JP6209251B2 - バックコンタクト型太陽電池のエミッタの製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 87
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 50
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 294
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 249
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 118
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 47
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 25
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 23
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 8
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 238000000038 ultrahigh vacuum chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1864—Annealing
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Description
本非仮出願は、2011年4月25日出願の米国仮出願61/478,804号の優先権を主張するものであり、上記出願の内容は、参照により本明細書に組み込まれる。
本明細書において記載される発明は、米国エネルギー省により与えられた契約番号第DE−FC36−07GO17043のもとで、政府の支援によりなされた。米国政府は、本発明に所定の権利を有し得る。
(項目1)
バックコンタクト型太陽電池のエミッタの形成方法であって、
化学気相堆積によって、間隙により分離された複数の領域を含む第1導電型の第1の固体ドーパント源を基板の上方に形成する段階と、
上記第1の固体ドーパント源の上記複数の領域の上記間隙内に上記第1の固体ドーパント源の上記複数の領域と接触することなく、第2導電型の第2の固体ドーパント源の複数の領域を印刷によって上記基板の上方に形成する段階と、を備え、
上記第1の導電型が上記第2の導電型の反対である、方法。
(項目2)
上記第2の固体ドーパント源の上記複数の領域が、上記第1の固体ドーパント源の上記複数の領域から離間され、
上記方法は更に、
上記第2の固体ドーパント源の上記領域と、上記第1の固体ドーパント源の上記複数の領域との間の上記基板に部分的にトレンチを形成する段階と、
上記第1の固体ドーパント源及び第2の固体ドーパント源からのドーパントをドライブするべく上記基板を加熱する段階とを更に備え、
上記加熱する段階により、上記第2の固体ドーパント源が硬化する、請求項1に記載の方法。
(項目3)
上記トレンチを形成する段階及び上記加熱する段階の後に、上記トレンチにより露出された上記基板の部分をテクスチャ加工する段階を更に備え、
硬化された上記第2の固体ドーパント源が、上記テクスチャ加工する段階において、マスクとして機能する、項目2に記載の方法。
(項目4)
上記第1の固体ドーパント源を形成する段階の前に、上記基板上に薄い誘電体層を形成する段階と、
上記薄い誘電体層上にポリシリコン層を形成する段階とを備え、
上記第1の固体ドーパント源及び上記第2の固体ドーパント源が上記ポリシリコン層上に形成される、項目1に記載の方法。
(項目5)
上記第1の固体ドーパント源及び第2の固体ドーパント源からドーパントを上記ポリシリコン層中にドライブインするべく上記基板を加熱する段階を更に備える、項目4に記載の方法。
(項目6)
上記基板がバルク結晶シリコン基板であり、
上記第1の固体ドーパント源及び上記第2の固体ドーパント源が上記バルク結晶シリコン基板上に形成される、項目1に記載の方法。
(項目7)
上記第1の固体ドーパント源及び第2の固体ドーパント源からドーパントを上記バルク結晶シリコン基板中にドライブインするべく上記バルク結晶シリコン基板を加熱する段階を更に備える項目6に記載の方法。
(項目8)
上記第2の固体ドーパント源が、スピンオンガラス前駆体材料又はナノ粒子材料を含む、項目1に記載の方法。
(項目9)
上記第1導電型がp型であり、上記第2導電型がn型であり、
上記第1の固体ドーパント源が、ホウケイ酸ガラス(BSG)を含む、項目1に記載の方法。
(項目10)
上記第1の導電型がn型であり、上記第2の導電型がp型であり、
上記第1の固体ドーパント源が、リンケイ酸ガラス(PSG)を含む、項目1に記載の方法。
(項目11)
項目1に記載の方法により製造された太陽電池。
(項目12)
バックコンタクト型太陽電池のエミッタの形成方法であって、
印刷によって、間隙により分離された複数の領域を含む第1導電型の第1の固体ドーパント源を基板の上方に形成する段階と、
化学気相堆積によって、上記第1の固体ドーパント源の上方に、及び、上記第1の固体ドーパント源の上記複数の領域の上記間隙内において上記基板の上方に、第2の導電型の第2の固体ドーパント源を形成する段階と、
上記第1の導電型が上記第2の導電型の反対であり、
上記第2の固体ドーパント源をパターニングして、上記第1の固体ドーパント源の上記複数の領域の上記間隙内に上記第1の固体ドーパント源の上記複数の領域と接触することなく、上記第2の固体ドーパント源の複数の第1の領域を形成し、上記第1の固体ドーパント源の上記複数の領域上に上記第2の固体ドーパント源の複数の第2の領域を形成する段階とを備え、
上記第1の固体ドーパント源が、上記第2の固体ドーパント源の上記第2の領域から上記第1の固体ドーパント源の上記複数の領域を通過してドライブされるドーパントを遮断する十分な厚みを有する、方法。
(項目13)
