JP5793990B2 - 半導体パッケージの開封方法、及び半導体パッケージの検査方法 - Google Patents

Description

本発明は半導体パッケージの開封方法、及び半導体パッケージの検査方法に関する。

ワイヤボンディング接続やフリップチップ接続によって基板やリードフレーム上に実装される半導体素子は、物理的保護や絶縁を目的としてその一部もしくは全体がエポキシ樹脂硬化物（封止樹脂）によって封止され、半導体パッケージとして使用されている。封止の方式には、半導体素子実装体を金型に入れて封止樹脂を注入、硬化させるトランスファーモールド方式や、フリップチップ接続で実装された半導体素子と実装基板との隙間に封止樹脂を注入し硬化させるアンダーフィル方式などが採用されている。近年では半導体素子の大容量化、高集積化や回路のファインピッチ化が進んだことにより、極めて狭いギャップや複雑な半導体素子積層体に封止樹脂が充填されることが多い。

前記半導体パッケージは電子機器に組み込まれるに先立ち、種々の試験による信頼性評価が行われ、半導体素子や接続端子部分の観察、分析が行われる。また電子機器として使用された後も、駆動時間の経過と共に発生した不具合の解析や、故障原因の究明を目的として、電気的な検査、半導体素子や接続端子部分の観察、分析が行われる。このような検査、観察、分析を行う際は、その目的に応じて適切な手段で半導体パッケージを解体し、又は封止樹脂を除去（開封）する必要が生じる。

半導体パッケージを解体、開封する方法として、一般的なトランスファーモールド型の半導体パッケージを参考に例示すると、第１の方法として、「観察、分析部位近傍を切断し、或いは機械的応力を加えて破壊する方法」、第２の方法として、「レーザーによって封止樹脂を除去する方法」、第３の方法として、「溶液中に浸漬し、或いは溶液を滴下して封止樹脂を溶解する方法」などが挙げられる。

特許文献１〜２に示される第１の方法では、半導体パッケージを注型用エポキシ樹脂中に埋め込んで硬化させ、観察、分析部位近傍をカッターなどで切断したのち切断面を研磨することで、断面を観察することができる（第１の従来技術）。

特許文献３〜４に示される第２の方法では、レーザーの焦点を絞ることで観察、分析を行う部分のみ封止樹脂を開封することができ、また開封後も半導体素子を動作させるための電気的な検査が可能である（第２の従来技術）。

特許文献５〜７に示される第３の方法では、発煙硝酸や混酸等の溶液を用いて封止樹脂を溶解（エッチング）することで半導体パッケージを開封する。半導体素子と基板との接続を保持したまま観察、分析も可能であり、半導体素子を動作させるための電気的な検査も可能である（第３の従来技術）。

さらに特許文献３に示すように、第２の方法と第３の方法とを併用することも可能である。また、特許文献８〜９に示すように、半導体パッケージの開封が目的ではないが、樹脂硬化物を溶解しうる溶液を積極的に応用することでも封止樹脂を溶解することが可能である。

特に第３の方法は、半導体パッケージを切断したり、電気的接続を断線したりすることなく、またレーザーのような特殊な設備を必要とせずに半導体パッケージを開封できる特徴がある。

特開平７−１３０３１８号公報 特開平１０−１５０２５５号公報 特開２０００−２１９１２号公報 特開２００６−３４４６５５号公報 特開平６−６１２８６号公報 特開２００１−３５８１５８号公報 特開２００６−１９６５９２号公報 特許第４４２８０５２号明細書 特許第３６２４９６７号明細書

本発明は、半導体素子の電気的接続を保持した状態でエポキシ樹脂硬化物を除去する半導体パッケージの開封方法を提供すること、及びこの半導体パッケージの開封方法を用いた半導体パッケージの検査方法を提供することを課題とする。

本発明者らは半導体パッケージの開封について検討を行った。上述の第１の従来技術を用いて半導体パッケージを開封した場合には、半導体パッケージを部分的に破壊するため、半導体素子を動作させる電気的な検査ができないという問題がある。
また、第２の従来技術では、レーザーを使用するための特殊な設備を予め準備しなければならないという問題がある。

本発明者らは半導体素子を動作させるための電気的な検査を行うことを想定し、またレーザーのような特殊な設備を必要とせずに半導体パッケージを開封できる第３の方法での検討を行った。そして近年ファインピッチ化が進んでいる半導体パッケージの一例としてフリップチップ接続方式の半導体パッケージの開封を試みた。その結果、以下のことが明らかになった。

封止樹脂を溶解する溶液としては、一般的に第３の従来技術のような発煙硝酸および混酸が知られている。これらの溶液を使用して開封した半導体パッケージを注意深く観察した結果、フリップチップ接続部の端子間に樹脂が残存し、完全な除去が困難であることが分かった。また、半導体素子の回路面や接続端子、配線の一部が溶液によって腐食される現象や、この腐食によって配線が断線する現象が発生した。これらの現象は溶液の温度や時間を制御しても著しい改善はみられなかった。これはフリップチップ接続方式の半導体パッケージが極めてファインピッチな配線と接続端子を有し、さらに基板と半導体素子の隙間が狭いため溶液が十分に浸透せず、封止樹脂のみを選択的に溶解できなかったためと推測する。このような溶液では封止樹脂を十分に溶解できないだけでなく、半導体素子を動作させるための電気的な検査が困難となる。さらには腐食した接続端子や配線と、不良箇所との判別が困難となり、観察、分析結果を大きく見誤る危険性を伴うことが課題として明らかになった。同様の現象はワイヤボンディング接続方式においても発生しうるものである。

