JP5794850B2

JP5794850B2 - 接続端子構造の製造方法

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Publication number: JP5794850B2
Application number: JP2011162909A
Authority: JP
Inventors: 義博井原
Original assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Current assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date: 2011-07-26
Filing date: 2011-07-26
Publication date: 2015-10-14
Anticipated expiration: 2031-07-26
Also published as: JP2013026178A; US20130029538A1; US8784118B2

Description

本発明は、接続端子構造の製造方法に関する。

従来より、半導体パッケージ等の第１被接続物を、実装基板等の第２被接続物と電気的に接続するソケットが知られている。

一例として、パッケージを基板上に実装するためのソケットであって、前記パッケージのアレイ状の端子電極群と接続される第１電極群、及び前記基板上の電極群と接続される第２電極群を含むフレキシブル配線板と、そのフレキシブル配線板が装着されたソケット本体と、パッケージをソケット本体側へ押さえ付けるカバーを備えたソケットを挙げることができる。

このソケットでは、フレキシブル配線板の一方の面側へ突出する立ち上がり片が複数設けられ、各立ち上がり片の表面に第１電極群の各電極がそれぞれ設けられ、フレキシブル配線板の他方の面側に前記第２電極群が設けられている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００１−１４３８２９号公報

しかしながら、上記のソケットでは、接続端子となる立ち上がり片がＵ字状に湾曲形成されているため、複雑な金型を用いた複雑な製造工程が必要である。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、簡易な製造工程により作製可能な接続端子構造の製造方法を提供することを課題とする。

本接続端子構造の製造方法は、支持体と、前記支持体の一方の面に設けられ、一端に固定部、他端に被接続物と当接する接続部、前記一端と前記他端との間に前記固定部と前記接続部とを連結するばね部を備えた金属製の接続端子と、を有する接続端子構造の製造方法であって、前記支持体の一方の面に金属層が形成された部材を準備し、前記支持体に、前記支持体の一方の面からその反対面である他方の面に貫通する開口部を形成し、前記金属層の前記固定部となる部分のうち、前記支持体と接する面の一部を前記開口部の底面に露出させる第１工程と、前記金属層をパターニングし、前記固定部、前記ばね部、及び前記接続部に対応する形状の金属部を形成する第２工程と、前記金属部の一部を前記支持体と共に切り起こして前記一方の面側に突出させ、前記ばね部及び前記接続部を形成する第３工程と、を有し、前記第３工程では、前記固定部と前記ばね部が鈍角を形成するように、前記固定部に対して前記金属部の一部を前記支持体と共に切り起こすことを要件とする。

開示の技術によれば、簡易な製造工程により作製可能な接続端子構造の製造方法を提供できる。

第１の実施の形態に係る接続端子構造を例示する図である。第１の実施の形態に係る接続端子構造付き基板を例示する断面図である。第１の実施の形態に係る接続端子構造の製造工程を例示する図（その１）である。第１の実施の形態に係る接続端子構造の製造工程を例示する図（その２）である。第１の実施の形態に係る接続端子構造の製造工程を例示する図（その３）である。第１の実施の形態に係る接続端子構造の製造工程を例示する図（その４）である。第１の実施の形態に係る接続端子構造の製造工程を例示する図（その５）である。第１の実施の形態に係る接続端子構造の製造工程を例示する図（その６）である。第２の実施の形態に係る接続端子構造付き基板を例示する断面図である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る接続端子構造］
図１は、第１の実施の形態に係る接続端子構造を例示する図である。図２は、第１の実施の形態に係る接続端子構造付き基板を例示する断面図である。なお、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図であり、図１（ａ）では便宜上図１（ｂ）に対応するハッチングを施している。

図１及び図２を参照するに、接続端子構造付き基板１は、接続端子構造１０と、基板４０と、接合部５１とを有する。５２は接合部を、６０は第１被接続物を、７０は第２被接続物を示している。第１被接続物６０は、接続端子構造付き基板１を介して、第２被接続物７０と電気的に接続されている。

