JP5853171B2 - 半導体圧力センサおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、上記構成では、導圧媒体であるシリコンオイル114を本体112内に封止し且つ圧力をシリコンオイル114に伝達するためにステンレスダイヤフラム113を用いており、構造が複雑になり、コストが高くなるという欠点がある。また、大きさも嵩高くなり、小型化が困難である。さらに、ステンレスダイヤフラム113の反力の影響を受け、センサチップ101の検出精度が悪くなるという問題もあった。
そこで、図17に示すように、薄膜のダイヤフラム部を用いたセンサチップ220に対し大気導入口212を圧力導入口211と対向して設けた実装構造を持つ圧力センサが提案されている(特許文献2)。210が本体、231がリードフレームである。図17(a)はこの圧力センサの上面図、図17(b)および(c)は圧力センサの側面図および正面図である。
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、実装が容易で、正確な圧力測定が可能な半導体圧力センサを提供することを目的とする。
図1は本発明の実施の形態1の半導体圧力センサの上面図、図2は図1のA1−A2断面を示す図、図3は図1のB1−B2断面を示す図、図4は図1のC1−C2断面を示す図である。図5はこの半導体圧力センサで用いられる圧力センサチップを示す図であり、(a)は上面図、(b)は断面図である。
本発明の実施の形態1の半導体圧力センサは、圧力導入口11及び大気導入口12が、ケース10の同一面側に配設されており、圧力導入口11はケース10内に連通するとともに、センサチップ20は、ケース10内に、圧力導入口11との対向位置を避けて配置されたことを特徴とする。なお、このケース10はプラスチック樹脂によって形成されており、このケース10内に被測定対象の外部流体を導入する圧力導入口11と、大気を導入する大気導入口12と、大気圧に対する流体の圧力を測定するセンサチップ20とを具備している。
センサチップ20は、シリコン単結晶基板21をエッチングなどにより薄肉化して形成したダイヤフラム22上に拡散やイオン打ち込みで形成したゲージ抵抗23のピエゾ抵抗効果を、電極24を介して取り出し、圧力を検出するものである。
ピエゾ抵抗効果は、応力によって起こる分極現象であるピエゾ効果とは異なり抵抗に加わった応力によって抵抗率が変化する現象である。この現象は印加された応力により結晶格子に歪が生じ、半導体中のキャリアの数や移動度が変化するために起こるものである。
図6(a)に示すように、まず、センサチップ20を通常の半導体プロセスにより形成する。
次いで図6(b)に示すように、このセンサチップ20および処理回路チップ28を、リードフレーム31に搭載する。
そして金型内にこのセンサチップ20および処理回路チップ28を搭載したリードフレーム31を設置し、射出成型により、図6(c)に示すように、ケース10を形成する。
図中(a)は上面図、(b)は正面図、(c)は側面図、(d)は下面図である。
また、センサチップ20は、ケース10内に、圧力導入口11との対向位置を避けて配置されているため、圧力導入口11を経て汚染物が導入されるのを防ぎ、信頼性の向上を図ることができる。
このケース10は、第1の主面10Aに、実装基板としてのプリント基板40上に面実装するための端子を具備し、圧力導入口11及び大気導入口12は、第1の主面10Aに対向する第2の主面10Bに配設されているため、ケース10の裏面から大気導入口12までの距離を大きくすることができ、プリント基板40などの実装基板上に実装する際、圧力導入口11や大気導入口12にポッティング樹脂などが入り込むのを防ぐことができる。
次に本発明の実施の形態2の半導体圧力センサについて説明する。
図9は、本発明の実施の形態2の半導体圧力センサを示す図である。前記実施の形態1では大気導入口12は延長部として管状の大気圧導入部10cに取り付けられているが、変形例として示すように、図9に示すようにケース本体10aに直接大気導入口12が形成されるようにしてもよい。なお、図9は要部のみを示すが、延長部としての大気圧導入部10c以外は前記実施の形態1と同様に形成されている。20は半導体圧力センサのセンサチップである。
この構成によれば、より構造が簡単で、小型化を図ることが可能となる。
次に本発明の実施の形態3の半導体圧力センサについて説明する。
なお、前記実施の形態1では大気導入口12はケース本体10aに延長部として別途形成された大気圧導入部10cに取り付けられるとともに、圧力導入口11はケース本体10aに延長部として別途形成された圧力導入部10bに取り付けられている。これに対し、本実施の形態では、変形例として、1つの導入部に直接大気導入口12と圧力導入口11が形成される。
