JP2006108668A - 不揮発性メモリ素子とその製造方法 - Google Patents
不揮発性メモリ素子とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006108668A JP2006108668A JP2005285362A JP2005285362A JP2006108668A JP 2006108668 A JP2006108668 A JP 2006108668A JP 2005285362 A JP2005285362 A JP 2005285362A JP 2005285362 A JP2005285362 A JP 2005285362A JP 2006108668 A JP2006108668 A JP 2006108668A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- floating gate
- dielectric film
- program
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
【課題】不揮発性メモリ素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子は、半導体基板上に配置され絶縁されたフローティングゲートと、フローティングゲートの少なくとも一側面に形成された絶縁されたプログラムゲートと、フローティングゲートに隣接して配置され絶縁された消去ゲートと、を含む。これにより、より低い電圧でプログラム又は消去動作が可能であり、従来の不揮発性メモリ素子のサイズに比べて効果的に素子のサイズを縮小させることができ、消去動作電圧を減少させうる。
【選択図】図3A
【解決手段】本発明の半導体素子は、半導体基板上に配置され絶縁されたフローティングゲートと、フローティングゲートの少なくとも一側面に形成された絶縁されたプログラムゲートと、フローティングゲートに隣接して配置され絶縁された消去ゲートと、を含む。これにより、より低い電圧でプログラム又は消去動作が可能であり、従来の不揮発性メモリ素子のサイズに比べて効果的に素子のサイズを縮小させることができ、消去動作電圧を減少させうる。
【選択図】図3A
Description
本発明は半導体素子に係り、より詳しくは、電気的消去とプログラムが可能な読み取り専用メモリ(Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory;EEPROM)のような不揮発性メモリ素子及びその製造方法に関する。
図1は、従来EEPROM単位セルの構造を示す断面図であって、これは隣接メモリセルの間の意図されないプログラム又は消去動作を招来する恐れのある、隣接メモリセルの間のディスターブ現象のような問題点を克服するため導入された。
図1を参照すれば、従来EEPROM単位セルは、基板10上に配置されたメモリトランジスタ20と選択トランジスタ30とから構成される。基板10は、共通ソース領域50とドレイン領域60とを含む。ソース領域50は、n+型高濃度不純物領域32とn−型低濃度不純物領域36とを含む二重接合構造を含む。同様に、ドレイン領域60は、n+型高濃度不純物領域33とn−型低濃度不純物領域37とを含む二重接合構造を含む。長さL1、又はソース領域50とドレイン領域60との間の距離は、従来EEPROM単位セル間の幅である。
基板10は、またn−型低濃度不純物領域35から構成されるチャネル領域40を含む。n+型高濃度不純物領域31は、メモリトランジスタ20の下、チャネル領域40に隣接して配置される。
メモリトランジスタ20は、トンネリング誘電膜15、ゲート誘電膜17、フローティングゲート21、ゲート間絶縁膜22、センスライン23、そしてフローティングゲート21、ゲート間絶縁膜22、及びセンスライン23の側壁に配置されたスペーサ18から構成される。
選択トランジスタ30は、ゲート誘電膜17によって基板10から絶縁されたワードライン25から構成される。追加的に、スペーサ18は、ワードライン25の側壁に配置される。長さL2は、センスライン23とワードライン25との間の距離である。従来EEPROM単位セルは、近隣セルの意図されないプログラム又は消去動作を防止するワードライン25を使用してディスターブ現象を克服する。そうして、従来EEPROM単位セルは、センスライン23とワードライン25が共に形成されることが必要である。
表1は、従来EEPROM単位セルの充電、放電、読み出し動作の間、印加される電圧を示す。
充電動作の間、センスライン23に15V電圧が印加され、ワードライン25には、17V電圧が印加される。ドレイン領域60と基板10の電位が全て0Vにある間、ソース領域50は、フローティング状態になる。F−N(Fowler−Nordheim)トンネリングは、素子のスレッショルド電圧Vthが増加される効果を有しながらチャネル領域40からフローティングゲート21に起こる。
素子の放電動作の間、センスライン23に0Vの電圧が印加され、ワードライン25に17Vの電圧が印加される。ドレイン領域60に15Vの電圧を印加する間、ソース領域50は、フローティング状態になり、基板10は0Vに維持される。F−Nトンネリングは、素子のスレッショルド電圧Vthが低まれる効果を有しながらフローティングゲート21からチャネル領域40に起こる。
素子の読み出し動作の間、素子の充電又は放電を感知することによって“1”又は“0”の状態に読み出される。ドレイン領域60が0.5Vを維持する間、センスライン23とワードライン25は、全て1.8Vの読み出し電圧を維持する。ソース領域50と基板領域10は0Vである。
前述した従来EEPROM単位セルの短所は、上述の充電と放電動作間起こるF−Nトンネリング過程に起因した相対的に遅い速度を有することを含む。それに、センスライン23とワードライン25は、必ず十分な距離だけ物理的に離隔されなければならない。そのため、従来EEPROM単位セルは、相対的に大きいサイズである。また、写真工程のマージンが十分ではないので、EEPROM素子の製造工程は難しい。その上、半導体素子が高集積化、すなわちスケールダウンされていくことによって、メモリセルの間のパンチスルー(punch through)又はプログラムディスターブ現象は、特にジャンクション領域に印加される高電圧と共に深刻な問題になっている。従って、従来素子においてセルサイズは、著しく制限されている。
本発明の実施形態は、従来技術のこうした短所及び異なる短所を検討する。
特開平10−032270号公報
本発明の技術的課題は、単位セルのサイズが縮小され、低電圧によって素子動作が可能な不揮発性半導体メモリ素子を提供するところにある。
本発明の他の技術的課題は、前述した不揮発性メモリ素子の製造方法を提供するところにある。
本発明の技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されなく、言及されないさらに他の技術的課題は、下の記載から当業者に明確に理解できる。
前述した技術的課題を達成するための本発明の一実施形態による半導体素子は、半導体基板上に配置された絶縁されたフローティングゲートと、少なくともフローティングゲートの一側面に形成される絶縁されたプログラムゲートと、フローティングゲートに隣接して配置される絶縁された消去ゲートと、を含む。