上記現象を踏まえ、上記課題を解決する方法として本発明に至った。すなわち、本発明に係る半導体パッケージの封止樹脂の開封方法は、エポキシ樹脂硬化物を分解する特定の触媒と有機溶剤とを含む処理液で処理することにより、エポキシ樹脂硬化物を除去することを特徴とするものである。この方法によれば、半導体素子の電気的接続を保持した状態でエポキシ樹脂硬化物を分解および溶解させてエポキシ樹脂硬化物を除去することが可能である。具体的に、本発明は以下の通りである。

＜１＞ プリント基板に半導体素子が実装されエポキシ樹脂硬化物で封止された半導体パッケージに、アルカリ金属化合物を含む触媒と有機溶剤とを含む処理液を付与する工程を有する、前記半導体パッケージから前記エポキシ樹脂硬化物を除去して前記半導体パッケージを開封する半導体パッケージの開封方法。

＜２＞ 前記アルカリ金属化合物が、アルカリ金属塩である前記＜１＞に記載の半導体パッケージの開封方法。

＜３＞ 前記アルカリ金属塩が、アルカリ金属のリン酸類の塩である前記＜２＞に記載の半導体パッケージの開封方法。

＜４＞ 前記有機溶剤が、アルコール系溶剤である前記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の半導体パッケージの開封方法。

＜５＞ 前記アルコール系溶剤がモノアルコールである前記＜４＞に記載の半導体パッケージの開封方法。

＜６＞ 前記処理液を付与してからエポキシ樹脂硬化物を除去するまでを、大気圧下で行う前記＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の半導体パッケージの開封方法。

＜７＞ 前記処理液を付与してからエポキシ樹脂硬化物を除去するまでを空気中で行う場合には、前記処理液の温度を２５０℃以下、不活性気体中で行う場合には前記処理液の温度を３００℃以下とする前記＜１＞〜＜６＞のいずれか１項に記載の半導体パッケージの開封方法。

＜８＞ 前記エポキシ樹脂硬化物を除去した後の半導体パッケージは、検査、観察、又は分析可能な半導体素子を含んでいる前記＜１＞〜＜７＞のいずれか１項に記載の半導体パッケージの開封方法。

＜９＞ 前記＜１＞〜＜８＞に記載の半導体パッケージの開封方法を用いて、前記半導体パッケージからエポキシ樹脂硬化物を除去した後、下記第１〜第５の工程のうちの少なくとも１工程を行う、半導体パッケージの検査方法。
第１の工程：前記半導体パッケージの開封前の電気的接続の状態を実質的に変えずに、電気的検査を行う。
第２の工程：前記半導体パッケージの開封前の電気的接続の状態を実質的に変えずに、外観観察を行う。
第３の工程：プリント基板から半導体素子を取り離して、前記半導体素子および前記プリント基板の少なくとも一方の外観観察を行う。
第４の工程：プリント基板から半導体素子を取り離して、前記半導体素子および前記プリント基板の少なくとも一方の表面に存在する成分の分析を行う。
第５の工程：プリント基板から半導体素子を取り離し、更に切断、研磨又は掘削加工を行い、前記半導体素子および前記プリント基板の少なくとも一方の内部構造の観察および構成成分の分析の少なくとも一方を行う。

本発明により、半導体素子の電気的接続を保持した状態でエポキシ樹脂硬化物を除去する半導体パッケージの開封方法を提供することができ、及びこの半導体パッケージの開封方法を用いた半導体パッケージの検査方法を提供することができる。

Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ（ＣＯＦ）を半導体素子の長辺側からみた概略断面図である。 実施例における、フレキシブル基板（ＦＰＣ）側からみた封止樹脂の溶解状態の評価基準を説明する図である。 実施例における、接続端子及び配線についての腐食状態の評価基準を説明する図である。

本発明の半導体パッケージの開封方法は、プリント基板に半導体素子が実装されエポキシ樹脂硬化物で封止された半導体パッケージに、アルカリ金属化合物を含む触媒と有機溶剤とを含む処理液を付与する工程を有するものである。ここで、「半導体パッケージの開封」とは、半導体パッケージから封止樹脂であるエポキシ樹脂硬化物を除去することをいい、エポキシ樹脂硬化物を除去した後においても電気的接続が保持された状態にあることをいう。電気的接続が保持された状態にある点で、解体とは異なる。

本発明者らは上述の課題を解決すべく、半導体パッケージに限定せずに広くエポキシ樹脂の硬化物を選択的に溶解しうる溶液に関して鋭意調査を重ねた。

例えばプリント配線板の加工工程においては、エポキシ樹脂硬化物を溶解させて、電気回路の一部を形成する目的で、専用のエッチング液が利用されている。例えば、ハロゲン化高分子量エポキシ重合体を含有するエポキシ樹脂硬化物をエッチングするエッチング液が提案されている（特開平８−３２５４３６号公報、特開平８−３２５４３７号公報、特開平８−３２５４３８号公報、特開平９−３１６４４５号公報、特開平１０−１２６０５２号公報）。

これらのエッチング液は、いずれもエポキシ樹脂硬化物の一部分をエッチング除去して電気回路の一部を形成することを目的とするものである。そして、これらのエッチング液を使用して実現されるものは、多数の工程を経て製造されるプリント配線板の中間工程における半製品である。

一方、プリント配線板に限らず、船舶、鉄道、航空機、自動車などのボディ、変圧器、電動機など各種電力機器用の絶縁材をはじめとして、エポキシ樹脂硬化物を利用した様々な製品の多くは、ガラス繊維、カーボン繊維、金属、充填材といった無機物との複合体によって構成されている。そしてこの複合体に含まれるエポキシ樹脂硬化物を溶解する溶解液が提案されている（特許第４０５１８７３号明細書、特許第４５３９１３０号明細書）。

これらの溶解液はいずれも複合体からエポキシ樹脂硬化物を分解、溶解し、かつ再利用可能な状態で樹脂成分や無機物を回収することを目的とするものである。そしてこれらの溶解液を使用して実現されるものは、回収、再利用を目的とした樹脂原材料やガラス繊維、カーボン繊維、充填材などの素材である。