上記第2の固体ドーパント源の上記複数の第1の領域が、上記第1の固体ドーパント源の上記複数の領域から離間され、
上記方法は更に、
上記第2の固体ドーパント源の上記第1の領域と、上記第1の固体ドーパント源の上記複数の領域との間の上記基板に部分的にトレンチを形成する段階と、
上記第1の固体ドーパント源と、上記第2の固体ドーパント源の上記第1の領域とからドーパントをドライブするべく上記基板を加熱する段階と、を備え、
上記加熱する段階によって、上記第1の固体ドーパント源が硬化される、方法。
(項目14)
上記トレンチを形成する段階及び上記加熱する段階の後に、上記トレンチにより露出された上記基板の部分をテクスチャ加工する段階を更に備え、
硬化された上記第1の固体ドーパント源が、上記テクスチャ加工する段階において、マスクとして機能する、項目13に記載の方法。
(項目15)
上記第1の固体ドーパント源を形成する段階の前に、上記基板上に薄い誘電体層を形成する段階と、
上記薄い誘電体層上にポリシリコン層を形成する段階とを備え、
上記第1の固体ドーパント源と、上記第1の固体ドーパント源の上記複数の領域の上記間隙内における上記基板の上方の上記第2の固体ドーパント源とが、上記ポリシリコン層上に形成される、項目12に記載の方法。
(項目16)
上記第1の固体ドーパント源と、上記第2の固体ドーパント源の上記第1の領域とからドーパントを上記ポリシリコン層中にドライブインするべく、上記基板を加熱する段階を更に備える、項目15に記載の方法。
(項目17)
上記基板がバルク結晶シリコン基板であり、
上記第1の固体ドーパント源と、上記第1の固体ドーパント源の上記複数の領域の上記間隙内における上記基板の上方の上記第2の固体ドーパント源とが、上記バルク結晶シリコン基板上に形成される、項目12に記載の方法。
(項目18)
上記第1の固体ドーパント源と、上記第2の固体ドーパント源の上記第1の領域とからドーパントを上記バルク結晶シリコン基板中にドライブインするべく上記基板を加熱する段階を更に備える、項目17に記載の方法。
(項目19)
上記第1の固体ドーパント源が、スピンオンガラス前駆体材料又はナノ粒子材料を含む、項目12に記載の方法。
(項目20)
上記第1導電型がn型であり、上記第2導電型がp型であり、
上記第2の固体ドーパント源が、ホウケイ酸ガラス(BSG)を含む、項目12に記載の方法。
(項目21)
上記第1の導電型がp型であり、上記第2の導電型がn型であり、
上記第2の固体ドーパント源が、リンケイ酸ガラス(PSG)を含む、項目12に記載の方法。
(項目22)
項目12に記載の方法により製造された太陽電池。
Claims (9)
- バックコンタクト型太陽電池の複数のエミッタの形成方法であって、
印刷によって、複数の間隙により分離された複数の領域を含む第1導電型の第1の固体ドーパント源を基板の上方に形成する段階と、
化学気相堆積によって、前記第1の固体ドーパント源の上方に、及び、前記第1の固体ドーパント源の前記複数の領域の前記複数の間隙内において前記基板の上方に、第2導電型の第2の固体ドーパント源を形成する段階であって、前記第1導電型が前記第2導電型の反対である、第2導電型の第2の固体ドーパント源を形成する段階と、
前記第2の固体ドーパント源をパターニングして、前記第1の固体ドーパント源の前記複数の領域の前記複数の間隙内に前記第1の固体ドーパント源の前記複数の領域と接触することなく、前記第2の固体ドーパント源の複数の第1の領域を形成し、前記第1の固体ドーパント源の前記複数の領域上に前記第2の固体ドーパント源の複数の第2の領域を形成する段階と、
を備え、
前記第1の固体ドーパント源が、前記第2の固体ドーパント源の前記複数の第2の領域から前記第1の固体ドーパント源の前記複数の領域を通過してドライブされるドーパントを遮断する十分な厚みを有する、方法。 - 前記第2の固体ドーパント源の前記複数の第1の領域が、前記第1の固体ドーパント源の前記複数の領域から離間され、
前記方法は更に、
前記第2の固体ドーパント源の前記複数の第1の領域と、前記第1の固体ドーパント源の前記複数の領域との間の前記基板に部分的に複数のトレンチを形成する段階と、
前記第1の固体ドーパント源と、前記第2の固体ドーパント源の前記複数の第1の領域とからドーパントをドライブするべく前記基板を加熱する段階と、
を備え、
前記加熱する段階によって、前記第1の固体ドーパント源が硬化される、請求項1に記載の方法。 - 前記複数のトレンチを形成する段階及び前記加熱する段階の後に、前記複数のトレンチにより露出された前記基板の部分をテクスチャ加工する段階を更に備え、
硬化された前記第2の固体ドーパント源が、前記テクスチャ加工する段階において、マスクとして機能する、請求項2に記載の方法。 - 前記第1の固体ドーパント源を形成する段階の前に、前記基板上に薄い誘電体層を形成する段階と、
前記薄い誘電体層上にポリシリコン層を形成する段階とを更に備え、
前記第1の固体ドーパント源と、前記第1の固体ドーパント源の前記複数の領域の前記複数の間隙内における前記基板の上方の前記第2の固体ドーパント源とが、前記ポリシリコン層上に形成される、請求項1から3の何れか1項に記載の方法。 - 前記第1の固体ドーパント源と、前記第2の固体ドーパント源の前記複数の第1の領域とからドーパントを前記ポリシリコン層中にドライブインするべく、前記基板を加熱する段階を更に備える、請求項4に記載の方法。
- 前記基板はバルク結晶シリコン基板であり、
前記バルク結晶シリコン基板上に、前記第1の固体ドーパント源を形成する段階と、
前記第1の固体ドーパント源の前記複数の領域の前記複数の間隙内に前記第2の固体ドーパント源を前記バルク結晶シリコン基板の上方に形成する段階と、
前記第1の固体ドーパント源と前記第2の固体ドーパント源の前記複数の第1の領域とからドーパントを前記バルク結晶シリコン基板中にドライブインするべく、前記バルク結晶シリコン基板を加熱する段階と、
を更に備える、請求項1から3の何れか1項に記載の方法。 - 前記第1の固体ドーパント源を形成すべく、スピンオンガラス前駆体材料又はナノ粒子材料を使用する段階を更に備える、請求項1から6の何れか1項に記載の方法。
- 前記第1導電型はn型であり、