また、前述した技術的課題を達成するための本発明の他の実施形態による半導体素子は、半導体基板上に形成されたゲート誘電膜と、ゲート誘電膜上に置かれ、第1の側面、第1の側面に対向する第2の側面、及び上面を備えるフローティングゲートと、少なくとも第1の側面に沿って設けられる側部を備え、ゲート誘電膜上に載る絶縁されたプログラムゲートと、フローティングゲートに隣接して配置され、少なくとも第2の側面に沿って設けられ、ゲート誘電膜上に載る消去ゲートと、フローティングゲートとプログラムゲートとの間に配置されるカップリング誘電膜と、フローティングゲートと消去ゲートとの間に配置されるトンネリング誘電膜と、フローティングゲートの対向側に沿って半導体基板内形成された第1の不純物領域と第2の不純物領域と、を含む。
その他実施形態の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。
前述したように成された本発明の一実施形態による不揮発性メモリ素子は、フローティングゲートと、プログラムゲートと、消去ゲートと、を備え、フローティングゲートとプログラムゲートとの間に存在する容量性カップリング比がフローティングゲートと消去ゲートとの間に存在する容量性カップリング比より大きいように形成されることによって、より低い電圧でプログラム又は消去動作が可能であり、従来の不揮発性メモリ素子のサイズに比べて素子のサイズを効果的に縮小させうる。
前述したように成された本発明の他の実施形態による不揮発性メモリ素子は、フローティングゲートにチップを形成することによって、消去動作電圧を効果的に減少させうる。
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述している実施形態を参照すれば明確になる。しかしながら、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、相異なる多様な形態で具現されるものであり、本実施形態は、本発明の開示が完全となり、当業者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、特許請求の範囲の記載に基づいて決められなければならない。なお、明細書全体にかけて同一参照符号は同一構成要素を示すものとする。
以下、添付した図面を参照して本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
図2は、本発明の実施形態による多くのEEPROMセルアレイの配置図である。図2の配置図は、限定された紙面に表示されているが、本発明はこれに限定されず拡張できる。
図2を参照すれば、二つのビットライン320が示される。A−A’線は、ビットライン320の長さに沿ってビットライン320を二等分したものである。A−A’線は、またEEPROM単位セル310のような不揮発性メモリ単位セルを含む領域を二等分する。
ドレイン領域又は第2の不純物領域219は、幅Wであるソース領域又は第1の不純物領域215のいずれか一つの側に配置される。ソース領域215は、ビットライン320に対して直交して整列される。たとえ必須的ではなくても、示されたように第1の不純物領域215は、一対の不揮発性メモリ単位セルによって共有された共通ソース領域でありうる。従って、素子サイズは縮小されることができる。ランダムな点で表現された分離領域340はアクティブ領域330を限定する。
制御ゲート又は消去ゲート(erase gate)218とプログラムゲート210は、共通ソース領域215と同様の方向に拡張されて、消去ゲート218とプログラムゲート210は、示されたようにオーバーラップされることもできる。しかしながら、消去ゲート218とプログラムゲート210は、オーバーラップされる必要はない。
フローティングゲート214は、消去ゲート218、プログラムゲート210、又はこれら全てによってオーバーラップされることができる。対案的に、フローティングゲート214は、後述されるように場合によって依存するプログラムゲート210又は消去ゲート218のいずれによってもオーバーラップされないことができる。
図3Aは、本発明の一実施形態によるEEPROM単位セルの断面図を示す。図3Bは、本発明の他の実施形態によるEEPROM単位セルの断面図である。図3Aと図3Bは、全て図2のA−A’線に沿って切断された断面図(cross−sectional diagram)である。図3Aと図3Bに示した典型的な実施形態は、多くの類似性を共有しており、特に指摘されない限り、後述する図3Aと図3Bについて同等に適用できる。
図3Aと図3Bとを参照すれば、ドレイン領域219とソース領域215は、イオン注入のような伝統的な技術を使用してシリコン基板、絶縁体上のシリコン基板SOI、GaAs基板、シリコンゲルマニウム基板、又はガラス基板のような基板201上に形成される。長さL3、すなわちドレイン領域219の中心から共通ソース領域215の中心までの距離は、単一EEPROM単位セルの幅である。従って、本発明の概念を説明するため、二つのEEPROM単位セルは、各図3Aと図3Bに各々示される。
基板201は、低濃度不純物ドレイン(Lightly Doped Drain;LDD)領域215_1を含み、それは共通ソース領域215のいずれか一つの側に配置される。LDD領域215_1に、甚だしくは共通ソース領域215に高電圧が印加されるときもジャンクション降伏(junction breakdown)が制限できる。ソース領域215とLDD領域215_1は、ハロー領域215_2を含むことができる。言い換えれば、ハロー注入領域215_2は、共通ソース領域215に隣接する面に形成される。ハロー領域215_2は、パンチスルーを防止するのに有用である。また、ハロー領域215_2は、書き取り動作の間、ドレイン領域219から共通ソース領域215に電子を発生させるのに有用である。
ビットライン320は、EEPROM単位セル上に載り、ビットライン320の一部は、層間絶縁膜350を貫通して垂直に拡張しドレイン領域219に接触される。
図3Aと図3Bに示されたEEPROM単位セルは、フローティングゲート214と、プログラムゲート210と、消去ゲート218と、を含む。シリコン二酸化物のような絶縁物質で形成されたゲート誘電膜202は、基板201とフローティングゲート214、プログラムゲート210及び消去ゲート218の底部との間に配置される。プログラムゲート210は、フローティングゲート214の一方側の上に配置でき、フローティングゲート214と部分的にオーバーラップされる。言い換えれば、プログラムゲート210は、フローティングゲート214の上面領域上に設けられる上部を含むことができる。消去ゲート218は、フローティングゲート214の他方側の上に配置でき、フローティングゲート214と部分的にオーバーラップされる。消去ゲート218は、またプログラムゲート210の上部とオーバーラップされることができる。それに加え、プログラムゲート210及び/又は消去ゲート218は、素子が必要な動作を遂行できる限り、場合によってフローティングゲート210とオーバーラップされないことができる。好ましくは、フローティングゲート214内に蓄積された電子のトンネリング(放電)がフローティングゲート214と消去ゲート218との間で効果的に起こることができるように、フローティングゲート214は端に形成されたチップ214_1を備えることができ、消去ゲート218は、チップ上に一直線に置かれるか、或いはチップに近い上部を備える。消去ゲート218は、また基板201の上端部上に拡張され、底部218_1を有し、底部218_1の下の基板201内にはチャネル領域が形成される。