図10は、本発明の実施の形態3の半導体圧力センサを示す斜視図である。
圧力導入部10bと大気圧導入部10cは一体成型されており、大気圧導入部10cの管璧に大気導入口12が搾設されたことを特徴とする。10aはケース本体であり、ここにMEMSチップなどが収納されている。
この構成によれば、大気圧導入部および圧力導入部が肉薄となり、材料厚を小さくすることができることから、熱容量を小さくすることができ、実装時にリフローを行う際、熱効率を高めることができる。
次に本発明の実施の形態4の半導体圧力センサについて説明する。
図11は本発明の実施の形態4の半導体圧力センサの斜視図、図12(a)乃至(d)はこの半導体圧力センサの実装状態を示す図であり、(a)は上面図、(b)は正面図、(c)は側面図、(d)は下面図である。また図13および図14は、この圧力導入口11および大気導入口12付近を示す部分拡大断面図である。図14は圧力導入口に測定対象の管に接続するためのチューブ50を装着した状態を示す図である。
この構成によれば、圧力導入部10bが大気圧導入部10cにつながって立設されているため、圧力導入口の物理的強度を高くすることができる。
また、本実施の形態においても、実施の形態1の場合に比べて材料厚を小さくすることができることから、熱容量を小さくすることができ、実装時にリフローを行う際、熱効率を高めることができる。
次に本発明の実施の形態5の半導体圧力センサについて説明する。
図15は本発明の実施の形態5の半導体圧力センサを説明する図である。(a)は実施の形態4と同等の半導体圧力センサの正面図、(b)は実施の形態4と同等の半導体圧力センサの上面図、(c)は実施の形態5の半導体圧力センサの正面図、(d)は実施の形態5の半導体圧力センサの上面図である。また、(e)は、(d)の矢印E方向から見たときの大気圧導入部10cの頂部の拡大図、(f)は、変形例を示す図である。
10a ケース本体
10b 圧力導入部
10c 大気圧導入部
10A 第1の主面
10B 第2の主面
S 当接面
D 伸張方向
11 圧力導入口
12 大気導入口
13 基板
14 シール材
15 切り欠き部
16 凹部
17 突起
18 先端面
20 センサチップ
20A 第1の面
20B 第2の面
21 シリコン単結晶基板
22 ダイヤフラム
23 ゲージ抵抗
24 電極
28 処理回路チップ
31 リードフレーム
40 プリント基板
41 配線パターン
42 樹脂(ポッティング剤)
50 チューブ
60 最先端平面部
61 最先端壁部
62 カバー
Claims (8)
- ケースと、前記ケース内に被測定対象の流体を導入する圧力導入口と、大気を導入する大気導入口と、大気圧に対する前記流体の圧力を測定するセンサチップとを備え、
前記圧力導入口及び前記大気導入口は、前記ケースの同一面側に配設されており、
前記圧力導入口は前記ケースの表面に立設された圧力導入部に連通し、
前記大気導入口は前記圧力導入部に並置された大気圧導入部に連通し、
前記圧力導入部と前記大気圧導入部は少なくとも一部で一体成型された半導体圧力センサ。 - 請求項1に記載の半導体圧力センサであって、
前記ケースは、第1の主面に、実装基板上に面実装するための端子を具備し、
前記圧力導入口及び前記大気導入口は、前記第1の主面に対向する第2の主面に配設された半導体圧力センサ。 - 請求項2に記載の半導体圧力センサであって、
前記大気導入口は、前記第2の主面に形成された延長部を介して配設され、その開口位置が前記実装基板から前記第2の主面よりも離間した半導体圧力センサ。 - 請求項2に記載の半導体圧力センサであって、
前記圧力導入部及び前記大気圧導入部は、ともに前記第2の主面から伸張方向に沿って当接面を有し、前記圧力導入部が前記大気圧導入部より高い位置まで伸張した半導体圧力センサ。 - 請求項1に記載の半導体圧力センサであって、
前記大気圧導入部は、前記圧力導入部との当接面に対向する側に切り欠きを有する半導体圧力センサ。 - 請求項1に記載の半導体圧力センサであって、
前記大気導入口は、前記大気圧導入部の長手方向に沿った最先端部で露出せず、前記大気圧導入部の長手方向に沿った側面で露出する半導体圧力センサ。 - 請求項6に記載の半導体圧力センサであって、
前記大気圧導入部の前記最先端部は、前記大気圧導入部とは別部材で形成されている半導体圧力センサ。 - 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体圧力センサであって、
前記センサチップは、前記ケース内に、前記圧力導入口との対向位置を避けて配置された半導体圧力センサ。
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