JP5805679B2 - 半導体光検出素子 - Google Patents
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Description
図1〜図10を参照して、第1実施形態に係るフォトダイオードの製造方法について説明する。図1〜図10は、第1実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明するための図である。
図14〜図16を参照して、第2実施形態に係るフォトダイオードの製造方法について説明する。図14〜図16は、第2実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明するための図である。
図17〜図21を参照して、第3実施形態に係るフォトダイオードの製造方法について説明する。図17〜図21は、第3実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明するための図である。
図22〜図24を参照して、第4実施形態に係るフォトダイオードの製造方法について説明する。図22〜図24は、第4実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明するための図である。
図25〜図26を参照して、第5実施形態に係る半導体光検出素子SP1について説明する。図25は、第5実施形態に係る半導体光検出素子を示す斜視図である。図26は、第5実施形態に係る半導体光検出素子の断面構成を説明するための図である。
Claims (4)
- 第1導電型の半導体からなり、互いに対向する第1主面及び第2主面を有すると共に前記第1主面側に第2導電型の半導体領域が形成されたシリコン基板と、
前記シリコン基板の前記第1主面上に設けられ、発生した電荷を転送する複数の電荷転送電極と、を備え、
前記シリコン基板は、前記第2主面側に形成された前記シリコン基板よりも高い不純物濃度を有する第1導電型のアキュムレーション層と共に、前記第2主面における少なくとも第2導電型の前記半導体領域に対向する領域にパルスレーザ光の照射により形成された結晶損傷が生じている不規則な凹凸を備え、
前記シリコン基板の前記第2主面における、前記不規則な凹凸が形成された領域は、前記アキュムレーション層の表面に含まれていると共に、光学的に露出し、
少なくとも第2導電型の前記半導体領域に対向する前記領域に前記不規則な凹凸が形成された前記第2主面に対向する前記第1主面が光入射面とされて、前記第1主面から入射した光が前記シリコン基板内を進み、前記シリコン基板内を進む光が、前記不規則な凹凸により反射、散乱、又は拡散される、表面入射型であり、
前記不規則な凹凸が形成された前記領域を含む前記アキュムレーション層の厚みが、前記不規則な凹凸の高低差よりも大きいことを特徴とする半導体光検出素子。 - 第2導電型の前記半導体領域に対向する前記領域のうち一部の領域に、前記不規則な凹凸が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体光検出素子。
- 前記シリコン基板は、第2導電型の前記半導体領域に対応する部分が該部分の周辺部分を残して前記第2主面側より薄化されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体光検出素子。
- 前記シリコン基板は、その厚みが画素ピッチ以下に設定されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体光検出素子。
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