図3Aのみ参照すれば、第1の誘電膜又はカップリング誘電膜211は、フローティングゲート214とプログラムゲート210との間に配置される。第2の誘電膜又はトンネリング誘電膜212は、プログラムゲート210と消去ゲート218との間に配置される。第1の誘電膜211と第2の誘電膜212の全ては、フローティングゲート214と消去ゲート218との間に配置できる。
続いて、図3Aのみ参照すれば、厚さt1は、第1の誘電膜211の厚さだけでなく、フローティングゲート214の上部水平面(upper horizontal surface)とプログラムゲート210の隣接水平面の距離も意味する。厚さt2は、フローティングゲート214の上部水平面と消去ゲート218の隣接水平面との間の距離だけではなく、第2の誘電膜212の厚さも意味する。
図3Bのみ参照すれば、酸化膜271と第1の絶縁膜273は、フローティングゲート214とプログラムゲート210との間に配置されてカップリング誘電膜211を形成する。酸化膜272、第1の絶縁膜273及び第2の絶縁膜274は、フローティングゲート214と消去ゲート218との間に順次に積層されるか、或いは形成されて、トンネリング誘電膜212を形成する。
酸化膜271,272は、フローティングゲート214の上面に配置され、便宜上個別的な個体として引用されているが、それらは位置によって厚さが異なる事実上一つの連続的酸化膜271,272である。しかしながら、酸化膜272は、酸化膜271よりさらに厚い。その理由は、後述される説明でさらに詳細に説明される。厚さt3は、酸化膜271の厚さを意味し、厚さt4は酸化膜272の厚さを意味する。
従って、本発明の一実施形態によれば、メモリセル310又は半導体素子は、半導体基板201上に形成されたゲート誘電膜202を含む。半導体素子は、ゲート誘電膜202上に載るフローティングゲート214をさらに含む。フローティングゲート214は、第1の側面214a、第1の側面214aと対向する第2の側面214b、及び上面214cを有する。半導体素子は、追加的に少なくとも第1の側面214aに沿って側部を備え、ゲート誘電膜202上に載る絶縁されたプログラムゲート210を含む。半導体素子は、またフローティングゲート214に隣接して配置される消去ゲート218を含む。特に、消去ゲート218は、少なくとも第2の側面に沿って設けられることができ、ゲート誘電膜202上に載る。
好ましくは、図3Aに示されたように消去ゲート218は、プログラムゲート210及び/又はフローティングゲート214の形態によって自己整列されて形成できる。従って、工程マージンは、効果的に向上される。消去ゲート218とプログラムゲート210が単一写真工程で同時に形成されれば、消去ゲート218とプログラムゲート210との間に要求される短距離を考慮した非常に小さな写真工程マージンによって、素子製造過程が非常に難しいものとなる。
プログラムゲート210は、約1000Å〜3000Åの厚さを有することができる。また、フローティングゲート214は、約500Å〜2500Åの厚さを有することができる。また、消去ゲート218は、約1000Å〜3000Åの厚さ範囲を有することができる。
ひいては、半導体素子は、フローティングゲート214とプログラムゲート210との間にカップリング誘電膜211を含んで、それらの間にカップリングキャパシタンスを有する。追加的に半導体素子は、フローティングゲート214と消去ゲート218との間に配置されたトンネリング誘電膜212と、フローティングゲート214の対向側に沿って半導体基板201内に形成された第1の不純物領域215及び第2の不純物領域219と、を含む。ゲート誘電膜202は、カップリング誘電膜211よりさらに厚くできる。トンネリング誘電膜は、熱酸化膜と化学気相蒸着(CVD)絶縁膜を含むことができるが、これらは順次に形成される。
プログラム動作の間、高電圧が第1の不順物領域215に印加されることによって、フローティングゲート214は、カップリング誘電膜211を通じたカップリング現象によって所定の電圧が誘発されて、第1の不純物領域215と第2の不純物領域219との間に発生された電荷や電子がゲート誘電膜202を通じてフローティングゲート214に注入でき、蓄積できる。また、消去ゲート218によって、プログラム又は読み出し動作する間、データはビットライン320を通じて単位メモリセル310に入力されることができるか、或いは単位メモリセル310に貯蔵されたデータはビットライン320を通じて出力できる。
一方、カップリング誘電膜211の厚さは、約40Å〜200Åの範囲でありうる。より好ましくは、カップリング誘電膜211の厚さは、約60Å〜120Åの範囲である。
本発明の一実施形態によれば、プログラムゲート210とフローティングゲート214との間の容量性カップリング比(capacitive coupling ratio)は、プログラムゲート210と消去ゲート218との間の容量性カップリング比より大きいことが可能である。その結果、消去動作の間、フローティングゲート214内に蓄積された電子がF−Nトンネリング現象によってカップリング誘電膜211を通じて消去ゲート218に放電できる。
特に、もしフローティングゲート214と消去ゲート218との間の容量性カップリング比がさらに小さければ、相対的にさらに低い電圧がフローティングゲート214に誘起されることによって、フローティングゲート214に蓄積された電子は、F−Nトンネリング現象によってトンネリング誘電膜212を通じてさらに効果的に放電できる。同様に、プログラム動作時、もしプログラムゲート210とフローティングゲート214との間の容量性カップリング比がさらに大きければ、相対的にさらに高い電圧がフローティングゲート214に誘起されることによって、ゲート誘電膜202を通じてさらに効果的に電子がフローティングゲート214内に注入できる。
従って、カップリング誘電膜211の厚さは、トンネリング誘電膜212の厚さより薄いか、或いは殆ど同じでありうる。好ましくは、トンネリング誘電膜212の厚さは、カップリング誘電膜211の厚さよりさらに厚いか、或いは同じであることができるが、カップリング誘電膜211の厚さの3倍を越えない。本発明の属する技術分野の当業者は、トンネリング誘電膜211の厚さが、フローティングゲート214と消去ゲート218との間のF−Nトンネリングをもたらす程度に薄い厚さとすることができることを理解する。本発明の一実施形態によれば、前述した厚さはフローティングゲート214の端からプログラムゲート210又は消去ゲート218までに測定される一番近い距離でありうる。