前記第2導電型はp型であり、
前記第2の固体ドーパント源を形成すべく、ホウケイ酸ガラス(BSG)を使用する段階を更に備える、請求項1から7の何れか1項に記載の方法。 - 前記第1導電型はp型であり、
前記第2導電型はn型であり、
前記第2の固体ドーパント源を形成すべく、ホウケイ酸ガラス(BSG)を使用する段階を更に備える、請求項1から7の何れか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161478804P | 2011-04-25 | 2011-04-25 | |
US61/478,804 | 2011-04-25 | ||
US13/372,235 | 2012-02-13 | ||
US13/372,235 US8802486B2 (en) | 2011-04-25 | 2012-02-13 | Method of forming emitters for a back-contact solar cell |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014508344A Division JP6026508B2 (ja) | 2011-04-25 | 2012-02-15 | バックコンタクト型太陽電池のエミッタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016197742A JP2016197742A (ja) | 2016-11-24 |
JP6209251B2 true JP6209251B2 (ja) | 2017-10-04 |
Family
ID=47020339
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014508344A Expired - Fee Related JP6026508B2 (ja) | 2011-04-25 | 2012-02-15 | バックコンタクト型太陽電池のエミッタの製造方法 |
JP2016135400A Expired - Fee Related JP6209251B2 (ja) | 2011-04-25 | 2016-07-07 | バックコンタクト型太陽電池のエミッタの製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014508344A Expired - Fee Related JP6026508B2 (ja) | 2011-04-25 | 2012-02-15 | バックコンタクト型太陽電池のエミッタの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8802486B2 (ja) |
EP (1) | EP2702614B1 (ja) |
JP (2) | JP6026508B2 (ja) |
KR (1) | KR20140041494A (ja) |
CN (2) | CN106887474A (ja) |
TW (2) | TWI588911B (ja) |
WO (1) | WO2012148523A1 (ja) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8802486B2 (en) * | 2011-04-25 | 2014-08-12 | Sunpower Corporation | Method of forming emitters for a back-contact solar cell |
US9054255B2 (en) * | 2012-03-23 | 2015-06-09 | Sunpower Corporation | Solar cell having an emitter region with wide bandgap semiconductor material |
US20140158192A1 (en) * | 2012-12-06 | 2014-06-12 | Michael Cudzinovic | Seed layer for solar cell conductive contact |
US20140166093A1 (en) * | 2012-12-18 | 2014-06-19 | Paul Loscutoff | Solar cell emitter region fabrication using n-type doped silicon nano-particles |
US20140166094A1 (en) * | 2012-12-18 | 2014-06-19 | Paul Loscutoff | Solar cell emitter region fabrication using etch resistant film |
US8785233B2 (en) | 2012-12-19 | 2014-07-22 | Sunpower Corporation | Solar cell emitter region fabrication using silicon nano-particles |
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US9401450B2 (en) * | 2013-12-09 | 2016-07-26 | Sunpower Corporation | Solar cell emitter region fabrication using ion implantation |
US9577134B2 (en) * | 2013-12-09 | 2017-02-21 | Sunpower Corporation | Solar cell emitter region fabrication using self-aligned implant and cap |
US20150179834A1 (en) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Mukul Agrawal | Barrier-less metal seed stack and contact |
