JP2009146495A - Nand型フラッシュメモリ - Google Patents
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Abstract
【課題】テスト用のデータを入力する時間を大幅に削減して、テスト時間の短縮を図ることが可能なNAND型フラッシュメモリを提供する。
【解決手段】テスト制御回路10は、第1の切替回路11と、テストラッチ回路12と、第2の切替回路13と、テスト制御信号生成回路14とを有する。テストラッチ回路12は、データ入出力バッファ9を介して入力されたテスト用のデータパターンを一時的に保持する。本発明によれば、異なるデータラッチ回路4にテスト用の同じデータパターンをラッチする際に、その都度、外部からデータパターンを入力せずに、テストラッチ回路12からデータラッチ回路4に転送するだけで済むため、テスト用のデータパターンをデータラッチ回路4にラッチするまでの時間を大幅に短縮でき、テスト時間も短縮できる。
【選択図】図2
【解決手段】テスト制御回路10は、第1の切替回路11と、テストラッチ回路12と、第2の切替回路13と、テスト制御信号生成回路14とを有する。テストラッチ回路12は、データ入出力バッファ9を介して入力されたテスト用のデータパターンを一時的に保持する。本発明によれば、異なるデータラッチ回路4にテスト用の同じデータパターンをラッチする際に、その都度、外部からデータパターンを入力せずに、テストラッチ回路12からデータラッチ回路4に転送するだけで済むため、テスト用のデータパターンをデータラッチ回路4にラッチするまでの時間を大幅に短縮でき、テスト時間も短縮できる。
【選択図】図2
Description
本発明は、NANDセルを複数個配置したNAND型フラッシュメモリに関する。
NAND型フラッシュメモリは微細化が進む一方であり、製造時の検査工程において、ビット線の配置方向におけるデータパターンのテストと、センスアンプの配置方向におけるデータパターンのテストとを行うことが信頼性を確保する上で欠かせなくなっている(特許文献1参照)。これらのテストでは、種々のデータパターンを入力する必要がある。
従来は、データの入力を意味するDataInコマンドを用いて、テストパターンの全データを、センスアンプに隣接したデータラッチ回路に転送していた。
このようなテスト手法では、メモリセルアレイ内の他のページに対してテストを行う場合などは、仮に同じデータパターンを用いる場合であっても、毎回データを入力しなければならず、データ入力に時間がかかるという問題があった。
テスタを用いてテストを行う場合、テスタでは測定に使用できるピンの数が限られているため、テスタを特殊なモードに設定して、テスト対象のチップ1個当たりで使用するピン数を減らして、同時に測定できるチップ数を増やすのが一般的である。
しかしながら、このような特殊なモードでは、1チップ当たりの使用ピン数を削減できるものの、テストに使用するコマンドとテスト用のデータパターンを入力するのに数多くのクロックを必要とし、その分だけテスト時間がかかってしまう。
また、各ビット線ごとにセンスアンプを設ける場合には、全ビット線の電位が同時に変化するため、ビット線干渉が起きやすい。このため、テストの際には、ビット線電位の組合わせに応じたデータパターンをビット線に供給しなければならず、データパターンの種類が増えてしまう。従来の手法では、データパターンの種類が増えると、データの入力だけでもかなりの時間がかかってしまい、テスト時間が長くなるという問題があった。
特開平10−12000号公報
本発明は、テスト用のデータを入力する時間を大幅に削減して、テスト時間の短縮を図ることが可能なNAND型フラッシュメモリを提供するものである。
本発明の一態様によれば、電気的に書き換え可能な複数のメモリセルをマトリクス状に配置したメモリセルアレイを備え、
前記メモリセルアレイは、第1方向に隣接する前記メモリセルのソースおよびドレインを接続したNANDセルを第2方向に複数個配置して構成されるNAND型フラッシュメモリにおいて、