ひいては、本発明のさらに他の側面によれば、フローティングゲート214とプログラムゲート210は、それら間の第1のオーバーラップ領域を含み、プログラムゲート210と消去ゲート218は、それら間の第2のオーバーラップ領域を有する。好ましくは、第1のオーバーラップ領域は第2のオーバーラップ領域よりさらに広くて、前述した理由によりプログラムゲート210とフローティングゲート214との間の容量性カップリング比がプログラムゲート210と消去ゲート218との間の容量性カップリング比よりさらに大きくできる。好ましくは、第1のオーバーラップ領域は、第2のオーバーラップ領域より少なくとも2倍であり、第2のオーバーラップ領域の5倍より大きくないようにできる。もし第1のオーバーラップ領域が第2のオーバーラップ領域の5倍より大きければ、電子が消去ゲート218に放電されるのには第2のオーバーラップ領域があまりに狭いため、消去動作が効果的に遂行されない恐れがある。
それに加え、本発明のさらに他の側面によれば、フローティングゲート214とプログラムゲート210との間のオーバーラップ長さとフローティングゲート214と消去ゲート218との間のオーバーラップ長さの比は、約5:1〜約20:1でありうる。より好ましくは、その比は約10:1である。
本発明のさらに他の側面によれば、共通ソース領域又は第1の不純物領域215は、プログラムゲート210と部分的にオーバーラップされて、プログラムゲート210の下の基板201内にチャネル領域を形成できる。こうした場合、基板201の下にこうしたチャネル領域を含む付加的なトランジスタを形成して、それらを通じて電流の流れを制御することによって従来技術のディスターブ現象はさらに防止できる。対案的に、第1の不純物領域215は、プログラムゲート210と完全にオーバーラップされることができる。
本発明のさらに他の実施形態によれば、半導体素子はバイト動作のために消去ゲート218と結合される選択トランジスタ(図示せず)をさらに含む。
図4A〜図4Gは、図3Aの実施形態によるEEPROM単位セルの典型的な製造工程の断面図である。図4A〜図4Gは、図3Aのような観点を有する。すなわち、これらは図3Aのような垂直面に沿った断面図を示す。
図4Aを参照すれば、ゲート誘電膜202が基板201上に蒸着される。好ましくは、熱酸化膜のようなゲート誘電膜202は、約50Å〜150Åの厚さである。次に、ポリシリコン膜(図示せず)がゲート誘電膜202上に蒸着され、よく知られた技術でパターニングしてフローティングゲート214を形成する。好ましくは、フローティングゲート214は約500Å〜2500Åの厚さである。
図4Bを参照すれば、第1の誘電膜211が、約40Å〜200Å、好ましくは、約60Å〜120Åの厚さにフローティングゲート214上に蒸着される。好ましくは、第1の誘電膜211は化学気相蒸着(CVD)工程と高温酸化物(HTO)とを使用して形成される。対案的に、第1の誘電膜211は熱酸化工程と中温酸化物(MTO)とを使用して形成できる。第1の誘電膜211の厚さは、図3Aと図4Gのt1で示す。
図4Cを参照すれば、ポリシリコン膜(図示せず)がゲート誘電膜202と第1の誘電膜211上に蒸着される。次にポリシリコン膜は、知られた技術によってパターニングされてプログラムゲート210を形成する。好ましくは、プログラムゲート210は、約1000Å〜3000Åの厚さである。
図4Dを参照すれば、第2の誘電膜212がプログラムゲート210、第1の誘電膜211及びゲート誘電膜202上に蒸着される。好ましくは、第2の誘電膜212は化学気相蒸着(CVD)工程と高温酸化物(HTO)とを使用して形成される。対案的に、第2の誘電膜212は、熱酸化工程と中温酸化物(MTO)とを使用して形成できる。第2の誘電膜212の厚さは、図3Aと図4Gのt2で示される。好ましくは、第2の誘電膜212の厚さt2は、第1の誘電膜211の厚さより厚いか、或いは同じであるが、第1の誘電膜211の厚さt1の3倍より厚くない。より好ましくは、第2の誘電膜212の厚さt2は第1の誘電膜211の厚さt1の約1.3〜3倍である。
図4Eを参照すれば、ポリシリコン膜(図示せず)が第2の誘電膜212上に蒸着される。次に、ポリシリコン膜は知られた技術によってパターニングされて消去ゲート218を形成する。こうして、消去ゲート218は、フローティングゲート214及び/又はプログラムゲート210の形態によって自己整列されて形成される。好ましくは、消去ゲート218の厚さは約1000Å〜3000Åである。
次に、感光膜(図示せず)が消去ゲート218、第2の誘電膜212、ゲート誘電膜202上に蒸着される。その後、写真工程を用いてプログラムゲート210の間の第2の誘電膜212の中央領域を露出させるマスク膜231,232を形成する。p型イオン注入は、知られた技術を使用してハロー領域215_2を形成することに用いられる。例えば、p型イオン注入は約1015ions/cm2のドーズで遂行される。n型イオン注入はLDD領域215_1を形成するのに用いられる。例えば、n型イオン注入は約1013ions/cm2のドーズで遂行される。マスク膜231,232は除去される。
図4Fを参照すれば、感光膜(図示せず)が消去ゲート218、第2の誘電膜212及びゲート誘電膜202上に蒸着される。その後、写真工程を用いて消去ゲート218に隣接した領域だけではなく、二つプログラムゲート210の間の中央領域を露出させるマスク膜241,242を形成する。
酸化膜は、露出領域内に蒸着された後、知られた技術を用いてエッチングされてスペーサ243,244,245,246を形成する。その後、n型イオン注入を行って、ハロー領域215_2内にソース領域215と消去ゲート218と隣接した基板201内にドレイン領域219を形成する。例えば、n−型イオン注入は約1015ions/cm2のドーズで遂行される。マスク膜241,242とスペーサ243,244,245,246は除去される。
図4Gを参照すれば、層間絶縁膜(図示せず)が図4Fの結果構造上に蒸着される。層間絶縁膜は、知られた技術によってエッチングされて層間誘電膜350とドレイン領域219を露出させるビアホールを形成する。その後、層間誘電膜350上に導電物質を蒸着してビアホールを充填し、ビットライン32を形成する。
図5A〜図5Fは、図3Bの実施形態によるEEPROM単位セルを製造する典型的な工程を示した断面図である。図5A〜図5Fは、図3Bのような観点を有する。すなわち、図3Bのような垂直面に沿った断面を示す。
図5Aを参照すれば、ゲート誘電膜202が基板201上に蒸着される。ゲート誘電膜202は、約50Å〜150Åの厚さの熱酸化膜を含むことができる。次に、ポリシリコン膜(図示せず)がゲート誘電膜202上に蒸着され、知られた技術によってパターニングされてフローティングゲート214を形成する。フローティングゲート214の厚さは約500Å〜2500Åでありうる。
図5Bを参照すれば、マスク膜(図示せず)が図5Aの構造上に蒸着され、パターニングされてマスク251,253を形成する。マスク251,253はフローティングゲート214の上面を部分的に露出させる。マスク251,253を使用して、フローティングゲート214の露出された上端部にN2(nitrogen)イオン注入を遂行する。マスク251,253は除去される。
図5Cを参照すれば、マスク膜(図示せず)がゲート誘電膜202とフローティングゲート214上に蒸着される。その後、マスク膜はパターニングされてマスク261,262,263を形成する。マスク261,262,263は、フローティングゲート214の上面を露出させる。マスク261,262,263を使用して、熱酸化工程を遂行して酸化膜271,272を形成する。典型的に、N2の注入が遂行されたフローティングゲート214の領域は、マスク251,252によって覆われた領域より少なく酸化される。従って、酸化膜271の厚さが酸化膜272の厚さより薄くなる。マスク261,262,263は除去される。言い換えれば、フローティングゲート214は端に形成されたチップを備え平坦ではない表面を形成する屈曲のある厚さを有する。
