JP5989730B2 - プラスチックモールドされた半導体集積回路パッケージの開封方法及びプラスチックモールドされた半導体集積回路パッケージの開封装置 - Google Patents

プラスチックモールドされた半導体集積回路パッケージの開封方法及びプラスチックモールドされた半導体集積回路パッケージの開封装置 Download PDF

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Description

本発明は、半導体集積回路のように、プラスチックによりパッケージされたサンプルの開封をするための開封方法に係り、特に薬液により当該パッケージを開封する方法及びその開封装置に関する。
プラスチックによりモールドされた半導体集積回路パッケージ(以下「半導体装置」という)は、不良品の故障解析や良品の製造過程の状態の確認等のために、モールド用のプラスチックを融かし取り除き開封されることがある。
プラスチックによりモールドされた半導体集積回路パッケージの開封には、従来、硝酸、硫酸あるいはその混合液を使用していた。
不良解析のためにはモールド用のプラスチックのみを溶解し、ボンディングワイヤやリードフレーム、パッケージ基板等のパッケージ基板に使用されている金属へのダメージは極力抑える必要がある。しかしながら、硝酸、硫酸あるいはその混合液を使用してパッケージを開封すると、硝酸、硫酸あるいはその混合液がボンディングワイヤ等のパッケージ基板に使用されている金属までも融かしてしまうという問題があった。
すなわち、従前、ボンディングワイヤにはAu(金)、リードフレームにはNi(ニッケル)とFe(鉄)の合金を使用することが多かったため、酸化力の強い酸に対しても十分耐性があったが、最近では放熱性やコスト面からCu(銅)やAg(銀)のボンディングワイヤが開発されている。これらの金属は硝酸などに容易に溶解するため、硝酸、硫酸あるいはその混合液を使用してパッケージを開封すると、硝酸、硫酸あるいはその混合液がボンディングワイヤ等のパッケージ基板に使用されている金属までも融かしてしまい、不良解析に支障が起こるようになった。またモールド用のプラスチックも、より溶解しづらい材質のものが使用されるようになってきており、半導体装置の開封はより困難になってきている。
特開平6−21130
そこで、本発明は、開封に使用する薬液によってボンディングワイヤ等のパッケージ基板に使用されている金属にダメージが与えられることを防止できるサンプルの開封方法および開封装置を提供する。
本発明の請求項1に係る発明は、プラスチックによりモールドされた半導体装置を開封するプラスチックモールド開封方法であって、モールドされた半導体装置は、酸を含む液体に金属を溶融させた薬液を使用して開封されることを特徴とする。
本発明の請求項2に係る発明は、金属は銅、銀その他の酸に溶解する金属であることを特徴とする。
本発明の請求項3に係る発明は、薬液中において、金属が飽和率70%以上の状態であることを特徴とする。
本発明の請求項4に係る発明は、金属の材質は、モールドされた半導体装置のボンディングワイヤの材質と同じであることを特徴とする。
本発明の請求項5に係る発明は、酸を含む液体は、硫酸溶液、硝酸溶液、又は硫酸と硝酸との混合溶液であることを特徴とする。
本発明の請求項6に係る発明は、薬液は、10度から250度の間で使用されることを特徴とする。
本発明の請求項7に係る発明は、プラスチックによりモールドされた半導体装置を開封するプラスチックモールド開封装置であって、モールドされた半導体装置は、酸を含む液体に金属を溶融させた薬液を使用して開封されることを特徴とする。
本発明の請求項8に係る発明は、金属は銅、銀その他の酸に溶解する金属であることを特徴とする。
本発明の請求項9に係る発明は、薬液中において、金属が飽和率70%以上の状態であることを特徴とする。
本発明の請求項10に係る発明は、金属の材質は、モールドされた半導体装置のボンディングワイヤの材質と同じであることを特徴とする。
本発明の請求項11に係る発明は、酸を含む液体は、硫酸溶液、硝酸溶液、又は硫酸と硝酸との混合溶液であることを特徴とする。
本発明の請求項12に係る発明は、薬液は、10度から250度の間で使用されることを特徴とする。
本発明によれば、開封に使用する薬液によってボンディングワイヤ等のパッケージ基板に使用されている金属にダメージが与えられることを防止できる。
