JP5756444B2 - 積層体およびその製造方法、並びに、下地層形成用組成物 - Google Patents

Description

本発明は、金属層を有する積層体およびその製造方法、並びに、該方法に使用される下地層形成用組成物に関する。

従来から、絶縁性基板の表面に金属パターンによる配線を形成した金属配線基板が、電子部品や半導体素子に広く用いられている。
かかる金属配線基板の製造方法としては、主に、「サブトラクティブ法」が使用される。このサブトラクティブ法とは、基板表面に形成された金属層上に、活性光線の照射により感光する感光層を設け、この感光層を像様露光し、その後現像してレジスト像を形成し、次いで、金属層をエッチングして金属パターンを形成し、最後にレジスト像を剥離する方法である。また、次世代の金属配線基板の製造方法としては、主に、「セミアディティブ法」が使用される。このセミアディティブ法とは、基板表面に形成された無電解めっき金属層上に、活性光線の照射により感光する感光層を設け、この感光層を像様露光し、その後現像してレジスト像を形成し、レジスト像が形成されていない領域に電気めっきによる金属層を形成する。次いで、レジスト像を剥離した後、無電解めっき金属層の膜厚分をエッチングして金属パターンを形成する方法である。

これらの方法により得られる金属パターンにおいては、基板表面に凹凸を設けることにより生じるアンカー効果によって、基板と金属層との間の密着性を発現させている。そのため、得られた金属パターンの基板界面部の凹凸に起因して、金属配線として使用する際の高周波特性が悪くなるという問題点があった。また、基板表面に凹凸化処理するためには、クロム酸などの強酸で基板表面を処理することが必要であるため、金属層と基板との密着性に優れた金属パターンを得るためには、煩雑な工程が必要であるという問題点もあった。

この問題を解決する手段として、特許文献１には、絶縁性基板の表面に、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）を含む無電解めっき用下地接着剤を塗布する方法が提案されている。

特開昭６２−２５００８６号公報

一方、近年、電子機器の小型化、高機能化の要求に対応するため、プリント配線板などにおいては配線のより一層の微細化および高集積化が進んでいる。それに伴って、基板と金属層との密着性のより一層の向上が要求されている。
加えて、金属層を微細配線とする場合、その表面の清浄性を維持することが重要な課題となってきている。特に、金属層を構成する金属イオン以外の他の成分を含む異物などが金属層表面にあると、該金属層をパターニングして微細配線を形成する際に、配線の寸法精度が低下し、それに伴い、プリント配線板自体の性能が低下してしまうという問題が生じる。

本発明者らは、特許文献１に開示されている発明を参照し、ＮＢＲを含む無電解めっき用下地接着剤を用いて金属層を有する積層体を製造した。
ところが、得られた金属層の密着性および表面の清浄性は、昨今要求されるレベルを満たすものではないことが分かった。

本発明は、上記実情に鑑みて、金属層の密着性に優れ、金属層表面の清浄性にも優れる、積層体およびその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、該積層体の製造方法で使用される下地層形成用組成物を提供することも目的とする。

本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、所定の粒子径の金属酸化物粒子を用いて下地層を形成すると共に、アルカリ性のめっき触媒液を使用することにより、上記目的を達成することができることを見出した。
つまり、以下に示す手段により上記目的を達成しうることを見出した。

（１） 水素添加されていてもよい共役ジエン化合物単位を有するポリマーと、平均粒子径４００ｎｍ以下の金属酸化物粒子とを含む下地層を形成する下地層形成工程と、
めっき触媒またはその前駆体を含みアルカリ性であるめっき触媒液と、上記下地層とを接触させ、上記下地層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、
上記めっき触媒またはその前駆体が付与された上記下地層に対してめっきを行い、上記下地層上に金属層を形成するめっき工程と、を備える積層体の製造方法。
（２） 上記金属酸化物粒子の平均粒子径が、１００ｎｍ以下である、上記（１）に記載の積層体の製造方法。
（３） 上記下地層中における上記金属酸化物粒子の含有量が、上記ポリマーと上記金属酸化物粒子との合計質量に対して、２５〜４５質量％である、上記（１）または（２）に記載の積層体の製造方法。
（４） 上記ポリマーが、相互作用性基を有する単位をさらに有するポリマーである、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の積層体の製造方法。
（５） 上記ポリマーがアクリロニトリルとブタジエンとの共重合体またはその水素添加物であり、上記金属酸化物粒子がシリカ粒子である、上記（１）〜（４）のいずれかに記載の積層体の製造方法。
（６） さらに、上記金属層をパターン状にエッチングする工程を有する、上記（１）〜（５）のいずれかに記載の積層体の製造方法。
（７） 上記（１）〜（６）のいずれかに記載の製造方法より製造される積層体を有するプリント配線基板。
（８） 水素添加されていてもよい共役ジエン化合物単位を有するポリマーと、平均粒子径４００ｎｍ以下の金属酸化物粒子とを含む下地層形成用組成物であって、
上記下地層形成用組成物より形成される下地層が、めっき触媒またはその前駆体を含みアルカリ性であるめっき触媒液との接触に用いられる下地層形成用組成物。
（９） 上記金属酸化物粒子の平均粒子径が、１００ｎｍ以下である、上記（８）に記載の下地層形成用組成物。
（１０） 上記金属酸化物粒子の含有量が、上記ポリマーと上記金属酸化物粒子との合計質量に対して、２５〜４５質量％である、上記（８）または（９）に記載の下地層形成用組成物。
（１１） 上記ポリマーが、相互作用性基を有する単位をさらに有するポリマーである、上記（８）〜（１０）のいずれかに記載の下地層形成用組成物。
（１２） 上記ポリマーがアクリロニトリルとブタジエンとの共重合体またはその水素添加物であり、上記金属酸化物粒子がシリカ粒子である、上記（８）〜（１１）のいずれかに記載の下地層形成用組成物。
（１３） 水素添加されていてもよい共役ジエン化合物単位を有するポリマーおよび平均粒子径４００ｎｍ以下の金属酸化物粒子を含有する下地層と、上記下地層に隣接する金属層を有する積層体であって、
上記積層体の断面ＳＥＭ観察を行ったとき、上記下地層と上記金属層との界面から上記下地層側方向における５００ｎｍの表層領域において金属部分が存在し、上記表層領域において金属部分の面積率が５％以上である、積層体。
（１４） 上記金属部分の面積率が５〜３０％である、上記（１３）に記載の積層体。
（１５） 上記ポリマーがアクリロニトリルとブタジエンとの共重合体またはその水素添加物であり、上記金属酸化物粒子がシリカ粒子である、上記（１３）または（１４）に記載の積層体。

本発明によれば、金属層の密着性に優れ、金属層表面の清浄性にも優れる、積層体およびその製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、該積層体の製造方法で使用される下地層形成用組成物を提供することができる。

（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ本発明の積層体の製造方法における各製造工程を順に示す基板からパターン状金属層を有する積層体までの模式的断面図である。 金属層表面上の異物のＳＥＭ写真である。 実施例２で得られた積層体の断面ＳＥＭ図である。 実施例２で得られた積層体の断面ＳＥＭ図を解析した図である。 実施例１８で得られた配線基板のＳＥＭ写真である。

以下に、本発明の積層体およびその製造方法、並びに、該製造方法で使用される下地層形成用組成物の好適実施態様について説明する。
まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。
本発明では、所定の粒子径の金属酸化物粒子を含む下地層と、アルカリ性のめっき触媒液とを使用する点に特徴がある。この下地層とめっき触媒液とを接触させると、めっき触媒またはその前駆体が下地層表面から内部に浸透しやすい。そのため、めっき処理時において下地層上に形成される金属層が下地層内部まで侵入しやすく、結果として金属層の下地層に対するアンカー効果がより優れたものとなり、金属層の密着性が向上すると共に、金属層表面の清浄性も維持される。

本発明の積層体の製造方法の好適実施態様は、下地層を形成する下地層形成工程と、下地層とアルカリ溶液とを接触させるアルカリ溶液接触工程と、下地層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、下地層にめっき処理を施すめっき工程とを備える。なお、後述するように、アルカリ溶液接触工程は、必要に応じて設けられる任意の工程である。
以下に、各工程で使用される材料（下地層形成用組成物など）およびその手順について詳述する。まず、下地層形成工程に関して詳述する。

＜下地層形成工程＞
下地層形成工程は、水素添加されていてもよい共役ジエン化合物単位を有するポリマーと、平均粒子径４００ｎｍ以下の金属酸化物粒子とを含む下地層を形成する工程である。該工程によって形成される下地層は、触媒付与工程でめっき触媒またはその前駆体を吸着（付着）する。つまり、下地層は、めっき触媒またはその前駆体の良好な受容層（被めっき層）として機能する。
より具体的には、該工程によって、例えば、図１（Ａ）に示されるように基板１０上に下地層１２が形成される。なお、図１（Ａ）では、基板１０上に下地層１２を形成しているが、基板１０を使用せずに下地層１２を形成してもよい。
まず、本工程で使用される材料（ポリマー、金属酸化物粒子など）について詳述し、その後該工程の手順について詳述する。

（ポリマー）
ポリマーは、水素添加されていてもよい共役ジエン化合物単位を有する。本ポリマーが、該共役ジエン化合物単位を有することにより、下地層の応力緩和層としての機能がより向上し、結果として金属層の密着性がより向上する。
以下では、ポリマー中に含まれる単位について説明する。

（水素添加されていてもよい共役ジエン化合物単位）
共役ジエン化合物単位とは、共役ジエン化合物由来の繰り返し単位を意味する。共役ジエン化合物としては、一つの単結合で隔てられた、二つの炭素−炭素二重結合を有する分子構造を有する化合物であれば特に制限されない。
例えば、イソプレン、１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、２，４−ヘキサジエン、１，３−ヘキサジエン、１，３−ヘプタジエン、２，４−ヘプタジエン、１，３−オクタジエン、２，４−オクタジエン、３，５−オクタジエン、１，３−ノナジエン、２，４−ノナジエン、３，５−ノナジエン、１，３−デカジエン、２，４−デカジエン、３，５−デカジエン、２，３−ジメチル−ブタジエン、２−メチル−１，３−ペンタジエン、３−メチル−１，３−ペンタジエン、４−メチル−１，３−ペンタジエン、２−フェニル−１，３−ブタジエン、２−フェニル−１，３−ペンタジエン、３−フェニル−１，３−ペンタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ペンタジエン、４−メチル−１，３−ペンタジエン、２−ヘキシル−１，３−ブタジエン、３−メチル−１，３−ヘキサジエン、２−ベンジル−１，３−ブタジエン、２−ｐ−トリル−１，３−ブタジエンなどの各種ジエン化合物が挙げられる。

なかでも、ポリマーの合成が容易で、下地層の応力緩和層としての機能がより向上する点で、下記式（２）で表されるブタジエン骨格を有する化合物が重合反応することで生成する繰り返し単位（式（２）で表されるブタジエン骨格を有する化合物由来の繰り返し単位）であることが好ましい。

式（２）中、Ｒ²は、水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基を表す。炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基（例えば、アルキル基、アルケニル基など。炭素数１〜１２が好ましい。）、または芳香族炭化水素基（例えば、フェニル基、ナフチル基など。）が挙げられる。複数あるＲ²は同一であっても異なっていてもよい。

式（２）で表されるブタジエン骨格を有する化合物（ブタジエン構造を有する単量体）の具体例としては、例えば、１，３−ブタジエン、イソプレン、２−エチル−１，３−ブタジエン、２−ｎ−プロピル−１，３−ブタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１−フェニル−１，３−ブタジエン、１−α−ナフチル−１，３−ブタジエン、１−β−ナフチル−１，３−ブタジエン、２−クロル−１，３−ブタジエン、１−ブロム−１，３−ブタジエン、１−クロルブタジエン、２−フルオロ−１，３−ブタジエン、２，３−ジクロル−１，３−ブタジエン、１，１，２−トリクロル−１，３−ブタジエン、２−シアノ−１，３−ブタジエンを挙げることができる。
これらの中で、１，３−ブタジエン、イソプレン、２−クロル−１，３−ブタジエンが特に好ましい。

ブタジエン骨格を有する化合物由来の繰り返し単位の具体例としては、例えば、以下の式（３）または式（４）で表される繰り返し単位が挙げられる。

上記式（３）、式（４）中のＲ²の定義は、上記Ｒ²と同じである。

なお、上記共役ジエン化合物単位は水素添加されていてもよく、該水素添加された共役ジエン化合物単位を含む場合、金属層の密着性がより向上し、また耐熱性がより向上し、好ましい。つまり、共役ジエン化合物由来の繰り返し単位中の二重結合が水素添加されていてもよい。具体的には、上記式（３）中のＲ²が水素原子である場合、水素添加された繰り返し単位は、ブチレン単位となる。