US9196758B2 (en) * | 2013-12-20 | 2015-11-24 | Sunpower Corporation | Solar cell emitter region fabrication with differentiated p-type and n-type region architectures |
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US9947812B2 (en) * | 2014-03-28 | 2018-04-17 | Sunpower Corporation | Metallization of solar cells |
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US9263625B2 (en) * | 2014-06-30 | 2016-02-16 | Sunpower Corporation | Solar cell emitter region fabrication using ion implantation |
KR101622091B1 (ko) * | 2014-08-20 | 2016-05-18 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
US9837576B2 (en) * | 2014-09-19 | 2017-12-05 | Sunpower Corporation | Solar cell emitter region fabrication with differentiated P-type and N-type architectures and incorporating dotted diffusion |
US9246046B1 (en) * | 2014-09-26 | 2016-01-26 | Sunpower Corporation | Etching processes for solar cell fabrication |
US9559245B2 (en) * | 2015-03-23 | 2017-01-31 | Sunpower Corporation | Blister-free polycrystalline silicon for solar cells |
US9997652B2 (en) | 2015-03-23 | 2018-06-12 | Sunpower Corporation | Deposition approaches for emitter layers of solar cells |
US20160284917A1 (en) * | 2015-03-27 | 2016-09-29 | Seung Bum Rim | Passivation Layer for Solar Cells |
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CN106112870B (zh) * | 2016-08-30 | 2018-09-04 | 通威太阳能(合肥)有限公司 | 一种5bb组件电池串定位工装 |
USD822890S1 (en) | 2016-09-07 | 2018-07-10 | Felxtronics Ap, Llc | Lighting apparatus |
US10775030B2 (en) | 2017-05-05 | 2020-09-15 | Flex Ltd. | Light fixture device including rotatable light modules |
USD833061S1 (en) | 2017-08-09 | 2018-11-06 | Flex Ltd. | Lighting module locking endcap |
USD872319S1 (en) | 2017-08-09 | 2020-01-07 | Flex Ltd. | Lighting module LED light board |
USD862777S1 (en) | 2017-08-09 | 2019-10-08 | Flex Ltd. | Lighting module wide distribution lens |
USD877964S1 (en) | 2017-08-09 | 2020-03-10 | Flex Ltd. | Lighting module |
USD832494S1 (en) | 2017-08-09 | 2018-10-30 | Flex Ltd. | Lighting module heatsink |
USD846793S1 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-23 | Flex Ltd. | Lighting module locking mechanism |
USD832495S1 (en) | 2017-08-18 | 2018-10-30 | Flex Ltd. | Lighting module locking mechanism |
USD862778S1 (en) | 2017-08-22 | 2019-10-08 | Flex Ltd | Lighting module lens |
USD888323S1 (en) | 2017-09-07 | 2020-06-23 | Flex Ltd | Lighting module wire guard |
CN107731957A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-02-23 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种太阳能电池的制备方法 |
