JP5840303B2 - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
本出願は、2011年12月5日に出願された米国特許仮出願第61/566,916号の利益を主張し、その全体が本明細書に援用される。
本発明は、リソグラフィまたは露光装置及びデバイスを製造するための方法に関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、または基板の部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路(IC)、フラットパネルディスプレイ、微細形状を備えるその他のデバイス又は構造の製造に用いられる。従来のリソグラフィ装置においては、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ICやフラットパネルディスプレイ、その他のデバイスの個々の層に対応する回路パターンを生成するために使用されることがある。このパターンは例えば、(例えばシリコンウェーハまたはガラスプレート等の)基板上に設けられた放射感応性材料(レジスト)層への結像により、基板(の部分)へと転写される。同様の観点において、露光装置は、放射ビームを所望のパターンを基板に(または基板の部分に)形成するのに用いる機械である。
パターニングデバイスを使用して、回路パターンではなく例えばカラーフィルタのパターンやドットのマトリックス状配列などの他のパターンを生成する場合もある。従来のマスクに代えて、パターニングデバイスは、回路パターンまたはその他の適用可能なパターンを生成する個別に制御可能な素子の配列を備えるパターニングアレイを備えてもよい。このような「マスクレス」方式では従来のマスクを使用する方式に比べて迅速かつ低コストにパターンを準備したり変更したりできるという利点がある。
故に、マスクレスシステムはプログラマブルパターニングデバイス(例えば、空間光変調器、コントラストデバイスなど)を含む。プログラマブルパターニングデバイスは、個別制御可能素子のアレイを使用して所望のパターンが与えられたビームを形成するよう(例えば電子的に、または光学的に)プログラムされている。プログラマブルパターニングデバイスの種類には、マイクロミラーアレイ、液晶ディスプレイ(LCD)アレイ、グレーティングライトバルブアレイ、自己放射可能なコントラストデバイスなどがある。プログラマブルパターニングデバイスは、例えば基板上に投影された放射のスポットを移動するよう、または放射ビームを基板から、例えば放射ビーム吸収体に間欠的に導くよう構成された電気光学偏向器から形成されてもよい。どちらのこのような構成においても、放射ビームは連続的であってよい。
上述の装置では、複数の放射ビームが基板などのターゲット上に投影されてよく、放射ビームのそれぞれが所望のパターンを提供するために独立に制御されてよい。放射ビームは、高解像度を実現するために、互いにできるだけ近くにあることが望ましい。それにもかかわらず、それぞれの放射ビームを形成して該放射ビームを制御するために用いられる各装置の周囲には、ある量の空間が設けられる。従って、隣接する放射ビーム間の間隔を、システムの物理的制約により制約される初期値から使用に望ましい間隔に減らす必要がある。
これは、縮小光学系を用いて達成されてよい。しかしながら、縮小光学系の使用は、望ましくない、または放射ビーム間の間隔の所望の減少の全てを達成するために望ましくない場合がある。これは、放射ビームの間隔を減少すると同時に、このような縮小光学系はまた、それぞれの放射ビームの断面積を減少させ、これは望ましくない場合があるからである。さらに、縮小光学系の使用は、放射ビーム指向精度などの望ましくない特性を大きくする効果をもたらす可能性がある。
従って、例えば、放射ビームの距離を縮めるためのシステムを提供することが望ましい。
本発明の実施形態によれば、露光装置が提供される。この露光装置は、複数の放射ビームをターゲット上に投影するよう構成された投影システムと、逆転した構成で用いられるイメージスライサであって、複数の分離した画像領域から形成される入力画像が該イメージスライサに提供された場合、それぞれ近くの画像領域と隣接するよう配置された複数の画像領域から形成される出力画像を出力するイメージスライサとを備える。この装置は、放射ビームのそれぞれが、分離した画像領域のそれぞれ一つに対応する位置においてイメージスライサに入力するよう構成される。
本発明の一実施形態によれば、デバイス製造方法が提供される。この方法は、投影システムを用いて複数の放射ビームをターゲット上に投影することと、放射ビームの放射ビーム経路を調整するために逆転した構成のイメージスライサを用いることであって、逆転した構成のイメージスライサは、複数の分離した画像領域から形成される入力画像が該イメージスライサに提供された場合、それぞれ近くの画像領域と隣接するよう配置された複数の画像領域から形成される出力画像を出力するよう構成されることと、それぞれの放射ビームを、分離した画像領域のそれぞれ一つに対応する位置においてイメージスライサに入力することと、を備える。
本発明のいくつかの実施の形態が付属の概略的な図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。対応する参照符号は各図面において対応する部分を指し示す。
本発明のある実施の形態に係るリソグラフィまたは露光装置の一部分を示す図である。
本発明のある実施の形態に係る図1のリソグラフィまたは露光装置の一部分の上面図である。
本発明のある実施の形態に係るリソグラフィまたは露光装置の一部分を高度に概略的に示す斜視図である。
本発明のある実施の形態に係り、基板上への図3に係るリソグラフィまたは露光装置による投影を示す概略上面図である。
本発明のある実施の形態の一部分を示す断面図である。
本発明のある実施の形態の斜視図である。 本発明のある実施の形態の断面図である。
図6および図7に示す実施の形態の変形した、本発明のある実施の形態を示す図である。
任意の実施の形態で用いられるオプション機能の詳細を示す断面図である。
本発明のある実施の形態は、リソグラフィ装置に関連し、これはプログラマブルパターニングデバイスを含んでもよく、当該デバイスは例えば自己放射コントラストデバイスのアレイからなることがある。こうしたリソグラフィ装置に関する更なる情報は国際公開第2010/032224号及び米国特許出願公開第2011−0188016号、米国特許出願第61/473636号及び米国特許出願第61/524190号を参照してもよく、これらの全体が本明細書に援用される。本発明の実施形態は、しかしながら、例えば上述の文献に含まれる任意の形態のプログラマブルパターニングデバイスとともに用いられてもよい。
図1は、リソグラフィまたは露光装置の部分の概略側断面図を概略的に示す。この実施形態においては、装置は、後述するようにXY面で実質的に静止した個別制御可能素子を有するが、そうである必要はない。装置1は、基板を保持する基板テーブル2と、基板テーブル2を最大6自由度で移動させる位置決め装置3と、を備える。基板は、レジストで被覆された基板であってもよい。ある実施の形態においては、基板はウェーハである。ある実施の形態においては、基板は多角形(例えば矩形)の基板である。ある実施の形態においては、基板はガラスプレートである。ある実施の形態においては、基板はプラスチック基板である。ある実施の形態においては、基板は箔である。ある実施の形態においては、装置は、ロールトゥロール製造に適する。
装置1は、複数のビームを発するよう構成されている複数の個別に制御可能な自己放射可能なコントラストデバイス4をさらに備える。ある実施の形態においては、自己放射コントラストデバイス4は、放射発光ダイオード(例えば、発光ダイオード(LED)、有機LED(OLED)、高分子LED(PLED))、または、レーザダイオード(例えば、固体レーザダイオード)である。ある実施の形態においては、個別制御可能素子4の各々は青紫レーザダイオード(例えば、三洋の型式番号DL-3146-151)である。こうしたダイオードは、三洋、日亜、オスラム、ナイトライド等の企業により供給される。ある実施の形態においては、ダイオードは、例えば約365nmまたは約405nmの波長を有するUV放射を発する。ある実施の形態においては、ダイオードは、0.5mWないし200mWの範囲から選択される出力パワーを提供することができる。ある実施の形態においては、レーザダイオードの(むき出しのダイの)サイズは、100μmないし800μmの範囲から選択される。ある実施の形態においては、レーザダイオードは、0.5μmないし5μmの範囲から選択される発光領域を有する。ある実施の形態においては、レーザダイオードは、5度ないし44度の範囲から選択される発散角を有する。ある実施の形態においては、それらのダイオードは、合計の明るさを約6.4×10W/(m・sr)以上にするための構成(例えば、発光領域、発散角、出力パワーなど)を有する。
