JP3402852B2 - 半導体集積回路とその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、島領域と支持基板とを
誘電体層で接着する事により製造する半導体集積回路と
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】耐圧が数百Ｖを越えるような集積回路を
製造する場合、ＰＮ接合によって素子間分離を行うので
はなく、酸化膜（誘電体）によって分離を行う誘電体分
離構造が用いられている。その製造方法もいくつかの種
類があるが、その一つとして、半導体基板の表面に溝を
形成した後その溝を多結晶シリコンで埋めて支持基板と
し、反対表面を研磨して概研磨面を素子形成面とする手
法が知られている（例えば特開昭５９ー９９７３５
号）。

【０００３】一方、本願出願人は前記多結晶シリコンを
支持基板とするのではなく、平板状の支持基板を別途用
意し、溝を形成した半導体基板に張り合わせる製造方法
を検討するに至っている。この手法は、製造工程を簡素
化できる他、長時間の熱処理による結晶品質の劣化やウ
ェハのそりが無いという点で優れた方法ではあるが、接
着剤として用いるグラス層は表面に酸化膜が成長せずし
かもシリコン酸化膜用のＨＦエッチャントに対してエッ
チングレートが大きいので、分離溝の部分に急峻な段差
を形成するという欠点を抱えている。そのため本願出願
人は、特願平５ー２９８２１８号に述べたように、分離
溝の表面をポリシリコン層で被覆して該ポリシリコン層
を熱酸化膜に変換する手法を提案している。この手法で
はポリシリコン層が前記ＨＦエッチャントに対する保護
膜となるので、急峻な段差の形成はなくなる。

【０００４】しかし、ポリシリコン層は酸化される時に
体積膨張を伴うものであり、その応力によって島領域の
位置がずれるという問題点がある。これを解決するため
本願出願人は、特願平０７ー１０５４１０号に述べたよ
うに、先ずシリコン窒化膜で被覆し、その上にポリシリ
コン層を形成する方法を提案している。この技術を図９
〜図１３を用いて説明する。

【０００５】ａ）図９Ａに示すように、シリコン基板１
の表面にホトレジスト層２を形成し、基板を異方性エッ
チングすることによりＶ字、Ｕ字型等の分離溝３を形成
する。 ｂ）図９Ｂに示すように、全面にリン等の不純物を拡散
してＮ＋型の埋め込み層４を形成し、表面にシリコン酸
化膜５を形成する。

【０００６】ｃ）図１０Ａに示すように、分離溝を埋め
るようにしてグラス層６を形成し、グラス膜６により単
結晶シリコン等の支持基板７を貼り付ける。 ｄ）図１０Ｂに示すように、半導体基板１を図１０Ａの
図示点線の部分まで研磨することにより、分離溝３で分
離された複数の島領域８を形成する。 ｅ）図１１Ａに示すように、島領域８の表面を熱酸化し
て酸化膜９を形成する。グラス層６表面には酸化膜９が
成長されない。

【０００７】ｆ）図１１Ｂに示すように、分離溝３に露
出するグラス層６の表面をシリコン窒化膜１０で被覆す
る。 ｇ）図１２Ａに示すように、シリコン窒化膜１０の上を
ポリシリコン層１１で被覆する。 ｈ）図１２Ｂに示すように、島領域８表面の酸化膜９に
ホトエッチングにより開口を形成し、拡散源としてリン
グラス膜１２を形成し、島領域８表面に初期拡散層１３
を形成する。

【０００８】ｉ）図１３Ａに示すように、リングラス膜
１２をＨＦエッチャントにより除去し、初期拡散層１３
を熱拡散してコレクタ導出領域１４を形成する。リング
ラス膜１２の除去のとき、ポリシリコン層１１がグラス
層６表面をエッチングから保護する。 ｊ）図１３Ｂに示すように、ベース領域１５、エミッタ
領域１６を各々選択拡散してＮＰＮトランジスタとす
る。その後、酸化膜へのコンタクトホールの形成と電極
配線の形成を行う。