本発明の実施形態によるプラスチックモールド開封装置の全体図を示したものである。 常温時の銅の溶解容量比を示したものである。 常温にて濃硫酸と発煙硝酸の混合比を変化させた場合の銀の溶解容量比を示したものである。 本発明の第1実施例による銅の溶解容量比を示した図である。 本発明の第2実施例による銀の溶解容量比を示した図である。 本発明の実施形態によるプラスチックモールド開封方法における薬液作成の一実施例を説明するためのフローチャートである。 常温における銅飽和率と銅溶解120分時の溶解容量比を示したものである。 本発明の実施形態によるプラスチックモールド開封装置における開封方法の一実施例を示したものである。 本発明の実施形態によるプラスチックモールド開封装置における開封方法の一実施例を示したものである。 本発明の実施形態によるプラスチックモールド開封装置における開封方法の一実施例を示したものである。 本発明の実施形態によるプラスチックモールド開封装置における開封方法の一実施例を示したものである。
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、本発明の実施形態によるプラスチックモールド開封装置の全体図を示したものである。
図1を参照すると、本発明の実施形態によるプラスチックモールド開封装置は、薬液収納容器1、薬液収納容器2、排液タンク3、配管4、5、31、32〜35、37、54、排液管6、42、44、バルブ11〜18、36、ポンプ21〜23、マニホールド30、ステージ40、サンプル43、ICチップ43a、試料台50、耐食性のブロック50a、温度制御される金属ブロック50b、ゴムシール材50c、加熱ヒータ50d、カバー51、気液分離器52、チーズ53、薬液貯蔵部60、気液分離機55、ポンプ室61を有する。
薬液収納容器1及び薬液収納容器2は、配管4、31及び配管5、32を通じて薬液貯蔵部60と接続される。配管34はポンプ21と配管31とを接続する。配管33はポンプ22と配管32とを接続する。配管35はポンプ23と薬液貯蔵部60とを接続する。配管35にはバルブ18が配置される。配管31における、配管31とポンプ21との合流地点よりも配管4側にはバルブ11を設ける。配管31における、配管31とポンプ21との合流地点よりも薬液貯蔵部60側にはバルブ12を設ける。配管32における、配管32とポンプ22との合流地点よりも配管5側にはバルブ13を設ける。配管32における、配管32とポンプ22との合流地点よりも薬液貯蔵部60側にはバルブ14を設ける。
薬液収納容器1及び薬液収納容器2は、薬液貯蔵部60へと一定量の薬液を供給する。供給する薬液量は、一定時間に一定量を供給するように設定可能である。
薬液としては、従来、銅ボンディングワイヤを保護する場合は硝酸と硫酸の混合液を使用し、薬液温度によって硝酸と硫酸の比率を変えていた。硝酸単独では、銅は容易に硝酸に溶けるが、硝酸に硫酸を加えた混合液には銅は溶けにくくなるためである。
図2は、常温時の銅の溶解容量比を示している。常温の濃硫酸と発煙硝酸の混合液20mlの中に、0.8mm径で15mm長の銅線材を4本入れ、それぞれ30分、60分、90分、120分で銅線材を1本ずつ取り出して銅線材の溶解体積を調査した結果である。発煙硝酸単独では120分で60%の銅が溶解したが、濃硫酸を加えることにより銅線材の溶解を抑えることが出来ることを示している。
図3は、常温にて濃硫酸と発煙硝酸の混合比を変化させた場合の銀の溶解容量比を示したものである。常温にて濃硫酸と発煙硝酸の混合比を変えた溶解液を20ml作成し、その中に0.8mm径で15mm長の銀線材を4本入れ、それぞれ30分、60分、90分、120分で銀線材を1本ずつ取り出して銀線材の溶解体積を調査した結果である。図3を参照すると、銀ボンディングワイヤの場合には、濃硫酸と発煙硝酸の比率を変えても、銀線材の溶解を抑えることが困難であることが分かる。
本発明の実施形態によるプラスチックモールド開封方法では、モールド用のプラスチックの除去処理を行う際、硝酸、硫酸もしくはこれらの混合液に金属を溶解させる。これにより、ボンディングワイヤ等のパッケージ基板に使用されている金属の溶解を抑制することが出来る。
硝酸、硫酸もしくはこれらの混合液に溶解させる金属に、保護したい金属と同じ種類の金属を溶解させると、ボンディングワイヤ等のパッケージ基板に使用されている金属の溶解を抑制する効果がより大きくなる。
(第1実施例)
金属を溶解させていない発煙硝酸100%の薬液、銅を溶解した薬液、および、銀を溶解した薬液の3種類を、いずれも常温で使用した。
図4を参照すると、金属を溶解させていない薬液に比べて、銀を溶解した薬液では、銅線材が溶解する量が2/3に減少したことが分かる。また、銅を溶解した薬液を使用した場合では、銅線材は3%程度しか溶解しなかったことが分かる。
図7は常温時に発煙硝酸100%の薬液20mlに銅を溶解させた場合の銅飽和率、すなわち、(銅の溶解量)/(飽和時の銅の溶解量)と、その条件において0.8mm径15mm長の銅線材を入れ、120分経った後の溶解容量比を比較した結果である。銅飽和率が0%の状態は発煙硝酸に銅を溶かしていない状態、銅飽和率が100%の状態は銅が飽和している状態を表している。図7を参照すると、銅飽和率を70%以上にすると、銅の溶解容量比を10%以下にすることができ、銅飽和率を90%以上にすると、銅の溶解容量比を5%以下にすることができることが分かる。したがって、本実施例における薬液中においては、金属が飽和率70%以上の状態になるようにしてもよい。
(第3実施例)
金属を溶解させていない濃硫酸10%と発煙硝酸90%の混合液、銅を溶解した薬液、および、銀を溶解した薬液の3種類を、いずれも常温で使用した。
図5を参照すると、金属を溶解させていない薬液に比べて、銅を溶解した薬液では、銀が溶解する量が減少したことが分かる。また、銀を溶解した薬液を使用した場合には、銀は3%程度しか溶解しなかったことが分かる。
図6は、本発明による飽和状態の金属溶解薬液作成の一実施例を説明するためのフローチャートである。
まず、半導体装置開封用薬液を用意する。半導体装置開封用薬液は、硝酸、硫酸あるいはその混合液であってもよい。
次に、半導体装置開封用薬液に金属を溶解させる。金属には、銅、銀を用いることができるが、その他の金属を用いてもよい。当該金属全部が溶解したら、更なる金属を追加して溶解させてもよい。飽和して金属が溶けずに残っている状態までこれを繰り返したところで金属溶解薬液の作成を終了してもよい。
この方法は一例であり、薬液には、保護したい金属と同じ種類の金属を溶解させてもよい。また、前述したとおり、金属が飽和率70%以上の状態になったところで金属溶解薬液の作成を終了してもよい。
図8に、本発明の方法に使用するための半導体装置開封装置の例を示す。
本発明の方法に使用するための半導体装置開封装置においては、まず、溶解液溜めに導体装置開封用薬液を供給する(1)。半導体装置開封用薬液は、硝酸、硫酸あるいはその混合液であってもよい。
次に、溶解液溜めに金属を入れ、溶解温度まで加熱し、金属を溶解する(2)。当該金属を溶解する方法の詳細は、後述する。
金属は銅、銀、または、銅及び銀であってもよいし、保護したい金属と同じ種類の金属であってもよい。
そして、金属溶解後、サンプルの開封を行う(3)。サンプルの開封方法の詳細は、後述する。
最後に、開封が終了したら、金属溶解薬液を廃液する(4)。
上記(2)の過程においては、ポンプによって薬液を押し出す過程及び吸い戻す過程の繰り返しによって、金属を溶解してもよく、(3)の過程においては、ポンプによって金属溶解薬液を押し出す過程及び吸い戻す過程の繰り返しによって、サンプルを開封してもよい。
まず、図8および図9を参照すると、上蓋62をステージ40へ、金属片64を薬液溜め部63内へとセットし、薬液収納容器1の薬液の液量、装置の動作時間を操作パネルで設定する。
次に、加熱ヒータ50dにおいて薬液を加熱する温度を操作パネルで設定する。
設定後、薬液収納容器1に薬液を入れ、装置をスタートさせると、バルブ11が開けられ、ポンプ21が、薬液収納容器1内の所定量の薬液を配管4を通って配管34の途中まで吸い上げる。この時、バルブ12は閉じられている。
その後、バルブ11を閉じ、バルブ12を開けて、ポンプ21が、配管34の途中まで吸い上げられた薬液を薬液貯蔵部60に押し出し、薬液貯蔵部60に薬液をためる。
ポンプ21が1回に吸い上げる薬液の量は1ミリリットルであってもよい。したがって、必要となる薬液の量が2ミリリットルである場合には、この吸い上げを2回繰り返してもよい。また、1回に吸い上げる薬液の量は1ミリリットルより大きくてもよい。
そして、バルブ18が開けられ、バルブ12が閉じられた後、薬液貯蔵部60にためられた薬液は、ポンプ23によって、気液分離器52及び配管37を経由して、ステージ40の中央穴から薬液溜め部63内にある金属片64に吹き当てられる。ポンプ23の1回に吸い上げる薬液の量は、ポンプ21のそれよりも大きくてもよい。
薬液は、吹き当てられた後、薬液の先端部分が薬液溜め部63の両端部の穴から配管42を通って気液分離器55まで流れる。
続いてポンプ23を逆転させると、配管42にある薬液が吸い戻され、薬液溜め部63の両端部の穴から金属片64に吹き当てられる。このとき、薬液の先端部分が薬液溜め部63の中央の穴から配管37を通って気液分離器52まで流れる。すなわち、この吸い戻しの過程でも薬液を金属片64と接触させて、溶解を進める。
さらに、ポンプ23を改めて正転し、上述と同様の方法で薬液を配管42の途中の位置まで送りだす。
この動作を金属片64が所定の量溶解するまで繰り返す。この動作の繰返し回数は、サンプルの状態、薬液の種類及び薬液の温度によって時間換算で設定すればよい。
このように薬液は、ポンプ23で再度吸いこむことによって、耐食性ブロック50aの合流部まで吸い戻される。これと同様に、薬液を適時の回数金属片64に接触するように押し出す過程及び吸い戻す過程を繰り返し、金属片64を溶かす。したがって、行き来する薬液のみが金属片64に接触して溶解させることになる。その際金属片64に常に薬液が当っている状態となる。
設定した動作時間になった時に動作を停止させる。その際、廃液しない様に注意する。
次に、上蓋62を外し、金属片64を薬液溜め部63から取り出す。図10および図11に示したとおり、サンプル43を、開封面を下向きにして、ステージ40へとセットし、薬液収納容器1の薬液の液量、装置の動作時間を操作パネルで設定する。
設定後、装置をスタートさせる。
薬液は、開封すべきサンプル43が設置されたステージ40の中央穴からサンプル43の裏側に吹き当てられる。
薬液は、吹き当てられた後、薬液の先端部分が薬液溜め部63の両端部の穴から配管42を通って気液分離器55まで流れる。
続いてポンプ23を逆転させると、配管42にある薬液が吸い戻され、開封すべきサンプル43が設置されたステージ40の両端部の穴からサンプル43の裏側に吹き当てられる。このとき、薬液の先端部分が薬液溜め部63の中央の穴から配管37を通って気液分離器52まで流れる。すなわち、この吸い戻しの過程でも薬液をサンプル43と接触させて、開封を進める。
さらに、ポンプ23を改めて正転し、上述と同様の方法で薬液を配管42の途中の位置まで送りだす。
この動作をICパッケージ樹脂が所定の量取り除かれるまで繰り返す。この動作の繰返し回数は、サンプルの状態、薬液の種類及び薬液の温度によって時間換算で設定すればよい。
このように薬液はサンプル43の裏側を薬液の先端が一度通り過ぎるが、ポンプ23で再度吸いこむことによって、耐食性ブロック50aの合流部まで吸い戻される。これと同様に、薬液を適時の回数サンプル43に接触するように押し出す過程及び吸い戻す過程を繰り返し、サンプル43の樹脂を溶かす。したがって、行き来する薬液のみがサンプル43に接触してサンプル43の樹脂を溶かすことになる。その際サンプル43に常に薬液が当っている状態となる。
設定した動作時間が終了すると、薬液を押し出す過程及び吸い戻す過程の繰り返しによるサンプル43の樹脂の開封作業は終了する。
このように、本装置によると、ポンプによって薬液を一定量ずつ吸い込んだり押し出したりすることで、容易に薬液に金属を溶解することができる。また、薬液に金属を溶解する過程を行う装置と同じ装置によって、金属が溶解された薬液をサンプルに接触させてモールドを溶かすことができるので、処理工程が簡便である。このように、本装置によると、ボンディングワイヤ等のパッケージ基板に使用されている金属にダメージを与えることなく、モールドの開封作業を行う過程をより容易にすることができる。
1…薬液収納容器1
2…薬液収納容器2
3…排液タンク
4、5、31、32〜35、37、54…配管
6、42、44…排液管
11〜18、36…バルブ
21〜23…ポンプ
30…マニホールド
40…ステージ
43…サンプル
43a…ICチップ
50…試料台
50a…耐食性のブロック
50b…温度制御される金属ブロック
50c…ゴムシール材
50d…加熱ヒータ
51…カバー
52…気液分離器
53…チーズ
60…薬液貯蔵部
62…上蓋
63…薬液溜め部
64…金属片

Claims (8)

  1. プラスチックによりモールドされた半導体装置を開封するプラスチックモールド開封方法であって、
    前記モールドされた半導体装置は、酸を含む液体に金属を溶解させた薬液を使用して開封され、
    前記金属の材質は、
    前記モールドされた半導体装置のボンディングワイヤの材質と同じであることを特徴とするプラスチックモールド開封方法。
  2. プラスチックによりモールドされた半導体装置を開封するプラスチックモールド開封方法であって、
    前記モールドされた半導体装置は、酸を含む液体に金属を溶解させた薬液を使用して開封され、
    前記金属は銅又は銀であり、
    前記モールドされた半導体装置のボンディングワイヤの材質は銅又は銀であることを特徴とするプラスチックモールド開封方法。