前記NANDセルごとに設けられる複数のビット線と、
前記ビット線ごとに設けられる複数のセンスアンプと、
前記センスアンプごとに設けられ、対応するセンスアンプとやり取りするデータを一時的に保持する複数のデータラッチ回路と、
外部から供給されたテストデータを一時的に保持する少なくとも一つのテストラッチ回路と、
前記テストラッチ回路に保持されたデータを、前記複数のデータラッチ回路のうち少なくとも二つに供給する制御を行うデータ切替回路と、を備えるNAND型フラッシュメモリが提供される。
前記メモリセルアレイは、第1方向に隣接する前記メモリセルのソースおよびドレインを接続したNANDセルを第2方向に複数個配置して構成されるNAND型フラッシュメモリにおいて、
前記NANDセルごとに設けられる複数のビット線と、
前記ビット線ごとに設けられる複数のセンスアンプと、
前記センスアンプごとに設けられ、対応するセンスアンプとやり取りするデータを一時的に保持する複数のデータラッチ回路と、
外部から供給されたテストデータを一時的に保持する少なくとも一つのテストラッチ回路と、
前記テストラッチ回路に保持されたデータを、前記複数のデータラッチ回路のうち少なくとも二つに供給する制御を行うデータ切替回路と、を備えるNAND型フラッシュメモリが提供される。
本発明によれば、テスト用のデータを入力する時間を大幅に削減して、テスト時間の短縮を図ることができる。
以下、図面を参照しながら、本発明の一実施形態について説明する。
(第1の実施形態)
図1は本発明の第1の実施形態によるNAND型フラッシュメモリの概略構成を示すブロック図である。図1のNAND型フラッシュメモリは、電気的に書き換え可能な複数のメモリセルをマトリクス状に配置したメモリセルアレイ1と、ロウ方向に配置されるワード線を駆動するロウデコーダ2と、カラム方向に配置されるビット線の電位をセンスするセンスアンプ3と、センスアンプ3に接続されるデータラッチ回路4と、ビット線の選択を行うカラムセレクタ5と、データの書込み、消去および読出しを制御するメモリ制御回路6と、データの書込みや読出し等に用いる電圧を発生する昇圧回路7と、カラムセレクタ5を制御するカラムデコーダ8と、データ入出力バッファ9と、本実施形態の特徴部分であるテスト制御回路10と、を備えている。
図1は本発明の第1の実施形態によるNAND型フラッシュメモリの概略構成を示すブロック図である。図1のNAND型フラッシュメモリは、電気的に書き換え可能な複数のメモリセルをマトリクス状に配置したメモリセルアレイ1と、ロウ方向に配置されるワード線を駆動するロウデコーダ2と、カラム方向に配置されるビット線の電位をセンスするセンスアンプ3と、センスアンプ3に接続されるデータラッチ回路4と、ビット線の選択を行うカラムセレクタ5と、データの書込み、消去および読出しを制御するメモリ制御回路6と、データの書込みや読出し等に用いる電圧を発生する昇圧回路7と、カラムセレクタ5を制御するカラムデコーダ8と、データ入出力バッファ9と、本実施形態の特徴部分であるテスト制御回路10と、を備えている。
図2はメモリセルアレイ1の構造を示すブロック図である。図2に示すように、メモリセルアレイ1は、ロウ方向に隣接するメモリセルのソースおよびドレインを接続したNANDセル(メモリセル列)をカラム方向に複数個配置して構成されている。
一つのNANDセルは例えば32ビット分のメモリセルを有し、これらを一括消去の単位としている。以下では、この単位をブロックと呼ぶ。メモリセルアレイ1内には、ロウ方向に複数のブロックが設けられている。
NANDセルの一端とビット線との間には選択トランジスタS0が接続されている。また、NANDセルの他端とソース線との間には選択トランジスタS1が接続されている。これらNANDセルと選択トランジスタS0,S1を合わせたものでNANDセルユニット20が構成される。
各ビット線ごとにセンスアンプ3が設けられている。センスアンプ3は、データの読出し時にはビット線のデータをセンスし、データの書込み時には外部から供給されたデータを一時的に保持する。また、センスアンプ3は、書込み時や消去時にビット線に対して所定の電圧を選択的に供給する。
