CN102414830B - 太阳能电池元件、分割太阳能电池元件、太阳能电池模块及电子设备 - Google Patents

太阳能电池元件、分割太阳能电池元件、太阳能电池模块及电子设备 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种太阳能电池元件，其具备具有一种导电型的第一半导体层和相反导电型的第二半导体层的半导体基板，且在所述第二半导体层侧的所述半导体基板的第一主面上，多个线状的集电电极分别从所述第一主面的中央部朝向两端部分离配置，所述太阳能电池元件的特征在于，位于所述中央部的相邻的所述集电电极间的距离与位于所述两端部侧的相邻的所述集电电极间的距离不同。

Description

太阳能电池元件、分割太阳能电池元件、太阳能电池模块及电子设备
技术领域
本发明涉及太阳能电池元件、将该太阳能电池元件分割而得到的分割太阳能电池元件、具有太阳能电池元件或分割太阳能电池元件的太阳能电池模块及电子设备。
背景技术
如图10所示，通常为了提高太阳能电池元件50的集电效率，在构成太阳能电池元件50的半导体基板51上等间隔地配置多根线状的集电电极52。
在制作太阳能电池元件50时，需要在半导体基板51中掺杂杂质元素。在这种情况下，因制造条件的不同，例如与半导体基板51的一主面中的中央部R1相比，在其外侧施加较大的热量，从而存在在该部位含有较多杂质元素的情况。即，在图10中，存在与中央部R1相比，在位于中央部R1的外侧的两端部R2、R3含有更多杂质元素的情况。
在这种情况下，在半导体基板51的表面的中央部R1，载流子的收集(集电)容易变得不充分，无法期待太阳能电池元件的发电效率的提高。
通过等间隔增加配置在半导体基板51上的集电电极52的根数，能够提高太阳能电池元件50的集电效率。但是，相邻的集电电极间的距离变短，因此，在使用将太阳能电池元件50分割而得到的多个分割太阳能电池元件时(例如，参照下述的专利文献1)，如图10所示，存在集电电极52与分割位置(分割线8)重叠的情况。在这种情况下，存在分割太阳能电池元件的输出降低等对输出特性带来不良影响的情况。
因此，期望能够期待提高发电效率的太阳能电池元件及输出特性的影响小的分割太阳能电池元件，进而期望具备这样的太阳能电池元件或分割太阳能电池元件的太阳能电池模块及电子设备。
专利文献1：日本特开2000-164901号公报
发明内容
本发明的一方式所涉及的太阳能电池元件具备具有一种导电型的第一半导体层和相反导电型的第二半导体层的半导体基板，且在所述第二半导体层侧的所述半导体基板的第一主面上，多个线状的集电电极分别从所述第一主面的中央部朝向两端部分离配置，所述太阳能电池元件的特征在于，在所述第一主面上配置有与所述集电电极交叉的线状的第一输出取出电极，在所述半导体基板的位于所述第一主面的相反侧的第二主面上配置有第二输出取出电极，位于所述中央部的相邻的所述集电电极间的距离与位于所述两端部侧的相邻的所述集电电极间的距离不同。
本发明的一方式所涉及的分割太阳能电池元件的特征在于，通过将所述太阳能电池元件沿着所述集电电极中的几根集电电极分割而获得。
本发明的一方式所涉及的太阳能电池模块的特征在于，具备所述太阳能电池元件或所述分割太阳能电池元件。
本发明的一方式所涉及的电子设备的特征在于，具备所述太阳能电池元件或所述分割太阳能电池元件。
根据上述的太阳能电池元件、具备该太阳能电池元件的太阳能电池模块及电子设备，能够期待发电效率的提高。另外，能够提供输出特性的影响小的分割太阳能电池元件，且具备这样的分割太阳能电池元件的太阳能电池模块及电子设备的可靠性高。
附图说明
