JP5838299B2 - 発光モジュール及び照明装置 - Google Patents

発光モジュール及び照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5838299B2
JP5838299B2 JP2011208042A JP2011208042A JP5838299B2 JP 5838299 B2 JP5838299 B2 JP 5838299B2 JP 2011208042 A JP2011208042 A JP 2011208042A JP 2011208042 A JP2011208042 A JP 2011208042A JP 5838299 B2 JP5838299 B2 JP 5838299B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
side electrode
wiring board
emitting panel
electrode pads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011208042A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013069576A (ja
Inventor
理 棚橋
理 棚橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2011208042A priority Critical patent/JP5838299B2/ja
Publication of JP2013069576A publication Critical patent/JP2013069576A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5838299B2 publication Critical patent/JP5838299B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/4813—Connecting within a semiconductor or solid-state body, i.e. fly wire, bridge wire
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48237—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating

Landscapes

  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、光源にＥＬ素子を用いた発光モジュール及びそれを用いた照明装置に関する。
有機ＥＬ素子は、低電圧で高輝度の発光が可能であり、有機化合物の種類によって様々な発光色が得られ、また、平面状の発光パネルとしての製造が容易である。そのため、近年、有機ＥＬ素子を用いた発光パネルを備えた発光モジュールが注目されている。
この種の発光モジュールを図８に示す。発光モジュール１０３は、透光性を有する基板１２１上に透明電極１２１ａを介して発光部１２２が形成された発光パネル１０２と、この発光パネル１０２に給電するための配線基板１０６と、を備える（例えば、特許文献１参照）。発光パネル１０２は、発光部１２２から透明電極１２２ａを介して導出された電極パッド１２３と、発光部１２２を封止する封止缶１２４と、を有する。配線基板１０６は、接着テープ等の固定部１０９によって発光パネル１０２に固定される。発光パネル１０２は、電極パッド１２３と配線基板１０６上に設けられた電極パッド１６２とがボンディングワイヤ（以下、ワイヤ１０８）によって結線されることによって配線基板１０６と電気的に接続される。
また、図９（ａ）（ｂ）に示すように、複数のパネル側の電極パッド１２３を発光部２２の周囲に分散して配置し、これらと近接する位置に夫々基板側の電極パッド１６２を配置することにより、発光部１２２に流れる電流を均一化し、発光部１２２の面発光輝度を均一化することができる。また、図例のように、ワイヤ１０８を複数本とすれば、いずれかのワイヤ８が断線した場合でも、他のものが断線されなければ各パッド間の電気的接続は切断されないので、発光部１２２を均一に発光させることができる。
特開２００７−２００６２７号公報
しかしながら、上記のような発光モジュール１０３においては、図９（ｂ）に示すように、ある電極パッド１６２に接合されたワイヤ１０８が断線したときに、このワイヤ１０８が隣り合う電極パッド１６２に接触して、ショートを起こすことがある。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、電極パッド間を接続するボンディングワイヤが断線したときでも、ショートを起こし難く、発光部を均一に発光させることができる発光モジュール及びそれを用いた照明装置を提供することを目的とする。
本発明の発光モジュールは、平板状の発光パネルと、この発光パネルの一面側に設けられ該発光パネルに給電するための配線基板と、を備えた発光モジュールであって、前記発光パネルは、前記配線基板が設けられる面の該配線基板よりも外方に形成された複数の発光パネル側電極パッドを有し、前記配線基板は、前記発光パネルと対向する面とは反対側の面の前記発光パネル側電極パッドに近接した位置に形成された複数の配線基板側電極パッドを有し、前記発光パネル側電極パッド及び前記配線基板側電極パッドはボンディングワイヤにより互いに電気的に接続され、前記発光パネル側電極パッドは、該発光パネル側電極パッドと接合されたボンディングワイヤの接合端部と共に封止樹脂によって被覆されており、前記複数の配線基板側電極パッドは、該配線基板側電極パッド同士の間隔が、前記ボンディングワイヤの前記封止樹脂によって被覆されていない部分の長さよりも長くなるように配置されていることを特徴とする。