自己放射コントラストデバイス4は、フレーム5に配設されており、Y方向に沿って及び/またはX方向に沿って延在してもよい。1つのフレーム5が図示されているが、装置は、図2に示すように複数のフレーム5を有してもよい。フレーム5には更に、レンズ12が配設されている。フレーム5、従って、自己放射コントラストデバイス4及びレンズ12はXY面内で実質的に静止している。フレーム5、自己放射コントラストデバイス4、及びレンズ12は、アクチュエータ7によってZ方向に移動されてもよい。それに代えて又はそれとともに、レンズ12はこの特定のレンズに関係づけられたアクチュエータによってZ方向に移動されてもよい。任意選択として、各レンズ12にアクチュエータが設けられていてもよい。
自己放射コントラストデバイス4はビームを発するよう構成されていてもよく、投影系12、14、18はそのビームを基板の目標部分に投影するよう構成されていてもよい。自己放射コントラストデバイス4及び投影系が光学コラムを形成する。装置1は、光学コラム又はその一部を基板に対して移動させるためのアクチュエータ(例えばモータ)11を備えてもよい。フレーム8には視野レンズ14及び結像レンズ18が配設されており、そのアクチュエータを用いてフレーム8は回転可能であってもよい。視野レンズ14と結像レンズ18との結合が可動光学素子9を形成する。使用時においては、フレーム8は自身の軸10まわりを、例えば図2に矢印で示す方向に、回転する。フレーム8は、アクチュエータ(例えばモータ)11を使用して軸10まわりに回転させられる。また、フレーム8はモータ7によってZ方向に移動されてもよく、それによって可動光学素子9が基板テーブル2に対し変位させられてもよい。
内側にアパーチャを有するアパーチャ構造13がレンズ12の上方でレンズ12と自己放射コントラストデバイス4との間に配置されてもよい。アパーチャ構造13は、レンズ12、それに関連する自己放射コントラストデバイス4、及び/または、隣接するレンズ12/自己放射コントラストデバイス4の回折効果を限定することができる。
図示される装置は、フレーム8を回転させると同時に光学コラム下方の基板テーブル2上の基板を移動させることによって、使用されてもよい。自己放射コントラストデバイス4は、レンズ12、14、18が互いに実質的に整列されたときこれらのレンズを通じてビームを放つことができる。レンズ14、18を移動させることによって、基板上でのビームの像が基板の一部分を走査する。同時に光学コラム下方の基板テーブル2上の基板を移動させることによって、自己放射コントラストデバイス4の像にさらされる基板の当該部分も移動する。光学コラム又はその一部の回転を制御し、自己放射コントラストデバイス4の強度を制御し、且つ基板速度を制御するコントローラにより自己放射コントラストデバイス4の「オン」と「オフ」とを高速に切り換える制御をすることによって(例えば、「オフ」であるとき出力がないか、しきい値を下回る出力を有し、「オン」であるときしきい値を上回る出力を有する)、所望のパターンを基板上のレジスト層に結像することができる。
図2は、自己放射コントラストデバイス4を有する図1のリソグラフィまたは露光装置の概略上面図である。図1に示す装置1と同様に、リソグラフィ装置1は、基板17を保持する基板テーブル2と、基板テーブル2を最大6自由度で移動させる位置決め装置3と、自己放射コントラストデバイス4と基板17とのアライメントを決定し、自己放射コントラストデバイス4の投影に対して基板17が水平か否かを決定するためのアライメント/レベルセンサ19と、を備える。図示されるように基板17は矩形形状を有するが、追加的に又は代替的に円形の基板が処理されてもよい。
自己放射コントラストデバイス4はフレーム15に配設されている。自己放射コントラストデバイス4は、放射発光ダイオード、例えばレーザダイオード、例えば青紫レーザダイオードであってもよい。図2に示されるように、自己放射コントラストデバイス4はXY面内に延在するアレイ21に配列されていてもよい。
アレイ21は細長い線であってもよい。ある実施の形態においては、アレイ21は、自己放射コントラストデバイス4の一次元配列であってもよい。ある実施の形態においては、アレイ21は、自己放射コントラストデバイス4の二次元配列であってもよい。
回転フレーム8が設けられていてもよく、これは、矢印で図示される方向に回転してもよい。回転フレームには、各自己放射コントラストデバイス4の像を与えるためのレンズ14、18(図1参照)が設けられていてもよい。本装置には、フレーム8及びレンズ14、18を備える光学コラムを基板に対して回転させるためのアクチュエータが設けられていてもよい。
図3は、周辺部にレンズ14、18が設けられている回転フレーム8を高度に概略的に示す斜視図である。複数のビーム、本実施例では10本のビームが、それらレンズの一方へと入射し、基板テーブル2により保持された基板17のある目標部分に投影されている。ある実施の形態においては、複数のビームは直線に配列されている。回転可能フレームは、アクチュエータ(図示せず)によって軸10まわりに回転可能である。回転可能フレーム8の回転の結果として、それらビームは、一連のレンズ14、18(視野レンズ14及び結像レンズ18)に入射する。一連のレンズの各々に入射してビームは偏向され、それによりビームは基板17の表面の一部分に沿って動く。詳しくは図4を参照して後述する。ある実施の形態においては、各ビームが対応する源によって、すなわち自己放射コントラストデバイス、例えばレーザダイオードによって、生成される(図3には図示せず)。図3に示される構成においては、ビーム同士の距離を小さくするために、それらビームはともに、あるセグメントミラー30によって偏向されかつ運ばれる。それによって、後述するように、より多数のビームを同一のレンズを通じて投影し、要求解像度を実現することができる。
回転可能フレームが回転すると、ビームが連続する複数のレンズへと入射する。このときあるレンズがビームに照射されるたびに、レンズ表面上でビームが入射する場所が移動する。レンズ上のビーム入射場所に依存してビームが異なって(例えば、異なる偏向をもって)基板に投影されるので、(基板に到達する)ビームは後続のレンズが通過するたびに走査移動をすることになる。この原理について図4を参照して更に説明する。図4は、回転可能フレーム8の一部を高度に概略的に示す上面図である。第1ビームセットをB1と表記し、第2ビームセットをB2と表記し、第3ビームセットをB3と表記する。ビームセットのそれぞれが、回転可能フレーム8の対応するレンズセット14、18を通じて投影される。回転可能フレーム8が回転すると、複数ビームB1が基板17に投影され、走査移動によって領域A14を走査する。同様に、ビームB2は領域A24を走査し、ビームB3は領域A34を走査する。対応するアクチュエータによる回転可能フレーム8の回転と同時に、基板17及び基板テーブルが(図2に示すX軸に沿う方向であってもよい)方向Dに移動され、そうして領域A14、A24、A34におけるビームの走査方向に実質的に垂直に移動される。方向Dの第2のアクチュエータによる移動(例えば、対応する基板テーブルモータによる基板テーブルの移動)の結果、回転可能フレーム8の一連のレンズによって投影されるとき連続する複数回のビーム走査が互いに実質的に隣接するよう投影されて、実質的に隣接する領域A11、A12、A13、A14がビームB1の走査のたびに生じ(図4に示すように、領域A11、A12、A13は以前に走査され、領域A14は今回走査されている)、領域A21、A22、A23、A24がビームB2に対して生じ(図4に示すように、領域A21、A22、A23は以前に走査され、領域A24は今回走査されている)、実質的に隣接した領域A31、A32、A33、A34がビームB3に対して生じる(図4に示すように、領域A31、A32、A33は以前に走査され、領域A34は今回走査されている)。このようにして、基板表面の領域A1、A2、A3が、回転可能フレーム8を回転させる間に基板を方向Dに移動させることにより、覆われてもよい。多数のビームを同一のレンズを通じて投影することにより、(回転可能フレーム8をある同一の回転速度とすると)より短い時間で基板全体を処理することができる。レンズ通過のたびに各レンズにより基板を複数のビームが走査するので、連続する複数回の走査に際して方向Dの変位量を大きくすることができるからである。見方を変えると、多数のビームを同一のレンズを通じて基板に投影するとき、ある所与の処理時間における回転可能フレームの回転速度を小さくしてもよいということである。こうして、回転可能フレームの変形、摩耗、振動、乱流などといった高回転速度による影響を軽減してもよい。ある実施の形態においては、図4に示すように、複数のビームは、レンズ14、18の回転の接線に対してある角度をなして配列されている。ある実施の形態においては、複数のビームは、各ビームが重なるか、又は各ビームが隣接ビームの走査経路に隣接するように配列されている。