このように、前記エッチング液は、エポキシ樹脂硬化物を用いた製品を製造する目的で使用するものであり、前記溶解液は、再利用のために分解、回収する目的で利用されていたものである。したがって、これら前記エッチング液および前記溶解液は、半導体パッケージを検査、観察、分析するために、半導体パッケージの他の構成物に影響を与えずに電気的接続が保持された状態のまま封止樹脂であるエポキシ樹脂硬化物を除去することは全く意図されていなかった。

特に、こうしたエポキシ樹脂の硬化物を溶解する液体化合物は、一般的に強い溶解力を持つことから配線などを腐食させる可能性があり、半導体素子の電気的な検査が必要な場合に使用することが困難であると考えられてきた。

また、電気回路形成のためのエッチング液はエポキシ樹脂の硬化物層に対して前面から付与されるものである。これに対して半導体パッケージは、極めてファインピッチな配線と接続端子を有し、さらに基板と半導体素子の隙間も狭い。このような極めて狭小な領域にエッチング液を充分に侵入させ、かつエポキシ樹脂硬化物のみを効率的に選択除去し、さらに電気的な検査や観察・分析等ができるかは、電気回路形成のエッチングの用途からは明らかでない。また、再利用のための回収では、溶解液を付与する対象物は、船舶、鉄道、航空機、自動車など、半導体パッケージに比べて大きな構造物であり、極めて狭小な領域に溶解液が充分浸入するかは不明である。

しかし、本発明者らはこのような溶液の用途を更に発展させ、鋭意検証を重ねたことによって、配線の腐食や半導体素子へのダメージを低減し、電気的接続が保持された状態のまま封止樹脂を除去することができる、新たな半導体パッケージの開封方法を見出すに至った。

本発明の半導体パッケージの開封方法は、アルカリ金属化合物を含む触媒（以下「特定触媒」と称する場合がある）と有機溶剤とを含む処理液で処理することにより、封止樹脂であるエポキシ樹脂硬化物を分解および溶解させるものである。前記特定触媒は、エポキシ樹脂のエーテル結合を開裂させる触媒として作用するものであり、有機溶剤によって膨潤したエポキシ樹脂硬化物の分解を進行させる。一方、エポキシ樹脂硬化物以外の部分である、半導体素子、基板との接続端子、配線などは処理液による腐食や断線がないため、開封後の半導体素子について、動作させるための電気的な検査が可能である。また、本発明の半導体パッケージの開封方法により、半導体素子や配線に与える損傷が低減されるため、外観の観察や分析が可能な状態で半導体パッケージを開封することが可能となる。このように本発明の半導体パッケージの開封方法によれば、半導体パッケージの検査、不良解析の精度向上を図ることができる。

以下では、まず本発明の開封方法の対象物である半導体パッケージについて説明し、次にエポキシ樹脂硬化物を分解および溶解させる処理液について説明し、更にこの処理液を用いた開封方法について説明を行う。そして、この開封方法を利用した半導体パッケージの検査方法を説明する。

＜半導体パッケージ＞
処理対象となる半導体パッケージの種類は特に限定されず、半導体素子、接続端子または接続線、実装基板（リードフレームやインターポーザ）などを含み、これらがエポキシ樹脂硬化物で封止された形態であればよい。例えば半導体素子と実装基板とをワイヤボンディングによって接続し、トランスファーモールドによって封止する方式や、半導体素子を実装基板上にフリップチップ実装し、半導体素子と実装基板の隙間に封止樹脂（アンダーフィル材）を充填する方式、複数の半導体素子を実装基板上に実装した後に封止する方式、これらの半導体パッケージをさらに複数積層、接続したのち接続部を樹脂で封止する方式が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

処理対象となる半導体パッケージの封止樹脂は、エポキシ樹脂硬化物であり、エポキシ樹脂組成物を硬化して得られる。エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂用硬化剤などを含有し、さらに必要に応じて硬化促進剤、カップリング剤、溶剤、エラストマ、難燃剤、充填剤、着色剤などを含んでいてもよい。

エポキシ樹脂は、分子内にエポキシ基を有するものであればどのようなものでもよく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のジグリシジルエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、およびこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などがある。これらは、複数種が併用されていてもよい。

上記のエポキシ樹脂のうち、ハロゲン化ビスフェノール化合物（テトラブロモビスフェノールＡなど）とエピクロルヒドリンとを反応させて得られるエポキシ樹脂（ハロゲン化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂など）のように、エーテル基が結合しているベンゼン環の、エーテル基に対してオルト位が塩素、臭素等のハロゲン原子で置換されているエポキシ樹脂が用いられている場合、電子吸引性のハロゲン原子がベンゼン環に結合することによりエーテル結合の開裂が起こりやすくなり、その結果、処理液によるエポキシ樹脂硬化物の分解・溶解の効率が特に良好になる傾向にある。

エポキシ樹脂用硬化剤は、エポキシ樹脂を硬化させるものであれば特に限定されず、例えば、多官能フェノール類、アミン類、イミダゾール化合物、酸無水物、有機リン化合物およびこれらのハロゲン化物などが挙げられる。これらは単独で使用されていてもよいし、２種以上を任意の組み合わせで用いられていてもよい。

エポキシ樹脂用硬化剤の配合量は、エポキシ基の硬化反応を進行させることができれば特に限定はされず、好ましくは、エポキシ基１モルに対して、０．０１当量〜５．０当量の範囲で、より好ましくは０．８当量〜１．２当量の範囲で使用される。