上記発光モジュールにおいて、前記配線基板側電極パッド同士の間隔のうち、最も短い間隔が、前記ボンディングワイヤの全長よりも短いことが好ましい。
上記発光モジュールにおいて、前記複数の配線基板側電極パッドは、陽極及び陰極が交互に並ぶように配置されていることが好ましい。
この発光モジュールにおいて、前記配線基板側電極パッドは、該配線基板側電極パッドと接合された前記ボンディングワイヤの接合端部と共に封止樹脂によって被覆されていることが好ましい。
上記発光モジュールは照明装置に用いられることが好ましい。
本発明によれば、封止部材によって被覆されていない部分でワイヤが断線しても、配線基板側電極パッド同士の間隔が、断線したワイヤの長さよりも長いので、ワイヤが他の電極パッドに接触し難い。従って、ワイヤが断線したときでも、ショートを起こし難く、発光部を均一に発光させることができる。
本発明の一実施形態に係る発光モジュールを用いた照明装置の分解斜視図。 同発光モジュールの発光パネル及び回路基板の斜視図。 同発光モジュールの発光パネル及び回路基板の正面図。 同発光モジュールの発光パネル及び回路基板の一部拡大斜視図。 図３のＡ−Ａ線側断面図。 （ａ）（ｂ）は、図３の一点鎖線で囲われたＢ領域の拡大図。 上記実施形態の変形例に係る発光モジュールの側断面図。 従来の発光モジュールの側断面図。 従来の発光モジュールの電極パッドの結線部分の拡大正面図。
本発明の一実施形態に係る発光モジュール及びこの発光モジュールを用いた照明装置について、図１乃至図６を参照して説明する。図１に示すように、本実施形態の照明装置１は、有機ＥＬ素子を用いた平面状の発光パネル２を有する発光モジュール３（光源部）と、この発光モジュール３と着脱自在となるように構成された装着部４と、を備える。装着部４は、取付面４ａを介して天井や壁に取り付けられ、発光モジュール３は、この装着部４に装着されて居住空間等に対して光を照射する。
発光モジュール３は、発光パネル２の発光面側（図１の下方向）に設けられて光を出射する透光性を有するカバー５１と、発光パネル２の非発光面側（図１の上方向）に設けられてカバー５１を保持するケース５２と、を備える。これらカバー５１及びケース５２はパッケージ５を構成する。このパッケージ５に、発光パネル２と、発光パネル２の非発光面側に載置されて発光パネル２に給電するための配線基板６とが収納される。装着部４は、発光パネル２を点灯制御するための回路基板４１と、この回路基板４１を収容するハウジング４２と、を備える。
発光パネル２は、図２乃至図４に示すように、透光性を有する矩形状の基板２１と、この基板２１上に、所定形状にパターニングされた透明電極（不図示）を介して発光機能を有する発光層、光反射性を有する陰極を積層した発光部２２と、を有する。これら基板、透明電極（陽極）、発光層、陰極には、有機ＥＬ素子の製造において汎用される材料が適宜に用いられる。
また、基板２１上には、配線基板６が設けられる面であって、配線基板６よりも外方の位置に、複数の発光パネル側電極パッド２３ａ，２３ｂが形成されている。発光パネル側電極パッド２３ａ，２３ｂは、基板２１の両端部に沿って夫々複数形成され、透明電極２２ａ（後述する図５参照）等を介して発光部２２と電気的に接続され、陽極に相当するパッド２３ａ及び陰極に相当するパッド２３ｂが交互に並ぶように配置される。このように、複数の発光パネル側電極パッド２３ａ，２３ｂを発光部２２の周囲に分散して配置することにより、発光部２２に流れる電流を均一化し、発光部２２の面発光輝度を均一化することができる。発光部２２は、水分や酸素等から有機材料を含む発光部２２の発光層等を保護する封止缶２４（後述する図５も参照）に覆われている。この封止缶２４は、発光部２２の陰極側の外形に対応した箱状となるように、ガラス等の材料から形成されている。また、発光パネル側電極パッド２３ａ，２３ｂは、封止樹脂部材７によって被覆されている。
配線基板６には、難燃性及び低導電率を両立した基材が中央が開口した枠型状になるように形成された部材が用いられる。この基材には、ガラス繊維布にエポキシ樹脂等を含侵させて硬化させたガラス繊維板、例えば、ＦＲ−４等が用いられる。配線基板６には、ケース５２（図１参照）と対向する面に、配線基板６と装着部４の回路基板４１とを電気的に接続する端子部６１が設けられている。端子部６１は、配線基板６に接合される固定部６１ａ及びこの固定部６１ａから立設された平刃型の接触部６１ｂから構成される。この接触部６１ｂが、ケース５２に形成された溝部５３（上記図１参照）を通して、装着部４側に露出する。本例においては、一対の端子部６１が、配線基板６の一方の端部に設けられている。
また、配線基板６上には、上面視において発光パネル側電極パッド２３ａ，２３ｂと近接する位置に形成された複数の配線基板側電極パッド６２ａ，６２ｂが形成されている。更に、配線基板６には、端子部６１と電気的に接続された陽極線及び陰極線（不図示）が形成されている。これら電極線が絶縁材料によって被覆されると共に、発光パネル２と対向する面とは反対側の面において、それらの一部が露出して配線基板側電極パッド６２ａ，６２ｂと接続される。配線基板側電極パッド６２ａ，６２ｂは、発光パネル２の陽極及び陰極に夫々電気的に接続された発光パネル側電極パッド２３ａ，２３ｂと夫々導電性を有するボンディングワイヤ（以下、ワイヤ８）によって結線される。発光パネル２と配線基板６とは、耐熱性、耐湿性及び応力緩和性に優れる芯材入りのアクリル系両面接着テープ等の固定部９（後述する図５も参照）によって接着固定される。