多数のビームを一度に同一レンズにより投影する態様の更なる効果は、公差の緩和に見ることができる。レンズの公差(位置決め、光学投影など)があるために、連続する領域A11、A12、A13、A14(及び/または領域A21、A22、A23、A24及び/またはA31、A32、A33、A34)の位置には、互いの位置決めにいくらかの不正確さが現れ得る。したがって、連続する領域A11、A12、A13、A14間にいくらかの重なりが必要とされるかもしれない。1本のビームの例えば10%を重なりとする場合、同一レンズに一度にビームが一つであると、同様に10%の係数で処理速度が遅くなるであろう。一方、同一レンズを通じて一度に5本又はそれより多数のビームが投影される状況においては、(上記同様1本のビームについて)同じ10%の重なりが5本又はそれより多数の投影線ごとにあるとすると、重なりの総計は概ね5(又はそれより多数)分の1である2%(又はそれ未満)へと小さくなるであろう。これは、全体的な処理速度を顕著に小さくする効果をもつ。同様に、少なくとも10本のビームを投影することにより、重なりの総計をおよそ10分の1に小さくしうる。したがって、多数のビームを同時に同一レンズにより投影するという特徴によって、基板の処理時間に生じる公差の影響を小さくしうる。それに加えて又はそれに代えて、より大きな重なり(従って、より大きな公差幅)が許容されてもよい。一度に同一レンズにより多数のビームを投影するのであれば、重なりが処理に与える影響が小さいからである。
多数のビームを同一レンズを通じて同時に投影することに代えて又はそれとともに、インタレース技術を使用することができるかもしれない。しかしながらそのためには、より厳格にレンズ同士を整合させることが必要になるかもしれない。従って、それらレンズのうちある同一レンズを通じて一度に基板に投影される少なくとも2つのビームは相互間隔を有し、装置は、その間隔の中に後続のビーム投影がなされるように光学コラムに対して基板を移動させるよう第2アクチュエータを動作させるよう構成されていてもよい。
1つのグループにおいて連続するビーム同士の方向Dにおける距離を小さくするために(それによって、例えば方向Dに解像度を高くするために)、それらビームは方向Dに対して、互いに斜めに配列されていてもよい。そうした間隔は、各セグメントが複数ビームのうち対応する1つのビームを反射するセグメントミラー30を光路に設けることによって更に縮小されてもよい。それらセグメントは、それらミラーに入射するビーム同士の間隔よりもミラーで反射されたビーム同士の間隔を狭くするよう配設されている。そうした効果は、複数の光ファイバによっても実現しうる。この場合、ビームのそれぞれが複数ファイバのうち対応する1つのファイバに入射し、それらファイバが、光路に沿って光ファイバ上流側でのビーム同士の間隔よりも光ファイバ下流側でのビーム同士の間隔を狭くするよう配設されている。
また、そうした効果は、複数ビームのうち対応する1つのビームを各々が受光する複数の入力を有する集積光学導波路回路を使用して実現されてもよい。この集積光学導波路回路は、光路に沿って集積光学導波路回路の上流側でのビーム同士の間隔よりも集積光学導波路回路の下流側でのビーム同士の間隔を狭くするよう構成されている。
基板に投影される像の焦点を制御するためのシステムが提供されてもよい。上述のある構成において、ある光学コラムの部分又は全体により投影される像の焦点を調整するための構成が提供されてもよい。
一実施形態では、投影システムは、少なくとも1つの放射ビームを基板上に投影する。基板は、物質(例えば金属)の液滴の局所堆積をレーザ誘起物質移動(laser induced material transfer)により生じさせるために、デバイスが形成されるべき基板17の上に物質層から形成される。照射ビームが投影される基板は、ターゲットと称されてもよい。
図5を参照すると、レーザ誘起物質移動の物理的機構が表されている。一実施形態では、放射ビーム200は、実質的に透明な物質202(例えばガラス)を通って物質202のプラズマブレークダウンより下の強度で集束される。表面熱吸収が、物質202を覆うドナー物質層204(例えば金属膜)から形成された基板上で起こる。熱吸収は、ドナー物質層204を溶融させる。さらに熱は、ドナー物質層204からの、従ってドナー構造(例えばプレート)208からのドナー物質の液滴206の順方向加速をもたらす順方向の誘起圧力勾配を生じさせる。ビーム200をドナープレート208上の適切な位置に向けることにより、ドナー物質パターンを基板17上に堆積することができる。一実施形態では、ビームはドナー物質層204上に集束される。
一実施形態では、1つまたは複数の短パルスがドナー物質の移動を生じさせるために用いられる。一実施形態では、パルスは、擬似的な一次元の順方向の熱および溶融物質の物質移動を得るために、数ピコ秒またはフェムト秒の長さであってよい。このような短パルスは、物質層204中において側方の熱流動をほとんど又は全く促進せず、従ってドナー構造208への熱付加はほとんど又は全くない。短パルスは、急速な溶融と、物質の順方向の加速を可能とする(例えば、金属などの蒸発物質は、その順方向性を失って飛び散った堆積をもたらすであろう)。短パルスにより、物質の加熱を加熱温度の僅かに上であるが蒸発温度より下とすることができる。例えば、アルミニウムに関しては、摂氏約900から1000度が望ましい。
一実施形態では、レーザパルスの使用によって、ドナー構造208から基板17に100〜1000nmの液滴の形で物質量(例えば金属)が移動する。一実施形態では、ドナー物質は、基本的に金属を含むまたは金属から成る。一実施形態では、物質はアルミニウムである。一実施形態では、物質層204は膜状である。一実施形態では、膜は別の物体又は層に付着している。上述したように、物体又は層はガラスであってよい。
イメージスライサは、イメージスライサに入力された画像が複数の画像領域に分割されるように構成された部品である。複数の画像領域は、互いに分離されてイメージスライサから出力される。従って、入力された画像は、間隔をあけた複数の不連続領域に分割される。本発明の一実施形態は、このような部品がリソグラフィまたは露光装置で利用されることを認める。
特に、一実施形態では、このようなイメージスライサは、逆転した構成で用いられてよい。すなわち、複数の間隙をあけた画像領域を逆イメージスライサ内に入力し、出力が画像領域が互いに隣接するように再配置された画像となるように用いられてよい。
これに関連して、画像領域、すなわち画像の一部分は、逆イメージスライサに入力されない。その代わりとして、従来使用のイメージスライサの分離画像領域のそれぞれに対応するそれぞれの位置において、放射ビームが逆イメージスライサ内に入力される。逆イメージスライサの出力は、それ故、複数の放射ビームであるが、逆イメージスライサの出力における放射ビーム間の間隔は、逆イメージスライサの入力における放射ビームの間隔未満である。従って、逆イメージスライサは、複数の放射ビームの距離を縮めるために用いられる。しかしながら、放射ビーム自身は影響されなくてよい。特に、放射ビームの距離は縮められるが、放射ビームそれぞれの断面積は減少しなくてよい。