多官能フェノール類としては、ヒドロキノン、レゾルシノール、カテコール等の単環二官能フェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ナフタレンジオール、ビフェノール等の多環二官能フェノール、およびこれらのハロゲン化物、アルキル基置換体などが挙げられる。さらに、これらのフェノール類とアルデヒド類との重縮合物であるノボラック、レゾールを用いることもできる。

アミン類としては、脂肪族または芳香族の第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、第四級アンモニウム塩および脂肪族環状アミン類、グアニジン類、尿素誘導体などが挙げられる。これらの化合物の一例としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、テトラメチルグアニジン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４．４．０］−５−ノネン、ヘキサメチレンテトラミン、ピリジン、ピコリン、ピペリジン、ピロリジン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジメチルヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ−メチルアニリン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリフェニルアミン、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロマイド、テトラメチルアンモニウムアイオダイド、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル、ジシアンジアミド、トリルビグアニド、グアニル尿素、ジメチル尿素などが挙げられる。

イミダゾール化合物としては、イミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、４，５−ジフェニルイミダゾール、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリン、２−イソプロピルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾリン、２−フェニル−４−メチルイミダゾリン、ベンゾイミダゾール、１−シアノエチルイミダゾールなどが挙げられる。

酸無水物としては、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、無水マレイン酸、メチルハイミック酸無水物、ハイミック酸無水物、無水コハク酸、テトラヒドロ無水フタル酸、クロレンド酸無水物、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、３−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸マレイン酸付加物、メチルヘキサヒドロフタル酸、無水トリメリット酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、水素化メチルナジック酸無水物、無水マレイン酸とジエン化合物からディールス・アルダー反応で得られ、複数のアルキル基を有するトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸などが挙げられる。

有機リン化合物は、有機基を有するリン化合物であれば特に限定されず、例えば、ヘキサメチルリン酸トリアミド、リン酸トリス（ジクロロプロピル）、リン酸トリス（クロロプロピル）、亜リン酸トリフェニル、リン酸トリメチル、フェニルホスホン酸、トリフェニルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、ジフェニルホスフィンなどが挙げられる。

以上のような構成成分を含有するエポキシ樹脂組成物を任意の方法で硬化させることにより、本発明の処理対象となる半導体パッケージの封止樹脂を得ることができる。その硬化条件は、反応が進行する条件を任意に選択すればよい。例えば、温度に関しては、反応が進行するのであればどのような温度でもよいが、一般には室温（２５℃程度）〜２５０℃の範囲で硬化させることが好ましい。また、この硬化反応は、加圧下、大気圧下または減圧下のいずれの条件で行ってもよい。

＜処理液＞
前記半導体パッケージの封止樹脂を分解および溶解させるための処理液は、特定触媒と有機溶剤とを含む。特定触媒は、アルカリ金属化合物を含む触媒である。本発明で使用される処理液は、エポキシ樹脂硬化物のエーテル結合開裂のための触媒として作用する前記特定触媒と有機溶剤とを必須成分として含むものであればよく、本発明の効果が得ることができる範囲で、これらの化合物以外に任意の化合物が併用されていてもよいし、不純物が含まれていてもかまわない。

（特定触媒）
特定触媒は、アルカリ金属化合物を含む。アルカリ金属化合物は、１種類のみでも、複数種のアルカリ金属化合物を組み合わせてもよい。

アルカリ金属化合物としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム等のアルカリ金属の水素化物、水酸化物、ホウ水素化物、アミド化合物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、ホウ酸塩、リン酸塩、炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、有機酸塩、アルコラート、フェノラートなどが挙げられる。なかでも、有機溶剤への溶解性が良好で、触媒効果（イオン活性）が高く、イオンとしての毒性が低いなどの観点から、アルカリ金属塩を用いることが好ましく、さらに半導体パッケージの封止樹脂をより効率的に分解するための化合物としてはリン酸塩等のリン酸類の塩が好ましい。

アルカリ金属塩としては、上記アルカリ金属のフッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、ホウ酸塩、リン酸塩、炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、有機酸塩、アルコラート、フェノラートなどが挙げられる。リン酸類としては、リン酸、メタリン酸、次リン酸、亜リン酸（ホスホン酸）、次亜リン酸（ホスフィン酸）、ピロリン酸、トリメタリン酸、テトラメタリン酸、ピロ亜リン酸などが挙げられ、リン酸類の塩は、これらのリン酸類の陰イオンと、アルカリ金属の陽イオンとの塩である。なかでも、有機溶剤への溶解性の観点から水和物を用いることが好ましい。これらの塩は、１個の金属イオンと２個の水素イオンを有する第一塩、２個の金属と１個の水素を有する第二塩、３個の金属を有する第三塩のいずれでもよく、酸性塩、アルカリ性塩、中性塩のいずれでもよい。

特定触媒は、アルカリ金属化合物を含んでいれば、その他の任意の化合物が含有されていてもよいし、不純物が含まれていてもよい。充分なエポキシ樹脂硬化物の分解を鑑みれば、特定触媒中のアルカリ金属化合物の含有率は、９０質量％以上であることが好ましく、９５質量％以上であることがより好ましく、９９質量％以上であることが更に好ましく、実質的にアルカリ金属化合物のみで構成されていることが望ましい。

特定触媒は、総量として、有機溶剤中に０．００１質量％〜８０質量％の濃度で含有することが好ましく、０．１質量％〜３０質量％の濃度で含有することがより好ましい。０．００１質量％以上とすることで充分なエポキシ樹脂硬化物の分解速度が得られやすくなる。また、８０質量％以下とすることで処理液を容易に調製することができる。

特定触媒は、必ずしもすべてが溶解している必要はない。非溶解分が存在する飽和溶液においては、溶質は平衡状態にあり、溶解した化合物が失活した場合には非溶解分が溶解してそれを補うことになるので、そのような飽和溶液の使用も有用である。

特定触媒は、エポキシ樹脂硬化物を効果的に分解させる観点から、乾燥処理してから使用することが好ましい。乾燥した特定触媒は、カールフィッシャー滴定法により測定する水分量として、５％以下であることが好ましく、２％以下であることがより好ましい。

（有機溶剤）
有機溶剤としては、前記特定触媒の少なくとも一部の量が溶解することができるものであれば特に限定されない。前記特定触媒がアルカリ金属化合物の塩のようにイオン性触媒である場合には、イオン性触媒の溶解性の観点から、アミド系溶剤、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤の中から選ばれる１種以上を好ましく用いることができるが、これらに限定されることはなく、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、フェノール類、アセタール、脂肪酸、酸無水物、エステル、窒素化合物、硫黄化合物（ジメチルスルホキシドなど）等の溶剤や、２以上の官能基を持つ溶剤（エステルとエーテル、アルコールとエーテルなど）も用いることができる。

これらの有機溶剤は、単独で使用しても、数種類を組み合わせて（例えば、アミド系溶剤どうし、または、アミド系溶剤とアミド系以外の溶剤）使用してもよい。また、これらの有機溶剤以外に、任意の溶剤を併用してもよく、無機溶剤である水、アンモニアなどを混合することも可能である。

アミド系溶剤としては、例えば、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル尿素、２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、カプロラクタム、カルバミド酸エステルなどを好ましく使用できる。

アルコール系溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｉｓｏ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、２−メチル−１−ブタノール、ｉｓｏ−ペンチルアルコール、ｔｅｒｔ−ペンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール、ネオペンチルアルコール、１−ヘキサノール、２−メチル−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、２−エチル−１−ブタノール、１−ヘプタノール、２−ヘプタノール、３−ヘプタノール、シクロヘキサノール、１−メチルシクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール（分子量２００〜４００）、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、グリセリン、ジプロピレングリコール、ベンジルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルベンジルアルコール、メチルベンジルアルコール、クロロベンジルアルコール及びこれらの異性体などが挙げられる。封止樹脂を効率よく開封する観点からは、モノアルコールが好適である。

ケトン系溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、ホロン、イソホロンなどが挙げられる。

エーテル系溶剤としては、例えば、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アニソール、フェネトール、ジオキサン、テトラヒドロフラン、アセタール、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテルなどが挙げられる。

これらの有機溶剤の中でも、エポキシ樹脂硬化物の除去性、人体への有害性、取扱いの安全性等の観点からアルコール系溶剤であることが好ましく、更にその中でもモノアルコールであることが好適である。この理由は明らかではないが次のように推測される。本発明の開封方法では、エポキシ樹脂硬化物に含まれるエステル結合が切断されることによってエポキシ樹脂硬化物が除去される。この際、イオン化した触媒と共に溶媒のアルコール性水酸基が前記切断箇所に作用することによって、エステル交換反応が効果的に進むと考えられる。また、一般に水酸基を２つ以上有する多価アルコールは粘性が高くなる傾向が見られるため、半導体パッケージの微小な隙間に進入し、エポキシ樹脂硬化物を効率良く除去する観点からはモノアルコールを使用することが好ましい。

前記モノアルコールの中でも、沸点が１００℃〜２５０℃のモノアルコールが好ましく、沸点が１３０℃〜２１０℃のモノアルコールが更に好ましい。有機溶剤としてのモノアルコールの沸点が上記範囲内にあると、エポキシ樹脂硬化物を溶解させるときの加熱温度での分解や蒸発を抑えることができる。

また、半導体パッケージの微小な隙間に進入し、エポキシ樹脂硬化物を効率良く除去するためには、室温における粘度が１００ｍＰａ・Ｓ以下のモノアルコールが好ましく、１０ｍＰａ・Ｓ以下のモノアルコールがさらに好ましい。粘度は低いほうが微少な隙間への侵入しやすいことから、粘度の下限値は特に制限はないが、粘度が低い有機溶媒は、沸点が低い傾向があり、沸点とのバランスの観点からは、０．１ｍＰａ・ｓ以上が好ましく、０．５ｍＰａ・ｓ以上がより好ましい。

さらにエポキシ樹脂硬化物との親和性、相溶性の観点から、芳香族基を有するモノアルコールが好ましく、沸点や粘度の観点からフェニル基を有するモノアルコールであることがより好ましい。このようなモノアルコールとしては、具体的には、ベンジルアルコール、メチルベンジルアルコール、ｔ−ブチルベンジルアルコール、２，４―ジメチルベンジルアルコール、および３−フェニル−１−プロパノールなどが挙げられ、エポキシ樹脂硬化物の溶解性、人体への有害性、薬品の安全性を考慮するとベンジルアルコールであることが好適である。

処理液を調製する際の温度は調製することができれば、どのような温度でもよく、使用する有機溶剤の融点以上、沸点以下で行うことが好ましい。また、処理液を調製する際の雰囲気は、大気中でも不活性気体中でもよく、大気圧下（常圧下）、減圧下、加圧下のいずれでもよい。また、このようにして得られた処理液に、界面活性剤などを添加して使用することもできる。

エポキシ樹脂硬化物に対する処理液の濡れ性は、適用する半導体パッケージの接続端子間のギャップや、半導体素子とＦＰＣの隙間の大きさに合わせて適宜調整することが好ましく、例えばエポキシ樹脂硬化物に対する処理液の接触角を５０°以下、さらに好ましくは４０°以下とすることで、狭小な隙間にも効果的に処理液が浸透し、エポキシ樹脂硬化物の除去が容易となる。
前記処理液の接触角は、公知の接触角測定装置を用い、液滴法によってエポキシ樹脂硬化物表面の接触角を室温（２５℃）の条件下で測定したときの値である。

＜半導体パッケージの開封方法＞
半導体パッケージに、上記の処理液を付与する方法は特に限定されず、処理液中に半導体パッケージを浸漬することによって行ってもよいし、スプレーなどによって処理液を半導体パッケージに吹き付けてもよい。処理液は、撹拌機、ポンプ、気体の吹き込みなどによって撹拌してもよいし、また、浸漬処理を行う場合には、超音波により振動を与えながら処理を行うこともできる。

エポキシ樹脂硬化物を処理する際の処理液は、処理速度を調整するために、有機溶剤の凝固点以上、沸点以下の任意の温度で使用することができる。しかし、好ましくないエポキシ樹脂硬化物の熱分解を防ぐためには、空気中では２５０℃以下、不活性気体中では３００℃以下の温度の処理液で処理することが好ましい。

処理液の使用時ならびに保存時の雰囲気は、大気中でも不活性気体中でもよく、大気圧下、減圧下、加圧下のいずれでもよい。場合により高圧をかけることも有効であるが、安全性を重視する場合には、大気圧下であることが好ましい。

処理液によりエポキシ樹脂硬化物を分解および溶解する時間は、対象となる半導体パッケージの大きさ、形状、個数に応じて適宜設定することが望ましい。例えば近年最もファインピッチ化が著しいフリップチップ接続方式の半導体パッケージとして、実施例に示すＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）を例示すれば、溶解反応が充分に進みエポキシ樹脂硬化物を除去するために、一つの半導体パッケージについて３０分以上の時間で処理することが好ましく、５０分以上１２０分以下がより好ましく、更に好ましくは６０分以上９０分以下である。

処理対象物の大きさには特に制限はなく、プリント配線板などに実装されたままの状態でもよいし、リフローなどの処理によってはんだによる接続部を溶融し、半導体パッケージのみを取り出した状態でもよい。対象物に対する処理液の量には特に制限がなく、処理液が封止樹脂に接触する量であればよい。

このようにしてエポキシ樹脂硬化物が除去された半導体パッケージは、洗浄され、乾燥されることが好ましい。この洗浄方法および乾燥方法には特に制限はない。

例えば、半導体パッケージの洗浄において、半導体パッケージに付着した処理液を除去するのに溶剤を用いることができる。かかる溶剤としては、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、イソプロピルアルコール、アセトン、純水およびこれらの組み合わせを挙げることができる。
また半導体パッケージの乾燥は、室温において数時間放置してもよいし、半導体素子の金属が著しく劣化しない範囲であれば乾燥機で加熱乾燥してもよい。

本発明の半導体パッケージの開封方法により、半導体素子や配線に与えるダメージが低減されるため、半導体パッケージの開封前の電気的接続の状態を実質的に変えずに、エポキシ樹脂硬化物を除去することが可能となる。それゆえ、本発明の半導体パッケージの開封方法によれば、半導体素子を動作させるための電気的な検査や、観察、分析が可能な状態で半導体パッケージを開封することが可能となる。これによって半導体パッケージの検査、不良解析の精度向上を図ることができるため、その工業的価値は大である。特にリジッドおよびフレキシブル配線板などに実装されたファインピッチな半導体パッケージの開封方法として有用である。

＜半導体パッケージの検査方法＞
洗浄、乾燥が終了した開封済み半導体パッケージは、目的に応じて適切な手段で検査、観察、分析することができる。接続端子部分にテスターや各種測定装置を接続して、半導体素子を動作させる電気的な試験や、樹脂が除去された半導体素子の回路面や接続端子近傍の観察、分析が可能である。

発煙硝酸や混酸等の従来技術の溶液で開封した半導体パッケージの場合では、接続端子、配線および半導体素子の一部が溶液によって腐食されることがあるため、腐食した接続端子や配線と、不良箇所との判別が困難となり、観察、分析結果を大きく見誤る場合がある。しかし本発明の開封方法を用いることによってこれらの腐食を低減することができ、より正確な観察、分析が可能である。

本発明の半導体パッケージの検査方法では、開封済み半導体パッケージについて、下記第１〜第５の工程のうちの少なくとも１工程を行う。
第１の工程：前記半導体パッケージの開封前の電気的接続の状態を実質的に変えずに、電気的検査を行う。
第２の工程：前記半導体パッケージの開封前の電気的接続の状態を実質的に変えずに、外観観察を行う。
第３の工程：前記プリント基板から前記半導体素子を取り離して、前記半導体素子および前記プリント基板の少なくとも一方の外観観察を行う。
第４の工程：前記プリント基板から前記半導体素子を取り離して、前記半導体素子および前記プリント基板の少なくとも一方の表面に存在する成分の分析を行う。
第５の工程：プリント基板から半導体素子を取りし、更に切断、研磨又は掘削加工を行い、前記半導体素子および前記プリント基板の少なくとも一方の内部構造の観察および構成成分の分析の少なくとも一方を行う。

本発明の半導体パッケージの開封方法によれば、配線および半導体素子の腐食が抑えられるため、上記第１の工程のように、前記半導体パッケージの開封前の電気的接続の状態を実質的に変えずに、電気的検査を行うことが可能となる。

また、本発明の半導体パッケージの開封方法では、開封前の電気的接続の状態を実質的に変えずに、半導体パッケージを開封することができるため、上記第２の工程のように、半導体素子の回路面やプリント基板の回路面に付着した異物などによる電気的接続の異常や汚染状態、配線や接続端子の劣化状態等を外観から確認することができる。

更に、配線および半導体素子の腐食が抑えられるため、上記第３の工程のように、前記プリント基板から前記半導体素子を取り離して、精密に前記半導体素子や前記プリント基板の回路面の外観観察を行うことも可能である。また、第４の工程のように、前記半導体素子や前記プリント基板の表面に存在する成分の分析を精密に行うことも可能である。

さらに第５の工程のように、第４の工程で確認した分析対象を詳細に調査することなどを目的に、研磨装置や切断装置によって切断した断面を形成し、或いはＦＩＢ（Focused Ion Beam）法やＣＰ（Cross-section Polishing）法等を用いて前記半導体素子や前記プリント基板の特定箇所の断面を形成して、内部構造の観察や成分の分析を行うことも可能である。

前記電気的検査としては、前記半導体素子の電源端子に動作用電源、信号入力端子にディジタル信号および／またはアナログ信号を印加し、出力端子から得られる応答をデータロガーや各種の信号解析装置、オシロスコープ等で観測する方法、外部回路と連動させて実際の動作状態を再現する方法、半導体検査装置を使用した動作検証方法などが挙げられる。
前記外観観察としては、金属顕微鏡、蛍光顕微鏡等の光学顕微鏡、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、走査型イオン顕微鏡（ＳＩＭ）等を用いて、半導体素子および／またはプリント基板の回路面や、これらの接続端子部分を観察したり、回路面に付着した異物、絶縁破壊痕、イオンマイグレーション等によって生じた配線や接続端子の絶縁劣化痕の形状の観察したりすることが挙げられる。

前記成分の分析としては、エネルギー分散型Ｘ線分析法（ＥＤＸ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）、オージェ電子分光法、質量分析法（ＭＳ、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ等）、赤外分光法（ＩＲ）などを用いて半導体素子および／またはプリント基板の回路面を構成する金属・非金属元素、有機物を分析したり、回路面に付着した異物の成分、絶縁破壊痕、イオンマイグレーション等によって生じた配線や接続端子の劣化生成物を分析したりすることが挙げられる。なお、異物としては製造工程中で発生しうる人体起因の異物、製造工程の環境中、および搬送トレイやラック等の容器から発生しうる有機物、金属等が考えられる。
これらの電気的検査、外観観察、及び成分の分析は、適宜これらの方法を組み合わせて実施してもよい。

以下に本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。処理液に使用する触媒と有機溶剤の組み合わせは多岐にわたるが、本実施例においては特許文献（特許第４０５１８７３号公報）に記載の処理液をさらに発展させ、特に半導体パッケージの開封と、開封後の検査、観察、分析に適した処理液の一例を元に説明する。なお、以下の実施例において、％は質量％を表す。

＜半導体パッケージの準備＞
処理対象となる半導体パッケージは、近年ファインピッチ化が進むフリップチップ接続方式の一例として、図１に示すＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）実装された半導体パッケージを使用した。ＣＯＦでは、プリント基板としてのポリイミド製のフレキシブル基板（ＦＰＣ）２上に、半導体素子１がフリップチップ実装されている。基板２側のＳｎめっきされたＣｕ配線３と半導体素子１側のバンプ（接続端子）４とがＡｕ／Ｓｎの共晶（不図示）によって接続されている。なお、本実施例では、バンプ４はＡｕで形成されたものを使用したが、ＡｕめっきしたＣｕから形成されたものやハンダを用いる場合もある。

隣接する接続端子４間のギャップは約１０μｍであり、半導体素子１と基板２の隙間は約２０μｍである。この狭い隙間にエポキシ樹脂硬化物５が充填されており、接続端子４間の絶縁と物理的保護の役割を果たしている。また、ソルダレジスト６はエポキシ樹脂硬化物５が基板２上で流れ拡がらないよう堰としての役割も担っている。

フレキシブル基板（ＦＰＣ）２の外形は、短辺２５ｍｍ×長辺４０ｍｍ、基板２上に実装されている半導体素子１のサイズは短辺２ｍｍ×長辺２０ｍｍのものを使用した。

エポキシ樹脂硬化物５は、以下のようにして形成した。
エポキシ当量１６０のビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂（東都化成株式会社製商品名ＹＤＦ−８１７０Ｃ）８０質量部、エポキシ当量１４０のナフタレン型エポキシ樹脂（大日本インキ工業株式会社製商品名ＨＰ−４０３２Ｄ）２０質量部、硬化剤として環状酸無水物（ジャパンエポキシレジン株式会社商品名エポキュアＹＨ３０６）１３５質量部、硬化促進剤として２−エチル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製商品名２Ｅ４ＭＺ）１質量部、カップリング剤としてγ―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（チッソ株式会社製商品名サイラエースＳ５１０）１質量部を配合し、らいかい機にて混練分散した後、真空脱泡して液状エポキシ樹脂組成物を調整した。
調整した液状エポキシ樹脂組成物を上記隙間にディスペンス方式でアンダーフィルした後、１５０℃、１２０分間加熱処理して硬化することで作製した。

＜処理液の調製＞
実施例として表１に示す各成分を用い、アミド系、ケトン系、エーテル系、又はアルコール系の各有機溶剤中、アルカリ金属化合物が６％含有される処理液を調製した。アルカリ金属化合物は乾燥処理してから使用した。アルカリ金属化合物の乾燥処理は、３００℃の乾燥機中で１時間加熱して行った。乾燥後の水分量をカールフィッシャー滴定法により測定した結果、それぞれ１.０％〜２.０％であった。
これらの処理液の中にはアルカリ金属化合物が完全には溶解しきれず、処理液を槽内に静置したときに、槽の底に沈殿しているものもあった。調製した処理液の粘度は、１.０ｍＰａ・ｓ〜１０ｍＰａ・ｓ程度であった。

表１に示した有機溶剤名は以下のとおりである。ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ＣＨＯＮ：シクロヘキサノン、ＤＧＭＭ：ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ＢＺＡ：ベンジルアルコール、ＥＧ：エチレングリコール

一方、比較例１〜６として特定触媒を含まず有機溶剤だけもしくは水だけの処理液を用い、比較例７〜９として各特定触媒の６％水溶液を調整し用いた。また、比較例１０〜１１として、従来から封止樹脂の開封用途として一般に使用されている発煙硝酸および混酸を用いた。