発光モジュール３のパッケージ５（カバー５１及びケース５２）及び装着部４の構成について、上述した図１を参照して説明する。カバー５１は、ケース５２側の面が開口した箱状に形成されており、発光パネル２からの光を出射する光出射面５１ａと、この光出射面５１ａの外周縁から立設されて発光パネル２の外周面を覆う側壁５１ｂと、を有する。側壁５１ｂは、その内周面が、発光パネル２の外周面に適合するように形成されている。こうすれば、カバー５１に発光パネル２を嵌め込むだけで、発光パネル２及び配線基板６の位置決めを容易に行なうことができる。カバー５１の側壁５１ｂは、その外周面にカバー５１をケース５２に係合させるための複数の嵌合爪５１ｃを有する。これら嵌合爪５１ｃは、光出射面５１ａの外周方向に突出するように形成され、側壁５１ｂの外周面に所定間隔で設けられている。カバー５１の構成材料としては、例えば、透明なＡＢＳ樹脂やアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂等のプラスチック材料等が用いられる。
ケース５２は、カバー５１側の面（裏面側）が開口した箱形状に形成されている。また、ケース５２は、凹形状の主面５２ａと、この主面５２ａの外周縁から立設されてカバー５１の側壁５１ｂの外周を覆う側壁５２ｂと、を有する。側壁５２ｂは、その内周面にカバー５１の嵌合爪５１ｃが嵌合される複数の嵌合溝（不図示）を有する。これら嵌合溝は、側壁５２ｂにおいて嵌合爪５１ｃに対応する位置に設けられている。
また、ケース５２は、その表面側の周部が装着部４側に凸状となるように形成され、凸状となった部分の裏面側において配線基板６を収容する凹状の配線基板収容部５４を有する。この配線基板収容部５４は、配線基板６に対応する枠状に形成されている。また、ケース５２は、その非発光面側の一端部に一対の係合部５５を有する。係合部５５は、装着部４の発光モジュール３が装着される装着面４ｂに設けられた被係合部（不図示）と係合する。係合部５５は先端が外側に向いたフック形状に形成され、装着部４の被係合部は係合部５５に対応した形状に形成されている。係合部５５が被係合部に係合された状態で、発光モジュール３は装着部４に対して回動自在とされる。また、ケース５２は、主面５２ａのうち係合部５５が設けられている一端部とは他方側の端部に保持部５６を有する。保持部５６は、装着部４の装着面４ｂに設けられている被保持部４３に保持される。保持部５６は係合部５５と同様に先端が外側に向いたフック形状に形成され、被保持部４３は保持部５６に対応した形状に形成されている。これら保持部５６及び被保持部４３は、発光モジュール３を装着部４へ装着した状態で保持する。つまり、発光モジュール３は、係合部５５を装着部４の被係合部に係止させ、この係止された端部を軸として、他方側の端部を回動させ、保持部５６を被保持部４３に係止させることで、装着部４に装着される。
ケース５２の構成材料には、カバー５１の構成材料と同様のものの他、表面に絶縁処理が施されたアルミニウム等の金属材料等の透明性がない材料が用いられてもよく、側壁６ｂが僅かに撓むように所定の弾性を有する材料が好適に用いられる。なお、ケース５２の主面５２ａと側壁５２ｂとを接続する角部は、図例のように、一部面取りされていることが好ましい。こうすれば、発光モジュール３の外観をスリム化することができる。
装着部４は、上述した回路基板４１及びハウジング４２に加え、端子部６１（図２参照）と回路基板４１とを電気的に接続する一対の端子受部４４を備える。ハウジング４２は、発光モジュール３側に凸状に形成されて、回路基板４１を収容する凹状の回路基板収容部４５を有する。また、ハウジング４２には、端子部６１を挿通させる貫通溝４６が設けられている。なお、回路基板４１上には、回路基板４１を保護するための保護部材４７が載置される。回路基板４１には、配線基板６と同様の基材が用いられ、矩形状に形成された基材の発光モジュール３側の面に、発光パネル２を点灯駆動するための駆動ドライバ等の各種素子（不図示）が実装される。また、回路基板４１には、端子受部４４との接合部及び外部給電用端子４８が設けられ、これら接合部、外部給電用端子４８及び駆動ドライバ等が回路基板４１に設けられた配線パターンによって電気的に接続される。端子受部４４は、所定形状に屈曲した一対の略Ｌ字形状の金属片であり、一方の端部が回路基板４１に固定され、他方の端部が発光モジュール３側へ立設されて接触部を成し、この接触部がクリップ状に形成されて、貫通溝４６を挿通した端子部６１を挟持する。これにより、端子受部４４と端子部６１との電気的な接続がなされる。
次に、発光パネル２及び配線基板６の接合構造について、上述した図４に加えて、図５及び図６を参照して説明する。図５は、図３に示す陽極に相当する各電極パッド２３ａ，６２ａを通るＡ−Ａ線断面である。陰極に相当する各電極パッド２３ｂ，６２ｂを通る断面は、発光部２２から発光パネル側電極パッド２３ｂへの電極取り出し構造が異なるが、各電極パッド２３ｂ，６２ｂの接合構造は、陽極側の接合構造と同様であり、図示を省略した。配線基板６は、封止缶２４上に接着テープ等の固定部９によって接着固定されている。固定部９は、配線基板６の封止缶２４と対向する面において、配線基板側電極パッド６２ａ，６２ｂが形成された箇所の直下位置に設けられている。この固定部９は、配線基板側電極パッド６２ａ，６２ｂの夫々に対応するように点状に配されていてもよいし、各配線基板側電極パッド６２ａ，６２ｂに沿う線状に配されていてもよい（図３も参照）。発光パネル２と配線基板６が固定された状態で、配線基板側電極パッド６２ａ，６２ｂと発光パネル側電極パッド２３ａ，２３ｂとがワイヤ８により結線される。