图1是示意性示出本发明的一方式所涉及的太阳能电池元件的受光面侧的一例的俯视图。
图2是示意性示出本发明的一方式所涉及的太阳能电池元件的背面侧的一例的俯视图。
图3是由图1的A-A线剖开的剖视示意图。
图4是图1的局部放大俯视图，图4(a)、(b)分别为示出了第一集电电极的配置例的图。
图5是示意性示出本发明的一方式所涉及的太阳能电池元件的受光面侧的一例的俯视图。
图6是示意性示出本发明的一方式所涉及的太阳能电池元件的受光面侧的一例的俯视图。
图7是示意性示出本发明的一方式所涉及的太阳能电池元件的受光面侧的一例的俯视图。
图8是由图7的B-B线剖开的剖视示意图。
图9(a)、(b)是分别示意性示出本发明的一方式所涉及的分割太阳能电池元件的一例的俯视图。
图10是示意性示出现有的太阳能电池元件的俯视图。
具体实施方式
参照附图，对本发明所涉及的实施方式的例子进行详细地说明。
<太阳能电池元件的基本结构>
首先，对太阳能电池元件的基本结构进行说明。如图1所示，在太阳能电池元件10中，在作为半导体基板9的受光面的第一主面11上，例如直线状的多个第一集电电极4a分别从第一主面11的中央部R1朝向两端部R2、R3相互分离配置。在图1中，4b为宽度比第一集电电极4a宽的第一输出取出电极，其相对于第一集电电极4a正交配置。由第一集电电极4a和第一输出取出电极4b构成第一主面11中的第一电极4。
如图1所示，位于中央部R1的相邻的第一集电电极4a间的距离可以与位于两端部R2、R3侧的相邻的第一集电电极4a间的距离不同。在此，只要位于中央部R1的相邻的第一集电电极4a间的距离与位于两端部R2、R3侧的相邻的第一集电电极4a间的距离的差异在0.07mm以上，则可定义为两者中的第一集电电极4a间的距离不同。
另一方面，如图2所示，在作为半导体基板9的背面的第二主面12上配置有第二电极5，该第二电极5由形成在大致整面上的第二集电电极5a和向与第一输出取出电极4b相同的方向延伸的第二输出取出电极5b构成。
并且，在图1及图2中，8为用于从太阳能电池元件10获得分割太阳能电池元件的分割线，例如是为了采用激光束等对太阳能电池元件10进行分割而示出的分割线。
如图3所示，半导体基板9具有一种导电型的第一半导体层1和相反导电型的第二半导体层2。第二半导体层2位于半导体基板9的第一主面11侧。另外，在半导体基板9的第一主面11上配置有反射防止膜3。另外，在半导体基板9的第二主面12侧设有BSF区域(Back Surface Field：背面电场)的第三半导体层6。
另外，在后接点型太阳能电池元件中，例如图7及图8所示，具备：从半导体基板9的第一主面11贯通到位于其相反侧的第二主面12且与第一集电电极4a连接的多个贯通电极4e；配置在第二主面12上且与贯通电极4e连接的第一输出取出电极4b。
进而，本实施方式的分割太阳能电池元件的特征在于，通过将上述的太阳能电池元件沿着第一集电电极4a中的几根集电电极分割而获得。例如，如图9(a)所示，通过由位于图1的太阳能电池元件10的中央部R1的分割线8分割而获得分割太阳能电池元件15。另外，如图9(b)所示，通过由位于图7的太阳能电池元件20的中央部R1的分割线8分割而获得分割太阳能电池元件16。
<太阳能电池元件及分割太阳能电池元件的具体结构例>
以下，对具体的方式例进行说明。
如图1所示，位于中央部R1的相邻的第一集电电极4a间的距离可以构成为比位于两端部R2、R3的相邻的第一集电电极4a间的距离短。例如，如图4(a)所示，可以将相邻的第一集电电极4a间的距离配置成从半导体基板9的第一主面11中的中央部R1朝向两端部R2、R3而逐渐变长。由此，能够降低由于第一集电电极4a中的累积出的公差的偏差而引起的第一集电电极4a和分割线8的重叠，从而使分割线8位于相邻的第一集电电极4a间的设计容易。