一実施形態では、上述の逆転構成で使用される逆イメージスライサは、Bowen-Walraven型のイメージスライサで、またはその派生物であってよい。このようなイメージスライサの構成の斜視図が図6に、断面図が図7に表されている。図示のように、このような逆イメージスライサ50は、プレート51と、入力プリズム52と、出力プリズム53とが設けられてよい。
逆イメージスライサ50の全ての構成要素は、使用される放射ビームに対して透明な物質から形成される。例えば、プリズムおよび/または他の光学素子を形成するためによく利用されるガラスが用いられてよい。
プレート51は、実質的に平行な第1面51aおよび第2面51bを有するよう構成される。プレート51は、第1面51a,第2面51bが入力放射ビーム55に対して斜角となるように配置される。放射ビームの1つがプレート51の材料を透過して、プレートの材料と大きく異なる屈折率を有する気体(例えば空気)との界面を有するプレート51の内面51a,51bの一つの点に入射した場合、放射ビームは内部反射する。
入力プリズム52は、プレート51の一側面上に設けられており、入力放射ビーム55に対応している。入力プリズム52は、入力放射ビーム55に対して実質的に垂直な入力面52aを含む。従って、入力放射ビーム55は、入力プリズム52の入力面52aに入射し、入力プリズム52を透過する。
入力プリズム52はさらに、接合面52bを含む。接合面52bは、プレート51の第1面51aと実質的に平行であり、第1面51aの一部に隣接する。
プレート51の第1面51aの第1部分は、入力プリズム52に隣接している。プレート51の第1面51aの第2部分は、入力プリズム52に隣接しておらず、従って気体との界面を有する。図6を参照されたい。従って、上述したように、放射ビームはプレート51を透過してプレートの第1面51aにおける、第1面51aの第2部分内の点に入射して、内部反射することができる。
入力放射ビーム55および入力プリズム52は、図6を参照して、例えば図7に表されるように注意深く配置される。特に、各入力放射ビーム55は、最初に入力プリズム52を通過して入力プリズム52の接合面52bがプレートの第1面51aと隣接する点に伝搬する。その点において、入力放射ビーム55はプレートを透過する。その後、放射ビームは、気体との界面を有するプレート51の第2面51b上の点に入射し、そこでプレート51内で内部反射する。各入力放射ビーム55の配置および入力プリズム52の形状は、放射ビームがプレート51内でその後繰り返して内部反射し、プレート51の第1面51aが入力プリズム52の接合面52bと隣接する点に再度入射しないようにされる。例えば、図6に表されるように、確実に接合面52bがプレート51の第1面51aと所望の位置で隣接するように、入力プリズム52は傾斜面52cを有してもよい。
出力プリズム53は、第2面51bに対応するプレート51の側面上に配置される。出力プリズム53は、接合面53aおよび出力面53bを含む。出力プリズム53の接合面53aは、プレート51の第2面51bの一部分と実質的に並行且つ隣接するように配置される。出力プリズム53は、多数の内部反射(各放射ビームごとに異なってよい)の後、プレート51の第2面51bが出力プリズム53の接合面53aと隣接する点に放射ビームが入射するように配置される。その点において、放射ビームは出力プリズムを透過する。
図6および図7に表された一実施形態では、出力プリズム53の出力面53bは、出力放射ビーム56の方向に実質的に垂直に配置されてもよい。従って、放射ビームが出力面53bに入射するとき、放射ビームは出力プリズム53から、すなわち逆イメージスライサ50から外に送出される。
プレート51の第1面51aおよび第2面51bが実質的に平行であり、入力プリズム52入力面52aと出力プリズム53の出力面53bが互いに実質的に平行且つ入力放射ビーム55に対して実質的に垂直であるとすると、出力放射ビーム56は、出力プリズム53の出力面53bに対して実質的に垂直となり、従って入力放射ビーム55と実質的に平行となる。従って、入力プリズム52、プレート51および出力プリズム53の構造を適切に制御することにより、新たな放射ビーム指向エラーの取り込みを避けることが可能となる。さらに、放射ビームの距離が縮められるが、各放射ビームの断面積は実質的に影響されない。
図7に示すように、入力放射ビーム55は、図7のイメージの面内方向に、すなわち図7の面において水平に、互いに分離していてもよい。逆イメージスライサの出力において、出力放射ビーム56は、図7に示すように、この方向において全く分離していなくてもよい。しかしながら、このような構成では、入力放射ビーム55もイメージの面に実質的に垂直な方向において互いに分離され、この分離は出力放射ビーム56まで維持される。全体的効果は、出力放射ビーム56の全体的な間隔を、入力放射ビーム55の全体的な間隔未満となるように減らすことである。
放射ビームの間隔の減少は、主としてプレート51の厚さ、すなわち第1面51aおよび第2面51bの間隔により制御される。プレート51の厚さが大きくなればなるほど、放射ビームの間隔の減少は大きくなる。入力放射ビーム55の最小間隔は、接合面52bのくさび角度、すなわち入力プリズム52の入力面52aに対する接合面52bの角度、の関数である。
図6および図7を参照して上述された構成の代わりに、代わりのまたは追加のイメージスライサの構成が逆転した構成で用いられてもよい。
図8は、図6および図7に示す構成の変形例を示す。この構成では、逆イメージスライサ60は、図6および図7に示す構成の入力プリズム52および出力プリズム53に加えて、第2入力プリズム61を有する。これは、第2グループの放射ビーム62が逆イメージスライサ60内に入力され、出力放射ビーム56の一部として出力されることを可能とするよう構成される。
図8に示すように、入力面61bおよび接合面61aを有する第2入力プリズム61は、第1入力プリズム52と同じように機能するよう構成されてよい。しかしながら、第2入力プリズム61は、プレート51の第1面51aではなくて、第2面51bに設けられる。第1入力プリズム52、第2入力プリズム61の配置は、各放射ビームがプレート51内で内部反射するために、第1グループの入力放射ビーム55が第2入力プリズム61の接合面61aと隣接するプレート51の第2面51bの点に入射しないように配置される。同様に、第2グループの入力放射ビーム62から生じる放射ビームは、確実にプレート51内で内部反射するように、第1入力プリズム52の接合面52bと隣接するプレート51の第1面51a上の点に入射しない。
これは、例えば、第2入力プリズム61が第1入力プリズムの傾斜面52cに対応する傾斜面を有するよう構成することにより実現されてよい。これらの傾斜面は実質的に平衡であるが、プレート51の面51a,51bと実質的に平行な方向にオフセットしていてもよい。
このような構成では、第1グループの入力放射ビーム55および第2グループの入力放射ビーム62は、平面偏光しており、互いに直交する方向に向けられている。さらに、プレート51の第1面51a、第2面51bは、入力放射ビーム55、62をプレート51内に送るために適切に偏光を選択可能である。適切な偏光選択を実現するために、偏光ビームスプリッタに用いられるようなコーティング処理が用いられてもよい。
図8に示すように、第2入力プリズム61および第2グループの入力放射ビーム62は、全ての出力放射ビーム56、すなわち第1グループの入力放射ビーム55から生じる放射ビームと第2グループの入力放射ビーム62から生じる放射ビームの両方、が一列に並ぶように配置される。しかしながら、出力放射ビーム56のそれぞれはさらに、例えば図8に示す構成において、図8に実質的に垂直な方向に互いに分離されていてもよい。
このような構成の変形例では、第2グループの放射ビーム62の一部または全部は、第1グループの放射ビーム55の一つから生じるそれぞれの内部反射放射ビームと同軸方向にプレート51を透過するように、プレート51内に入力されるべく配置されてもよい。その後、放射ビームは、出力放射ビーム56において第2グループの入力放射ビーム62からの放射ビーム62が第1グループの入力放射ビーム55からの放射ビームに重畳されるように、同じ放射ビーム経路を進む。
上述したように、図6および図7および/または図8などに示される構成において、入力プリズム52、61は、プレート51の第1面51a、第2面51b上の同じ点において、プリズム52、61が、それらが取り付けられるプレートの第1面51a、第2面51bのそれぞれと隣接するように、配置される。同時に、他の点において、入力プリズム52、61は、内部反射を提供するためにプレート/気体界面が存在するように配置される。