データラッチ回路4は、各センスアンプ3ごとに設けられており、対応するセンスアンプ3に供給する前のデータを一時的に保持(ラッチ)する。データラッチ回路4はカラムセレクタ5に接続されている。
カラムセレクタ5とデータ入出力バッファ9との間には、テスト制御回路10が設けられている。このテスト制御回路10は、第1の切替回路11と、テストラッチ回路12と、第2の切替回路13と、テスト制御信号生成回路14とを有する。第1の切替回路11と第2の切替回路13は、互いに非同期に動作する。第2の切替回路13は、カラムセレクタ5と同期して動作する。
第1の切替回路11と第2の切替回路13は、テスト制御信号生成回路14からの制御信号により切替制御を行う。テスト制御信号生成回路14には、データパターンのラッチ(ロード)を指示するコマンド信号DPLOADと、テストすべきカラム数を示す信号COLENDとが入力され、これらの信号に基づいて、第1の切替回路11を切替制御する信号と、第2の切替回路13を切替制御する信号とを生成する。
テストラッチ回路12は、データ入出力バッファ9を介して入力されたテスト用のデータパターンを一時的に保持する。テスト制御信号生成回路14は、第1の切替回路11と第2の切替回路13の切替タイミングを制御する。
図3はテスト制御回路10周辺の詳細構成を示すブロック図である。図3において、テストラッチ回路12は、2つのテストレジスタ12a,12bを有する。第1の切替回路11は、2つのテストレジスタ12a,12bのいずれか一方を選択する。選択されたテストレジスタには、テスト用のデータパターンが一時的に保持される。第2の切替回路13は、2つのテストレジスタ12a,12bがデータを保持している場合に、いずれか一方のレジスタを選択してカラムセレクタ5に供給する。
第2の切替回路13とカラムセレクタ5とは連動しており、第2の切替回路13が選択したテストレジスタ内のデータは、対応するデータラッチ回路4に保持される。
本実施形態では、同じテストレジスタ内の同一データを、複数のデータラッチ回路4に保持することを前提としている。これにより、その都度、データ入出力バッファ9からデータを供給しなくて済み、データ入力時間を短縮できる。
図4は図3のテスト制御回路10の動作を示すタイミング図である。まず、テスト制御回路10は、第1の切替回路11を交互に切り替えて、2つのテストラッチ回路12a,12bに互いに異なるデータパターンをラッチする。
次に、メモリセルアレイ1内のブロック1を選択した状態で、第2の切替回路13を交互に切り替えて、その切替タイミングに同期して、カラムセレクタ5(CSL<1:4>)を順に選択する。これにより、ブロック1内のカラムセレクタ5(CSL1,CSL3)に対応する2つのデータラッチ回路4には、テストラッチ回路12にラッチされたデータと同じデータがラッチされ、カラムセレクタ5(CSL2,CSL4)に対応する2つのデータラッチ回路4には、テストラッチ回路12にラッチされたデータと同じデータがラッチされる。その後、ブロック2以降についても、同様にデータラッチ回路4にテストラッチ回路12にラッチされたデータと同じデータがラッチされる。あるいは、複数のブロックについて並行して、各ブロック内の同じ位置のデータラッチ回路4に、テストラッチ回路12からのデータをラッチしてもよい。
図4では、ブロック1、3、5については、同時にデータラッチ回路4へのデータ転送を行っており(時刻t1〜t2)、ブロック1、3、5内の同一位置のデータラッチ回路4には、同じテストラッチ回路12からのデータがラッチされる。また、ブロック2、4、6についても、同時にデータラッチ回路4へのデータ転送を行っており(時刻t2〜t3)、ブロック2、4、6内の同一位置のデータラッチ回路4には、同じテストラッチ回路12からのデータがラッチされる。