【０００９】このように、分離溝３のグラス膜６をポリ
シリコン層１１で保護しながら工程を進めることによ
り、分離溝３に急峻な段差が生じることを防止する。ま
た、ポリシリコン層１１を熱酸化膜形成時のシリコン供
給源とする、つまりポリシリコン層１１をシリコン酸化
膜（ＳｉＯ２）に変換することにより、基板表面をすべ
て熱酸化膜で被覆できるので、装置の信頼性の向上につ
なげることができる。さらに、シリコンとの密着性に優
れたシリコン窒化膜１０が隣接する島領域８の上まで延
在するので、島領域８の移動を防止できるものである。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シリコ
ン窒化膜１０は島領域８のシリコン表面に密着している
こと、ポリシリコン層１１はシリコン窒化膜１０上に酸
化膜を形成する為にシリコン窒化膜１０を完全にカバー
している事など、これらの保護膜は必ず分離溝３の端か
らベース領域１５側に延在している必要性がある。加え
てホトエッチング時のマスクずれの余裕度を持たせなけ
ればならない。例えば、図８Ｂに示すようにシリコン窒
化膜１０を分離溝３の端から距離Ｌ１だけ延長し、更に
ポリシリコン層１１をシリコン窒化膜１０の端から距離
Ｌ２だけ延長するようなパターン設計とするのである。
距離Ｌ１、Ｌ２の値は、個々のプロセスの条件により値
が異なるが、約１０μ程度を必要とする。

【００１１】ところで、ＮＰＮトランジスタのコレクタ
は、分離溝３の側面に沿って延在するＮ＋埋め込み層４
と島領域８表面から形成するＮ＋コレクタ導出領域１４
とを連結し、コレクタ導出領域１４の表面から電極によ
り取り出すのであるが、分離溝３が斜めに形成されてい
るため、コレクタ導出領域１４を形成する位置が分離溝
３から離れるに従って、埋め込み層４に到達させるため
に必要な拡散深さが深くなる。つまりコレクタ導出領域
１４が埋め込み層４に届かなくなる。

【００１２】その為、上記の様に分離溝３周囲に何らか
の保護膜を延在させると、たとえ保護膜の端をマスク端
とするセルフアライン手法によってコレクタ導出領域１
４を形成したとしても、両者を連結するためには拡散深
さを相当深く形成する必要が生じてくる。当然長時間の
熱処理が伴うので、Ｎ＋埋め込み層４の再拡散も大とな
り、ベース領域１５から埋め込み層４までの距離（図１
３Ｂ図示Ｗ）が短くなって耐圧劣化を招くという欠点が
あった。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の欠点
に鑑みなされたもので、分離溝の上を被覆する保護膜の
下に、埋め込み層に連結し且つ島領域の表面を前記保護
膜の端を超えて延在するコレクタ導出領域を具備するこ
とにより、上記の問題点を解決した半導体集積回路を提
供するものである。

【００１４】また、先に埋め込み層と連結するコレクタ
導出領域を形成し、次いで保護膜を形成することによ
り、コレクタ導出領域の形成位置が保護膜のパターンに
左右されない半導体集積回路の製造方法を提供するもの
である。

【００１５】

【作用】本発明によれば、コレクタ導出領域が縦方向で
はなく横方向に延在して埋め込み層と連結しているの
で、大きな拡散深さを必要とせずにコレクタ電極を取り
出すことができる。そして、保護膜の形成前にコレクタ
導出領域の形成を行うので、埋め込み層とコレクタ導出
領域とを確実に連結できるほか、コレクタ導出領域の形
状と位置が保護膜のパターンに左右されずにすむ。

【００１６】

【実 施 例】以下に本発明の一実施例を図面を参照しな
がら詳細に説明する。図１（Ａ）は本発明の半導体集積
回路を示す、図１（Ｂ）は同じく平面図であり、図１
（Ｂ）は図１（Ａ）のＡＡ線断面図である。図１におい
て、２１はシリコン単結晶半導体基板からなる支持基
板、２２は半導体素子（ここではＮＰＮトランジスタ）
形成用の島領域、２３は島領域２２と支持基板２１とを
接着するＳｉーＯーＢグラス層（誘電体層）、２４は島
領域２２相互を分離する分離溝、２５はシリコン酸化
膜、２６はＮ＋型の埋め込み層、２７はＮ＋埋め込み層
２６に連結するＮ＋型のコレクタ導出領域、２８はＰ型
のベース領域、２９はＮ＋型のエミッタ領域、３０は分
離溝２４の表面に露出したグラス膜２３の表面を被覆す
るシリコン窒化膜、３１はシリコン窒化膜の上を被覆す
る、酸化されたポリシリコン層、３２は電極である。