另外，第一电极4例如由50～200μm宽度的第一集电电极4a和与其正交的1.3～2.5mm宽度的第一输出取出电极4b构成。另一方面，第二电极5例如具有配置在第二主面的整面上的第二集电电极5a和1.5～7mm宽度的第二输出取出电极5b。
通过最佳组合相邻的第一集电电极4a间的距离和第一集电电极4a的根数，能够实现使太阳能电池元件10的分割线8与第一集电电极4a不重叠。由此，通过仅制作一种统一的太阳能电池元件10(母基板)，从而能够容易地制作多种尺寸的分割太阳能电池元件(子基板)。
并且，从外观方面来看，相邻的第一集电电极4a间的距离以最佳值为基准，在0.2mm以内的范围内设置成比最佳值短或长。另外，优选位于中央部R1的相邻的第一集电电极4a间的距离和位于两端部R2、R3的相邻的第一集电电极4a间的距离之差在0.3mm以内。并且，所谓“最佳值”，是指在相邻的第一集电电极4a的距离从半导体基板1的一端部到另一端部为均等的情况下，使太阳能电池元件的发电效率变高时的值。
也能够与第二半导体层2的杂质浓度分布、薄层电阻(sheet resistance)分布等相匹配地适当设定相邻的第一集电电极4a间的距离，可以如图5所示的太阳能电池元件30那样，在半导体基板9的第一主面11的中央部R1使相邻的第一集电电极4a间的距离变长，在两端部R2、R3使相邻的第一集电电极4a间的距离变短。
另外，如图4(b)及图6所示，可以使相邻的第一集电电极4a间的平均距离短的第一集电电极组41和相邻的第一集电电极4a间的平均距离长的第二集电电极组42交替或适当配置。通过采用该结构，也能够降低由于逐渐累积出的公差的偏差而引起的集电电极4a与切断位置(分割线8)的重叠，由此可使分割线8位于第一集电电极4a间的设计容易。
进而，优选第一集电电极4a的根数为偶数。这是为了获得将第一集电电极左右对称地切断后的尺寸一致的分割太阳能电池元件。例如，即使在根据第一集电电极4a间的距离的最佳值计算出的第一集电电极4a的根数为奇数的情况下，通过组合相邻的第一集电电极4a间的平均距离短的第一集电电极组41和相邻的第一集电电极4a间的平均距离长的第二集电电极组42，也能够将第一集电电极4a的根数设为偶数。
另外，通过最佳组合第一集电电极4a的间隔和根数，能够实现使太阳能电池元件10的母基板中第一集电电极4a不位于分割线8，因此，通过仅制作一个的统一的太阳能电池元件10的母基板，就能够容易地制作多种大小的太阳能电池元件10的子基板。
并且，也从外观方面来看，第一集电电极组41及第二集电电极组42的相邻的第一集电电极4a间的平均距离以最佳值为基准，在0.2mm以内的范围内设置成比最佳值短或长。另外，优选第一集电电极组41和第二集电电极组42的间隔之差在0.3mm以内。
进而，在图4(b)中，在半导体基板9的第一主面11中的薄层电阻高的第一区域和薄层电阻比该第一区域低的第二区域中，优选在第一区域配置第一集电电极组41，在第二区域配置第二集电电极组42。由此，载流子的收集在各第一区域及第二区域良好地进行。
在此，通过使第一区域和第二区域的薄层电阻值之差为在5Ω/□以上且20Ω/□以下的较小的差，也能够减小第一区域的第一集电电极组41和第二区域的第二集电电极组42的间隔之差，并能够较小地设定第一集电电极组41和第二集电电极组42之差，故不会对外观产生损伤。
另外，优选第二半导体层2的第一区域与第二区域中的薄层电阻的差异通过使第二半导体层2的第一区域的厚度比第二区域的该厚度薄来实现。第一区域和第二区域的厚度之差在杂质浓度为1×1018[atoms/cm3]的位置可以为0.1μm以上且1μm以下。