本実施形態では、異なるデータラッチ回路4に同じデータをラッチする際には、同一のテストラッチ回路12にラッチされているデータを用いるため、異なるデータラッチ回路4にデータをラッチするたびに外部からデータパターンを入力する必要がなくなり、データ入力時間を短縮できる。
図4では、隣接するカラムセレクタ5に対応するデータラッチ回路4には互いに異なるデータをラッチする例を示したが、データラッチ回路4にラッチするデータは図4に示した例に限定されない。
このように、本実施形態では、テスト用の2種類のデータパターンをラッチする2つのテストラッチ回路12と、これら2つのテストラッチ回路12とカラムセレクタ5の間に接続される第2の切替回路13とを設けるため、異なるデータラッチ回路4にテスト用の同じデータパターンをラッチする際に、その都度、外部からデータパターンを入力せずに、テストラッチ回路12からデータラッチ回路4に転送するだけで済むため、テスト用のデータパターンをデータラッチ回路4にラッチするまでの時間を大幅に短縮でき、テスト時間も短縮できる。特に、本実施形態によれば、テストすべきデータパターンの数が多い場合に、効果が大きい。
(第2の実施形態)
第2の実施形態は、第1の実施形態よりもテストラッチ回路12の数を増やしたものである。
第2の実施形態は、第1の実施形態よりもテストラッチ回路12の数を増やしたものである。
図5は本発明の第2の実施形態によるテスト制御回路10周辺の詳細構成を示すブロック図である。図5では、図3と共通する構成部分には同一符号を付しており、以下では相違点を中心に説明する。
図5のテスト制御回路10内のテストラッチ回路12は、4つのテストレジスタ12a,12b,12c,12dを有する。第1の切替回路11は、4つのテストレジスタ12a,12b,12c,12dのうちいずれか一つを選択する。選択されたテストレジスタには、データ入出力バッファ9からのテスト用のデータパターンが一時的に保持(ラッチ)される。4つのテストレジスタ12a,12b,12c,12dには、それぞれ異なるデータパターンがラッチされる。
図6は図5のテスト制御回路10の動作を示すタイミング図である。図6に示すように、第2の切替回路13の切替タイミングに同期して、カラムセレクタ5(CSL<1:4>)を順に選択する。これにより、ブロック1内のカラムセレクタ5(CSL1)に対応するデータラッチ回路4にはテストラッチ回路12aにラッチされたデータと同じデータがラッチされる。同様に、カラムセレクタ5(CSL<2:4>)に対応するデータラッチ回路4にはそれぞれ、テストラッチ回路12b〜12dにラッチされたデータと同じデータがラッチされる。
ブロック1内のデータラッチ回路4へのデータ転送が終了すると(時刻t2)、今度はブロック2内のデータラッチ回路へのデータ転送が行われる(時刻t2〜t3)。以後、ブロックごとにデータ転送が行われる。
このように、第2の実施形態によれば、4種類のデータパターンを迅速に各データラッチ回路4にラッチさせることができ、その都度外部からデータパターンを入力する場合と比べて、データ入力時間を大幅に削減できる。
(第3の実施形態)
第3の実施形態は、テストラッチ回路12をリング状のシフトレジスタで構成したものである。
第3の実施形態は、テストラッチ回路12をリング状のシフトレジスタで構成したものである。
図7は本発明の第3の実施形態によるテスト制御回路10周辺の詳細構成を示すブロック図である。図7はテストラッチ回路12の内部構成が図3および図5と異なっている。図7のテストラッチ回路12は、4つのテストレジスタ12a,12b,12c,12dをリング状に接続したシフトレジスタである。第1の切替回路11は、4つのテストレジスタ12a,12b,12c,12dの出力LIO<0:7>と反転出力bLIO<0:7>のうちいずれか一つを選択する。この他、図7のテストラッチ回路12は、出力LIO<0:7>とbLIO<0:7>のいずれか一方を選択するマルチプレクサ15を有する。