ワイヤ８は、各パッド間に複数本（図例では３本）結線されることが望ましい。こうすれば、いずれかのワイヤ８が断線した場合でも、他のものが断線されなければ、各パッド間の電気的接続は切断されないので、発光部２２を均一に発光させることができる。ワイヤ８には、例えば、純アルミニウム線が用いられる。この純アルミニウム線は、超音波接合により、常温かつ短時間で、各電極端子を構成する導電層とを接合することができる。ワイヤ８の径は、発光パネル２の消費電流や材質等を考慮して決定される。例えば、消費電流が１Ａである場合、安全率５０％を考慮に入れて、溶断電流が２Ａの１００μｍ線径以上のワイヤが用いられる。なお、アルミニウムの他に、銅や金のワイヤも用いてもよい。
ワイヤ８のボンディングが完了した後、発光部２２を封止する封止缶２４の側端部から発光パネル側電極パッド２３ａ，２３ｂを被覆するように封止樹脂部材７が設けられる。この封止樹脂部材７には、例えば、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等が用いられる。封止樹脂部材７は、上記樹脂材料が、封止缶２４の側端部から発光パネル側電極パッド２３ａ，２３ｂを被覆するように、ディスペンサ等によって塗布されることにより形成される。つまり、発光パネル側電極パッド２３ａ，２３ｂは、接合されたワイヤ８の接合端部と共に封止樹脂部材７によって被覆されている。このとき、封止樹脂部材７は、樹脂材料を塗布した際に、封止缶２４の側端部側及びワイヤ８の近傍において流動性が低くなるので、これらの近傍において厚みが厚くなり、基板２１の周縁側へ向かうほど、厚みが薄くなる。そのため、封止樹脂部材７のケース５２に対向する面は、周縁方向に傾斜する斜面となる。また、ワイヤ８は、発光パネル側電極パッド２３ａ，２３ｂとの接合箇所を含む、ワイヤ８の全長Ｌ２（図６（ａ）参照）の３０〜６０％が封止樹脂部材７によって被覆される。一方、ワイヤ８の配線基板側電極パッド６２ａ，６２ｂ側の部分は、封止樹脂部材７によって被覆されない。
配線基板側電極パッド６２ａ，６２ｂは、図５及び図６（ａ）に示したように、これら電極パッド６２ａ，６２ｂ同士の間隔Ｄが、ワイヤ８の封止樹脂部材７によって被覆されていない部分の長さＬ１よりも長くなるように配置されている。この構成によれば、ワイヤ８と発光パネル側電極パッド２３ａ，２３ｂとの接合箇所は、それらがボンディングされているだけでなく、封止樹脂部材７によって固定されるので、ワイヤ８の封止樹脂部材７で覆われた部分においてワイヤ８が断線することは殆ど無い。一方、図６（ｂ）に示したように、ワイヤ８は、配線基板側電極パッド６２ａ，６２ｂ側の封止樹脂部材７によって被覆されていない部分において、衝撃等によって断線することがある。これに対して、配線基板側電極パッド６２ａ，６２ｂ同士の間隔Ｄが、断線したワイヤ８の長さよりも長いので、断線したワイヤ８の端部が、他の電極パッド（図例では配線基板側電極パッド６２ｂ）に接触し難い。そのため、この発光モジュール３によれば、ワイヤ８が断線したときでも、ショートを起こし難く、発光部２２を均一に発光させることができる。
配線基板側電極パッド６２ａ，６２ｂ同士の間隔のうち、最も短い間隔（図示した間隔Ｄ）は、ワイヤ８の封止樹脂部材７によって被覆されていない部分の長さＬ１より長ければ、ワイヤ８の全長Ｌ２よりも短くてもよい。配線基板側電極パッド６２ａ，６２ｂ同士の間隔が短ければ、ワイヤボンディングに用いられるボンディングツールの移動距離が短くなるので、隣り合う電極パッドにおいて、ボンディングを連続的に行なうことができ、生産性が良くなる。
上記実施形態の変形例に係る発光モジュールについて、図７を参照して説明する。この変形例に係る発光モジュール３においては、配線基板側電極パッド６２ａ，６２ｂが、これらと接合されたワイヤ８の接合端部と共に封止樹脂７’によって被覆されている。この構成によれば、封止樹脂７’が配線基板側電極パッド６２ａ，６２ｂを保護すると共に、これら配線基板側電極パッド６２ａ，６２ｂと、ワイヤ８との断線を防止することができる。また、ワイヤ８は、封止樹脂部材７等によって被覆されていない部分が少なくなるので、断線したワイヤ８の端部が僅かな範囲でしか移動できない。そのため、例えば、隣り合う配線基板側電極パッド６２ａ，６２ｂに結線された夫々のワイヤ８が断線しても、各ワイヤ８同士が接触し難くなる。なお、この樹脂部材７’は、上述した発光パネル側電極パッド２３ａ，２３ｂを被覆する封止樹脂部材７と一体的に形成されていてもよい。また、封止樹脂７’は、その高さがアーチ状に結線されたワイヤ８の頂頭部よりも低くなるように形成されることが望ましい。こうすれば、発光パネル２の厚みが増すことなく、発光モジュール３をスリム化することができる。
本発明は上記実施形態の構成に限られず、発明の趣旨を変更しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、封止樹脂部材７は、透光性又は光反射性を有する樹脂材料から形成されていてもよい。この構成によれば、発光部２２から出射された一部の光が、正面方向に出射されることなく、基板２１の側方方向に導光された場合であっても、この光が封止樹脂部材７に入射する。そして、封止樹脂部材７に入射した光が、封止樹脂部材７の非発光面側の面で全反射される、又は基板２１と封止樹脂部材７との界面で反射されて、基板２１から発光モジュール３の正面方向に出射される。その結果、発光モジュール３の光利用効率を向上させることができる。
１ 照明装置
２ 発光パネル
２１ 基板
２２ 発光部
２３ａ 発光パネル側電極パッド（陽極）
２３ｂ 発光パネル側電極パッド（陰極）
３ 発光モジュール
６ 配線基板
６２ａ 配線基板側電極パッド（陽極）
６２ｂ 配線基板側電極パッド（陰極）
７ 封止樹脂部材（封止樹脂）
８ ワイヤ（ボンディングワイヤ）