【００１７】図１Ｂを参照して、シリコン窒化膜３０は
分離溝２４の端から約１０μ程島領域２２の上に拡張さ
れ、ポリシリコン層３１はシリコン窒化膜３０の端から
更に約１０μ程島領域２２の上に拡張され、シリコン窒
化膜の側面をも被覆する。シリコン窒化膜３０、ポリシ
リコン層３１は分離溝２４に沿って島領域２２を囲むよ
うな、格子状のパターンに形成されている。シリコン窒
化膜３０とポリシリコン層３１が分離溝２４上部の保護
膜となる。

【００１８】図８Ａは、分離溝２４上部を示す拡大断面
図である。ポリシリコン層３１は各種酸化膜形成工程、
例えばベース、エミッタなどの拡散工程において酸化さ
れ、熱酸化膜に変換されている。該酸化工程で、島領域
２２の表面では島領域２２からシリコンが供給されてシ
リコン熱酸化膜３３を形成する。分離溝２４の上では、
グラス膜２３はシリコン供給源とはならないので酸化膜
が成長しない。前述したようにポリシリコン層３１がシ
リコン供給源となり熱酸化膜を形成する。酸化されたポ
リシリコン層３１は、島領域２２上を被覆する酸化膜３
３と一体化する。これで、基板の全表面をほぼ一様の膜
厚の熱酸化膜によって被覆することができる。このこと
は、素子間接続のために分離溝２４を越えて延在させる
電極配線のステップカバレジを改善し、断線等を防止で
きることを意味する。

【００１９】また、シリコン窒化膜３０は隣接する島領
域２２の上に形成された酸化膜３３の上を被覆する。常
圧または減圧ＣＶＤ法により６００度程度の温度で形成
した熱窒化膜は、単結晶シリコンあるいはシリコン酸化
膜との密着性に優れる。このようなシリコン窒化膜を、
島領域２２を取り囲む分離溝２４の全表面に島領域２２
の表面をも被覆するようなパターンで形成したので、隣
接する島領域２２同士を強固に連結するものである。

【００２０】従って、比較的軟性を持つグラス膜２４の
接着力に加えて、シリコン窒化膜３０が島領域２２同士
を連結するので、ポリシリコン層３１を酸化したときの
ストレスに耐え、島領域２２が浮動することを防止でき
る。この作用は、ポリシリコン層３１が酸化されるとき
のストレスのみならず、例えば樹脂モールド後の樹脂と
シリコンとの熱膨張係数の差による機械的ストレスな
ど、外的ストレスに対しても有効に働くものである。

【００２１】Ｎ＋埋め込み層２６は、島領域２２の底部
に埋め込まれ、且つ分離溝２４に沿って島領域２２の表
面にまで達する。拡散深さは約１０μである。コレクタ
導出領域２７は、島領域２２の端部で埋め込み層２６と
重畳して電気的に接続され、島領域２２の表面と平行
に、ポリシリコン層３１より大きくベース領域２８側に
延在する。コレクタ導出領域２７の表面でシリコン窒化
膜３０またはポリシリコン層３１に被覆されていない部
分の酸化膜３３にコンタクトホールが設けられ、該コン
タクトホールを介してコレクタの電極３２ｃがコンタク
トする。３４はエミッタ拡散で形成した高濃度コンタク
ト領域である。コレクタ導出領域２７は、電極３２ｃを
配置する部分に選択的に設けてもよいし、図１Ｂに示し
たように分離溝２４に沿って環状に寄生してもよい。電
極３２ｃを設けない部分は、必ずしもコレクタ導出領域
２７がポリシリコン層３１より突出している必要なは
い。コレクタ導出領域２７の拡散深さは、ベースと同程
度かやや浅い程度の、３〜４μである。

【００２２】以上に説明した本発明の半導体集積回路
は、保護膜３０、３１の下部に達するコレクタ導出領域
２７を設け、分離溝２４端部から横方向に延在させてコ
レクタ電極３２ｃを配置するので、コレクタ導出領域２
７の拡散深さを深くする必要が無く、熱処理を短時間で
すませることができる。従って埋め込み層２６の再拡散
が少なくて済むので、ＮＰＮトランジスタを高耐圧化で
きるものである。また、コレクタ導出領域２７を横方向
に導出することによって、シリコン窒化膜３０、ポリシ
リコン層３１等の保護膜に対するパターン設計上の制約
が無くなり、各々が所望の性能を達成するような寸法で
島領域２２上に延在させることができるものである。