これらの点の位置は、入力放射ビーム55、62の特定の構成に対して固定される。従って、一実施形態では、入力プリズム52、61はそれぞれ、プレート51の関連する面51a、51bの該当部分に広がる接合面52b、61aを有するが、表面における内部反射が要求される各点に形成された孔を有する。この実施例が図9に示されている。図8では、孔66が入力プリズム52の接合面52b内に、放射ビーム68がプレート51内で内部反射するのに望ましいプレート51の第1面51a上の点67に隣接して設けられている。
ある構成では、各孔66は、関連する入力プリズム52、61内の、内部反射が望まれる各点に設けられてよい。あるいは、内部反射が望まれる1つまたは複数の点は、一つの孔と一致してもよい。この孔は、入力プリズム52、61の関連する接合面52b、61a内に、適切に方向付けられた溝として形成されてもよい。あるいはまたは加えて、入力プリズム52、61は、接合面52b、61aが複数の突起部から形成されるよう、すなわち、放射ビームをプレート51内に入力することが望まれる位置にのみ物質が設けられるように、形成されてもよい。あるいはまたは加えて、入力プリズム52、61は、それぞれが個別の入力面および接合面を有し、それぞれが一つの放射ビームをプレート51内に入力する、または各グループの入力放射ビーム55、62の一部のみを入力するよう構成された、複数の分離した入力プリズムに分けられてもよい。
本発明の一実施形態の逆イメージスライサは、装置内の多数の異なる位置に配置されてもよい。少なくとも固定部分と可動部分を備える投影システムを有する一実施形態では、逆イメージスライサは、固定部分に取り付けられてよい。一実施形態では、逆イメージスライサは、投影システム内の最初の光学部品、または投影システム内の最初のいくつかの光学部品の一つとなるよう配置されてもよい。このように逆イメージスライサを配置することにより、投影システム内の後段の光学部品の構造は、複数の放射ビーム間の間隔が減少していることの利益を享受する。
本発明の実施形態は、逆イメージスライサが投影システムの一部である実施形態を参照して上述されているが、これは単に典型的な構成にすぎず、逆イメージスライサは装置内の他の位置に配置されてもよい。一実施形態では、逆イメージスライサ50は、複数の放射ビームを提供するよう構成された複数の放射源と、該複数の放射ビームにパターンを付与するよう構成された1つまたは複数のパターニングデバイスとの間に設けられてもよい。
デバイス製造方法に従って、ディスプレイ、集積回路または任意の他の品目が、パターンが投影される基板から製造されてよい。
本書ではICの製造におけるリソグラフィまたは露光装置の使用を例として説明しているが、本明細書に説明したリソグラフィまたは露光装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及された基板は露光前または露光後において、例えばトラック(典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置)、メトロロジツール、及び/またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ICを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味し得る。
本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、本発明は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令の1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、または、そうしたコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体(例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク)の形式をとってもよい。また、機械で読み取り可能な命令は、2以上のコンピュータプログラムにより具現化されていてもよい。それら2以上のコンピュータプログラムは、1つ又は複数の異なるメモリ及び/またはデータ記録媒体に記録されていてもよい。
「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学部品、回折光学部品、反射光学部品、磁気的光学部品、電磁気的光学部品、静電的光学部品、またはこれらの組み合わせを含む各種の光学部品のいずれかを指し示してもよい。
上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、以下に述べる請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、当業者には明らかなことである。

Claims (15)

  1. 複数の放射ビームをターゲット上に投影するよう構成された投影システムと、
    逆転した構成で用いられるイメージスライサであって、複数の分離した画像領域から形成される入力画像が該イメージスライサに提供された場合、それぞれ近くの画像領域と隣接するよう配置された複数の画像領域から形成される出力画像を出力するイメージスライサと、を備え、
    放射ビームのそれぞれが、分離した画像領域のそれぞれ一つに対応する位置において前記イメージスライサに入力するよう構成される、
    ことを特徴とする露光装置。
  2. 前記イメージスライサは、Bowen-Walraven式イメージスライサまたはその派生物であることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記イメージスライサは、
    放射ビームに対して透過性であり、且つ、前記イメージスライサに入力される放射ビームに対して斜角である実質的に平行な第1面および第2面を有する物質のプレートと、
    前記イメージスライサに入力される放射ビームに対して実質的に垂直な入力面と、前記プレートの前記第1面の一部と実質的に平行且つ隣接する接合面と、を有する第1入力プリズムと、を備え、
    前記イメージスライサは、入力放射ビームが前記第1入力プリズムを通って前記第1入力プリズムが前記プレートと隣接する点に伝搬し、すると放射ビームがプレートを通って伝搬し、前記第1面および前記第2面で内部反射し、前記第1入力プリズムがプレートに隣接するこれ以上の点には入射しないように構成される、
    ことを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
  4. 前記イメージスライサは、
    前記プレートの前記第2面の一部と実質的に平行且つ隣接する接合面を有する出力プリズムをさらに備え、
    前記イメージスライサは、前記プレート内での個別の多数の内部反射の後、それぞれの放射ビームが、前記出力プリズムが前記プレートと隣接する点に入射し、すると前記出力プリズムを通って伝搬して前記イメージスライサから出力されるよう構成される、
    ことを特徴とする請求項3に記載の露光装置。
  5. 前記出力プリズムは、前記イメージスライサから出力される放射ビームに実質的に垂直な出力面を有し、
    前記出力プリズムの前記出力面において前記イメージスライサから出力される隣接放射ビーム間の間隔は、前記第1入力プリズムの前記入力面において前記イメージスライサに入力される隣接放射ビーム間の間隔未満である、
    ことを特徴とする請求項4に記載の露光装置。
  6. 前記イメージスライサは、全ての入力放射ビームが実質的に互いに平行である場合、全ての出力放射ビームが実質的に互いに平行であり、且つ随意に実質的に入力放射ビームと平行であるように構成されることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の露光装置。
  7. 前記イメージスライサは、第2入力プリズムを備え、第2グループの放射ビームが前記第2入力プリズムを通って前記イメージスライサに入力され、
    前記第2入力プリズムは、第2グループの入力放射ビームに実質的に垂直な入力面と、前記プレートの前記第2面の一部と実質的に平行且つ隣接する接合面とを有し、