図5Dを参照すれば、第1の誘電膜273がフローティングゲート214の側壁と酸化膜271,272の上面に約50Å〜200Åの厚さに蒸着される。好ましくは、第1の誘電膜273は化学気相蒸着(CVD)工程と高温酸化物(HTO)とを使用して形成される。対案的に、第1の誘電膜273は、熱酸化工程と中温酸化物(MTO)を使用して形成できる。
その後、ポリシリコン膜(図示せず)が結果構造上に蒸着される。次に、ポリシリコン膜が知られた技術によってパターニングされてプログラムゲート210を形成する。例えば、プログラムゲート210は約1000Å〜3000Åの厚さである。
図5Eを参照すれば、第2の誘電膜274が、プログラムゲート210、第1の誘電膜273上に蒸着される。好ましくは、第2の誘電膜274は熱酸化工程と高温酸化物(HTO)とを使用して形成される。対案的に、第2の誘電膜274は、熱酸化工程と中温酸化物(MTO)とを使用して形成できる。
ポリシリコン膜(図示せず)が、結果構造上に蒸着される。次に、ポリシリコン膜は知られた技術によってパターニングされて消去ゲート218を形成する。例えば、消去ゲート218は約1000Å〜3000Åの厚さである。
図5Fを参照すれば、ドレイン領域219、ソース領域215、LDD領域215_1、ハロー領域215_2、層間誘電膜350及びビットライン320を形成する。ここで使用される工程は、前述した実施形態について記述された工程のようなものが好ましい。すなわち、前述した実施形態についての図4E、図4F及び図4Gに関する工程が図3B及び図5Fに示した実施形態に対して同等に適用できる。従って、図5Eから図5Fへの変化に使用できる工程については、過度な反復的説明は省略する。図5Fで、厚さt3は酸化膜271の厚さを意味し一方、厚さt4は酸化膜272の厚さを意味する。
前述したように、トンネリング誘電膜212の厚さ、すなわち消去ゲート218とフローティングゲート214との間の誘電膜の厚さは、カップリング誘電膜211、又はプログラムゲート210とフローティングゲート214との間の誘電膜厚さよりさらに厚いことが好ましい。こうした多用な厚さ、オーバーラップ領域及び/又は長さは、プログラムゲート210が消去ゲート218よりもフローティングゲート214にさらに大きな電界を付与し、すなわちさらに高いカップリング比を確保する。例えば、素子の書き取り動作の間、消去ゲート218は約1.5Vの電圧とすることができ、プログラムゲート210は、約10Vの電位を有することができる。こうした電圧が印加されたとき、消去ゲート218が同時に消去ゲート電圧をフローティングゲート214に与えることができるので、フローティングゲート214の電圧は低下することができる。
また、本発明の実施形態によれば、ジャンクション領域に印加される電圧、例えば3V〜6Vとプログラムゲート210に印加される電圧、例えば5V〜10Vは全てフローティングゲート214のカップリングを誘導する。従って、フローティングゲート214のカップリングはジャンクション領域に印加された15Vのような高電圧に依存する必要がないため、充電又は放電動作は、従来技術と比較して相当に低い電圧で遂行できる。
次の表2は、EEPROM単位セルの充電、放電及び読み出し動作の間に、前述した本発明の実施形態に適用できる典型的な電圧を示す。
書き取り(充電)動作の間、概ね1.5Vのスレッショルド電圧Vthが消去ゲート218に印加され、プログラムゲート210は、5V〜10Vの電位に、ソース領域215は、3V〜6Vの電位に、ドレイン領域219は殆ど0Vの電位にある。
消去(放電)動作の間、消去ゲート218に10V〜13Vの電圧が印加され、プログラムゲート210、ソース領域215、ドレイン領域219は全て0Vにある。
読み出し動作の間、消去ゲート218とプログラムゲート210には、1V〜2Vの電圧が印加される。ソース領域215は0Vの電圧、ドレイン領域219は0.4V〜1Vの電圧を有する。
図6に示されたように、本発明は、メモリモジュール又はスマートカードのような多様な電子システムに適用されうる。スマートカードは、例えば暗号化及び/又は解読のための保安コントローラと、チップ動作システム(COS)及び基本的な入出力システム(BIOS)を含むM−ROMと、臨時貯蔵メモリ用SRAM及び本発明の実施形態による不揮発性メモリセルに付加して、チップ又はデータ制御のための中央処理装置(CPU)と、を含む。
結論的に、本発明の一側面によれば、消去ゲート218は、フローティングゲート214及び/又はプログラムゲート210に自己整列されて形成できるので、工程マージンが従来技術に比較して実質的に向上できる。また、本発明の他の側面によれば、センスラインから十分な距離だけ物理的に離隔されるべき分離されたワードラインがないので、素子のサイズは相当に縮小することができる。また、本発明のさらに他の側面によれば、ジャンクション領域に印加される電圧だけではなく、プログラムゲート210に印加される電圧は、フローティングゲート214のカップリングを招来できる。従って、充電又は放電動作は従来技術に比較して相当に低い電圧で遂行できる。言い換えれば、本発明の実施形態では、従来技術の素子で要求された高電圧を、メモリセルの間のパンチスルー又はディスターブ現象を起こすジャンクション領域に印加する必要はない。その結果、メモリセルのパンチスルーのような従来技術の問題点は、共通ソース領域215とドレイン領域219との間の距離L3が縮小される場合にも効果的に防止できる。従って、素子はプログラムディスターブ現象やパンチスルーの問題なしに、さらにサイズを縮めることができる。
以上、添付した図面を参照して本発明の好適な実施形態を説明したが、当業者であれば、本発明の技術的思想や必須的な特徴を変更せずに他の具体的な形態で実施されうることを理解することができる。したがって、上述した好適な実施形態は、例示的なものであり、限定的なものではないと理解されるべきである。
本発明は、単位セルのサイズが縮小され、低電圧によって素子動作が可能な不揮発性メモリ素子及びその製造方法に適用されうる。
210 プログラムゲート
211 第1の絶縁膜
212 第2の絶縁膜
214 フローティングゲート
215 共通ソース領域
215_1 LDD領域
215_2 ハロー領域
218 消去ゲート
219 ドレイン領域
211 第1の絶縁膜
212 第2の絶縁膜
214 フローティングゲート
215 共通ソース領域
215_1 LDD領域
215_2 ハロー領域
218 消去ゲート
219 ドレイン領域
Claims (52)
- 半導体基板上に形成されたゲート誘電膜;
前記ゲート誘電膜上に置かれ、第1の側面、前記第1の側面に対向する第2の側面及び上面を備えるフローティングゲート;
少なくとも前記第1の側面に沿って側部が設けられ、前記ゲート誘電膜上に載る絶縁されたプログラムゲート;
前記フローティングゲートに隣接して配置され、少なくとも前記第2の側面に沿って設けられ、前記ゲート誘電膜上に載る消去ゲート;