【００２３】以下に本発明の半導体集積回路の製造方法
を図２〜図７を用いて説明する。 ａ）まず図２Ａに示すように、結晶方位１００のＮ型シ
リコン半導体基板３５の表面にホトレジスト層３６を形
成し、基板３５を異方性エッチングすることにより深さ
５０〜１５０μのＶ字、Ｕ字型等の分離溝２４を形成す
る。異方性エッチングにはＲＩＥ手法やＫＯＨ溶液によ
る手法を用いる。

【００２４】ｂ）図２Ｂに示すように、全面にリン等の
不純物を拡散してＮ＋型の埋め込み層２６を形成し、そ
の熱拡散時に全表面にスチーム酸化を行って膜厚１〜５
μのシリコン酸化膜２５を形成する。分離溝２４の形成
後に埋め込み層の形成を行うことにより、分離溝２４に
沿うように埋め込み層２６を形成できる。 ｃ）図３Ａに示すように、分離溝２４を形成した面に、
表面が平坦となるように接着剤としてのグラス膜２３を
形成する。グラス膜２３は、ＢＣｌ３ガスとＳｉＣｌ４
ガス、Ｈ２、Ｏ２とのＣＶＤ反応で形成した、通常「ス
ート」と称される、Ｓｉ−Ｏ−Ｂ固溶体微粒子からなる
酸化膜を用いる。もちろん、沸酸系エッチャントに対し
て耐性の乏しい、常温で流動性のある加熱硬化型または
常温硬化型の接着剤であってもよい。また、スピンオン
塗布法による形成でもよい。

【００２５】その後、前記スートの場合は堆積時に平坦
面が得られるのでその平坦面に、ポリシリコン層の場合
は堆積後に研磨して形成した平坦面に、シリコン半導体
基板（導電型は問わない）からなる平板状の支持基板２
１をグラス膜２３表面に貼り付け、約１２００℃、数十
分の熱処理で支持基板２１と基板３５とを押圧接着す
る。支持基板としては、シリコン単結晶基板の他に、ガ
ラス、サファイヤ等の絶縁性基板あるいはガリウム砒素
等の半絶縁性基板でもよい。

【００２６】ｄ）図３Ｂに示すように、全体を上下反転
して、半導体基板３５の接着面とは反対側の面をグラス
膜２３が露出するまで、つまり図３Ａの図示点線の位置
まで研削、ポリッシュを行う。この工程で、周囲をグラ
ス膜２３と酸化膜２５で囲まれ分離された複数の島領域
２２が形成される。 ｅ）図４Ａに示すように、島領域２２の表面を熱酸化し
て膜厚数百オングストロームの酸化膜３３を形成する。
グラス層２３表面には酸化膜が形成されないので、酸化
膜３３はＮ＋埋め込み層２６表面の表面を含む島領域２
２表面のみに形成される。

【００２７】ｆ）図４Ｂに示すように、酸化膜３３の上
にレジストマスク３７を形成し、該レジストマスク３７
を通してリンまたは砒素などの不純物をイオン注入する
ことによりコレクタ導出領域２７を形成する。分離溝２
４の表面も含めてイオン注入することにより、埋め込み
層２６と重畳させた構造が容易に得られる。この後レジ
ストマスク３７の除去を行うが、レジスト除去のための
溶液はシリコンに対して選択性に優れるので、分離溝２
４表面の形状の変化はない。

【００２８】ｇ）図５Ａに示すように、全面に膜厚０．
０５〜１．０μのシリコン窒化膜を常圧または減圧ＣＶ
Ｄ法により堆積し、これをホトエッチングすることによ
り分離溝２４の表面を被覆するシリコン窒化膜３０を形
成する。シリコン窒化膜３０は先の工程で形成した酸化
膜３３の上を分離溝２４の両側に約１０μ程延在する。
分離溝２４は島領域２２を形成するために格子状に形成
されるので、シリコン窒化膜のパターンも格子状とな
る。

【００２９】尚、先の工程において酸化膜３３を意図的
に形成せず、ポリッシュ後の島領域２２の上に直接レジ
ストマスク３７の形成とシリコン窒化膜３０の形成を行
っても良い。 ｈ）図５Ｂに示すように、全面に膜厚数千オングストロ
ームのノンドープのポリシリコンをＣＶＤ法により形成
し、これをホトエッチングすることによりシリコン窒化
膜３０の上を被覆するポリシリコン層３１を形成する。
ポリシリコン層３１はシリコン窒化膜３０の側面を被覆
し、Ｎ＋埋め込み層２６を超えて島領域２２のＮ型層表
面まで延在する。