    前記イメージスライサは、第2グループの入力放射ビームが、前記第2入力プリズムを通って前記第2入力プリズムが前記プレートに隣接する点に伝搬し、するとプレートを通って伝搬し、前記第1面および前記第2面で内部反射し、前記第2入力プリズムが前記プレートに隣接するこれ以上の点には入射しないように構成される、
    ことを特徴とする請求項3から6のいずれかに記載の露光装置。
  8. 前記第1入力プリズムおよび前記第2入力プリズムは、前記第1入力プリズムを介して入力された放射ビームが、前記第2入力プリズムが前記プレートに隣接する点には入射せず、前記第2入力プリズムを介して入力された放射ビームが、前記第1入力プリズムが前記プレートに隣接する点には入力しないように構成されることを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
  9. 請求項4に従属しているとき、前記第1入力プリズムおよび前記第2入力プリズムを介して入力された放射ビームは、前記出力プリズムを介して出力されることを特徴とする請求項7または8に記載の露光装置。
  10. 第1および第2グループの放射ビームは、互いに直交する方向に平面偏光しており、
    前記プレートの前記第1面および前記第2面は、前記プレートの関連する面を介して前記プレートに入力された放射ビームのそれぞれの平面偏光放射が前記プレート内に送出されるよう調整される、
    ことを特徴とする請求項7から9のいずれかに記載の露光装置。
  11. 前記第1入力プリズム、前記第2入力プリズム、または両者は、前記接合面が複数の凹部を備えるよう構成され、前記複数の凹部は、放射ビームが前記プレートの隣接面に入射し且つ内部反射が要求される点に配置される、ことを特徴とする請求項3から10のいずれかに記載の露光装置。
  12. 前記第1入力プリズム、前記第2入力プリズム、または両者は、前記接合面が複数の突起部を備えるよう構成され、前記複数の突起部は、放射ビームがそれぞれの入力プリズムから前記プレート内に送出されるべく配置される、ことを特徴とする請求項3から11のいずれかに記載の露光装置。
  13. 複数の放射ビームを提供するよう構成されたプログラマブルパターニングデバイスをさらに備えることを特徴とする請求項1から12のいずれかに記載の露光装置。
  14. 前記プログラマブルパターニングデバイスは、選択的に放射ビームを提供する制御可能素子を備えることを特徴とする請求項13に記載の露光装置。
  15. 投影システムを用いて複数の放射ビームをターゲット上に投影することと、
    放射ビームの放射ビーム経路を調整するために逆転した構成のイメージスライサを用いることであって、逆転した構成の前記イメージスライサは、複数の分離した画像領域から形成される入力画像が該イメージスライサに提供された場合、それぞれ近くの画像領域と隣接するよう配置された複数の画像領域から形成される出力画像を出力するよう構成されることと、
    それぞれの放射ビームを、分離した画像領域のそれぞれ一つに対応する位置において前記イメージスライサに入力することと、
    を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11061233B2 (en) * 2015-06-30 2021-07-13 3M Innovative Properties Company Polarizing beam splitter and illuminator including same
CN105487237B (zh) * 2015-12-29 2018-06-12 大连楼兰科技股份有限公司 一种多束激光雷达的分光元件、装置及方法
CN112114433B (zh) * 2020-09-21 2022-06-21 中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所 薄膜型像切分器装置及其工作系统

Family Cites Families (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2631850C2 (de) 1976-07-15 1984-11-22 Agfa-Gevaert Ag, 5090 Leverkusen Verfahren sowie Vorrichtung zum zeilenweisen Belichten punktförmiger Flächenelemente eines lichtempfindlichen Aufzeichnungsträgers
JPS57152273A (en) 1981-03-13 1982-09-20 Ricoh Co Ltd Electronic photograph type printer
JPS58145916A (ja) 1982-02-24 1983-08-31 Hitachi Ltd デイスク型レンズ光走査器
US4447126A (en) 1982-07-02 1984-05-08 International Business Machines Corporation Uniformly intense imaging by close-packed lens array
JPS59201026A (ja) 1983-04-30 1984-11-14 Fujitsu Ltd 偏光素子
US4520472A (en) 1983-02-07 1985-05-28 Rca Corporation Beam expansion and relay optics for laser diode array
US4525729A (en) 1983-04-04 1985-06-25 Polaroid Corporation Parallel LED exposure control system
US4796038A (en) 1985-07-24 1989-01-03 Ateq Corporation Laser pattern generation apparatus
US4780730A (en) 1986-04-11 1988-10-25 Itek Graphix Corp. Led-array image printer
KR920002820B1 (ko) 1987-05-27 1992-04-04 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 주사형 투영 노광장치
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US4864216A (en) 1989-01-19 1989-09-05 Hewlett-Packard Company Light emitting diode array current power supply
GB8923709D0 (en) 1989-10-20 1989-12-06 Minnesota Mining & Mfg Production of images using an array of light emmiting diodes
US4952949A (en) 1989-11-28 1990-08-28 Hewlett-Packard Company LED printhead temperature compensation
JP2938568B2 (ja) 1990-05-02 1999-08-23 フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン 照明装置
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US5216247A (en) 1992-02-07 1993-06-01 Ying Wang Optical scanning method with circular arc scanning traces
US5216534A (en) 1992-04-24 1993-06-01 E-Systems, Inc. Read-write head for an optical tape recorder
JPH06275936A (ja) 1993-03-23 1994-09-30 Oki Electric Ind Co Ltd 回路パターン形成方法
GB9226661D0 (en) 1992-12-22 1993-02-17 Univ London Optical apparatus