前記フローティングゲートと前記プログラムゲートとの間に配置されるカップリング誘電膜;
前記フローティングゲートと前記消去ゲートとの間に配置されるトンネリング誘電膜;および
前記フローティングゲートの対向側に沿って半導体基板内形成された第1の不純物領域と第2の不純物領域;
を含むことを特徴とする半導体素子。 - 前記プログラムゲートと前記フローティングゲートとの間の容量性カップリング比が前記プログラムゲートと前記消去ゲートとの間の容量性カップリング比よりさらに大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記カップリング誘電膜の厚さは、前記トンネリング誘電膜の厚さより薄いか、或いは殆ど同じであることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子。
- 前記カップリング誘電膜の厚さが約40Å〜200Åであることを特徴とする請求項3に記載の半導体素子。
- 前記カップリング誘電膜の厚さが約60Å〜120Åであることを特徴とする請求項4に記載の半導体素子。
- 前記トンネリング誘電膜の厚さは、前記カップリング誘電膜の厚さより厚いか、或いは同じであり、前記カップリング誘電膜の厚さの3倍より厚くないことを特徴とする請求項3に記載の半導体素子。
- 前記トンネリング誘電膜の厚さは、前記フローティングゲートと前記消去ゲートとの間のF−Nトンネリングをもたらす程度に薄いことを特徴とする請求項6に記載の半導体素子。
- 前記フローティングゲートと前記プログラムゲートは、それら間に第1のオーバーラップ領域を含み、前記プログラムゲートと前記消去ゲートは、それら間に第2のオーバーラップ領域を含み、前記第1のオーバーラップ領域が前記第2のオーバーラップ領域より広いことを特徴とする請求項2に記載の半導体素子。
- 前記第1のオーバーラップ領域のサイズは、少なくとも前記第2のオーバーラップ領域のサイズの約2倍であり、前記第2のオーバーラップ領域の5倍より広くないことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子。
- 前記プログラムゲートは、前記フローティングゲートの前記上面の領域上に設けられる上部を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記消去ゲートは、前記プログラムゲートと前記フローティングゲートの形態によって自己整列されて形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記ゲート誘電膜は、前記カップリング誘電膜よりさらに厚いことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第1の不純物領域は、前記プログラムゲートと部分的にオーバーラップして前記半導体基板内にチャネル領域を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第1の不純物領域が前記プログラムゲートと完全にオーバーラップされることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第1の不純物領域に隣接して形成されたハロー注入領域をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記フローティングゲートと前記プログラムゲートとの間のオーバーラップ長さと前記フローティングゲートと前記消去ゲートとの間のオーバーラップ長さの比が約5:1〜約20:1であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記比が約10:1であることを特徴とする請求項16に記載の半導体素子。
- 前記フローティングゲートは、端に形成されたチップを有し、前記消去ゲートは前記チップ上に一直線に載る部分を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記トンネリング誘電膜は、順次に形成された熱酸化膜と化学気相蒸着絶縁膜とを含むこと
を特徴とする請求項1に記載の半導体素子。 - 前記フローティングゲートは、端に形成されたチップを備え平坦ではない表面を形成する屈曲のある厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記プログラムゲートの厚さは約1000Å〜3000Åであり、前記フローティングゲートの厚さは約500Å〜2500Åであり、前記消去ゲートの厚さは1000Å〜3000Åであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 半導体基板上に載り、側面と上面とを有する絶縁されたフローティングゲート;
少なくとも前記フローティングゲートの前記側面上に形成された絶縁されたプログラムゲート;
前記フローティングゲートに隣接して配置される絶縁された消去ゲート;
前記絶縁されたフローティングゲートと前記絶縁されたプログラムゲートとの間に配置される第1の誘電膜;
前記絶縁されたフローティングゲートと前記絶縁された消去ゲートとの間に配置され、前記フローティングゲートと前記プログラムゲートとの間の容量性カップリング比が前記プログラムゲートと前記消去ゲートとの間の容量性カップリング比よりさらに大きい第2の誘電膜;および
前記絶縁されたフローティングゲートの対向側に沿って配置される第1及び第2のジャンクション領域;
を含むことを特徴とする半導体素子。 - 前記第1の誘電膜の厚さが実質的に前記第2の誘電膜の厚さよりさらに薄いことを特徴とする請求項22に記載の半導体素子。
- 前記フローティングゲートと前記プログラムゲートとの間のオーバーラップ領域が前記フローティングゲートと前記消去ゲートとの間のオーバーラップ領域よりさらに広いこと
を特徴とする請求項22に記載の半導体素子。 - 前記絶縁されたプログラムゲートは、前記フローティングゲートの前記上面領域上にも形成されることを特徴とする請求項22に記載の半導体素子。
- 前記消去ゲートは、前記フローティングゲートと前記プログラムゲート上に載り、前記フローティングゲートと前記プログラムゲートの形態によって自己整列されて形成されたことを特徴とする請求項22に記載の半導体素子。
- バイト動作のための前記消去ゲートに結合する選択トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の半導体素子。
- 半導体基板上に配置され、第1の高さを有する絶縁された第1のゲート;
前記第1のゲートと部分的にオーバーラップされ、前記第1の高さよりさらに高い第2の高さを有する絶縁された第2のゲート;および
前記第1のゲートと部分的にオーバーラップされ、前記第2の高さよりさらに高い第3の高さを有する絶縁された第3のゲート;
を含むことを特徴とする不揮発性半導体メモリ素子。 - 前記第2のゲートと前記第3のゲートは、それぞれ前記第1のゲートの側部及び上部全てに亘って配置されることを特徴とする請求項28に記載の不揮発性半導体メモリ素子。
- 前記第1のゲートと前記第3のゲートとの間に配置されるトンネリング誘電膜;および
前記第1のゲートと前記第2のゲートとの間に配置されるカップリング誘電膜;
を含み、