  3. 前記薬液中において、
    前記金属が飽和率70%以上の状態であることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラスチックモールド開封方法。
  4. 前記酸を含む液体は、硫酸溶液、硝酸溶液、又は硫酸と硝酸との混合溶液であることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラスチックモールド開封方法。
  5. プラスチックによりモールドされた半導体装置を開封するプラスチックモールド開封装置であって、
    前記モールドされた半導体装置は、酸を含む液体に金属を溶解させた薬液を使用して開封され、
    前記金属の材質は、
    前記モールドされた半導体装置のボンディングワイヤの材質と同じであることを特徴とするプラスチックモールド開封装置。
  6. プラスチックによりモールドされた半導体装置を開封するプラスチックモールド開封方法であって、
    前記モールドされた半導体装置は、酸を含む液体に金属を溶解させた薬液を使用して開封され、
    前記金属は銅又は銀であり、
    前記モールドされた半導体装置のボンディングワイヤの材質は銅又は銀であることを特徴とするプラスチックモールド開封装置
  7. 前記薬液中において、
    前記金属が飽和率70%以上の状態であることを特徴とする請求項5又は6に記載のプラスチックモールド開封装置。
  8. 前記酸を含む液体は、硫酸溶液、硝酸溶液、又は硫酸と硝酸との混合溶液であることを特徴とする請求項5又は6に記載のプラスチックモールド開封装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102337659B1 (ko) * 2018-02-21 2021-12-09 삼성전자주식회사 금형 검사 장치 및 금형 검사 방법
CN110371923A (zh) * 2019-06-03 2019-10-25 航天科工防御技术研究试验中心 一种mems加速度传感器件的开封方法
CN111089776A (zh) * 2019-12-23 2020-05-01 青岛歌尔微电子研究院有限公司 一种银线塑封器件的开封方法
CN116469780A (zh) * 2023-04-14 2023-07-21 深圳市芯海微电子有限公司 一种银键合线焊线芯片的塑封器件开封方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0621130A (ja) 1992-07-06 1994-01-28 Matsushita Electron Corp 樹脂封止型半導体装置の樹脂開封方法
JPH07235556A (ja) * 1994-02-25 1995-09-05 Matsushita Electron Corp 半導体装置の解析方法
US5783098A (en) * 1996-05-31 1998-07-21 Nisene Technology Group Decapsulator and method for decapsulating plastic encapsulated device
JP3340675B2 (ja) * 1998-05-26 2002-11-05 日本サイエンティフィック株式会社 プラスチックモールド開封装置
JP2006196592A (ja) * 2005-01-12 2006-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂封止型半導体装置の検査方法
JP5793990B2 (ja) * 2011-06-24 2015-10-14 日立化成株式会社 半導体パッケージの開封方法、及び半導体パッケージの検査方法
US8945343B2 (en) * 2011-09-30 2015-02-03 Nisene Technology Group Decapsulator with applied voltage for etching plastic-encapsulated devices
US9059184B2 (en) * 2011-12-19 2015-06-16 Rkd Engineering Corporation Apparatus and method for decapsulating packaged integrated circuits

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