另外，优选第二半导体层2的第一区域和第二区域中的薄层电阻的差异使第二半导体层2的第一区域中的最大杂质浓度比第二区域中的最大杂质浓度低。第一区域和第二区域的最大杂质浓度之差可以为1×1020[atoms/cm3]以上且8×1020[atoms/cm3]以下。
这样，在位于中央部R1的相邻的第一集电电极4a间的距离形成得比位于两端部R2、R3侧的相邻的第一集电电极4a间的距离短的情况下，通过与其相匹配地使第二半导体层2的中央部R1中的薄层电阻比两端部R2、R3侧的第二半导体层2的薄层电阻变高，也能够使太阳能电池元件的发电效率提高0.1％左右。
此处，薄层电阻的值的测定能够通过四探针法来测定，对在一条直线上排列的四根金属针加压并同时使它们与半导体基板9的表面接触，在电流流过外侧的两根针时，测定在内侧的两根针之间产生的电压，并根据该电压和流过的电流基于欧姆法则来求出电阻值。
另外，在本实施方式的太阳能电池元件中具有第二半导体层2的薄层电阻高的第一区域和第二半导体层2的薄层电阻低的第二区域，且可以在第一区域设有第一集电电极组41，在第二区域设有第二集电电极组42。也就是说，第二半导体层2中，中央部R1的薄层电阻设定得比两端部R2、R3侧高。
在半导体基板9的整体中通常以在薄层电阻没有不均的方式形成第二半导体层2，但是，在本实施方式中，设置薄层电阻不同的第一区域和第二区域，且与第二半导体层2的薄层电阻相匹配地来决定设置第一集电电极组41和第二集电电极组42的位置。由此，能够进一步减少太阳能电池元件的输出特性的降低，且因情况不同而能够使输出特性提高。
作为第二半导体层2的第一区域和第二区域的形成方法可采用各种的方法。例如，能够在薄层电阻形成均匀的第二半导体层2之后，通过仅在要成为第二区域的区域再次使掺杂剂扩散或对作为第一区域的区域的第二半导体层2进行蚀刻而形成。在这种情况下，可以将第一区域设置在两端部R2、R3或中央部R1中的任一者上。需要说明的是，在再次使掺杂剂扩散的情况下，优选在不扩散的区域进行设置扩散防止层，在蚀刻的情况下，优选在不蚀刻的区域进行设置蚀刻防止层。
另外，也能够如上述方法那样不增加工序数而形成。例如，在涂敷热扩散法中，通过使含有掺杂剂的膏剂的涂敷厚度不同，而在涂敷厚度薄的部位形成第一区域，在厚的部位形成第二区域。另外，例如在气相热扩散法中，由于减小向炉内的气流束而对炉内的气体的均匀性造成损失。由此，因热引起的扩散的影响变大，故与半导体基板的中央部相比，对外周部施加较大的热量，从而易于在半导体基板9的中央部R1形成第一区域，在两端部R2、R3形成第二区域。
进而，在本实施方式中，在第一主面11上以与第一集电电极4a大致正交的方式配置第一输出取出电极4b。由此，能够将由第一集电电极4a集中的载流子有效地从第一输出取出电极4b取出。
进而，如图7及图8所示，优选配置有从半导体基板9的第一主面11贯通到第二主面12的多个贯通孔7、在该贯通孔7内与第一集电电极4a导通的贯通电极4e、在第二主面12上与贯通电极4e连接的第一输出取出电极4b。在上述内容中，对第一输出取出电极4b形成在第一主面11侧的方式例进行了说明，但在以下说明的通孔型后接点结构中也能够适用本实施方式的结构。
图7及图8所示的通孔型后接点结构的太阳能电池元件20具有：包括第一主面11和第二主面12的半导体基板9；贯通半导体基板9的多个贯通孔7；第一电极4。
在此，在第一电极4中包括：形成在第一主面11上的第一集电电极4a；形成在第二主面12上的第一输出取出电极4b；与第一输出取出电极4b及第一集电电极4a电连接且形成在贯通孔7内的贯通电极4e。