前記トンネリング誘電膜は、前記カップリング誘電膜よりさらに厚いことを特徴とする請求項28に記載の不揮発性半導体メモリ素子。 - 前記消去ゲートによって部分的にオーバーラップされ、前記半導体基板上に形成された第1のジャンクション;および
前記プログラムゲートによって部分的にオーバーラップされ、半導体基板上に形成された前記第2のジャンクション;
をさらに含むことを特徴とする請求項28に記載の不揮発性半導体メモリ素子。 - 前記第2のジャンクションに隣接し、前記プログラムゲートによって部分的にオーバーラップされるハロージャンクションをさらに含むことを特徴とする請求項28に記載の不揮発性半導体メモリ素子。
- 前記消去ゲートの上端部は、前記プログラムゲートの上端部よりさらに高く拡張されることを特徴とする請求項28に記載の不揮発性半導体メモリ素子。
- 半導体基板上に載り、側面と上面とを有する絶縁されたフローティングゲート;
少なくとも前記フローティングゲートの前記側面上に形成され絶縁されたプログラムゲート;
前記フローティングゲートに隣接して配置され絶縁された消去ゲート;
前記絶縁されたフローティングゲートと前記絶縁されたプログラムゲートとの間に配置される第1の誘電膜;
前記絶縁されたフローティングゲートと前記絶縁された消去ゲートとの間に配置され、前記フローティングゲートと前記プログラムゲートとの間の容量性カップリング比が前記プログラムゲートと前記消去ゲートとの間の容量性カップリング比よりさらに大きい第2の誘電膜;および
前記絶縁されたフローティングゲートの対向側に沿って配置される第1及び第2のジャンクション領域を含む不揮発性半導体メモリ;および
前記不揮発性メモリで電気的通信を行う中央処理装置;
を含むことを特徴とするシステム。 - 保安コントローラをさらに含むことを特徴とする請求項34に記載のシステム。
- SRAMをさらに含むことを特徴とする請求項35に記載のシステム。
- M−ROMをさらに含むことを特徴とする請求項36に記載のシステム。
- 半導体基板上にゲート誘電膜を蒸着する段階;
前記ゲート誘電膜上に第1の導電膜を形成する段階;
前記ゲート誘電膜上に配置される前記第1の導電膜をパターニングしてフローティングゲートを形成する段階;
前記フローティングゲート上に第1の厚さを有する第1の誘電膜を蒸着する段階;
前記ゲート誘電膜と前記第1の誘電膜上に第2の導電膜を形成する段階;
前記第2の導電膜をパターニングして前記フローティングゲートと部分的にオーバーラップされるプログラムゲートを形成する段階;
前記プログラムゲート、前記第1の誘電膜及び前記ゲート誘電膜上に第2の厚さを有する前記第2の誘電膜を蒸着する段階;
前記第2の誘電膜上に第3の導電膜を形成する段階;および
第3の導電膜をパターニングして前記プログラムゲートと前記フローティングゲートに部分的にオーバーラップされる消去ゲートを形成する段階;
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記第1の導電膜は、約500Å〜2500Åの厚さで形成されることを特徴とする請求項38に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2の導電膜は、約1000Å〜3000Åの厚さで形成されることを特徴とする請求項38に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1の厚さは、約50Å〜200Åであることを特徴とする請求項38に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1の誘電膜を蒸着する段階は、熱酸化又は化学気相蒸着を含むことを特徴とする請求項38に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2の誘電膜を蒸着する段階は、化学気相蒸着又は熱酸化を含むことを特徴とする請求項38に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記フローティングゲートの上面を平坦ではないように酸化して、端に形成されたチップを備え平坦ではない表面を形成する屈曲のある厚さを、前記フローティングゲートが形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項38に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記フローティングゲートの対向側に沿って第1及び第2のジャンクション領域を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項38に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1及び第2のジャンクション領域のうちいずれか一つに隣接するハロー領域を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項45に記載の半導体素子の製造方法。
- 半導体基板上にゲート誘電膜を蒸着する段階;
前記ゲート誘電膜上に配置される第1の導電膜をパターニングしてフローティングゲートを形成する段階;
前記ゲート誘電膜と前記フローティングゲート上に第1のマスク膜を蒸着する段階;
前記第1のマスク膜をパターニングして前記フローティングゲートを部分的に露出させる第1のマスクパターンを形成する段階;
前記第1のマスクパターンをマスクとして使用して前記フローティングゲートの上面にイオンを注入する段階;
前記第1のマスクパターンを除去する段階;
前記ゲート誘電膜と前記フローティングゲート上に第2のマスク膜を蒸着する段階;
前記第2のマスク膜をパターニングして前記フローティングゲートを露出させる第2のマスクパターンを形成する段階;
前記フローティングゲートの上面を熱酸化する段階;
前記フローティングゲート上に第1の厚さを有する第1の誘電膜を蒸着する段階;
前記ゲート誘電膜と前記第1の誘電膜上に配置される第2の導電膜をパターニングして前記フローティングゲートと部分的にオーバーラップされるプログラムゲートを形成する段階;
前記プログラムゲート、前記第1の誘電膜及び前記ゲート誘電膜上に第2の厚さを有する第2の誘電膜を蒸着する段階;および
前記第2の誘電膜上に配置される第3の導電膜をパターニングして、前記プログラムゲート及び前記フローティングゲートと部分的にオーバーラップされる消去ゲートを形成する段階;
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記イオンを注入する段階は、窒素イオンを注入する段階を含むことを特徴とする請求項47に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記フローティングゲートの上面を熱酸化して、前記イオン注入が起こる前記フローティングゲートの部分が前記マスクによって覆われた領域より少なく酸化される段階を含むことを特徴とする請求項47に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1の導電膜は、約500Å〜2500Åの厚さで蒸着されることを特徴とする請求項47に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2の導電膜は、約1000Å〜3000Åの厚さで蒸着されることを特徴とする請求項47に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2の厚さは、前記第1の厚さより約1.5〜3.0倍厚いことを特徴とする請求項47に記載の半導体素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040077839A KR100598047B1 (ko) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