EP3982421A1 (en) | 2020-10-09 | 2022-04-13 | International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. | Method for local modification of etching resistance in a silicon layer, use of this method in the production of passivating contact solar cells and thus-created solar cell |
CN115274871B (zh) * | 2021-04-30 | 2024-04-02 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种应用于隧穿型太阳能电池上的接触结构、带有该接触结构的太阳能电池及其制造方法 |
CN113921626A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-11 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种背接触电池的制作方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7279832B2 (en) | 2003-04-01 | 2007-10-09 | Innovalight, Inc. | Phosphor materials and illumination devices made therefrom |
US20040252488A1 (en) | 2003-04-01 | 2004-12-16 | Innovalight | Light-emitting ceiling tile |
US7170001B2 (en) * | 2003-06-26 | 2007-01-30 | Advent Solar, Inc. | Fabrication of back-contacted silicon solar cells using thermomigration to create conductive vias |
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US7750352B2 (en) | 2004-08-10 | 2010-07-06 | Pinion Technologies, Inc. | Light strips for lighting and backlighting applications |
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JP2009504423A (ja) | 2005-08-11 | 2009-02-05 | イノヴァライト インコーポレイテッド | 安定にパッシベートされたiv族半導体ナノ粒子、並びにその製造方法及びその組成物 |
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FR2906405B1 (fr) * | 2006-09-22 | 2008-12-19 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation de regions dopees dans un substrat et de cellule photovoltaique |
US7705237B2 (en) | 2006-11-27 | 2010-04-27 | Sunpower Corporation | Solar cell having silicon nano-particle emitter |
EP2089897A2 (en) | 2006-12-07 | 2009-08-19 | Innovalight, Inc. | Methods for creating a densified group iv semiconductor nanoparticle thin film |
US7718707B2 (en) | 2006-12-21 | 2010-05-18 | Innovalight, Inc. | Method for preparing nanoparticle thin films |
WO2008124400A1 (en) | 2007-04-04 | 2008-10-16 | Innovalight, Inc. | Methods for optimizing thin film formation with reactive gases |
US7727901B2 (en) | 2007-05-03 | 2010-06-01 | Innovalight, Inc. | Preparation of group IV semiconductor nanoparticle materials and dispersions thereof |
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US7851698B2 (en) | 2008-06-12 | 2010-12-14 | Sunpower Corporation | Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions |
EP2324509A2 (en) * | 2008-08-27 | 2011-05-25 | Applied Materials, Inc. | Back contact solar cells using printed dielectric barrier |
US7615393B1 (en) | 2008-10-29 | 2009-11-10 | Innovalight, Inc. | Methods of forming multi-doped junctions on a substrate |
KR101482130B1 (ko) * | 2008-11-21 | 2015-01-15 | 엘지전자 주식회사 | 후면전극 태양전지의 제조방법 및 이를 이용한 후면전극 태양전지 |
US8242354B2 (en) | 2008-12-04 | 2012-08-14 | Sunpower Corporation | Backside contact solar cell with formed polysilicon doped regions |