＜半導体パッケージの開封＞
これらの処理液１０ｇを試験管にとり、有機溶剤の場合はオイルバス中で１５０℃、水溶液の場合はウォーターバス中で８０℃、発煙硝酸および混酸の場合はオイルバスで１００℃に保持したのち半導体パッケージを投入した。これらの工程は全て大気圧下で行った。１時間後に半導体パッケージを取り出し、洗浄、乾燥した。

＜封止樹脂の溶解状態の評価＞
乾燥後、半導体パッケージのＦＰＣを剥離して取り除き、半導体素子の回路面上、特に接続端子間の狭いギャップ部分を蛍光顕微鏡で観察することで、封止樹脂の溶解状態を判断した。溶解状態は、図２に示す以下の基準に従って評価した。
５：すべて溶解（図２（ｅ））
４：ほぼ溶解（図２（ｄ））
３：半分溶解（図２（ｃ））
２：一部溶解（図２（ｂ））
１：溶解せず（図２（ａ））

＜開封後の半導体素子の外観の観察＞
処理後の半導体パッケージを顕微鏡で観察し、半導体素子の回路面、数百〜千数百箇所ある接続端子およびＦＰＣの配線について、半導体素子の損傷の状態を、以下の基準に従って評価した。下記基準は、図３の状態を参照して判断した。
なお一般的にＦＰＣは可視光領域で透過性を有するため、半導体パッケージからＦＰＣを剥離することなく、ＦＰＣを介して半導体素子の回路面および接続端子部分を観察することができる。

５：腐食なし
４：接続端子、配線の一箇所以上３割未満に腐食がみられた
３：接続端子、配線の約半分（３割以上〜７割未満）に腐食がみられた
２：接続端子、配線の７割以上〜９割未満に腐食がみられた
１：ほぼすべての接続端子、配線（９割以上）に腐食がみられた

さらに上記２項目の評価から、封止樹脂が溶解した部分において半導体素子の検査、分析の可否を総合的に評価した。結果を表１に示す。

なお、表１の比較例１〜９において、半導体素子の損傷の項目における「−」は、そもそも封止樹脂が溶解しなかったため、半導体素子の損傷の評価を行わなかったことを意味する。

表１に示すように、比較例１〜６の有機溶剤もしくは水のみで処理した場合、封止樹脂の溶解はみられなかった。また、比較例７〜９に示す特定触媒の水溶液でも封止樹脂の溶解はみられなかった。さらに従来半導体パッケージの開封に一般的に用いられてきた発煙硝酸や混酸では、封止樹脂はほぼ溶解したものの、半導体素子の回路面や接続端子、ＦＰＣの配線が著しく腐食しており、電気的な検査が困難な状態であった。

これに対し、実施例１〜１５に示すアルカリ金属化合物を含む触媒と有機溶剤とを含有する処理液で処理した場合には、特定触媒や有機溶剤の種類による差はみられるが、いずれも封止樹脂を溶解していた。また、半導体素子のダメージもみられず、検査、分析が可能な状態であった。

１ 半導体素子
２ 基板（フレキシブル基板ＦＰＣ）
３ 配線（ＳｎめっきＣｕ配線）
４ 接続端子（Ａｕバンプ）
５ エポキシ樹脂硬化物
６ ソルダレジスト

Claims (9)

1. プリント基板に半導体素子が実装されエポキシ樹脂硬化物で封止された半導体パッケージに、アルカリ金属化合物を含む触媒と有機溶剤とを含む処理液を付与する工程を有する、前記半導体パッケージから前記エポキシ樹脂硬化物を除去して前記半導体パッケージを開封する半導体パッケージの開封方法。
2. 前記アルカリ金属化合物が、アルカリ金属塩である請求項１に記載の半導体パッケージの開封方法。
3. 前記アルカリ金属塩が、アルカリ金属のリン酸類の塩である請求項２に記載の半導体パッケージの開封方法。
4. 前記有機溶剤が、アルコール系溶剤である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体パッケージの開封方法。
5. 前記アルコール系溶剤がモノアルコールである請求項４に記載の半導体パッケージの開封方法。
6. 前記処理液を付与してからエポキシ樹脂硬化物を除去するまでを、大気圧下で行う請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体パッケージの開封方法。
7. 前記処理液を付与してからエポキシ樹脂硬化物を除去するまでを空気中で行う場合には、前記処理液の温度を２５０℃以下、不活性気体中で行う場合には前記処理液の温度を３００℃以下とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体パッケージの開封方法。
8. 前記エポキシ樹脂硬化物を除去した後の半導体パッケージは、検査、観察、又は分析可能な半導体素子を含んでいる請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の半導体パッケージの開封方法。
9. 請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の半導体パッケージの開封方法を用いて、前記半導体パッケージからエポキシ樹脂硬化物を除去した後、下記第１〜第５の工程のうちの少なくとも１工程を行う、半導体パッケージの検査方法。
   第１の工程：前記半導体パッケージの開封前の電気的接続の状態を実質的に変えずに、電気的検査を行う。
   第２の工程：前記半導体パッケージの開封前の電気的接続の状態を実質的に変えずに、外観観察を行う。
   第３の工程：プリント基板から半導体素子を取り離して、前記半導体素子および前記プリント基板の少なくとも一方の外観観察を行う。
   第４の工程：プリント基板から半導体素子を取り離して、前記半導体素子および前記プリント基板の少なくとも一方の表面に存在する成分の分析を行う。
   第５の工程：プリント基板から半導体素子を取り離し、更に切断、研磨又は掘削加工を行い、前記半導体素子および前記プリント基板の少なくとも一方の内部構造の観察および構成成分の分析の少なくとも一方を行う。