第１被接続物６０は、例えば、所謂ＬＧＡ（Land grid array）等の半導体パッケージや、半導体チップを有さない配線基板等であり、基板６１と、基板６１の表面に形成されたパッド６２とを有する。第２被接続物７０は、例えば、マザーボード等の実装基板であり、基板７１と、基板７１の表面に形成されたパッド７２とを有する。

接続端子構造１０は、支持体２０と、複数の接続端子３０とを有する。支持体２０は、複数の接続端子３０を固定するための基体となるものであり、例えば、平面形状が矩形状の部材を用いることができる。但し、支持体２０の平面形状は矩形状には限定されず、任意の形状として構わない。

支持体２０の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂等の絶縁性樹脂を用いることができる。ポリイミド系樹脂に代えて、アラミド系樹脂やエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を用いても構わない。又、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸した部材を用いても構わない。支持体２０の厚さは、例えば、２５〜１００μｍ程度とすることができる。

接続端子３０は、接続部３６が第１被接続物６０のパッド６２に対応する位置にくるように、例えば、支持体２０の一方の面に格子状に配列されている。接続端子３０のピッチ（接続部３６のピッチ）は、例えば、０．３〜１．０ｍｍ程度とすることができる。接続端子３０は、金属部３１と、めっき部３２とを有し、支持体２０の一部と共に所定形状に成形（曲げ加工）されている。金属部３１は、支持体２０の一方の面に接合されており、金属部３１の表面（後述の開口部２０ｘ内に露出する部分も含む）にはめっき部３２が形成されている。金属部３１は、例えば、接着層（図示せず）を介して、支持体２０の一方の面に接合することができる。又、金属部３１は、例えば、圧接により、支持体２０の一方の面に接合されていてもよい。

金属部３１の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金（リン青銅やベリリウム銅、コルソン系の銅合金等）等を用いることができる。金属部３１の厚さは、例えば、２５〜１００μｍ程度とすることができる。めっき部３２の材料としては、例えば、ニッケルコバルト（ＮｉＣｏ）合金めっきを用いることができる。ニッケルコバルト（ＮｉＣｏ）合金めっきに代えて、パラジウムコバルト（ＰｄＣｏ）合金めっきやニッケル（Ｎｉ）めっき等を用いてもよい。

めっき部３２としてニッケルコバルト（ＮｉＣｏ）合金めっきやパラジウムコバルト（ＰｄＣｏ）合金めっきを用いた場合の厚さは、例えば、１０〜５０μｍ程度とすることができる。めっき部３２としてニッケル（Ｎｉ）めっきを用いた場合の厚さは、例えば、２０〜１００μｍ程度とすることができる。なお、ニッケルコバルト（ＮｉＣｏ）合金めっきやパラジウムコバルト（ＰｄＣｏ）合金めっき、ニッケル（Ｎｉ）めっきは非常に固いため、所定のばね特性が容易に得られる。

第１被接続物６０のパッド６２との接続信頼性を向上するため（接触抵抗を低減するため）、ニッケルコバルト（ＮｉＣｏ）合金めっき等の表面に、更に金（Ａｕ）めっきやパラジウム（Ｐｄ）めっき等の貴金属めっきを施しても構わない。金（Ａｕ）めっき等の貴金属めっきの厚さは、例えば、０．１〜０．４μｍ程度とすることができる。なお、金（Ａｕ）めっき等の貴金属めっきは、接続部３６の部分のみに形成してもよい。

接続端子３０は、弾性変形可能な（ばね性を有する）導電性の部材であり、一端に平面形状が略矩形状の固定部３５、他端に平面形状が略矩形状の接続部３６、両者の間に固定部３５と接続部３６とを連結するばね部３７を備えている。固定部３５、接続部３６、及びばね部３７は、一体的に形成され、固定部３５は、ばね部３７を介して、接続部３６と電気的に接続されている。

固定部３５の幅（Ｙ−Ｙ方向）は接続部３６の幅（Ｙ−Ｙ方向）よりも広く、ばね部３７は、接続部３６側から固定部３５側に向かうに連れて幅広く形成された末広がり形状（略三角形状）とされている。固定部３５、接続部３６、及びばね部３７の形状は、図１の形状には限定されないが、ばね部３７を末広がり形状（略三角形状）とすることにより、固定部３５を基板等に固定して接続部３６を押圧した際に、均一に力を分散させることができる。

固定部３５の一部は、支持体２０に形成された開口部２０ｘ内に露出している。固定部３５の開口部２０ｘ内に露出する部分は、接続端子構造１０を基板４０と接合する際のパッドとして機能する。以降、固定部３５の開口部２０ｘ内に露出する部分をパッド３５と称する場合がある。パッド３５の平面形状は、例えば円形であり、その直径は、例えば５０〜２００μｍ程度とすることができる。

ばね部３７及び接続部３６は、支持体２０と共に切り起こされて支持体２０の一方の面側に突出している。接続部３６は、第１被接続物６０のパッド６２と当接する部分である。接続部３６のめっき部３２が形成されている部分が第１被接続物６０のパッド６２と当接する。

接続部３６は平板状としてもよいが、第１被接続物６０のパッド６２に面する側が凸となる形状（ラウンド形状等）としてもよい。例えば、接続部３６をラウンド形状とすることにより、接続部３６が基板４０側に押圧される際に、接続部３６により第１被接続物６０のパッド６２が破損することを防止できる。

ばね部３７は、固定部３５に対して所定の角度傾斜しており、ばね性を有する。ばね部３７は平板状としてもよいが、例えば、基板４０に面する側が凸となる弓なりに湾曲した形状等としてもよい。ばね部３７は、第１被接続物６０により接続部３６が押圧された際、接続部３６をパッド６２に向かう方向に反発させることで、接続部３６とパッド６２とを固定することなく当接させる機能を有する。

本実施の形態の接続端子３０では、実際には、接続部３６及びばね部３７が一体的にばねとして機能する。接続部３６及びばね部３７の部分の接続端子３０のばね定数は、例えば、０．６〜０．８Ｎ／ｍｍとすることができる。図１に示す状態（接続端子３０の接続部３６が押圧されていない状態）における接続端子３０の高さＨは、例えば、０．２〜０．８ｍｍ程度とすることができる。接続端子３０の稼働範囲は、例えば、０．１〜０．３ｍｍ程度とすることができる。

なお、後述の接続端子構造１０の製造工程で説明するように、各接続端子３０は、ばね部３７及び接続部３６となる部分を支持体２０と共に切り起こす工程（切断及び折り曲げる工程）を含む製造工程により作製されるため、作製後に支持体２０に開口部１０ｘが形成される。

本実施の形態では、接続端子構造１０は、接合部５１を介して基板４０に接合され、接続端子構造付き基板１を構成している。基板４０は、基板本体４１と、基板本体４１の一方の面に形成された第１導体層４２と、他方の面に形成された第２導体層４３と、基板本体４１を一方の面から他方の面に貫通する貫通孔４１ｘ内に形成されたビア配線４４とを有する。なお、基板本体４１の一方の面に形成され第１導体層４２の一部を露出する開口部を有するソルダーレジスト層、基板本体４１の他方の面に形成され第２導体層４３の一部を露出する開口部を有するソルダーレジスト層を設けてもよい。

第１導体層４２と第２導体層４３とは、ビア配線４４を介して電気的に接続されている。ビア配線４４は、貫通孔４１ｘを充填しなくても構わない。第１導体層４２は、接続端子３０の固定部３５と接続されるパッドとして機能する。第２導体層４３は、第２被接続物７０のパッド７２と接続されるパッドとして機能する。第１導体層４２のピッチは、例えば、０．３〜１．０ｍｍ程度とすることができる。

基板本体４１は、接続端子構造１０を固定するための基体となるものであり、例えば、ポリイミド樹脂や液晶ポリマ等を用いたフレキシブルなフィルム状基板を用いることができる。基板本体４１として、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸したリジッドな基板（例えば、ＦＲ４材等）を用いても構わない。基板本体４１の厚さは、例えば１００〜８００μｍ程度とすることができる。

第１導体層４２、第２導体層４３、及びビア配線４４の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第１導体層４２、第２導体層４３の厚さは、例えば、５〜５０μｍ程度とすることができる。第１導体層４２、第２導体層４３、及びビア配線４４は、例えば、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種配線形成方法により形成できる。