这样，第一电极4形成在第二主面12上，且还包括与贯通电极4e连接的第一输出取出电极4b，因此，能够有效地将在第一主面11侧集中的电流从第二主面12侧取出。
如图7所示，由在第一主面11上大致平行设置的多个细线构成的第一主面11的第一集电电极4a中，各细线与贯通电极4e的至少一个连接。
由此，能够对在半导体基板9中生成的载流子进行有效集电，并能够通过贯通电极4e从背面的第二主面12侧的第一输出取出电极4b取出。
另外，在本实施方式中的太阳能电池元件的分割方法中，通过采用上述的太阳能电池元件20，基于图7所示的配置在中央部R1的第一集电电极组的中心线进行切断，并且在配置于两端部R2、R3的第二集电电极组中也进行切断，从而能够使第一集电电极4a不与分割线8重叠地获得被等分分割的分割太阳能电池元件。
也就是说，通常情况下，根据第二半导体层2的薄层电阻与第一集电电极4a的线电阻的关系来设定最佳的相邻的第一集电电极4a间的距离，但是，在本实施方式中的太阳能电池元件的分割方法中无需考虑这些内容，就能够减少因电极形状的变更引起的太阳能电池元件的输出特性的降低。
<太阳能电池元件的制造方法>
以下，对本实施方式的太阳能电池元件的制造方法进行说明。
首先，对成为第一半导体层1的半导体基板的制造进行说明。在半导体基板为单晶硅基板时，通过例如提拉法等来形成，在半导体基板为多晶硅基板时，通过例如铸造法等来形成。以下，通过采用了p型的多晶硅的例子进行说明。
首先，通过例如铸造法来制作多晶硅的铸锭。接着，将该铸锭切片成例如250μm以下的厚度。之后，为了对半导体基板的切断面的机械损伤层或污染层进行清洁化，优选通过NaOH、KOH或氟酸、氟硝酸等对表面进行极微量蚀刻。需要说明的是，在该蚀刻工序后，更优选采用湿蚀刻方法，在半导体基板的表面上形成微小的凹凸构造。
此处，在图7及图8所示的后接点型太阳能电池元件的情况下，在半导体基板的第一主面11与第二主面12之间形成贯通孔7。
贯通孔7通过采用机械钻头、水射流或激光加工装置等来形成。并且，为了避免第一主面11的损伤，贯通孔7的形成从半导体基板的第二主面12侧朝向第一主面11侧来进行加工。不过，若由加工引起的对半导体基板的损伤较少，则可以从第一主面11侧朝向第二主面12侧来进行加工。另外，优选在贯通孔7形成后进行蚀刻来除去损伤层。
接着，在半导体基板的所期望区域的表层内形成作为相反导电型的n型的第二半导体层2。这样的第二半导体层2通过将膏剂状态的P2O5涂敷在半导体基板的表面上并使其热扩散的涂敷热扩散法或将气体状态的POCl3(三氯氧磷)作为扩散源的气相热扩散法等来形成。该第二半导体层2形成在0.2～2μm左右的深度、60～150Ω/□左右的薄层电阻上。
另外，在后接点型的太阳能电池元件中，优选第二半导体层2还形成在贯通孔7的内部及第二主面12上。需要说明的是，第二半导体层2的形成方法并不局限于上述方法，例如也可采用薄膜形成技术来形成氢化非晶硅膜或包括微晶硅膜的晶硅膜等。进而，也可以在第一半导体层1和第二半导体层2之间形成i型硅区域。
涂敷热扩散法中所采用的含有掺杂剂的膏剂例如在为n型时，为氧化磷或磷酸等磷系盐。在为p型时，为将由氧化硼或硼酸等的硼系盐构成的掺杂剂以及硅酸乙酯或聚硅氮烷等硅系化合物混合在乙醇、异丙醇或丁醇等溶剂中而成的膏剂，并根据需要，混合甲基纤维素、乙基纤维素、硝化纤维素、甲基丙烯酸甲酯或聚乙二醇等树脂。
作为涂敷方法，例如可采用旋涂法、喷雾法或网板印刷法等在半导体基板上涂敷膏剂。另外，膏剂的粘度可以与所采用的涂敷法对应而适当调整，例如在采用网板印刷法时，可采用50～350Pa·s左右的粘度的膏剂。在涂敷后，可以在70～150℃的温度下使膏剂干燥几分钟。