Claims (5)

  1. 平板状の発光パネルと、この発光パネルの一面側に設けられ該発光パネルに給電するための配線基板と、を備えた発光モジュールであって、
    前記発光パネルは、前記配線基板が設けられる面の該配線基板よりも外方に形成された複数の発光パネル側電極パッドを有し、
    前記配線基板は、前記発光パネルと対向する面とは反対側の面の前記発光パネル側電極パッドに近接した位置に形成された複数の配線基板側電極パッドを有し、
    前記発光パネル側電極パッド及び前記配線基板側電極パッドはボンディングワイヤにより互いに電気的に接続され、
    前記発光パネル側電極パッドは、該発光パネル側電極パッドと接合されたボンディングワイヤの接合端部と共に封止樹脂によって被覆されており、
    前記複数の配線基板側電極パッドは、該配線基板側電極パッド同士の間隔が、前記ボンディングワイヤの前記封止樹脂によって被覆されていない部分の長さよりも長くなるように配置されていることを特徴とする発光モジュール。
  2. 前記配線基板側電極パッド同士の間隔のうち、最も短い間隔が、前記ボンディングワイヤの全長よりも短いことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  3. 前記複数の配線基板側電極パッドは、陽極及び陰極が交互に並ぶように配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光モジュール。
  4. 前記配線基板側電極パッドは、該配線基板側電極パッドと接合された前記ボンディングワイヤの接合端部と共に封止樹脂によって被覆されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光モジュールを用いた照明装置。
JP2011208042A 2011-09-22 2011-09-22 発光モジュール及び照明装置 Expired - Fee Related JP5838299B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011208042A JP5838299B2 (ja) 2011-09-22 2011-09-22 発光モジュール及び照明装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011208042A JP5838299B2 (ja) 2011-09-22 2011-09-22 発光モジュール及び照明装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013069576A JP2013069576A (ja) 2013-04-18
JP5838299B2 true JP5838299B2 (ja) 2016-01-06