JP2010161317A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 拡散剤組成物、不純物拡散層の形成方法、および太陽電池 |
US8138070B2 (en) | 2009-07-02 | 2012-03-20 | Innovalight, Inc. | Methods of using a set of silicon nanoparticle fluids to control in situ a set of dopant diffusion profiles |
US8492253B2 (en) * | 2010-12-02 | 2013-07-23 | Sunpower Corporation | Method of forming contacts for a back-contact solar cell |
US8802486B2 (en) * | 2011-04-25 | 2014-08-12 | Sunpower Corporation | Method of forming emitters for a back-contact solar cell |
-
2012
- 2012-02-13 US US13/372,235 patent/US8802486B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-02-15 JP JP2014508344A patent/JP6026508B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-02-15 EP EP12776847.1A patent/EP2702614B1/en not_active Not-in-force
- 2012-02-15 CN CN201610809576.1A patent/CN106887474A/zh active Pending
- 2012-02-15 KR KR1020137030732A patent/KR20140041494A/ko active IP Right Grant
- 2012-02-15 WO PCT/US2012/025264 patent/WO2012148523A1/en active Application Filing
- 2012-02-15 CN CN201280020157.XA patent/CN103493216B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-23 TW TW105117232A patent/TWI588911B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-03-23 TW TW101110100A patent/TWI545786B/zh not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-06-11 US US14/302,256 patent/US8912038B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-11-26 US US14/555,383 patent/US9147795B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-07-07 JP JP2016135400A patent/JP6209251B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9147795B2 (en) | 2015-09-29 |
KR20140041494A (ko) | 2014-04-04 |
JP6026508B2 (ja) | 2016-11-16 |
US20120266951A1 (en) | 2012-10-25 |
EP2702614A4 (en) | 2014-09-24 |
US20140295608A1 (en) | 2014-10-02 |
JP2016197742A (ja) | 2016-11-24 |
TWI545786B (zh) | 2016-08-11 |
US20150087100A1 (en) | 2015-03-26 |
EP2702614A1 (en) | 2014-03-05 |
TW201701367A (zh) | 2017-01-01 |
TW201304160A (zh) | 2013-01-16 |
US8912038B2 (en) | 2014-12-16 |
CN103493216A (zh) | 2014-01-01 |
TWI588911B (zh) | 2017-06-21 |
US8802486B2 (en) | 2014-08-12 |
JP2014512701A (ja) | 2014-05-22 |
CN103493216B (zh) | 2016-10-12 |
WO2012148523A1 (en) | 2012-11-01 |
CN106887474A (zh) | 2017-06-23 |
EP2702614B1 (en) | 2018-04-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170704 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170711 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170809 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170908 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6209251 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |