JP7089930B2 - 半導体光検出素子 - Google Patents
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Description
上記一つの態様に係る裏面入射型半導体光検出素子は、バンプ電極を介して電子部品に実装される。したがって、裏面入射型半導体光検出素子が電子部品に実装される際に、第二領域に応力が作用する。第一領域のテクスチャ表面が、半導体基板の厚み方向で、第二領域の表面よりも第一主面寄りに位置しているので、第二領域に応力が作用する場合でも、第一領域には応力が作用し難い。この結果、第一領域では、光の入射に起因しないキャリアの発生が抑制される。上記一つの態様は、暗電流の発生を抑制する。
上記一つの態様では、第一領域のテクスチャ表面が、半導体基板の厚み方向で、第二領域の表面よりも第一主面寄りに位置している。第一領域のテクスチャ表面と第二領域の表面とで段差が形成される。したがって、裏面入射型半導体光検出素子が電子部品に実装される際に、潰れたバンプ電極が半導体光検出素子のバンプ電極以外の部位と干渉し難い。上記一つの態様は、バンプ電極と他の配線との短絡の発生を抑制すると共に、長波長域での分光感度特性が受ける悪影響を抑制する。
上記一つの態様では、第一領域のテクスチャ表面が、半導体基板の厚み方向で、第二領域の表面よりも第一主面寄りに位置している。したがって、バンプ電極を形成する装置が第一領域のテクスチャ表面と物理的に干渉し難い。上記一つの態様は、バンプ電極を形成する際に、長波長域での分光感度特性が受ける悪影響を抑制する。
第二領域には、第一領域に比して、応力が作用しやすく、光の入射に起因しないキャリアが生じやすい。第二領域の厚みが第一領域の厚みより大きい構成では、第二領域の厚みが第一領域の厚み以下である構成に比して、第二領域では、光の入射に起因しないキャリアの再結合が生じやすい。したがって、本構成は、暗電流の発生を抑制する。
本構成では、パッド電極は、半導体基板の厚み方向での厚みが第一領域より大きい第二領域と接触する。パッド電極と半導体基板とが接触している場合、パッド電極を構成する材料と半導体基板を構成する材料とが合金化して、半導体基板にアロイスパイクが生じるおそれがある。アロイスパイクがpn接合に到達すると、アロイスパイクは、漏れ電流を増大させる。第二領域の厚みが第一領域の厚みより大きい構成では、第二領域の厚みが第一領域の厚み以下である構成に比して、アロイスパイクはpn接合に到達し難い。したがって、本構成は、漏れ電流の増大を抑制する。
第一領域のテクスチャ表面が、半導体基板の厚み方向で、第二領域の表面よりも第一主面寄りに位置している場合、第二領域には、応力がより一層作用しやすい。第一領域のテクスチャ表面の縁領域が半導体基板の厚み方向に対して傾斜している構成では、第一領域のテクスチャ表面の縁領域が半導体基板の厚み方向と平行である構成に比して、第二領域に作用する応力が分散されやすい。したがって、第二領域に応力が作用する場合でも、第二領域への応力の集中が抑制される。本構成は、光の入射に起因しないキャリアの発生を抑制する。この結果、本構成は、暗電流の発生をより一層抑制する。
本構成では、テクスチャ表面の窪みの最深位置での第一領域の厚みが、半導体基板の厚み方向での、第二領域の表面と最深位置との間隔以上である場合に比して、テクスチャ表面からpn接合までの距離が小さい。したがって、半導体基板に入射した光に起因するキャリアの、第二半導体領域での再結合が抑制される。この結果、本構成は、長波長域での分光感度特性をより一層向上させる。
領域17の厚みTH3は、テクスチャ表面TSの凹凸に応じて変化する。厚みTH3は、たとえば、テクスチャ表面TSの窪みの最深位置での厚みである。この場合、厚みTH3は、厚みTH1と同等である。厚みTH3は、たとえば、テクスチャ表面TSの頂の位置での厚みであってもよい。厚みTH3が規定される頂は、たとえば、全ての頂のうち、最も高い頂である。最も高い頂は、半導体基板11の厚み方向で、最も主面11b寄りに位置している頂である。この場合、厚みTH3は、領域17の厚みの最大を示す。厚みTH3が規定される頂は、たとえば、全ての頂のうち、最も低い頂であってもよい。最も低い頂は、半導体基板11の厚み方向で、最も主面11a寄りに位置している頂である。厚みTH3は、たとえば、テクスチャ表面TSの凹凸の平均高さ位置から、領域R2が終わる位置までの距離であってもよい。厚みTH3は、たとえば、0.1~1.5μmである。
半導体領域15は、以下のようにして形成される。開口53aが、酸化膜53がパターニングされることにより、酸化膜53に形成される。開口53aは、矩形状を呈している。p型不純物が、酸化膜53の開口53aを通して、主面11bから半導体基板11に添加される。添加されたp型不純物が、高温熱処理により、半導体基板11内に拡散する。半導体領域15は、主面11bから高濃度で拡散したp型不純物により形成される。上記高温熱処理により、酸化膜55が半導体領域15上に形成される(図8の(c)を参照)。
半導体領域16は、以下のようにして形成される。n型不純物が、主面11aから半導体基板11に添加される。添加されたn型不純物が、上記高温熱処理により、半導体基板11内に拡散する。半導体領域16は、主面11aから高濃度で拡散したn型不純物により形成される。
半導体光検出素子1では、厚みTH1が、間隔D1より小さい。この場合、厚みTH1が、間隔D1以上である場合に比して、テクスチャ表面TSからpn接合までの距離が小さい。したがって、半導体基板11に入射した光に起因するキャリアの、半導体領域15での再結合が抑制される。この結果、半導体光検出素子1は、長波長域での分光感度特性をより一層向上させる。
半導体光検出素子1の製造過程は、複数の半導体領域15が形成された後に、テクスチャ領域が形成される過程を含んでいるものの、半導体光検出素子1では、厚みTH1が間隔D1より小さい。したがって、半導体光検出素子1は、分光感度特性の向上を抑制し難い。
半導体光検出素子1では、厚みTH2が、厚みTH3より大きい。したがって、半導体光検出素子1では、厚みTH2が厚みTH3以下である構成に比して、領域19では、光の入射に起因しないキャリアの再結合が生じやすい。この結果、半導体光検出素子1は、暗電流の発生を抑制する。
半導体光検出素子1では、厚みTH2が、厚みTH3より大きいので、厚みTH2が厚みTH3以下である構成に比して、アロイスパイクはpn接合に到達し難い。したがって、半導体光検出素子1は、漏れ電流の増大を抑制する。
半導体光検出素子1では、テクスチャ表面TSが、仮想平面VPより主面11a寄りに位置している。テクスチャ表面TSと領域19の表面とで段差が形成される。したがって、半導体光検出素子1が電子部品ECに実装される際に、潰れたバンプ電極35(又はバンプ電極75)が半導体光検出素子1のバンプ電極35以外の部位と干渉し難い。半導体光検出素子1は、バンプ電極35(又はバンプ電極75)と他の配線との短絡の発生を抑制すると共に、長波長域での分光感度特性が受ける悪影響を抑制する。
半導体光検出素子1では、テクスチャ表面TSが、仮想平面VPより主面11a寄りに位置している。したがって、バンプ電極35を形成する装置がテクスチャ表面TSと物理的に干渉し難い。半導体光検出素子1は、バンプ電極35を形成する際に、長波長域での分光感度特性が受ける悪影響を抑制する。
半導体光検出素子1では、縁領域TSaが半導体基板の厚み方向と平行である構成に比して、領域19に作用する応力が分散されやすい。したがって、領域19に応力が作用する場合でも、領域19への応力の集中が抑制される。半導体光検出素子1は、光の入射に起因しないキャリアの発生を抑制する。この結果、半導体光検出素子1は、暗電流の発生をより一層抑制する。
半導体光検出素子1では、テクスチャ表面TSは、半導体領域15毎に設けられている。テクスチャ表面TSは、主面11bの、半導体領域15以外の領域には設けられていない。テクスチャ表面TSが半導体領域15毎に設けられている構成は、テクスチャ表面TSが主面11b全体に設けられている構成に比して、クロストークの発生を制限する。したがって、半導体光検出素子1は、クロストークの発生を抑制する。
半導体光検出素子1では、パッド電極31が、電極領域31bを有している。すなわち、パッド電極31と領域17との少なくとも一部同士が、主面11bと直交する方向から見て、重なっている。したがって、パッド電極31の面積が確保される場合でも、半導体光検出素子1は、長波長域での分光感度特性を向上させる。
絶縁膜23がシリコン熱酸化膜である場合、絶縁膜23が形成される過程の熱処理により、テクスチャ表面TSの凹凸が滑らかになる。テクスチャ表面TSの凹凸が滑らかである場合、パッド電極31を含むメタル配線の形成プロセスが容易である。
各パッド電極41は、半導体領域20に配置されている。各パッド電極41は、主面11bと直交している方向から見て、所定間隔毎に配置されている。パッド電極41は、絶縁膜23上に形成されている。パッド電極41は、絶縁膜23に形成されているコンタクトホールを通して半導体領域20と接続されている。パッド電極41は、半導体領域20と絶縁膜23とに接触している。パッド電極41は、半導体領域20上に、直接配置されている。パッド電極41は、絶縁膜25と接触している。絶縁膜25は、パッド電極41の周縁を覆っている。パッド電極41は、導電性材料からなる。パッド電極41は、たとえば、アルミニウムからなる。この場合、パッド電極41は、スパッタ法又は蒸着法により形成される。
半導体光検出素子1では、テクスチャ表面TSに配置されている絶縁膜23,25が、絶縁膜23,25に達した光を反射又は拡散させる。したがって、絶縁膜23,25を透過する光が減少する。この結果、半導体光検出素子1は、長波長域での分光感度特性の低下を抑制する。
テクスチャ表面TS上に位置する領域(領域23a)がシリコン熱酸化膜で形成される場合、テクスチャ表面TSが酸化される。テクスチャ表面TSの酸化は、長波長域での分光感度特性の向上効果を抑制する傾向がある。第五変形例では、領域23aが、シリコン熱酸化膜ではなく、酸化アルミニウム膜63で形成される。したがって、第五変形例は、長波長域での分光感度特性の向上効果を抑制し難い。領域23aは、たとえば、窒化シリコン膜で形成されてもよい。窒化シリコン膜は、たとえば、減圧CVDにより形成される。
縁領域TSaは、半導体基板の厚み方向と略平行であってもよい。縁領域TSaが、半導体基板11の厚み方向に対して傾斜している場合、上述したように、半導体光検出素子1は、暗電流の発生をより一層抑制する。
テクスチャ表面TSは、主面11bの、半導体領域15以外の領域に設けられていてもよい。テクスチャ表面TSが、半導体領域15毎に設けられている場合、上述したように、半導体光検出素子1は、クロストークの発生を抑制する。
領域19(領域19a,19b)は、テクスチャ表面TSを有していてもよい。領域19がテクスチャ表面TSを有していない場合、上述したように、領域19(領域19b)へのパッド電極31の形成が容易である。
バンプ電極35は、パッド電極31上に、直接配置されていてもよい。この場合、半導体光検出素子1は、UBM33を備えていない。
Claims (6)
- 互いに対向している第一主面と第二主面とを有している半導体基板と、
複数のバンプ電極と、を備え、
前記半導体基板は、第一導電型の第一半導体領域と、前記第二主面側に形成されていると共に前記第一半導体領域とでpn接合を構成する第二導電型の複数の第二半導体領域と、を有し、
前記複数の第二半導体領域それぞれは、テクスチャ表面を有している第一領域と、前記複数のバンプ電極のうち対応するバンプ電極が配置されている第二領域と、を有し、
前記複数の第二半導体領域は、前記半導体基板と直交する方向であって前記第一主面と前記第二主面とに直交する方向から見て、互いに直交する第一方向及び第二方向に沿って二次元配列されており、
前記第一領域と前記第二領域とは、前記第一方向と前記第二方向とに交差する方向で隣り合い、
前記第一領域の前記テクスチャ表面は、前記半導体基板の厚み方向で、前記第二領域の前記表面よりも前記第一主面寄りに位置し、
前記第一主面が前記半導体基板への光入射面である、裏面入射型半導体光検出素子。 - 前記半導体基板の厚み方向での前記第二領域の厚みは、前記半導体基板の前記厚み方向での前記第一領域の厚みより大きい、請求項1に記載の裏面入射型半導体光検出素子。
- 前記第二領域に配置されていると共に前記第二領域と接触しているパッド電極を更に備え、
前記第二領域と前記バンプ電極とは、前記パッド電極を通して電気的に接続されている、請求項2に記載の裏面入射型半導体光検出素子。 - 前記第一領域の前記テクスチャ表面の縁領域は、前記第二領域の前記表面と連続していると共に、前記半導体基板の厚み方向に対して傾斜している、請求項1~3のいずれか一項に記載の裏面入射型半導体光検出素子。
- 前記テクスチャ表面の窪みの最深位置での前記第一領域の厚みは、前記半導体基板の厚み方向での、前記第二領域の前記表面と前記最深位置との間隔より小さい、請求項1~4のいずれか一項に記載の裏面入射型半導体光検出素子。
- 前記第二領域は、テクスチャ表面を有していない、請求項1~5のいずれか一項に記載の裏面入射型半導体光検出素子。
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---|---|---|---|---|
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JPH06314814A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置および色センサ |
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US7880258B2 (en) * | 2003-05-05 | 2011-02-01 | Udt Sensors, Inc. | Thin wafer detectors with improved radiation damage and crosstalk characteristics |
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JP5185207B2 (ja) * | 2009-02-24 | 2013-04-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | フォトダイオードアレイ |
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---|---|---|---|---|
WO2004047178A1 (ja) | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | 裏面入射型ホトダイオードアレイ、その製造方法及び半導体装置 |
US20120313204A1 (en) | 2011-06-09 | 2012-12-13 | Homayoon Haddad | Process Module for Increasing the Response of Backside Illuminated Photosensitive Imagers and Associated Methods |
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