然后，通过在氩或氮等惰性气体气氛中或在含有氧等的氧化气氛中进行热处理，将膏剂玻璃化而形成包含掺杂剂的玻璃层，且使玻璃层中的掺杂剂向半导体基板的表面及内部扩散。热处理温度例如在300～600℃的温度下加热5～20分钟左右，之后为了使玻璃层中的掺杂剂向基板中扩散而在600～900℃的温度下加热10～40分钟左右即可。此外，通过使膏剂的涂敷厚度不同，从而在涂敷厚度薄的部位形成薄层电阻高的第二半导体层，在厚的部位形成薄层电阻高的第二半导体层。
在气相热扩散法中，在包括气体导入口和气体排气口的由石英构成的工艺管内设置多个半导体基板，使液体的POCl3通过运载气体(例如氮气、氧气等)起泡，并将使POCl3气化后的扩散气体与惰性气体一起导入工艺管内。在含有掺杂剂的气氛中，通过在工艺管的外周设置的加热机构在600℃～900℃左右的温度下对半导体基板1进行5～30分钟左右热处理。由此，在半导体基板的表面形成含有掺杂剂的玻璃层，且使存在于玻璃层中的掺杂剂向半导体基板的表面附近扩散。在此，扩散气体和惰性气体的流量比可以设定为例如1∶2～1∶20来进行供给，更优选为1∶4～1∶15来进行供给。之后，在氩或氮等惰性气体气氛中，在比刚才的温度高50℃～200℃的温度下进行10～40分钟左右热处理，由此使存在于半导体基板表面的玻璃层中的掺杂剂进一步向半导体基板表面附近扩散，并且使扩散到半导体基板的表面附近的掺杂剂向基板内部扩散，从而形成第二半导体层2。
接着，形成反射防止膜3。反射防止膜3采用例如PECVD(plasmaenhanced chemical vapor deposition：等离子体增强化学汽相淀积)法、蒸镀法或溅射法等来形成。例如，若在通过PECVD法来形成由氮化硅膜构成的反射防止膜3时，则使反应室内形成为500℃左右，并通过N2(氮)将Si3H4(硅烷)和NH3(氨)的混合气体稀释且借助辉光放电分解使它们等离子体化并堆积，从而形成反射防止膜3。
接着，在半导体基板1的第二主面12侧形成一种导电型的半导体杂质高浓度扩散的第三半导体层6。作为制法，例如可采用：使用以BBr3(三溴化硼)作为扩散源的热扩散法在温度800～1100℃左右下形成的方法；通过印刷法涂敷由铝粉末及有机载色体等构成的铝膏剂，之后在温度600～850℃左右下进行热处理(烧成)而使铝向半导体基板1扩散的方法。另外，若采用印刷铝膏剂而将其烧成的方法，则能够仅在印刷面形成所期望的扩散区域。并且，在这种情况下，无需将在第二半导体层2的形成时同时也在第二主面侧形成的n型的第二半导体层除去，只要在太阳能电池元件10中仅对第二主面12侧的周边部采用激光等进行pn分离即可，在后接点型的太阳能电池元件20中，还在与第三半导体层6的界面进行pn分离也可。并且，第三半导体层6的形成方法并不局限于上述方法，例如可以采用薄膜技术而形成氢化非晶硅膜或包含微晶硅膜的晶硅膜等。并且，也可以在第一半导体层1与第三半导体层6之间形成i型硅区域。
接着，第一电极4和第二电极5如下形成。第一电极4例如使用含有由银等构成的金属粉末、有机载色体和玻璃料的电极膏剂(银膏剂)制作。
在图1～3的太阳能电池元件10的情况下，将电极膏剂涂敷在半导体基板1的第一主面上。之后，在最高温度600～850℃下进行几十秒～几十分钟左右烧成，由此，通过烧成贯通(fire through)法冲破反射防止膜3，从而在半导体基板9上形成第一电极4。