Family

ID=48475029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011208042A Expired - Fee Related JP5838299B2 (ja) 2011-09-22 2011-09-22 発光モジュール及び照明装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5838299B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013182867A (ja) * 2012-03-05 2013-09-12 Konica Minolta Inc 面状発光体及び照明装置
JP6078295B2 (ja) * 2012-10-29 2017-02-08 株式会社カネカ 有機ｅｌ装置
KR102107622B1 (ko) * 2013-09-06 2020-05-07 엘지이노텍 주식회사 조명장치
JP2015079737A (ja) * 2013-09-11 2015-04-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光モジュール

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58182837A (ja) * 1982-04-21 1983-10-25 Hitachi Ltd 樹脂封止半導体装置の製造方法
JP2001143864A (ja) * 1999-11-16 2001-05-25 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子及びその製造方法
JP5394106B2 (ja) * 2009-03-26 2014-01-22 パナソニック株式会社 面状発光素子に対する給電方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013069576A (ja) 2013-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4860530B2 (ja) Ｅｌ光源体
JP5796171B2 (ja) 発光モジュール
EP2495492B1 (en) Illumination device
JP4432846B2 (ja) 照明装置および照明器具
JP5581029B2 (ja) 照明モジュール
JP5883270B2 (ja) Ｌｅｄランプ
JP5838299B2 (ja) 発光モジュール及び照明装置
JP2007227210A (ja) 発光ダイオードを利用した照明器具
JP5948649B2 (ja) 発光モジュール及び照明装置
JP5830711B2 (ja) 発光モジュール
JP2010129923A (ja) 発光部材、発光装置、照明装置、バックライト装置および発光部材の製造方法
JP5789757B2 (ja) 照明装置
JP5877380B2 (ja) 照明装置
JP5909668B2 (ja) 照明装置
JP5067631B2 (ja) 照明装置
KR20110105056A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 라이트 유닛 및 조명 장치
JP5482568B2 (ja) 有機ｅｌモジュールおよび有機ｅｌ照明装置
JP5914839B2 (ja) 発光装置及びそれを備えた照明器具
JP5845053B2 (ja) Ｌｅｄランプ
KR101328073B1 (ko) 횡형 발광소자 및 이를 적용하는 발광 시트
JP6028443B2 (ja) 発光装置
CN210069530U (zh) 一种led三维立体通透发光灯具
JP2013050520A (ja) 発光装置、照明装置
JP6101458B2 (ja) 有機ｅｌモジュール及び有機ｅｌモジュールの敷設構造
JP4944709B2 (ja) 照明器具

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140605

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20141008

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20141017

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150317

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150318

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150420

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150526

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150608

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5838299

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees