JP5783312B1 - エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及び気相成長装置 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 107
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 101
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 101
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 101
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 35
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 29
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 16
- 239000000047 product Substances 0.000 description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 6
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910000601 superalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Abstract
【課題】白キズの発生を簡便に抑制し得るエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、気相成長装置及びエピタキシャルシリコンウェーハを提供する。【解決手段】シリコンウェーハ上に気相成長を行ってエピタキシャルシリコンウェーハを製造する方法であって、気相成長が行われる気相成長装置１は、少なくとも、チャンバー２と、前記チャンバー２内に連通して接続され、前記チャンバー２内に塩化水素ガスを供給する塩化水素ガス供給設備３とを備え、前記塩化水素ガス供給設備３には、入口流路から出口流路への塩化水素ガスの流通を許容又は遮断するダイヤフラムを有するバルブが配置され、前記ダイヤフラムには、Ｗを含有していない耐食合金材料が使用され、前記チャンバー２内のメンテナンス時には前記塩化水素ガス供給設備３から前記チャンバー２内へと塩化水素ガスが供給されることを特徴とする。【選択図】図１
Description
本発明は、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及び気相成長装置に関する。
近年、ＣＣＤやＣＩＳなどの撮像素子用基板として、シリコンウェーハ上にエピタキシャル層を気相成長させたエピタキシャルシリコンウェーハが使用されている。このような撮像素子用のエピタキシャルシリコンウェーハでは、ウェーハ中の重金属不純物のレベルを低くすることが非常に重要である。ウェーハ内に重金属不純物が存在すると白キズと呼ばれる撮像素子特有のデバイス特性不良が発生してしまうためである。
気相成長によるエピタキシャルシリコンウェーハの製造では、Ｈ２とＳｉ原料ガスを用いてエピタキシャル層を気相成長させる。気相成長によって副生成物も生成され、この副生成物はチャンバー内に堆積する。堆積した副生成物は汚染源になるため、副生成物の除去のために、定期的にチャンバークリーニングが行われる。クリーニングガスとしては、塩化水素ガスが使用されている。
気相成長装置を構成する部材として耐腐食性の高い金属を使用した場合でも、塩化水素ガスは腐食性が高いため、高濃度の塩化水素ガス雰囲気では腐食が進んでしまう。そうすると、腐食によって生じた金属塩化物などの汚染金属がウェーハに取り込まれてしまい、結果として、作製するエピタキシャルシリコンウェーハが金属で汚染されることになる。
このような気相成長装置を起因とする金属汚染を低減するために、気相成長装置を構成する部材のうち、ガスに接触し、かつ金属を含む材料からなる部位を、全て非金属の保護膜で覆い、各構成部材の接合部にはＴｉを含まないＯ−リングを用いることが提案されている（特許文献１参照）。特許文献１によれば、上記構成の気相成長装置を用いることにより、ガスと金属の接触を防ぐことができるため、金属汚染が防止される。結果として、白キズの発生が少ない、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂの４元素の合計濃度が４×１０１０個／ｃｍ３以下で、かつＴｉの濃度が３×１０１２個／ｃｍ３以下の高品質のエピタキシャルシリコンウェーハを製造できることが報告されている。
このような気相成長装置を起因とする金属汚染を低減するために、気相成長装置を構成する部材のうち、ガスに接触し、かつ金属を含む材料からなる部位を、全て非金属の保護膜で覆い、各構成部材の接合部にはＴｉを含まないＯ−リングを用いることが提案されている（特許文献１参照）。特許文献１によれば、上記構成の気相成長装置を用いることにより、ガスと金属の接触を防ぐことができるため、金属汚染が防止される。結果として、白キズの発生が少ない、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂの４元素の合計濃度が４×１０１０個／ｃｍ３以下で、かつＴｉの濃度が３×１０１２個／ｃｍ３以下の高品質のエピタキシャルシリコンウェーハを製造できることが報告されている。
しかし、上記特許文献１に記載の方法では、非金属の保護膜でコーティングした部材を、使用頻度に応じて、定期的にコーティングし直す必要が生じるため、その都度、煩雑な作業が発生してしまう不具合を有している。また、ガスと接する金属部分を全て保護膜で完全に覆うことは構造設計上、困難であることが予想される。
本発明の目的は、白キズの発生を簡便に抑制し得るエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及び気相成長装置を提供することにある。
本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハ上に気相成長を行ってエピタキシャルシリコンウェーハを製造する方法であって、気相成長が行われる気相成長装置は、少なくとも、チャンバーと、前記チャンバー内に連通して接続され、前記チャンバー内に塩化水素ガスを供給する塩化水素ガス供給設備とを備え、前記塩化水素ガス供給設備には、入口流路から出口流路への塩化水素ガスの流通を調節するダイヤフラムを有するバルブが配置され、前記ダイヤフラムには、Ｗを含有していない耐食合金材料が使用され、前記チャンバー内のメンテナンス時には前記塩化水素ガス供給設備から前記チャンバー内へと塩化水素ガスが供給されることを特徴とする。
本発明によれば、塩化水素ガス供給設備のダイヤフラムを有するバルブを構成するダイヤフラムには、Ｗを含有していない耐食合金材料が使用される。このため、チャンバークリーニング時に、塩化水素ガス供給設備から腐食性が高い塩化水素ガスを供給して、ダイヤフラムを有するバルブのダイヤフラムが腐食されたとしても、白キズを発生させる影響が大きいと考えられるＷは溶出されない。このように、チャンバークリーニング時に、塩化水素ガス供給設備からのチャンバーへのＷ汚染を低減できるため、結果として、上記気相成長装置を用いることで、白キズの発生を抑制した高品質のエピタキシャルシリコンウェーハを簡便に製造することができる。
