前記トレンチは、前記ポリシリコン層、前記薄い誘電体層および前記基板の一部に形成される請求項11に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。 - 前記トレンチを形成する工程の後であって、前記基板を加熱する工程の前に、前記トレンチによって露出された前記基板の部分をテクスチャ加工する工程を更に備える
請求項12に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。 - 前記トレンチを形成する工程およびテクスチャ加工する工程は、前記トレンチを形成する工程と前記テクスチャ加工する工程との間で硬化工程を行うことなく実行される、
請求項13に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。 - 前記n型ドーパント源層を形成する工程は、前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域からドーパントを前記ポリシリコン層へ拡散させるべくドライブインする工程を更に備える請求項11に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
- 前記基板を加熱する工程は、
前記n型ドーパントを含有する複数の多結晶シリコン領域におけるドーパントを活性化する工程と、
前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域からのドーパントを拡散させるべく前記ドライブインを促進する工程と、
前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域からの前記ドーパントを、前記ポリシリコン層において活性化する工程とを含む請求項15に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。 - 前記基板を前記反応チャンバに搬入すると同時に、前記固体のp型ドーパント源からドーパントの少なくとも一部を前記ポリシリコン層に拡散させるべくドライブインする工程を更に備える請求項11に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
- 前記除去する工程において、前記n型ドーパント源層を除去した後、複数のトレンチを形成し、前記複数のトレンチによって露出された前記基板の部分をテクスチャ加工し、その後前記固体のp型ドーパント源の前記複数の領域を除去する
請求項11に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。 - レーザーアブレーションによって、前記複数のn型ドープポリシリコン領域および前記複数のp型ドープポリシリコン領域に複数のコンタクト開口を形成する工程を更に備える請求項11に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
- 前記複数のn型ドープポリシリコン領域に形成される前記複数のコンタクト開口は、前記複数のp型ドープポリシリコン領域に形成される前記複数のコンタクト開口とほぼ同一の高さを有する請求項19に記載のバックコンタクト型太陽電池のコンタクトの製造方法。
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