なお、図２の例では、第１導体層４２と第２導体層４３とは、平面視において重複する位置に形成されているが、例えば、基板本体４１の一方の面や他方の面に配線パターンを形成し、第２導体層４３を第１導体層４２と平面視において重複しない任意の位置に移動させてもよい。これにより、第２導体層４３を第１導体層４２とは異なるピッチとすることができる。つまり、基板４０を用いてピッチ変換が可能である。なお、基板４０として多層配線基板を用いてピッチ変換してもよい。

接続端子３０のパッド３５は、接合部５１を介して第１導体層４２と接合され、電気的及び機械的に接続されている。接続端子３０の接続部３６は、第１被接続物６０のパッド６２に離間可能な状態（固定されていない状態）で当接し、パッド６２と電気的に接続されている。

接合部５１は、第１導体層４２上に形成され、接続端子３０のパッド３５と第１導体層４２とを電気的及び機械的に接続している。接合部５２は、基板４０の第２導体層４３と第２被接続物７０のパッド７２とを電気的及び機械的に接続している。接合部５１及び５２の材料としては、はんだや導電性樹脂ペースト（例えば、Ａｇペースト）等の導電性材料を用いることができる。接合部５１の材料としてはんだを用いる場合は、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。

第１被接続物６０と第２被接続物７０に接合された接続端子構造付き基板１とは、例えば平面形状が額縁状の枠部（図示せず）により、第１被接続物６０のパッド６２と接続端子３０の接続部３６とが当接するように位置決めされている。又、第１被接続物６０は、蓋部（図示せず）により、基板４０側に押圧された状態で固定（ロック）されている。

これにより、接続端子３０は押圧されＺ−Ｚ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、第１被接続物６０のパッド６２は、接続端子３０の接続部３６と当接する。つまり、第１被接続物６０は接続端子構造付き基板１を介して第２被接続物７０と電気的に接続される。但し、蓋部（図示せず）のロックを解除することにより、第１被接続物６０は、接続端子構造付き基板１及び第２被接続物７０に対して着脱可能である。

このように、本実施の形態に係る接続端子構造付き基板１、枠部（図示せず）、及び蓋部（図示せず）により、ソケットを構成できる。なお、基板４０の厚さを変更することにより、容易にソケットの高さ調整が可能である。

［第１の実施の形態に係る接続端子構造の製造方法］
次に、接続端子構造１０の製造方法について説明する。図３〜図８は、第１の実施の形態に係る接続端子構造の製造工程を例示する図である。なお、図３〜図８において、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図であり、（ａ）では便宜上（ｂ）に対応するハッチングを施している。又、図３〜図８は、図１とは上下が反転した状態で描かれている。

まず、図３に示す工程では、支持体２０の一方の面に金属層３１ａが形成されたシート状又はテープ状の部材を準備する。そして、支持体２０に、金属層３１ａの最終的にパッド３５となる部分（最終的に固定部３５となる部分の一部）を露出する開口部２０ｘを形成する。開口部２０ｘは、例えば、レーザー加工法等により形成できる。金属層３１ａは、例えば、接着層（図示せず）を介して、支持体２０の一方の面に接合されている。又、金属層３１ａは、例えば、圧接により、支持体２０の一方の面に接合されていてもよい。金属層３１ａは、最終的に各接続端子３０の金属部３１となる部分である。

金属層３１ａの材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金（リン青銅やベリリウム銅、コルソン系の銅合金等）等を用いることができる。金属層３１ａの厚さは、例えば、２５〜１００μｍ程度とすることができる。なお、本実施の形態では、金属層３１ａとして銅箔を用いる例を示す。

次に、図４及び図５に示す工程では、金属層３１ａをパターニングし、固定部３５、ばね部３７、及び接続部３６に対応する形状の金属部３１と、金属部３１同士を電気的に接続するバスライン３１ｂとを形成する。

具体的には、図４に示す工程で、金属層３１ａの一方の面（支持体２０と接していない側の面）に、所定部分を覆うレジスト層９１を形成する。レジスト層９１は、例えば、始めに金属層３１ａの一方の面の全面にレジストフィルムを貼付し、その後レジストフィルムを露光及び現像して、所定部分を覆うように形成できる。なお、所定部分とは、最終的に各接続端子３０の金属部３１となる部分、及び後述の工程で電解めっきを行うためのバスライン３１ｂとなる部分である。