データ入出力バッファ9からのデータパターンは、第3の切替回路16を介して一つのテストレジスタのみに入力される。入力されたデータパターンはシフトされて、他のテストレジスタに転送される。シフトさせる量を可変制御し、かつ反転ビットパターンも利用することにより、種々のデータパターンを生成でき、外部からデータパターンを入力する手間を省けて、データ入力時間を削減できる。
本実施形態は、例えばページごとにデータパターンを変えてテストを行いたい場合などに、特に有効である。その都度外部からデータを入力しなくて済み、必要な分だけシフトレジスタをシフトさせて、所望のデータパターンを得ることができるためである。
このように、第3の実施形態では、テストラッチ回路12をリング状のシフトレジスタで構成したため、外部から必要最小限のデータパターンを入力するだけで、シフト量の可変制御により種々のデータパターンを生成でき、データ入力時間を大幅に削減でき、テスト時間の削減が図れる。
1 メモリセルアレイ
2 ロウデコーダ
3 センスアンプ
4 データラッチ回路
5 カラムセレクタ
6 メモリ制御回路
7 昇圧回路
8 カラムデコーダ
9 データ入出力バッファ
10 テスト制御回路
11 第1の切替回路
12 テストラッチ回路
13 第2の切替回路
14 テスト制御信号生成回路
15 マルチプレクサ
2 ロウデコーダ
3 センスアンプ
4 データラッチ回路
5 カラムセレクタ
6 メモリ制御回路
7 昇圧回路
8 カラムデコーダ
9 データ入出力バッファ
10 テスト制御回路
11 第1の切替回路
12 テストラッチ回路
13 第2の切替回路
14 テスト制御信号生成回路
15 マルチプレクサ
Claims (5)
- 電気的に書き換え可能な複数のメモリセルをマトリクス状に配置したメモリセルアレイを備え、
前記メモリセルアレイは、第1方向に隣接する前記メモリセルのソースおよびドレインを接続したNANDセルを第2方向に複数個配置して構成されるNAND型フラッシュメモリにおいて、
前記NANDセルごとに設けられる複数のビット線と、
前記ビット線ごとに設けられる複数のセンスアンプと、
前記センスアンプごとに設けられ、対応するセンスアンプとやり取りするデータを一時的に保持する複数のデータラッチ回路と、
外部から供給されたテストデータを一時的に保持する少なくとも一つのテストラッチ回路と、
前記テストラッチ回路に保持されたデータを、前記複数のデータラッチ回路のうち少なくとも二つに供給する制御を行うデータ切替回路と、を備えるNAND型フラッシュメモリ。 - 前記テストラッチ回路は、それぞれがデータを一時的に保持可能な複数のレジスタを有し、
前記データ切替回路は、
前記複数のレジスタのいずれか1つを選択して前記テストデータを供給する第1の切替回路と、
前記第1の切替回路で選択されたレジスタに保持された前記テストデータを、前記複数のデータラッチ回路のうち少なくとも二つに供給する第2の切替回路と、を有することを特徴とする請求項1に記載のNAND型フラッシュメモリ。 - 前記テストラッチ回路は、それぞれがデータを一時的に保持可能な複数のレジスタをリング状に接続したシフトレジスタを有し、
前記データ切替回路は、
前記シフトレジスタのシフト回数に応じて、前記複数のレジスタのいずれか1つを選択する第1の切替回路と、
前記第1の切替回路で選択されたレジスタに保持されたデータを、前記複数のデータラッチ回路の少なくとも二つに供給する第2の切替回路と、を有することを特徴とする請求項1に記載のNAND型フラッシュメモリ。 - 前記第1の切替回路は、前記メモリセルアレイの書き込みの単位であるページごとに、選択するレジスタの種類を切り替えることを特徴とする請求項3に記載のNAND型フラッシュメモリ。
- 前記NANDセルは、一括消去の単位であるブロックごとに設けられ、
前記データ切替回路は、前記テストラッチ回路に保持されたデータを、各ブロック内の同じ位置のデータラッチ回路に供給することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のNAND型フラッシュメモリ。
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