US5457488A (en) 1993-04-12 1995-10-10 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method and apparatus for controlling array of light-emitting elements
DE4315580A1 (de) 1993-05-11 1994-11-17 Fraunhofer Ges Forschung Anordnung aus Laserdioden und einem Kühlsystem sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE4315581A1 (de) 1993-05-11 1994-11-17 Fraunhofer Ges Forschung Laserdioden mit Kühlsystem
WO1994026459A1 (de) 1993-05-19 1994-11-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur materialbearbeitung mit diodenstrahlung
US5729331A (en) 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US5481392A (en) 1993-12-21 1996-01-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Axial mirror scanner system and method
JPH07276706A (ja) 1994-03-04 1995-10-24 Xerox Corp ディジタルプリンタ及びledプリントバーにおけるled画素非均一性補正方法
US5589973A (en) 1994-05-16 1996-12-31 Agfa Division, Bayer Corporation Optical enclosure for high speed rotating beam deflector
JPH07311302A (ja) 1994-05-17 1995-11-28 Asahi Optical Co Ltd 光束分割素子
US5610754A (en) 1994-08-09 1997-03-11 Gheen; Gregory Method and apparatus for photolithography by rotational scanning
US5568320A (en) 1994-11-30 1996-10-22 Xerox Corporation Multiple row lens array alignable with multiple row image bar
IL115864A (en) 1995-11-02 1999-05-09 Orbotech Ltd Method and apparatus for delivering laser energy to an object
JP3318171B2 (ja) 1995-11-10 2002-08-26 株式会社リコー 発光ダイオードアレイおよび光書込装置
AU1975197A (en) 1996-02-28 1997-10-01 Kenneth C. Johnson Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
US5840451A (en) 1996-12-04 1998-11-24 Advanced Micro Devices, Inc. Individually controllable radiation sources for providing an image pattern in a photolithographic system
EP0956516B1 (en) 1997-01-29 2002-04-10 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
DE19813127A1 (de) 1997-03-27 1998-10-01 Fraunhofer Ges Forschung Laservorrichtung
DK0981895T3 (da) 1997-05-14 2002-05-27 Luescher Ursula System til belysning af trykplader og dettes anvendelse
US6137105A (en) 1998-06-02 2000-10-24 Science Applications International Corporation Multiple parallel source scanning device
US6268613B1 (en) 1999-03-02 2001-07-31 Phormax Corporation Multiple-head phosphor screen scanner
US6204875B1 (en) 1998-10-07 2001-03-20 Barco Graphics, Nv Method and apparatus for light modulation and exposure at high exposure levels with high resolution
CN1309017C (zh) 1998-11-18 2007-04-04 株式会社尼康 曝光方法和装置
US6377599B1 (en) * 1999-01-12 2002-04-23 Iridex Corporation Focusability enhancing optic for a laser diode
DE50000497D1 (de) 1999-03-31 2002-10-17 Fraunhofer Ges Forschung Optische anordnung zur symmetrierung der strahlung von zweidimensionalen arrays von laserdioden
US6466352B1 (en) 1999-04-23 2002-10-15 Arie Shahar High-resolution reading and writing scan system for planar and cylindrical surfaces
US6310710B1 (en) 1999-04-23 2001-10-30 Arie Shahar High-resolution reading and writing using beams and lenses rotating at equal or double speed
US6531681B1 (en) 2000-03-27 2003-03-11 Ultratech Stepper, Inc. Apparatus having line source of radiant energy for exposing a substrate
US7453486B2 (en) 2000-12-13 2008-11-18 Orbotech Ltd Pulse light pattern writer
US20020115021A1 (en) 2001-02-01 2002-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Configurable patterning device and a method of making integrated circuits using such a device
US20020126479A1 (en) 2001-03-08 2002-09-12 Ball Semiconductor, Inc. High power incoherent light source with laser array
US20020171047A1 (en) 2001-03-28 2002-11-21 Chan Kin Foeng Integrated laser diode array and applications
DE10293414B4 (de) 2001-07-27 2007-03-01 Tesa Scribos Gmbh Lithograph mit bewegtem Zylinderlinsensystem