本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法では、前記Ｗを含有していない耐食合金材料が、Ｗを含有していないＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金であることが好ましい。
本発明によれば、ダイヤフラムに使用されるＷを含有していない耐食合金材料として、Ｗを含有していないＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金を採用するので、ダイヤフラムを起因とするＷ汚染を抑制できる。
本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法では、前記ダイヤフラムを有するバルブが、流通する前記塩化水素ガスの圧力を調整可能な圧力調整弁であり、前記圧力調整弁内の流路を構成する部材には、Ｗを含有していないＮｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金が使用されることが好ましい。
本発明によれば、圧力調整弁内の流路を構成する部材に、Ｗを含有していないＮｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金を使用するので、圧力調整弁を起因とするＷ汚染を抑制できる。結果として、塩化水素ガス供給設備からのチャンバーへのＷ汚染の導入をより一層低減でき、エピタキシャル層中のＷ濃度が極めて低いエピタキシャルシリコンウェーハを提供することができる。
本発明の気相成長装置は、シリコンウェーハ上に気相成長を行ってエピタキシャルシリコンウェーハを製造する気相成長装置であって、少なくとも、チャンバーと、前記チャンバー内に連通して接続され、前記チャンバー内に塩化水素ガスを供給する塩化水素ガス供給設備とを備え、前記塩化水素ガス供給設備には、入口流路から出口流路への塩化水素ガスの流通を調節するダイヤフラムを有するバルブが配置され、前記ダイヤフラムには、Ｗを含有していない耐食合金材料が使用され、前記チャンバー内のメンテナンス時には前記塩化水素ガス供給設備から前記チャンバー内へと塩化水素ガスが供給されることを特徴とする。
本発明によれば、塩化水素ガス供給設備のダイヤフラムを有するバルブを構成するダイヤフラムには、Ｗを含有していない耐食合金材料が使用される。このため、チャンバークリーニング時に、塩化水素ガス供給設備から腐食性が高い塩化水素ガスを供給して、ダイヤフラムを有するバルブのダイヤフラムが腐食されたとしても、白キズを発生させる影響が大きいと考えられるＷは溶出されない。このように、チャンバークリーニング時に、塩化水素ガス供給設備からのチャンバーへのＷ汚染を低減できるため、結果として、上記気相成長装置を用いることで、白キズの発生を抑制した高品質のエピタキシャルシリコンウェーハを簡便に製造することができる。
本発明の気相成長装置では、前記Ｗを含有していない耐食合金材料が、Ｗを含有していないＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金であることが好ましい。
本発明によれば、ダイヤフラムに使用されるＷを含有していない耐食合金材料として、Ｗを含有していないＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金を採用するので、ダイヤフラムを起因とするＷ汚染を抑制できる。
本発明の気相成長装置では、前記ダイヤフラムを有するバルブが、流通する前記塩化水素ガスの圧力を調整可能な圧力調整弁であり、前記圧力調整弁内の流路を構成する部材には、Ｗを含有していないＮｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金が使用されることが好ましい。
本発明によれば、圧力調整弁内の流路を構成する部材に、Ｗを含有していないＮｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金を使用するので、圧力調整弁を起因とするＷ汚染を抑制できる。結果として、塩化水素ガス供給設備からのチャンバーへのＷ汚染の導入をより一層低減でき、エピタキシャル層中のＷ濃度が極めて低いエピタキシャルシリコンウェーハを提供することができる。
以下、本実施形態を図面を参照して説明する。
本発明者らは、前記課題を解決すべく、白キズを生じさせる汚染源について鋭意検討した。
チャンバークリーニングに使用する塩化水素ガスは、副生成物の除去効果は大きいが、その一方で、腐食性が高い。このため、塩化水素ガスを供給する塩化水素ガス供給設備が塩化水素ガスによって腐食され、チャンバーへと導入される金属汚染が撮像製品の白キズ特性への影響が大きいと考えた。
また、白キズを生じさせる汚染源となる金属は、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａなどの金属が主要因であると考えられていたが、本発明者らは、金属汚染のうち、Ｗ汚染が白キズを発生させる影響が最も大きいことを見出した。
そこで、チャンバークリーニング時に、チャンバー内へ塩化水素ガスを供給する塩化水素ガス供給設備、並びに汚染金属としてＷについて着目し、鋭意検討した。
本発明者らは、前記課題を解決すべく、白キズを生じさせる汚染源について鋭意検討した。
チャンバークリーニングに使用する塩化水素ガスは、副生成物の除去効果は大きいが、その一方で、腐食性が高い。このため、塩化水素ガスを供給する塩化水素ガス供給設備が塩化水素ガスによって腐食され、チャンバーへと導入される金属汚染が撮像製品の白キズ特性への影響が大きいと考えた。
また、白キズを生じさせる汚染源となる金属は、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａなどの金属が主要因であると考えられていたが、本発明者らは、金属汚染のうち、Ｗ汚染が白キズを発生させる影響が最も大きいことを見出した。
そこで、チャンバークリーニング時に、チャンバー内へ塩化水素ガスを供給する塩化水素ガス供給設備、並びに汚染金属としてＷについて着目し、鋭意検討した。
図１に示すように、本実施形態において、気相成長が行われる気相成長装置１は、少なくとも、チャンバー２と、このチャンバー２内に連通して接続され、チャンバー２内に塩化水素ガスを供給する塩化水素ガス供給設備３とを備えている。この塩化水素ガス供給設備３は、チャンバークリーニング時に、チャンバー２内に塩化水素ガスを供給するために備えられている。
塩化水素ガス供給設備３は、塩化水素ガス供給ユニット３１、減圧ユニット３２、バルブマニホールドボックス３３（Ｖａｌｖｅ Ｍａｎｉｆｏｌｄ Ｂｏｘ：ＶＭＢ）などがそれぞれ配置され、塩化水素ガスを流通させる配管３４により、チャンバー２に連通して接続されている。
減圧ユニット３２には、圧力調整弁４０と、ダイヤフラムバルブ５０と、圧力計６０とがそれぞれ設置されている。圧力調整弁４０は、流通する塩化水素ガスの圧力を制御するものである。ダイヤフラムバルブ５０では、ダイヤフラムにより、塩化水素ガスの流通量を調節する。圧力計６０では、圧力調整弁４０で減圧される前の塩化水素ガスの圧力と、減圧された後の塩化水素ガスの圧力をそれぞれ測定する。
なお、図１に示す減圧ユニット３２では、圧力調整弁４０を２段構成にしているが、１段構成としてもよい。
ＶＭＢ３３では、配管３４が複数本に分岐しており、分岐した配管３４のそれぞれにダイヤフラムバルブ５０が設置された構造を有している。ＶＭＢ３３で分岐したそれぞれの配管３４を、複数台のチャンバー２に接続することにより、１基の塩化水素ガス供給設備３で、複数台のチャンバー２に対して、塩化水素ガスが供給可能に構成されている。
塩化水素ガス供給設備３は、塩化水素ガス供給ユニット３１、減圧ユニット３２、バルブマニホールドボックス３３（Ｖａｌｖｅ Ｍａｎｉｆｏｌｄ Ｂｏｘ：ＶＭＢ）などがそれぞれ配置され、塩化水素ガスを流通させる配管３４により、チャンバー２に連通して接続されている。
減圧ユニット３２には、圧力調整弁４０と、ダイヤフラムバルブ５０と、圧力計６０とがそれぞれ設置されている。圧力調整弁４０は、流通する塩化水素ガスの圧力を制御するものである。ダイヤフラムバルブ５０では、ダイヤフラムにより、塩化水素ガスの流通量を調節する。圧力計６０では、圧力調整弁４０で減圧される前の塩化水素ガスの圧力と、減圧された後の塩化水素ガスの圧力をそれぞれ測定する。
なお、図１に示す減圧ユニット３２では、圧力調整弁４０を２段構成にしているが、１段構成としてもよい。
ＶＭＢ３３では、配管３４が複数本に分岐しており、分岐した配管３４のそれぞれにダイヤフラムバルブ５０が設置された構造を有している。ＶＭＢ３３で分岐したそれぞれの配管３４を、複数台のチャンバー２に接続することにより、１基の塩化水素ガス供給設備３で、複数台のチャンバー２に対して、塩化水素ガスが供給可能に構成されている。
図２にダイヤフラムバルブ５０の概略図を示す。
ダイヤフラムバルブ５０は、本体部５１と、ダイヤフラム５２と、駆動部５３とを備えている。本体部５１には、塩化水素ガスの流路となる入口流路５１１と出口流路５１２、及びダイヤフラム５２と接触する弁座５１３が設けられている。ダイヤフラム５２は、本体部５１の入口流路５１１、弁座５１３及び出口流路５１２を覆うように配置されている。駆動部５３は、ダイヤフラム５２を介して本体部５１と接続され、ダイヤフラム５２の引き上げ、並びに押し付けが可能に構成されている。
ダイヤフラムバルブ５０は、駆動部５３によってダイヤフラム５２を引き上げ、或いはダイヤフラム５２を本体部５１の弁座５１３に押し付けることにより、本体部５１の入口流路５１１と出口流路５１２とを連通或いは遮断する。
ダイヤフラムバルブ５０は、本体部５１と、ダイヤフラム５２と、駆動部５３とを備えている。本体部５１には、塩化水素ガスの流路となる入口流路５１１と出口流路５１２、及びダイヤフラム５２と接触する弁座５１３が設けられている。ダイヤフラム５２は、本体部５１の入口流路５１１、弁座５１３及び出口流路５１２を覆うように配置されている。駆動部５３は、ダイヤフラム５２を介して本体部５１と接続され、ダイヤフラム５２の引き上げ、並びに押し付けが可能に構成されている。
ダイヤフラムバルブ５０は、駆動部５３によってダイヤフラム５２を引き上げ、或いはダイヤフラム５２を本体部５１の弁座５１３に押し付けることにより、本体部５１の入口流路５１１と出口流路５１２とを連通或いは遮断する。
図３にダイヤフラム５２の平面図を示す。図３に示すように、ダイヤフラム５２の形状は凹状であり、ダイヤフラムバルブ５０の開閉時に応力がかかる構造になっている。このため、塩化水素ガスの流通時にダイヤフラム５２が腐食され易い。腐食された部分はガス化して、チャンバー２内へと導入されるものと推察される。
図４に圧力調整弁４０の断面概略図を示す。
圧力調整弁４０は、本体部４１、ダイヤフラム４２、調圧ハンドル４３とを備えている。本体部４１には、塩化水素ガスの流路となる入口流路４１１と出口流路４１２、シート４１３、シールスプリング４１４が設けられている。ダイヤフラム４２は、シート４１３と接し、かつ入口流路４１１及び出口流路４１２を覆うように配置されている。調圧ハンドル４３は、ダイヤフラム４２を介して本体部４１と接続され、調圧スプリング４３１により、調圧が可能に構成されている。
調圧ハンドル４３の締め具合により、調圧スプリング４３１からダイヤフラム４２に物理的な力が加えられる。これにより、流通する塩化水素ガスと接触する領域の空間体積が調整されることで、圧力調整（減圧）が行われる。圧力調整が繰り返し行われることから、圧力調整弁４０内のシート４１３などの流路を構成する部材やダイヤフラム４２は、塩化水素ガスの流通時に腐食され易い。ダイヤフラムバルブ５０と同様に、腐食された部分はガス化して、チャンバー２内へと導入されるものと推察される。
圧力調整弁４０は、本体部４１、ダイヤフラム４２、調圧ハンドル４３とを備えている。本体部４１には、塩化水素ガスの流路となる入口流路４１１と出口流路４１２、シート４１３、シールスプリング４１４が設けられている。ダイヤフラム４２は、シート４１３と接し、かつ入口流路４１１及び出口流路４１２を覆うように配置されている。調圧ハンドル４３は、ダイヤフラム４２を介して本体部４１と接続され、調圧スプリング４３１により、調圧が可能に構成されている。
調圧ハンドル４３の締め具合により、調圧スプリング４３１からダイヤフラム４２に物理的な力が加えられる。これにより、流通する塩化水素ガスと接触する領域の空間体積が調整されることで、圧力調整（減圧）が行われる。圧力調整が繰り返し行われることから、圧力調整弁４０内のシート４１３などの流路を構成する部材やダイヤフラム４２は、塩化水素ガスの流通時に腐食され易い。ダイヤフラムバルブ５０と同様に、腐食された部分はガス化して、チャンバー２内へと導入されるものと推察される。
〔配管の検討〕
塩化水素ガス供給設備３の配管３４について、以下のような評価試験を行った。
先ず、複数回に渡って使用された配管（以下、中古配管という。）と、未使用の配管（以下、新品配管という。）と、をそれぞれ用意した。配管の材質は、ＳＵＳ３１６Ｌである。ＳＵＳ３１６Ｌの組成を上記表１に示す。なお、中古配管は、溶接有り、溶接無しの２種類について検討した。そして、これらの配管を設置した塩化水素ガス供給設備３から、チャンバー２内へと塩化水素ガスを供給した。
次に、塩化水素ガスの供給を終えた配管内部の表面を、走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ）で撮像した。その結果を図５に示す。なお、図５の上段は、新品配管のＳＥＭ画像、図５下段は、中古配管（溶接無し）のＳＥＭ画像である。
図５に示すように、配管の材質であるＳＵＳ３１６Ｌは、耐食性が低いため、中古配管及び新品配管の双方で、若干の腐食が見られた。このうち、中古配管の方が腐食度合は高いことが確認された。
塩化水素ガス供給設備３の配管３４について、以下のような評価試験を行った。
先ず、複数回に渡って使用された配管（以下、中古配管という。）と、未使用の配管（以下、新品配管という。）と、をそれぞれ用意した。配管の材質は、ＳＵＳ３１６Ｌである。ＳＵＳ３１６Ｌの組成を上記表１に示す。なお、中古配管は、溶接有り、溶接無しの２種類について検討した。そして、これらの配管を設置した塩化水素ガス供給設備３から、チャンバー２内へと塩化水素ガスを供給した。
次に、塩化水素ガスの供給を終えた配管内部の表面を、走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ）で撮像した。その結果を図５に示す。なお、図５の上段は、新品配管のＳＥＭ画像、図５下段は、中古配管（溶接無し）のＳＥＭ画像である。
図５に示すように、配管の材質であるＳＵＳ３１６Ｌは、耐食性が低いため、中古配管及び新品配管の双方で、若干の腐食が見られた。このうち、中古配管の方が腐食度合は高いことが確認された。
また、塩化水素ガス供給後、即ちチャンバークリーニングを終えた後に作製したサンプルについて、誘導結合プラズマ質量分析法（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＩＣＰ−ＭＳ）により金属分析を行った。この金属分析によって、サンプルから各金属（Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ）が検出されるか、即ち、配管から金属が溶出しているかを判断できる。その結果を図６に示す。なお、図６中のＤＬは検出限界を示す。
図６に示すように、中古配管及び新品配管の双方で、ＦｅやＮｉ、Ｃｒ、Ｍｏなどの金属が検出された。なお、Ｍｎについては、溶接有りの中古配管のみで金属が検出され、溶接無しの中古配管や新品配管については検出されなかった。また、ＳＵＳ３１６Ｌには、ＴｉやＷが含有されていないため、いずれの配管からもＴｉやＷは検出されなかった。
上記結果から、配管３４の材料に使用されているＳＵＳ３１６Ｌは、Ｗの汚染源ではないことが結論付けられる。
図６に示すように、中古配管及び新品配管の双方で、ＦｅやＮｉ、Ｃｒ、Ｍｏなどの金属が検出された。なお、Ｍｎについては、溶接有りの中古配管のみで金属が検出され、溶接無しの中古配管や新品配管については検出されなかった。また、ＳＵＳ３１６Ｌには、ＴｉやＷが含有されていないため、いずれの配管からもＴｉやＷは検出されなかった。
上記結果から、配管３４の材料に使用されているＳＵＳ３１６Ｌは、Ｗの汚染源ではないことが結論付けられる。
〔ダイヤフラムバルブの検討〕
次に、塩化水素ガス供給設備３のダイヤフラムバルブ５０について、以下のような評価試験を行った。使用したダイヤフラムバルブ５０を構成するダイヤフラム５２の材質として、耐食性に優れるＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金の一つであるＳＰＲＯＮ１００（セイコーインスツル社製、ＳＰＲＯＮは登録商標）を用いた。ＳＰＲＯＮ１００の組成を下記表１に示す。表１に示す通り、ＳＰＲＯＮ１００はＷを含む合金材料である。
次に、塩化水素ガス供給設備３のダイヤフラムバルブ５０について、以下のような評価試験を行った。使用したダイヤフラムバルブ５０を構成するダイヤフラム５２の材質として、耐食性に優れるＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金の一つであるＳＰＲＯＮ１００（セイコーインスツル社製、ＳＰＲＯＮは登録商標）を用いた。ＳＰＲＯＮ１００の組成を下記表１に示す。表１に示す通り、ＳＰＲＯＮ１００はＷを含む合金材料である。
塩化水素ガス供給設備３から、チャンバー２内へと塩化水素ガスを供給した。そして、塩化水素ガスの供給を終えたダイヤフラムバルブ５０のダイヤフラム５２表面（塩化水素ガスと接触している側）をＳＥＭで撮像した。その結果を図７に示す。なお、図７は、図３の観察領域におけるＳＥＭ画像である。
また、塩化水素ガス供給後の、ダイヤフラム５２について、エネルギー分散型Ｘ線分析法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて組成分析を行った。図８にその結果を示す。
図７に示すＳＥＭ画像から、ダイヤフラム５２表面が腐食されていることが確認できる。また、図８に示すように、ＳＰＲＯＮ１００に含有されているＷが検出されている。
また、塩化水素ガス供給後の、ダイヤフラム５２について、エネルギー分散型Ｘ線分析法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて組成分析を行った。図８にその結果を示す。
図７に示すＳＥＭ画像から、ダイヤフラム５２表面が腐食されていることが確認できる。また、図８に示すように、ＳＰＲＯＮ１００に含有されているＷが検出されている。
次に、複数回に渡って使用されたダイヤフラム（以下、使用済み品という。）と、未使用のダイヤフラム（以下、未使用品という。）と、をそれぞれ用意した。そして、これらのダイヤフラムについて組成分析を行って、両者を構成する金属組成割合を比較した。図９にその結果を示す。なお、図９では、ダイヤフラム５２を構成する金属のうち、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗの６種類を比較した。
図９に示すように、未使用品と比較して、使用済み品では、ＭｏとＷの組成割合が低下していることが確認された。この結果から、上記組成割合が低下した元素については、腐食によって、チャンバー２内へと導入されているものと推察される。
図９に示すように、未使用品と比較して、使用済み品では、ＭｏとＷの組成割合が低下していることが確認された。この結果から、上記組成割合が低下した元素については、腐食によって、チャンバー２内へと導入されているものと推察される。
〔圧力調整弁の検討〕
次に、塩化水素ガス供給設備に設置されている圧力調整弁４０について、以下のような評価試験を行った。使用した圧力調整弁４０のダイヤフラム４２の材質は、耐食性に優れるＮｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金の一つであるハステロイＣ２２（ヘインズインターナショナル社製、ハステロイは登録商標）を用いた。上記表１に示す通り、ハステロイＣ２２はＷを含む合金材料である。
塩化水素ガス供給設備３から、チャンバー２内へと塩化水素ガスを供給した。そして、塩化水素ガスの供給を終えた圧力調整弁４０のダイヤフラム４２を、ＳＥＭで撮像した。その結果を図１０に示す。
また、塩化水素ガス供給後の、圧力調整弁４０のダイヤフラム４２について、ＥＤＸを用いて組成分析を行った。図１１にその結果を示す。
図１０に示すＳＥＭ画像から、ダイヤフラム４２表面が腐食されていることが確認できる。また、図１１に示すように、ハステロイＣ２２に含有されているＷが検出されている。
次に、塩化水素ガス供給設備に設置されている圧力調整弁４０について、以下のような評価試験を行った。使用した圧力調整弁４０のダイヤフラム４２の材質は、耐食性に優れるＮｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金の一つであるハステロイＣ２２（ヘインズインターナショナル社製、ハステロイは登録商標）を用いた。上記表１に示す通り、ハステロイＣ２２はＷを含む合金材料である。
塩化水素ガス供給設備３から、チャンバー２内へと塩化水素ガスを供給した。そして、塩化水素ガスの供給を終えた圧力調整弁４０のダイヤフラム４２を、ＳＥＭで撮像した。その結果を図１０に示す。
また、塩化水素ガス供給後の、圧力調整弁４０のダイヤフラム４２について、ＥＤＸを用いて組成分析を行った。図１１にその結果を示す。
図１０に示すＳＥＭ画像から、ダイヤフラム４２表面が腐食されていることが確認できる。また、図１１に示すように、ハステロイＣ２２に含有されているＷが検出されている。
次に、圧力調整弁４０のダイヤフラム４２として、未使用品と使用済み品とをそれぞれ用意し、これらのダイヤフラムについて組成分析を行って、両者を構成する金属組成割合を比較した。図１２にその結果を示す。なお、図１２では、圧力調整弁４０のダイヤフラムを構成する金属のうち、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎの５種類を比較した。
図１２に示すように、未使用品と比較して、使用済み品では、ＭｏとＷの組成割合が低下していることが確認された。この結果から、上記組成割合が低下した元素については、腐食によって、チャンバー２内へと導入されているものと推察される。
また、圧力調整弁４０を構成する部材のうち、例えば、圧力調整弁４０内の流路を構成するシート４１３などは、従来、ダイヤフラム４２と同材質が使用されている。したがって、使用済み品については、これらの部材の腐食によっても、汚染金属がチャンバー２内へと導入されているものと推察される。
図１２に示すように、未使用品と比較して、使用済み品では、ＭｏとＷの組成割合が低下していることが確認された。この結果から、上記組成割合が低下した元素については、腐食によって、チャンバー２内へと導入されているものと推察される。
また、圧力調整弁４０を構成する部材のうち、例えば、圧力調整弁４０内の流路を構成するシート４１３などは、従来、ダイヤフラム４２と同材質が使用されている。したがって、使用済み品については、これらの部材の腐食によっても、汚染金属がチャンバー２内へと導入されているものと推察される。
〔汚染金属種の検討〕
次に、エピタキシャルシリコンウェーハとして、白キズが発生していないサンプルと、白キズが発生したサンプルとをそれぞれ用意し、エピタキシャル層表面のＷ濃度、並びにＭｏ濃度をＩＣＰ−ＭＳにより測定した。
図１３の右側にＷ濃度を、左側にＭｏ濃度をそれぞれ示す。図１３において、丸印は白キズが発生しなかったサンプルを、三角印は白キズが少々発生したけれども、撮像素子用として使用可能と判断されたサンプル、バツ印は白キズが発生し、撮像素子用として使用不可能と判断されたサンプルをそれぞれ示す。
図１３に示すように、Ｗ濃度とＭｏ濃度とを比較すると、Ｍｏ濃度は１×１０７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２前後で白キズが発生しなかったのに対し、Ｗ濃度は５×１０６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下において白キズが発生しないことが確認された。この結果から、Ｍｏ汚染に比べて、Ｗ汚染の方が、白キズを発生させる影響が大きいと推察される。
次に、エピタキシャルシリコンウェーハとして、白キズが発生していないサンプルと、白キズが発生したサンプルとをそれぞれ用意し、エピタキシャル層表面のＷ濃度、並びにＭｏ濃度をＩＣＰ−ＭＳにより測定した。
図１３の右側にＷ濃度を、左側にＭｏ濃度をそれぞれ示す。図１３において、丸印は白キズが発生しなかったサンプルを、三角印は白キズが少々発生したけれども、撮像素子用として使用可能と判断されたサンプル、バツ印は白キズが発生し、撮像素子用として使用不可能と判断されたサンプルをそれぞれ示す。
図１３に示すように、Ｗ濃度とＭｏ濃度とを比較すると、Ｍｏ濃度は１×１０７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２前後で白キズが発生しなかったのに対し、Ｗ濃度は５×１０６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下において白キズが発生しないことが確認された。この結果から、Ｍｏ汚染に比べて、Ｗ汚染の方が、白キズを発生させる影響が大きいと推察される。
上記各部材の評価、汚染金属種の検討結果から、チャンバークリーニングの実施によって、ダイヤフラムバルブ５０のダイヤフラム５２や、圧力調整弁４０のダイヤフラム４２が腐食されて、塩化水素ガス供給設備３からチャンバー２へとＷが導入され、エピタキシャルシリコンウェーハがＷで汚染されることが推察される。
本発明は、上述のような知見に基づいて完成されたものである。
本実施形態のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法では、ダイヤフラム４２，５２には、Ｗを含有していない耐食合金材料が使用される。Ｗを含有していない耐食合金材料としては、Ｗを含有していないＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金、具体的には、ＳＰＲＯＮ５１０（セイコーインスツル社製、ＳＰＲＯＮは登録商標）が挙げられる。ＳＰＲＯＮ５１０の組成を上記表１に示す。
また、圧力調整弁４０内の流路を構成する部材には、Ｗを含有していないＮｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金が使用される。Ｗを含有していないＮｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金としては、ＭＡＴ２１（ＭＭＣスーパーアロイ社製、ＭＡＴ２１は登録商標）が挙げられる。ＭＡＴ２１の組成を上記表１に示す。
なお、ＳＰＲＯＮ５１０は、ＳＰＲＯＮ１００と比較してＭｏの組成割合が高い材料である。本来なら、白キズ発生の原因とされるＭｏ汚染を考慮すれば、Ｍｏ濃度を高めた材質を適用するべきではない。一方で、上述した本発明者らの検討により、白キズ発生の主な原因がＷであることを突き止めることができた。そして、Ｍｏ濃度を高めることで耐食性をより向上させ、腐食そのものを抑制するとともに、Ｗを含まない材料を選定することが有効であるという結論に至った。これら要件を満たすＳＰＲＯＮ５１０を採用することで、本発明の効果が達成される。また、ハステロイＣ２２とＭＡＴ２１との関係についても、上記と同様のことが言えるため、ＭＡＴ２１を採用することで、本発明の効果が達成される。
本実施形態のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法では、ダイヤフラム４２，５２には、Ｗを含有していない耐食合金材料が使用される。Ｗを含有していない耐食合金材料としては、Ｗを含有していないＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金、具体的には、ＳＰＲＯＮ５１０（セイコーインスツル社製、ＳＰＲＯＮは登録商標）が挙げられる。ＳＰＲＯＮ５１０の組成を上記表１に示す。
また、圧力調整弁４０内の流路を構成する部材には、Ｗを含有していないＮｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金が使用される。Ｗを含有していないＮｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金としては、ＭＡＴ２１（ＭＭＣスーパーアロイ社製、ＭＡＴ２１は登録商標）が挙げられる。ＭＡＴ２１の組成を上記表１に示す。
なお、ＳＰＲＯＮ５１０は、ＳＰＲＯＮ１００と比較してＭｏの組成割合が高い材料である。本来なら、白キズ発生の原因とされるＭｏ汚染を考慮すれば、Ｍｏ濃度を高めた材質を適用するべきではない。一方で、上述した本発明者らの検討により、白キズ発生の主な原因がＷであることを突き止めることができた。そして、Ｍｏ濃度を高めることで耐食性をより向上させ、腐食そのものを抑制するとともに、Ｗを含まない材料を選定することが有効であるという結論に至った。これら要件を満たすＳＰＲＯＮ５１０を採用することで、本発明の効果が達成される。また、ハステロイＣ２２とＭＡＴ２１との関係についても、上記と同様のことが言えるため、ＭＡＴ２１を採用することで、本発明の効果が達成される。
上記塩化水素ガス供給設備３を備えた気相成長装置１により、シリコンウェーハ上に、気相成長を行い、エピタキシャルシリコンウェーハを作製する。そして、チャンバー２内のメンテナンス時には、塩化水素ガス供給設備３からチャンバー２内へと塩化水素ガスを供給する、チャンバークリーニングが実施される。
〔実施形態の作用効果〕
上述したように、上記実施形態では、以下のような作用効果を奏することができる。
（１）塩化水素ガス供給設備３のダイヤフラムバルブ５０を構成するダイヤフラム５２、圧力調整弁４０を構成するダイヤフラム４２には、Ｗを含有していない耐食合金材料が使用される。このため、チャンバークリーニング時に、塩化水素ガス供給設備３から腐食性が高い塩化水素ガスを供給して、ダイヤフラム４２，５２が腐食されたとしても、白キズを発生させる影響が大きいと考えられるＷは溶出されない。このように、チャンバークリーニング時に、塩化水素ガス供給設備３からのチャンバー２へのＷ汚染を低減できる。結果として、上記気相成長装置１を用いることで、白キズの発生を抑制した高品質のエピタキシャルシリコンウェーハを簡便に製造することができる。
（２）ダイヤフラム４２，５２に使用されるＷを含有していない耐食合金材料として、Ｗを含有していないＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金を採用するので、ダイヤフラムを起因とするＷ汚染を抑制できる。また、ダイヤフラムは材質によっては加工が難しい部材であるが、上記合金であれば、加工が容易であり、従来使用されていた材料と同様の性能を維持できる。
（３）圧力調整弁４０内の流路を構成する部材に、Ｗを含有していないＮｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金を使用するので、圧力調整弁４０を起因とするＷ汚染を抑制できる。結果として、塩化水素ガス供給設備３からのチャンバー２へのＷ汚染の導入をより一層低減できる。
上述したように、上記実施形態では、以下のような作用効果を奏することができる。
（１）塩化水素ガス供給設備３のダイヤフラムバルブ５０を構成するダイヤフラム５２、圧力調整弁４０を構成するダイヤフラム４２には、Ｗを含有していない耐食合金材料が使用される。このため、チャンバークリーニング時に、塩化水素ガス供給設備３から腐食性が高い塩化水素ガスを供給して、ダイヤフラム４２，５２が腐食されたとしても、白キズを発生させる影響が大きいと考えられるＷは溶出されない。このように、チャンバークリーニング時に、塩化水素ガス供給設備３からのチャンバー２へのＷ汚染を低減できる。結果として、上記気相成長装置１を用いることで、白キズの発生を抑制した高品質のエピタキシャルシリコンウェーハを簡便に製造することができる。
（２）ダイヤフラム４２，５２に使用されるＷを含有していない耐食合金材料として、Ｗを含有していないＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金を採用するので、ダイヤフラムを起因とするＷ汚染を抑制できる。また、ダイヤフラムは材質によっては加工が難しい部材であるが、上記合金であれば、加工が容易であり、従来使用されていた材料と同様の性能を維持できる。
（３）圧力調整弁４０内の流路を構成する部材に、Ｗを含有していないＮｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金を使用するので、圧力調整弁４０を起因とするＷ汚染を抑制できる。結果として、塩化水素ガス供給設備３からのチャンバー２へのＷ汚染の導入をより一層低減できる。
〔他の実施形態〕
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能であり、その他、本発明の実施の際の具体的な手順、及び構造等は本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等としてもよい。
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能であり、その他、本発明の実施の際の具体的な手順、及び構造等は本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等としてもよい。
次に、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
〔実施例１〕
図１に示す気相成長装置１を使用して、エピタキシャルシリコンウェーハを作製し、所定枚数のエピタキシャル処理を終えた後は、チャンバークリーニングを実施するサイクルを繰り返し実施した。そして、上記サイクルを繰り返し実施するにあたって、塩化水素ガス供給設備３の減圧ユニット３２、並びにＶＭＢ３３を構成するダイヤフラムバルブ５０におけるダイヤフラム５２の材質を変更した実験を行った。具体的には、本実施例１としてＷフリーのＳＰＲＯＮ５１０を用い、比較例１としてＷを４％含有するＳＰＲＯＮ１００を用いた実験を行った。
そして、上記サイクルを繰り返し実施して得られたサンプルについて、エピタキシャル層表面のＷ濃度を測定した。なお、Ｗ濃度は、以下のようにして求めた。エピタキシャル層の表面に酸系の溶液を滴下してウェーハ上をスキャンすることにより、エピタキシャル層表面の金属不純物を溶液内に回収した。そして、回収した溶液をＩＣＰ−ＭＳにて定量分析した。
なお、本実施例１における、塩化水素ガス供給設備３の減圧ユニット３２を構成する圧力調整弁４０のダイヤフラム４２の材質は、Ｗを４％含有するＳＰＲＯＮ１００である。また、圧力調整弁４０内の流路を構成する部材（シート４１３など）の材質は、Ｗを２．５〜３．５％含有するハステロイＣ２２である。
その結果を図１４に示す。図中の太線は、ダイヤフラム５２の材質変更を実施した点を示す。なお、図１４中のＣｈは、ＶＭＢ３３にそれぞれ接続したチャンバーＡ、チャンバーＢ、チャンバーＣでそれぞれ作製したサンプルであることを示す。
図１に示す気相成長装置１を使用して、エピタキシャルシリコンウェーハを作製し、所定枚数のエピタキシャル処理を終えた後は、チャンバークリーニングを実施するサイクルを繰り返し実施した。そして、上記サイクルを繰り返し実施するにあたって、塩化水素ガス供給設備３の減圧ユニット３２、並びにＶＭＢ３３を構成するダイヤフラムバルブ５０におけるダイヤフラム５２の材質を変更した実験を行った。具体的には、本実施例１としてＷフリーのＳＰＲＯＮ５１０を用い、比較例１としてＷを４％含有するＳＰＲＯＮ１００を用いた実験を行った。
そして、上記サイクルを繰り返し実施して得られたサンプルについて、エピタキシャル層表面のＷ濃度を測定した。なお、Ｗ濃度は、以下のようにして求めた。エピタキシャル層の表面に酸系の溶液を滴下してウェーハ上をスキャンすることにより、エピタキシャル層表面の金属不純物を溶液内に回収した。そして、回収した溶液をＩＣＰ−ＭＳにて定量分析した。
なお、本実施例１における、塩化水素ガス供給設備３の減圧ユニット３２を構成する圧力調整弁４０のダイヤフラム４２の材質は、Ｗを４％含有するＳＰＲＯＮ１００である。また、圧力調整弁４０内の流路を構成する部材（シート４１３など）の材質は、Ｗを２．５〜３．５％含有するハステロイＣ２２である。
その結果を図１４に示す。図中の太線は、ダイヤフラム５２の材質変更を実施した点を示す。なお、図１４中のＣｈは、ＶＭＢ３３にそれぞれ接続したチャンバーＡ、チャンバーＢ、チャンバーＣでそれぞれ作製したサンプルであることを示す。
図１４に示すように、ダイヤフラム５２の材質としてＷを４％含有するＳＰＲＯＮ１００を用いた比較例１では、エピタキシャル層表面のＷ濃度は１×１０７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３前後の範囲であった。これに対して、ダイヤフラム５２の材質としてＷフリーのＳＰＲＯＮ５１０を用いた本実施例では、エピタキシャル層表面のＷ濃度が１×１０６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下のサンプルが得られていることが確認された。この結果から、ダイヤフラムの材質としてＷフリーの材料を使用することで、白キズの発生を抑制した高品質のエピタキシャルシリコンウェーハを簡便に製造できることが判る。
〔実施例２〕
圧力調整弁４０のダイヤフラム４２、圧力調整弁４０内の流路を構成する部材（シート４１３など）の材質を、以下に変更した以外は、実施例１と同様にしてエピタキシャルシリコンウェーハのサンプルを作製した。そして、得られたサンプルについて、エピタキシャル層表面のＷ濃度を測定した。
比較例２：圧力調整弁４０のダイヤフラム４２の材質は、Ｗを４％含有するＳＰＲＯＮ１００、圧力調整弁４０内の流路を構成する部材（シート４１３など）の材質は、Ｗを２．５〜３．５％含有するハステロイＣ２２。
本実施例２：圧力調整弁４０のダイヤフラム４２の材質は、ＷフリーのＳＰＲＯＮ５１０、圧力調整弁４０内の流路を構成する部材（シート４１３など）の材質は、ＷフリーのＭＡＴ２１。
なお、本実施例２における、減圧ユニット３２並びにＶＭＢ３３を構成するダイヤフラムバルブ５０におけるダイヤフラム５２の材質は、Ｗを４％含有するＳＰＲＯＮ１００である。
その結果を図１５に示す。図中の太線は、材質変更を実施した点を示す。なお、図１５中のＣｈは、ＶＭＢ３３にそれぞれ接続したチャンバーＡ、チャンバーＢ、チャンバーＣでそれぞれ作製したサンプルであることを示す。
圧力調整弁４０のダイヤフラム４２、圧力調整弁４０内の流路を構成する部材（シート４１３など）の材質を、以下に変更した以外は、実施例１と同様にしてエピタキシャルシリコンウェーハのサンプルを作製した。そして、得られたサンプルについて、エピタキシャル層表面のＷ濃度を測定した。
比較例２：圧力調整弁４０のダイヤフラム４２の材質は、Ｗを４％含有するＳＰＲＯＮ１００、圧力調整弁４０内の流路を構成する部材（シート４１３など）の材質は、Ｗを２．５〜３．５％含有するハステロイＣ２２。
本実施例２：圧力調整弁４０のダイヤフラム４２の材質は、ＷフリーのＳＰＲＯＮ５１０、圧力調整弁４０内の流路を構成する部材（シート４１３など）の材質は、ＷフリーのＭＡＴ２１。
なお、本実施例２における、減圧ユニット３２並びにＶＭＢ３３を構成するダイヤフラムバルブ５０におけるダイヤフラム５２の材質は、Ｗを４％含有するＳＰＲＯＮ１００である。
その結果を図１５に示す。図中の太線は、材質変更を実施した点を示す。なお、図１５中のＣｈは、ＶＭＢ３３にそれぞれ接続したチャンバーＡ、チャンバーＢ、チャンバーＣでそれぞれ作製したサンプルであることを示す。
図１５に示すように、比較例２では、エピタキシャル層表面のＷ濃度は５×１０６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３前後の範囲であった。これに対して、本実施例２では、材質変更直後はＷ濃度にばらつきがあったが、しばらくすると、エピタキシャル層表面のＷ濃度が１×１０６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にまで低減されたサンプルが得られていることが確認できた。
本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、気相成長装置及びエピタキシャルシリコンウェーハは、撮像素子用エピタキシャルシリコンウェーハの製造に好適に用いられる。
１…気相成長装置、２…チャンバー、３…塩化水素ガス供給設備、３１…塩化水素ガス供給ユニット、３２…減圧ユニット、３３…バルブマニホールドボックス、３４…配管、４０…圧力調整弁、５０…ダイヤフラムバルブ、６０…圧力計。
Claims (6)
- シリコンウェーハ上に気相成長を行ってエピタキシャルシリコンウェーハを製造する方法であって、
気相成長が行われる気相成長装置は、少なくとも、チャンバーと、前記チャンバー内に連通して接続され、前記チャンバー内に塩化水素ガスを供給する塩化水素ガス供給設備とを備え、
前記塩化水素ガス供給設備には、入口流路から出口流路への塩化水素ガスの流通を調節するダイヤフラムを有するバルブが配置され、
前記ダイヤフラムには、Ｗを含有していない耐食合金材料が使用され、
前記チャンバー内のメンテナンス時には前記塩化水素ガス供給設備から前記チャンバー内へと塩化水素ガスが供給される
ことを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。 - 請求項１に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法において、
前記Ｗを含有していない耐食合金材料が、Ｗを含有していないＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金である
ことを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。 - 請求項２に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法において、
前記ダイヤフラムを有するバルブが、流通する前記塩化水素ガスの圧力を調整可能な圧力調整弁であり、
前記圧力調整弁内の流路を構成する部材には、Ｗを含有していないＮｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金が使用される
ことを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。 - シリコンウェーハ上に気相成長を行ってエピタキシャルシリコンウェーハを製造する気相成長装置であって、
少なくとも、チャンバーと、前記チャンバー内に連通して接続され、前記チャンバー内に塩化水素ガスを供給する塩化水素ガス供給設備とを備え、
前記塩化水素ガス供給設備には、入口流路から出口流路への塩化水素ガスの流通を調節するダイヤフラムを有するバルブが配置され、
前記ダイヤフラムには、Ｗを含有していない耐食合金材料が使用され、
前記チャンバー内のメンテナンス時には前記塩化水素ガス供給設備から前記チャンバー内へと塩化水素ガスが供給される
ことを特徴とする気相成長装置。 - 請求項４に記載の気相成長装置において、
前記Ｗを含有していない耐食合金材料が、Ｗを含有していないＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金である
ことを特徴とする気相成長装置。 - 請求項５に記載の気相成長装置において、
前記ダイヤフラムを有するバルブが、流通する前記塩化水素ガスの圧力を調整可能な圧力調整弁であり、
前記圧力調整弁内の流路を構成する部材には、Ｗを含有していないＮｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金が使用される
ことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14/856,005 US20160087049A1 (en) | 2014-09-18 | 2015-09-16 | Epitaxial silicon wafer |
| US14/855,943 US9670581B2 (en) | 2014-09-18 | 2015-09-16 | Production method of epitaxial silicon wafer and vapor deposition apparatus |
| TW104130687A TWI584348B (zh) | 2014-09-18 | 2015-09-17 | 磊晶矽晶圓的製造方法、氣相成長裝置及磊晶矽晶圓 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201462052114P | 2014-09-18 | 2014-09-18 | |
| US62/052,114 | 2014-09-18 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015115815A Division JP2016063213A (ja) | 2014-09-18 | 2015-06-08 | エピタキシャルシリコンウェーハ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP5783312B1 true JP5783312B1 (ja) | 2015-09-24 |
