JP5815447B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
はじめに、各実施の形態に係る半導体装置の概要について説明する。本半導体装置は、スプリットゲート型MONOS構造のフラッシュメモリを備えた半導体装置であり、たとえば、マイコンに適用される。
ここでは、フラッシュメモリを含む半導体装置の製造方法の他の例について具体的に説明する。
Claims (7)
- 半導体基板の主表面に、素子分離絶縁膜によって第1素子形成領域を含む素子形成領域を規定する工程と、
前記第1素子形成領域の表面上に第1ゲート電極を形成する工程と、
前記第1ゲート電極の一方の側壁との間および前記第1素子形成領域の表面との間に、電荷を保持する絶縁膜を介在させて第2ゲート電極を形成する工程と、
前記第2ゲート電極の側壁に、オフセットスペーサを形成する工程と、
前記オフセットスペーサをマスクとして、前記第1素子形成領域において、前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極のうち前記第2ゲート電極が配置されている側に位置する第1領域に所定の不純物を注入することにより、所定導電型の不純物領域を形成する工程と、
前記オフセットスペーサを除去する工程と
を備え、
所定導電型の不純物領域を形成する工程では、前記第2ゲート電極が前記所定導電型の不純物領域と対向しない部分のゲート長方向の長さが、前記第2ゲート電極が前記所定導電型の不純物領域と対向する部分のゲート長方向の長さよりも長く確保される、半導体装置の製造方法。 - 前記素子形成領域を規定する工程は、第2素子形成領域および第3素子形成領域を規定する工程を含み、
前記オフセットスペーサが形成された後に、
前記第2素子形成領域の表面上に第3ゲート電極を形成する工程と、
前記第3素子形成領域の表面上に第4ゲート電極を形成する工程と
を備えた、請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記オフセットスペーサを除去する工程は、前記不純物領域が形成された後、洗浄によって除去する工程を含む、請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記オフセットスペーサを形成する工程では高温酸化膜が形成される、請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の主表面に、素子分離絶縁膜によって第1素子形成領域を含む素子形成領域を規定する工程と、
前記第1素子形成領域の表面上に第1ゲート電極を形成する工程と、
前記第1ゲート電極の一方の側壁との間および前記第1素子形成領域の表面との間に、電荷を保持する絶縁膜を介在させて第2ゲート電極を形成する工程と、
前記第1素子形成領域において、前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極のうち前記第2ゲート電極が配置されている側に位置する第1領域に、前記第2ゲート電極の上部から下部に向かって前記第2ゲート電極の側壁から徐々に離れる態様で、所定の不純物を前記主表面に対して斜めに注入することにより、所定導電型の不純物領域を形成する工程と
を備え、
所定導電型の不純物領域を形成する工程では、前記第2ゲート電極が前記所定導電型の不純物領域と対向しない部分のゲート長方向の長さが、前記第2ゲート電極が前記所定導電型の不純物領域と対向する部分のゲート長方向の長さよりも長く確保される、半導体装置の製造方法。 - 前記第1素子形成領域において、前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極のうち前記第1ゲート電極が配置されている側に位置する第2領域を覆い、前記第1領域を露出するフォトレジストパターンを形成する工程を備え、
前記不純物領域を形成する工程では、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記所定の不純物が注入され、
前記不純物領域が形成された後に、前記フォトレジストパターンを除去する工程を備えた、請求項5記載の半導体装置の製造方法。 - 前記素子形成領域を規定する工程は、第2素子形成領域および第3素子形成領域を規定する工程を含み、
前記第2素子形成領域の表面上に第3ゲート電極を形成する工程と、
前記第3素子形成領域の表面上に第4ゲート電極を形成する工程と
を備えた、請求項6記載の半導体装置の製造方法。
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