US11/172,112 US7265411B2 (en) | 2004-09-30 | 2005-06-29 | Non-volatile memory having multiple gate structure |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006108668A true JP2006108668A (ja) | 2006-04-20 |
Family
ID=36377956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005285362A Pending JP2006108668A (ja) | 2004-09-30 | 2005-09-29 | 不揮発性メモリ素子とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006108668A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009044164A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Silicon Storage Technology Inc | 浮遊ゲート、制御ゲート、選択ゲート、及び浮遊ゲートの上にオーバーハングをもつ消去ゲートを有する、改善されたスプリット・ゲート型不揮発性フラッシュメモリ・セル、アレイ、及び製造方法 |
US9219134B2 (en) | 2012-11-07 | 2015-12-22 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
2005
- 2005-09-29 JP JP2005285362A patent/JP2006108668A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009044164A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Silicon Storage Technology Inc | 浮遊ゲート、制御ゲート、選択ゲート、及び浮遊ゲートの上にオーバーハングをもつ消去ゲートを有する、改善されたスプリット・ゲート型不揮発性フラッシュメモリ・セル、アレイ、及び製造方法 |
US9219134B2 (en) | 2012-11-07 | 2015-12-22 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7265411B2 (en) | Non-volatile memory having multiple gate structure | |
US7315056B2 (en) | Semiconductor memory array of floating gate memory cells with program/erase and select gates | |
JP4927550B2 (ja) | 不揮発性メモリデバイス、不揮発性メモリデバイスを製造する方法、および不揮発性メモリアレイ | |
JP4262314B2 (ja) | Nand型不揮発性メモリ素子、その製造方法及び駆動方法 | |
KR100801078B1 (ko) | 수직 채널을 갖는 비휘발성 메모리 집적 회로 장치 및 그제조 방법 | |
JP4837299B2 (ja) | スプリットゲート型の不揮発性の半導体メモリ素子の製造方法 | |
JP5259081B2 (ja) | 単一ゲート構造を有するeeprom、該eepromの動作方法及び該eepromの製造方法 | |
JP2006191049A (ja) | 不揮発性記憶素子、その製造方法及び動作方法 | |
US5708285A (en) | Non-volatile semiconductor information storage device | |
US8138524B2 (en) | Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating memory cells with source side erase, and a memory array made thereby | |
JP2006005357A (ja) | スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 | |
JP2007027766A (ja) | 3−トランジスタメモリセルを有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 | |
JP2006093707A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
KR100568445B1 (ko) | 부분 소노스 형 게이트 구조체를 제조하는 방법 및 그것을갖는 비휘발성 메모리 셀 제조 방법 | |
JP2006005354A (ja) | スプリットゲート型のフラッシュメモリ素子及びその製造方法 | |
JP4547749B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US20070145460A1 (en) | Flash memory device and method of manufacturing the same | |
JP2007250854A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP4217409B2 (ja) | 不揮発性メモリ素子及びその製造方法 | |
CN109994542B (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
US20030178671A1 (en) | Semiconductor memory device and manufacturing method thereof | |
KR100725375B1 (ko) | 비휘발성 메모리 집적 회로 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2006310562A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP2005530336A (ja) | フラッシュメモリセルおよびその製造方法 | |
JP2007201244A (ja) | 半導体装置 |