【００３０】ｉ）図６Ａを参照して、酸化膜３３の厚み
を選択拡散に適した厚みに増大させるために表面をスチ
ーム酸化し、その膜厚を２０００から１００００オング
ストロームとする。この時の熱処理でイオン注入したＮ
型不純物のを活性化、熱拡散を行う。また、ポリシリコ
ン層３１の一部は酸化されて周囲の酸化膜３３と一体化
する。

【００３１】ｊ）図６Ｂに示すように、酸化膜３３にベ
ース拡散用の開口を形成し、表面に拡散源としてのボロ
ングラス膜３８を形成する。熱処理を加えることにより
前記開口を通してＰ型不純物を導入し、島領域２２表面
にベース領域２８の初期拡散層を形成する。 ｋ）図７Ａに示すように、ボロングラス膜３８をＨＦ溶
液で除去する。この時ポリシリコン層３１がＨＦ溶液に
曝されることになるが、表面が酸化膜に変換されてお
り、またポリシリコンはＨＦ溶液に対して耐性を持つの
で、過剰な食刻はない。従って分離溝２４内のグラス膜
２３はＨＦ溶液から保護される。そして、全体に１１０
０℃、数時間の熱処理を加えることにより前記初期拡散
層を拡散してＰ型ベース領域２８を形成する。熱拡散工
程内でスチーム酸化を行い、島領域２２表面の酸化膜３
３を再度成長させる。ポリシリコン層３１表面ではポリ
シリコン層３１がシリコンの供給源となるので酸化膜が
更に成長する。

【００３２】ｍ）図７Ｂに示すように、同様のホトエッ
チングと選択拡散を行うことにより、ベース領域２８表
面にエミッタ領域２９を形成してＮＰＮトランジスタを
形成する。その後酸化膜３３にコンタクトホールを形成
し、アルミ電極３２を形成して図１の示した構造を得
る。尚、コレクタ低抵抗領域２７の表面にはエミッタ拡
散によって高濃度コンタクト領域３４を重畳して形成す
る。

【００３３】ポリシリコン層３１は全ての酸化雰囲気中
の熱処理工程においてシリコン酸化膜に変質されてい
る。具体的には、コレクタ低抵抗領域２７の形成工程、
ベース及びエミッタ領域２８、２９の形成工程である。
シリコン酸化膜はＨＦエッチャントにエッチングされる
ので、ポリシリコン層３１の膜厚はこれらの全てのエッ
チング工程に耐えられる厚みでなければならない。ま
た、酸化工程が全て終了した段階で膜厚の全てがシリコ
ン酸化膜に変質するような膜厚とする。変換されたシリ
コン酸化膜は島領域２２からシリコンの供給を受けた酸
化膜３３と一体化する。従ってポリシリコン層３１の膜
厚を適宜選択すれば、島領域２２上に形成する熱酸化膜
の膜厚と分離溝２４の上に形成される熱酸化膜の膜厚を
ほぼ同じ膜厚に形成できる。このことは分離溝２４上に
段差を形成することがなく、電極配線３２の断線などを
防止できるものである。

【００３４】以上に説明した本発明によれば、シリコン
窒化膜３０を分離溝２４を越えてポリシリコン層３１形
成前に形成した酸化膜３３の表面あるいは島領域２２の
表面に延在させたので、これらの表面と強固に密着する
シリコン窒化膜３０が隣接する島領域２２の間を接着す
る。よってポリシリコン層３１の酸化に伴う膨張ストレ
スに耐え、島領域２２の浮動を防止しながら工程を進め
ることができる。

【００３５】また、シリコン窒化膜３０などの保護膜を
形成する前にコレクタ導出領域２７を形成するので、保
護膜の下部にコレクタ導出領域２７を延在させることが
でき、コレクタ電極３２ｃと埋め込み層２６とをコレク
タ導出領域２７で容易に連結する事が可能となる。しか
もコレクタ導出領域２７の拡散深さが任意（浅くてもよ
い）であるので、熱処理時間が短く済み、埋め込み層２
６の再拡散を抑えることができるものである。

【００３６】

【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明によれば
コレクタ導出領域２７が保護膜の下部を延在して埋め込
み層２６に達する構造としたので、コレクタ電極３２ｃ
を配置する位置とコレクタ導出領域２７の拡散深さに制
約が無くなり、熱処理時間を短縮できる利点を有する。
このことは、埋め込み層２６の再拡散を抑制できるの
で、ＮＰＮトランジスタの高耐圧化を図ることができる
利点を有するものである。