| JP2016063146A JP2016063146A (ja) | 2016-04-25 |
Family
ID=54200742
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014191580A Active JP5783312B1 (ja) | 2014-09-18 | 2014-09-19 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及び気相成長装置 |
| JP2015115815A Pending JP2016063213A (ja) | 2014-09-18 | 2015-06-08 | エピタキシャルシリコンウェーハ |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015115815A Pending JP2016063213A (ja) | 2014-09-18 | 2015-06-08 | エピタキシャルシリコンウェーハ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20160087049A1 (ja) |
| JP (2) | JP5783312B1 (ja) |
| TW (1) | TWI584348B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017112206A (ja) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017054909A (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、気相成長装置及びバルブ |
| JP7144283B2 (ja) * | 2018-11-09 | 2022-09-29 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3116487B2 (ja) * | 1991-11-22 | 2000-12-11 | ソニー株式会社 | 半導体エピタキシャル基板の製造方法 |
| JP3449509B2 (ja) * | 1995-08-25 | 2003-09-22 | 三菱住友シリコン株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2001250818A (ja) | 1999-12-28 | 2001-09-14 | Tokyo Electron Ltd | 酸化処理装置及びそのクリーニング方法 |
| US20020020433A1 (en) | 1999-12-28 | 2002-02-21 | Asami Suemura | Oxidation apparatus and method of cleaning the same |
| JP2007258602A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Sharp Corp | 金属汚染評価方法、半導体素子の製造方法および電子情報機器 |
| JP5228857B2 (ja) * | 2008-12-02 | 2013-07-03 | 信越半導体株式会社 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US8143078B2 (en) * | 2009-12-23 | 2012-03-27 | Memc Electronic Materials, Inc. | Methods for monitoring the amount of contamination imparted into semiconductor wafers during wafer processing |
| JP5541190B2 (ja) * | 2011-02-17 | 2014-07-09 | 信越半導体株式会社 | Ｐ型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法 |
| TW201246297A (en) * | 2011-04-07 | 2012-11-16 | Veeco Instr Inc | Metal-organic vapor phase epitaxy system and process |
| JP5884705B2 (ja) | 2012-10-16 | 2016-03-15 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置の汚染量測定方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP6070095B2 (ja) | 2012-11-13 | 2017-02-01 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの汚染評価方法およびエピタキシャル成長装置炉内の汚染評価方法 |
| JP5775110B2 (ja) | 2013-03-26 | 2015-09-09 | 株式会社フジキン | 流量制御装置用の流量制御弁 |
| JP5967019B2 (ja) | 2013-05-31 | 2016-08-10 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの評価方法 |
-
2014
- 2014-09-19 JP JP2014191580A patent/JP5783312B1/ja active Active
-
2015
- 2015-06-08 JP JP2015115815A patent/JP2016063213A/ja active Pending
- 2015-09-16 US US14/856,005 patent/US20160087049A1/en not_active Abandoned
- 2015-09-16 US US14/855,943 patent/US9670581B2/en active Active
- 2015-09-17 TW TW104130687A patent/TWI584348B/zh active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017112206A (ja) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016063213A (ja) | 2016-04-25 |
| TW201621982A (zh) | 2016-06-16 |
| JP2016063146A (ja) | 2016-04-25 |
| US20160087049A1 (en) | 2016-03-24 |
| US20160083836A1 (en) | 2016-03-24 |
| TWI584348B (zh) | 2017-05-21 |
| US9670581B2 (en) | 2017-06-06 |
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|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5783312 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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