次に、図５に示す工程では、レジスト層９１に覆われていない部分の金属層３１ａをエッチングにより除去し、金属部３１及びバスライン３１ｂを形成する。金属層３１ａが銅箔である場合には、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。その後、レジスト層９１を除去する。なお、図５において、金属部３１とバスライン３１ｂとは一体的に形成されているが、便宜上バスライン３１ｂを破線で示している（他の図も同様）。バスライン３１ｂは、金属部３１同士を連結する部分である。

次に、図６に示す工程では、プレス加工等により、金属部３１の一部を支持体２０と共に切り起こして（切断及び折り曲げて）支持体２０の一方の面側に突出させる。この工程において、切り起こした部分に対応する開口部１０ｘが形成される。

次に、図７に示す工程では、バスライン３１ｂを給電ラインとする電解めっき法により、金属部３１の支持体２０の一方の面に接する側を除く部分にめっき部３２を形成する（開口部２０ｘ内にはめっき部３２を形成する）。めっき部３２の材料としては、例えば、ニッケルコバルト（ＮｉＣｏ）合金めっきやパラジウムコバルト（ＰｄＣｏ）合金めっき、ニッケル（Ｎｉ）めっき等を用いることができる。めっき部３２としてニッケルコバルト（ＮｉＣｏ）合金めっきやパラジウムコバルト（ＰｄＣｏ）合金めっきを用いた場合の厚さは、例えば、１０〜５０μｍ程度とすることができる。めっき部３２としてニッケル（Ｎｉ）めっきを用いた場合の厚さは、例えば、２０〜１００μｍ程度とすることができる。

第１被接続物６０のパッド６２との接続信頼性を向上するため、ニッケルコバルト（ＮｉＣｏ）合金めっき等の表面に、更に金（Ａｕ）めっきやパラジウム（Ｐｄ）めっき等の貴金属めっきを施しても構わない。金（Ａｕ）めっき等の貴金属めっきの厚さは、例えば、０．１〜０．４μｍ程度とすることができる。なお、金（Ａｕ）めっき等の貴金属めっきは、接続部３６となる部分のみに形成してもよい。

次に、図８に示す工程では、図７に示す金属部３１からバスライン３１ｂを切断する。バスライン３１ｂは、例えば、プレス加工法やレーザー加工法等により切断できる。この際、例えば、支持体２０ごとバスライン３１ｂを打ち抜くため、バスライン３１ｂ除去部分の支持体２０に貫通孔が形成される。これにより、支持体２０に複数の接続端子３０が形成された接続端子構造１０が完成する。

このように、第１の実施の形態によれば、支持体２０の一方の面に金属層３１ａが形成されたシート状又はテープ状の部材を加工して、支持体２０に複数の接続端子３０が形成された接続端子構造１０を形成する。これにより、複数の接続端子３０の一括形成が可能となり、又、複雑な金型を用いて接続端子を湾曲させる工程等を含まないため、接続端子構造１０の製造工程を簡略化できる。

又、接続端子構造１０をソケットに適用する際に、基板４０を用いることにより、容易にピッチ変換や高さ調整等が可能となる。

〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、接続端子構造１０を用いた接続端子構造付き基板の他の例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図９は、第２の実施の形態に係る接続端子構造付き基板を例示する断面図である。図９を参照するに、接続端子構造付き基板２では、図１に示す接続端子構造１０が基板４０の両面に設けられた点が、接続端子構造付き基板１（図２参照）と相違する。なお、便宜上、基板４０の第１被接続物６０側の面に設けられた接続端子構造を接続端子構造１０_１とし、基板４０の第２被接続物７０側の面に設けられた接続端子構造を接続端子構造１０_２とする。

接続端子構造１０_２において、接続端子３０のパッド３５は、接合部５２を介して基板４０の第２導体層４３と接合され、電気的及び機械的に接続されている。又、接続端子構造１０_２において、接続端子３０の接続部３６は、第２被接続物７０のパッド７２に離間可能な状態（固定されていない状態）で当接し、パッド７２と電気的に接続されている。