【００３７】さらに、シリコン窒化膜３０やポリシリコ
ン層３１に対するパターン的な制約もなくなるので、各
々、その目的を十分に達成できるようにパターン設計の
自由度が増す利点を有する。さらに、本発明の製造方法
によれば、保護膜の形成前にコレクタ導出領域２７の形
成を行うので、上記の構造が容易に得られる他、レジス
トマスクを用いることで分離溝２４内部のグラス膜２３
への悪影響も除去できる利点を有する。

【００３８】さらに、シリコン窒化膜３０が島領域２２
間の密着力を補強するので、ポリシリコン層３１酸化時
のストレスによる島領域２２の浮動を防止できる利点を
有する。よってマスクあわせに支障を来すことなく工程
を進めることができる。さらに、ポリシリコン層３１を
酸化膜に変質させることにより、チップの全表面を熱酸
化膜で被覆でき、デバイスの信頼性を確保できる利点を
有する。

【００３９】さらに、ポリシリコン層３１をシリコンの
供給源として酸化する事により、分離溝２４上と島領域
２２上とで酸化膜の膜厚をほぼ一定の厚みに形成するこ
とができ、段差を形成せずにすむので、電極配線の信頼
性を向上できる利点を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を説明する、（Ａ）断面図、（Ｂ）平面
図である。

【図２】本発明の製造方法を説明する断面図である。

【図３】本発明の製造方法を説明する断面図である。

【図４】本発明の製造方法を説明する断面図である。

【図５】本発明の製造方法を説明する断面図である。

【図６】本発明の製造方法を説明する断面図である。

【図７】本発明の製造方法を説明する断面図である。

【図８】本発明を説明するための拡大断面図である。

【図９】従来の製造方法を説明する断面図である。

【図１０】従来の製造方法を説明する断面図である。

【図１１】従来の製造方法を説明する断面図である。

【図１２】従来の製造方法を説明する断面図である。

【図１３】従来の製造方法を説明する断面図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 27/12 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/762 H01L 21/8222 H01L 27/08 331 H01L 27/082

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 分離溝により電気的に分離された半導体
   素子を形成する為の一導電型の複数の島領域と、 前記複数の島領域を共通の支持基板に接着し、且つ前記
   分離溝内部を充満する誘電体層と、 前記分離溝に沿うように前記島領域の底部に埋め込ま
   れ、前記島領域の表面に達する一導電型の埋め込み層
   と、 隣接する前記島領域間の誘電体層表面を被覆し且つ前記
   島領域と密着させるシリコン窒化膜と、 前記島領域の表面に形成した逆導電型のベース領域と、 前記ベース領域の表面に形成した一導電型のエミッタ領
   域と、 前記島領域の埋め込み層に連結し、前記シリコン窒化膜
   より前記ベース領域側に長く延在する一導電型のコレク
   タ導出領域とを具備することを特徴とする半導体集積回
   路。
2. 【請求項２】 前記シリコン窒化膜上にポリシリコン層
   を最終的にシリコン酸化膜に酸化した絶縁膜を設けるこ
   とを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
3. 【請求項３】 一導電型の半導体基板に分離溝を形成す
   る工程と、 前記溝を埋めるように誘電体層を形成し、前記半導体基
   板を一枚の支持基板に接着する工程と、 前記分離溝に沿うように延在する一導電型の埋め込み層
   を形成する工程と、 前記半導体基板を、前記分離溝を埋める誘電体層が露出
   するまで除去して、前記分離溝により電気的に分離され
   た複数の島領域を形成する工程と、 前記島領域の表面に、前記埋め込み層とを連結する一導
   電型のコレクタ導出領域を形成する工程と、 前記露出した誘電体層の表面および前記埋め込み層と前
   記コレクタ導出領域とが重畳する領域を被覆するよう
   に、シリコン窒化膜で被覆する工程と、 前記島領域の表面に逆導電型のベース領域を形成する工
   程と、 前記ベース領域の表面に一導電型のエミッタ領域を形成
   する工程と、を具備することを特徴とする半導体集積回
   路の製造方法。
4. 【請求項４】 前記シリコン窒化膜の上をポリシリコン
   層で被覆する工程と、 前記島領域の表面に拡散領域を形成し、同時に前記ポリ
   シリコン層を酸化する工程とを具備することを特徴とす
   る請求項３に記載の半導体集積回路の製造方法。