US20030043582A1 (en) 2001-08-29 2003-03-06 Ball Semiconductor, Inc. Delivery mechanism for a laser diode array
US20030091277A1 (en) 2001-11-15 2003-05-15 Wenhui Mei Flattened laser scanning system
JP2003220484A (ja) 2002-01-23 2003-08-05 Fine Device:Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
GB2389457B (en) 2002-06-07 2006-07-26 Microsaic Systems Ltd Microengineered optical scanner
WO2004013692A2 (en) 2002-08-02 2004-02-12 Massachusetts Institute Of Technology System and method for maskless lithography using an array of sources and an array of focusing elements
JP2004094141A (ja) 2002-09-04 2004-03-25 Pulstec Industrial Co Ltd アナモルフィックプリズムおよび同プリズムを用いた光学装置
US7175712B2 (en) 2003-01-09 2007-02-13 Con-Trol-Cure, Inc. Light emitting apparatus and method for curing inks, coatings and adhesives
US20050042390A1 (en) 2003-01-09 2005-02-24 Siegel Stephen B. Rotary UV curing method and apparatus
WO2005006082A1 (fr) 2003-07-15 2005-01-20 Natalia Viktorovna Ivanova Procedes de formation d'images et dispositifs associes
US6967711B2 (en) 2004-03-09 2005-11-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060108508A1 (en) 2004-03-12 2006-05-25 Najeeb Khalid Method and apparatus for high speed imaging
DE112004002893A5 (de) 2004-06-30 2007-05-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Leuchtdiodenmatrix und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiodenmatrix
US7116404B2 (en) 2004-06-30 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20090244510A1 (en) 2004-12-14 2009-10-01 Radove Gmbh Process and apparatus for the production of collimated uv rays for photolithographic transfer
WO2006069340A2 (en) 2004-12-21 2006-06-29 Carnegie Mellon University Lithography and associated methods, devices, and systems
WO2006080285A1 (ja) 2005-01-25 2006-08-03 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法
US8163580B2 (en) 2005-08-10 2012-04-24 Philips Lumileds Lighting Company Llc Multiple die LED and lens optical system
US20070182808A1 (en) 2005-10-26 2007-08-09 Lars Stiblert Writing apparatuses and methods
WO2007058188A1 (ja) 2005-11-15 2007-05-24 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2009528561A (ja) 2006-02-28 2009-08-06 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 基材を処理し、解析する、プラットフォーム、装置、システム、及び方法
US9001028B2 (en) 2006-08-19 2015-04-07 David James Baker Projector pen
DK1892576T3 (da) 2006-08-25 2013-09-16 Luescher Technologies Ag Eksponeringsindretning til at fremstille serigrafiskabeloner
DE102006059818B4 (de) 2006-12-11 2017-09-14 Kleo Ag Belichtungsanlage
JP4473297B2 (ja) 2007-09-20 2010-06-02 日立ビアメカニクス株式会社 レーザ直描装置
JP5230236B2 (ja) 2008-03-31 2013-07-10 大日本スクリーン製造株式会社 露光装置
WO2010032224A2 (en) 2008-09-22 2010-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method
US8442302B2 (en) 2008-12-05 2013-05-14 Micronic Laser Systems Method and device using rotating printing arm to project or view image across a workpiece
US20100265557A1 (en) 2009-04-21 2010-10-21 Jesper Sallander Optical Systems Configured to Generate More Closely Spaced Light Beams and Pattern Generators Including the Same
EP2267534A1 (en) 2009-06-22 2010-12-29 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Illumination system
KR101706918B1 (ko) 2009-09-01 2017-02-27 마이크로닉 마이데이타 에이비 패턴 발생 시스템
KR101496878B1 (ko) 2010-02-23 2015-03-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
CN102893217B (zh) 2010-05-18 2016-08-17 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
US9645502B2 (en) 2011-04-08 2017-05-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method
NL2009342A (en) 2011-10-31 2013-05-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.

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