JP4284331B2 - 不揮発性半導体記憶装置のアクセス方法 - Google Patents
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- メモリセルアレイの第1のエリアにブート用データを格納し、前記メモリセルアレイの第2のエリアに、前記第1のエリアに対応する記憶アドレスを格納する、不揮発性半導体記憶装置のアクセス方法であって、
電源投入時にのみ、前記第2のエリアに格納されている前記記憶アドレスを読み出してアドレスレジスタに格納するとともに、前記アドレスレジスタに格納された前記記憶アドレスに対応する、前記第1のエリアに格納されている前記ブート用データを読み出してデータレジスタに格納することと、
リードイネーブル信号のエッジに応答して、前記データレジスタから前記ブート用データを読み出すことと
を具備し、
前記第1のエリアを、前記メモリセルアレイ上で任意に設定できることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置のアクセス方法。 - 前記第1のエリアは、所定の第1のアドレス空間以外の、ユーザによるデータの書き込みが可能な第2のアドレス空間内に任意に設けられるものであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置のアクセス方法。
- 前記ブート用データは、複数の入出力端子を介して、前記不揮発性半導体記憶装置の外部に読み出されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置のアクセス方法。
- 前記不揮発性半導体記憶装置は、状態信号出力端子を備え、前記状態信号出力端子より初期化状態を示す状態信号を出力させた後、前記ブート用データを前記データレジスタに格納することにより、アクセス可能な状態になることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置のアクセス方法。
- 前記メモリセルアレイは、データの電気的書き換えが可能なNAND型フラッシュメモリからなるものであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置のアクセス方法。
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