JP5819338B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
図4は、第1実施形態による、データ保持回路DRとデータラッチ回路DLとの接続回路の構成を示す模式図である。
図5は、第2実施形態による、データ保持回路DRとデータラッチ回路DLとの接続回路の構成を示す模式図である。
図7は、第3実施形態による、データ保持回路DRとデータラッチ回路DLとの接続回路の構成を示す模式図である。
図8は、第4実施形態による、データ保持回路DRとデータラッチ回路DLとの接続回路の構成を示す模式図である。
図9は、第5実施形態による、データ保持回路DRとデータラッチ回路DLとの接続回路の構成を示す模式図である。
図10は、第6実施形態による、データ保持回路DRとデータラッチ回路DLとの接続回路の構成を示す模式図である。
Claims (4)
- データ入出力端子に接続されたn(nは2以上の自然数)個のデータ保持回路と、
前記n個のデータ保持回路のそれぞれに接続されたn本のバスと、
1本の前記バスあたりm(mは2以上の自然数)個接続された、m×n個のデータラッチ回路と、
同じ前記バスに接続されたすべての前記データラッチ回路が同じグループに含まれないようにグループ分けされた複数の前記データラッチ回路を含むグループ単位で、前記複数のデータラッチ回路に対して前記データ保持回路との間でのデータ転送を実行する選択回路と、
を備え、
前記グループの選択は、クロックのタイミングに合わせて切り替わり、
前記選択回路は、前記グループを複数同時に選択するレジスタ回路を有し、
前記データ保持回路は、前記データ保持回路に入力した入力データおよび前記入力データの反転データを保持し、
前記データ保持回路は、前記入力データを前記データラッチ回路に転送する経路と、前記反転データを前記データラッチ回路に転送する反転経路と、を有する半導体記憶装置。 - データ入出力端子に接続されたn(nは2以上の自然数)個のデータ保持回路と、
前記n個のデータ保持回路のそれぞれに接続されたn本のバスと、
1本の前記バスあたりm(mは2以上の自然数)個接続された、m×n個のデータラッチ回路と、
同じ前記バスに接続されたすべての前記データラッチ回路が同じグループに含まれないようにグループ分けされた複数の前記データラッチ回路を含むグループ単位で、前記複数のデータラッチ回路に対して同時に前記データ保持回路との間でのデータ転送を実行する選択回路と、
を備え、
前記選択回路は、前記グループを複数同時に選択するレジスタ回路を有する半導体記憶装置。 - 前記グループの選択が、クロックのタイミングに合わせて切り替わっていく請求項2記載の半導体記憶装置。
- 前記バスを介して前記データ保持回路と前記データラッチ回路との間に接続され、前記データ保持回路に入力した入力データに対して演算を実行し、前記入力データとは異なるデータを前記データラッチ回路に転送する演算回路をさらに備えた請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。
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