在后接点型的太阳能电池元件10时，将电极膏剂从半导体基板9的第一主面11侧涂敷并在贯通孔7中也填充银膏剂，之后，在最高温度600～850℃下进行几十秒～几十分左右烧成，由此在第一主面11形成第一集电电极4a，在贯通孔7内部形成贯通电极4e。然后，将电极膏剂从半导体基板9的第二主面12侧涂敷，之后，在最高温度500～850℃下进行几十秒～几十分左右烧成，由此在第二主面12形成第一输出取出电极4b。优选涂敷后在规定的温度下进行干燥而使溶剂蒸发。作为涂敷法可采用网板印刷法等。
并且，通过采用具有位于中央部R1的相邻的第一集电电极4a间的距离与位于两端部侧R2、R3的相邻的第一集电电极4a间的距离不同的形状的开口部的制版来涂敷电极膏剂，从而能够形成位于中央部R1的相邻的第一集电电极4a间的距离与位于两端部R2、R3侧的相邻的第一集电电极4a间的距离不同的形状的第一集电电极4a。
接着，对第二电极5进行说明。首先，第二集电电极5a采用例如含有铝粉末和有机载色体的铝膏剂来制作。将该膏剂涂敷在除了形成第一电极4及第二输出取出电极5b的部位的一部分以外的第二主面12的大致整面上。作为该涂敷法可采用网板印刷法等。这样，在涂敷膏剂后，在规定温度下进行干燥而使溶剂蒸发的方式在作业时膏剂难以附着到其它部分上，从该观点出发故优选。
接着，第二输出取出电极5b采用例如包括由银粉末等构成的金属粉末、有机载色体和玻璃料的银膏剂来制作。将该银膏剂涂敷成预先确定的形状。并且，银膏剂涂敷在与铝膏剂的一部分相接的位置，可使第二输出取出电极5b和第二集电电极5a的一部分重叠。作为涂敷法可采用网板印刷法等，在涂敷后优选在规定的温度下进行干燥而使溶剂蒸发。
然后，将半导体基板9在烧成炉内以最高温度为600～850℃进行几十秒～几十分左右烧成，由此使第二电极5形成在半导体基板9的第二主面12侧。
需要说明的是，第一电极4及第二电极5的电极形成采用了印刷·烧成法，但是，也可以采用蒸镀、喷射等薄膜形成或镀敷法来形成。
接着，对分割方法进行说明。在太阳能电池元件的母基板的第一主面侧或第二主面侧沿着所期望的分割线8照射激光而形成分割槽。作为所使用的激光，例如可采用YAG激光。作为激光条件，可以是波长为1.06μm、输出为10～30W、光束束散角为1～51nrad且以50～300mm/s的速度扫描。只要分割槽的深度在半导体基板1的厚度的25％以上，则能够容易地沿着分割槽分割太阳能电池元件的母基板，故优选。
通过对形成了分割槽的太阳能电池元件的母基板施加外力来分割，而能够形成太阳能电池元件的子基板(分割太阳能电池元件)。即，例如通过用手来沿着分割槽将母基板折曲而能够制成子基板。并且，太阳能电池元件的子基板能够作为大型的太阳能电池元件的母基板所具有的结构而发挥功，例如能够作为具有第一电极4及第二电极5且分割的状态下的太阳能电池元件而发挥功能，但根据需要，可以对分割后的分割太阳能电池元件施加追加其它结构那样的工序。
通常，根据第二半导体层2的薄层电阻与第一集电电极4a的线电阻的关系来设定最佳的相邻的第一集电电极4a间的距离，而通过将第一集电电极组41及第二集电电极组42的相邻的第一集电电极4a间的平均距离设计成接近该最佳值的值，从而能够减少因电极形状的变更引起的太阳能电池元件的输出特性降低的问题。
<太阳能电池模块及电子设备>
本实施方式的太阳能电池模块例如能够形成为在玻璃、树脂或金属等支承基板上将一个上述太阳能电池元件或一个上述分割太阳能电池元件、或通过导体电串联连接的多个上述太阳能电池元件或多个分割太阳能电池元件由耐湿性优良的例如EVA(Ethylene Vinyl Acetate)等填充材料来密封的结构。在这种情况下，可以将金属或树脂等框体设置在支承基板的周围。
另外，本实施方式的电子设备为应用了电子工学技术的电气产品，包括对信息数字处理的设备、将影像、声音电气模拟处理的设备等。即，可以采用上述太阳能电池模块或分割太阳能电池元件作为例如便携式电话、时钟或台式电子计算器等的电源。
若采用本实施方式的太阳能电池元件或分割太阳能电池元件作为太阳能电池模块及电子设备的发电机构，则能够提供一种可期待发电效率的提高进而可靠性优良的太阳能电池模块及电子设备。
符号说明：
1：第一半导体层
2：第二半导体层
3：反射防止膜
4：第一电极
4a：第一集电电极
4b：第一输出取出电极
4e：贯通电极
5：第二电极
5a：第二集电电极
5b：第二输出取出电极
6：第三半导体层
7：贯通孔
8：分割线
9：半导体基板
10：太阳能电池元件
11：第一主面
12：第二主面
15：分割太阳能电池元件
16：分割太阳能电池元件
20：太阳能电池元件
30：太阳能电池元件
40：太阳能电池元件
41：第一集电电极组
42：第二集电电极组
R1：中央部
R2：端部
R3：端部

Claims (13)

1.一种太阳能电池元件，其具备具有一种导电型的第一半导体层和相反导电型的第二半导体层的半导体基板，且在所述第二半导体层侧的所述半导体基板的第一主面上，平行设置的多个直线状的集电电极分别从所述第一主面的中央部朝向两端部分离配置，所述太阳能电池元件的特征在于，
在所述第一主面上配置有与所述集电电极交叉的线状的第一输出取出电极，在所述半导体基板的位于所述第一主面的相反侧的第二主面上配置有第二输出取出电极，
位于所述中央部的相邻的所述集电电极间的距离比位于所述两端部侧的相邻的所述集电电极间的距离短或长。
2.如权利要求1所述的太阳能电池元件，其特征在于，
位于所述中央部的相邻的所述集电电极间的距离比位于所述两端部侧的相邻的所述集电电极间的距离短。
3.如权利要求2所述的太阳能电池元件，其特征在于，
所述中央部的所述第二半导体层的薄层电阻比所述两端部侧的所述第二半导体层的薄层电阻高。
4.如权利要求2所述的太阳能电池元件，其特征在于，
所述中央部的所述第二半导体层的厚度比所述两端部侧的所述第二半导体层的厚度薄。
5.如权利要求2所述的太阳能电池元件，其特征在于，
所述中央部的所述第二半导体层的最大杂质浓度比所述两端部侧的所述第二半导体层的最大杂质浓度低。
6.如权利要求2所述的太阳能电池元件，其特征在于，
以相邻的所述集电电极间的距离从所述中央部朝向所述两端部逐渐变长的方式配置所述集电电极。
7.如权利要求2所述的太阳能电池元件，其特征在于，
具有：位于所述中央部的由多个所述集电电极构成的第一集电电极组；位于所述两端部侧的由多个所述集电电极构成的第二集电电极组，
所述第一集电电极组的相邻的所述集电电极间的距离的平均值比所述第二集电电极组的相邻的所述集电电极间的距离的平均值小。
8.如权利要求7所述的太阳能电池元件，其特征在于，
所述第一集电电极组的所述集电电极的根数为偶数。
9.一种分割太阳能电池元件，其特征在于，
通过将权利要求1所述的太阳能电池元件沿着所述集电电极中的几根集电电极分割而获得。
10.一种太阳能电池模块，其特征在于，
具备权利要求1所述的太阳能电池元件。
11.一种太阳能电池模块，其特征在于，
具备权利要求9所述的分割太阳能电池元件。
12.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1所述的太阳能电池元件。
13.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求9所述的分割太阳能电池元件。
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