第１被接続物６０と、接続端子構造付き基板２と、第２被接続物７０とは、例えば平面形状が額縁状の枠部（図示せず）により、第１被接続物６０のパッド６２と接続端子構造１０_１の接続部３６とが当接し、第２被接続物７０のパッド７２と接続端子構造１０_２の接続部３６とが当接するように位置決めされている。又、第１被接続物６０は、蓋部（図示せず）により、基板４０側に押圧された状態で固定（ロック）されている。

これにより、接続端子構造１０_１の接続端子３０及び接続端子構造１０_２の接続端子３０は押圧され、それぞれＺ−Ｚ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、第１被接続物６０のパッド６２は接続端子構造１０_１の接続部３６と当接し、第２被接続物７０のパッド７２は接続端子構造１０_２の接続部３６と当接する。

つまり、第１被接続物６０は接続端子構造付き基板２を介して第２被接続物７０と電気的に接続される。但し、蓋部（図示せず）のロックを解除することにより、第１被接続物６０、及び接続端子構造付き基板２は、第２被接続物７０に対して着脱可能である。

このように、本実施の形態に係る接続端子構造付き基板２、枠部（図示せず）、及び蓋部（図示せず）により、ソケットを構成できる。なお、基板４０の厚さを変更することにより、容易にソケットの高さ調整が可能である。

第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、接続端子構造付き基板２では、基板４０の両面に接続端子構造１０_１及び１０_２を設けた。そのため、接続端子構造付き基板２は、第１被接続物６０及び第２被接続物７０と、はんだ等により固定されていなく着脱可能であるため、接続端子３０が破損したような場合であっても、容易に良品と交換できる。

以上、好ましい実施の形態について詳説したが、上述した実施の形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

例えば、第２被接続物７０を半導体パッケージテスト用基板とすることにより、半導体パッケージの電気特性等のテストを繰り返し実施することが可能となる。

又、第２の実施の形態において、基板４０を用いてピッチ変換を行ってもよい。

１、２接続端子構造付き基板
１０接続端子構造
１０ｘ、２０ｘ開口部
２０支持体
３０接続端子
３１金属部
３１ａ金属層
３１ｂバスライン
３２めっき部
３５固定部
３６接続部
３７ばね部
４０基板
４１基板本体
４１ｘ貫通孔
４２第１導体層
４３第２導体層
４４ビア配線
５１、５２接合部
６０第１被接続物
６２、７２パッド
７０第２被接続物
９１レジスト層
Ｈ高さ

Claims

支持体と、
前記支持体の一方の面に設けられ、一端に固定部、他端に被接続物と当接する接続部、前記一端と前記他端との間に前記固定部と前記接続部とを連結するばね部を備えた金属製の接続端子と、を有する接続端子構造の製造方法であって、
前記支持体の一方の面に金属層が形成された部材を準備し、前記支持体に、前記支持体の一方の面からその反対面である他方の面に貫通する開口部を形成し、前記金属層の前記固定部となる部分のうち、前記支持体と接する面の一部を前記開口部の底面に露出させる第１工程と、
前記金属層をパターニングし、前記固定部、前記ばね部、及び前記接続部に対応する形状の金属部を形成する第２工程と、
前記金属部の一部を前記支持体と共に切り起こして前記一方の面側に突出させ、前記ばね部及び前記接続部を形成する第３工程と、を有し、
前記第３工程では、前記固定部と前記ばね部が鈍角を形成するように、前記固定部に対して前記金属部の一部を前記支持体と共に切り起こすことを特徴とする接続端子構造の製造方法。
前記第３工程よりも後に、前記接続端子の表面にめっきを施す第４工程を有することを特徴とする請求項１記載の接続端子構造の製造方法。
１つの前記支持体に対して、複数の前記接続端子を配列することを特徴とする請求項１又は２記載の接続端子構造の製造方法。
前記固定部の幅は前記接続部の幅よりも広く、
前記ばね部は、前記接続部側から前記固定部側に向かうに連れて幅広く形成された末広がり形状であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項記載の接続端子構造の製造方法。