水素添加されていてもよい共役ジエン化合物単位の含有量は、ポリマー中の全単位（全繰り返し単位）中、９０モル％以下であることが好ましく、８０モル％以下であることがより好ましく、４０〜７５モル％であることが特に好ましい。該範囲であれば、金属層の密着性がより向上する。

（相互作用性基を有する単位）
ポリマーは、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基（以後、適宜相互作用性基とも称する）を有する単位をさらに有していてもよい。ポリマーが相互作用性基を有することにより、下地層にめっき触媒またはその前駆体が効率よく付着できる。
相互作用性基を有する単位とは、相互作用性基を有する繰り返し単位を意味する。
相互作用性基としては、後述するめっき触媒またはその前駆体と相互作用すればいかなる官能基であってもよく、例えば、めっき触媒またはその前駆体と静電相互作用を形成可能な官能基、または、めっき触媒またはその前駆体と配位形成可能な含窒素官能基、含硫黄官能基、含酸素官能基などを使用することができる。
相互作用性基としては、例えば、非解離性官能基（解離によりプロトンを生成しない官能基）なども挙げられる。

相互作用性基としてより具体的には、アミノ基、アミド基、イミド基、ウレア基、３級のアミノ基、アンモニウム基、アミジノ基、トリアジン環、トリアゾール環、ベンゾトリアゾール基、イミダゾール基、ベンズイミダゾール基、キノリン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ナゾリン基、キノキサリン基、プリン基、トリアジン基、ピペリジン基、ピペラジン基、ピロリジン基、ピラゾール基、アニリン基、アルキルアミン構造を含む基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、シアノ基、シアネート基（Ｒ−Ｏ−ＣＮ）などの含窒素官能基；エーテル基、水酸基、フェノール性水酸基、カルボキシル基、カーボネート基、カルボニル基、エステル基、Ｎ−オキシド構造を含む基、Ｓ−オキシド構造を含む基、Ｎ−ヒドロキシ構造を含む基などの含酸素官能基；チオフェン基、チオール基、チオウレア基、チオシアヌール酸基、ベンズチアゾール基、メルカプトトリアジン基、チオエーテル基、チオキシ基、スルホキシド基、スルホン基、サルファイト基、スルホキシイミン構造を含む基、スルホキシニウム塩構造を含む基、スルホン酸基、スルホン酸エステル構造を含む基などの含硫黄官能基；ホスフォート基、ホスフォロアミド基、ホスフィン基、リン酸エステル構造を含む基などの含リン官能基；塩素、臭素などのハロゲン原子を含む基などが挙げられ、塩構造をとりうる官能基においてはそれらの塩も使用することができる。
なかでも、極性が高く、めっき触媒またはその前駆体などへの吸着能が高いことから、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、およびボロン酸基などのイオン性極性基や、エーテル基、またはシアノ基が特に好ましく、特に、シアノ基がさらに好ましい。
相互作用性基としてのこれら官能基は、ポリマー中に２種以上が含まれていてもよい。

相互作用性基を有する単位としては、ポリマーの合成がより容易で、金属層の密着性がより向上する点で、以下の式（１）で表される繰り返し単位が好ましい。

式（１）中、Ｒ¹は、水素またはアルキル基（例えば、メチル基、エチル基など）を表す。
式（１）中、Ｌ¹は、単結合または二価の連結基を表す。二価の連結基としては、置換若しくは無置換の二価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８。例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などのアルキレン基）、置換若しくは無置換の二価の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２。例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、またはこれらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。Ｌ¹としては、後述するＸ基の単位体積当たりの官能基量が向上する点で、単結合であることが好ましい。
式（１）中、Ｘは、相互作用性基を表す。相互作用性基の定義は、上述の通りである。

また、上記相互作用性基をさらに有するポリマーは、水素添加されていてもよい共役ジエン化合物単位を有するポリマーに、相互作用性基と重合性基とを有するモノマーをグラフト共重合させたポリマーであってもよい。ここで、相互作用性基の定義および好適な態様は上述のとおりである。また、重合性基としては、例えば、ラジカル重合性基、カチオン重合性基などが挙げられ、なかでも、メタクリロイル基、アクリロイル基、イタコン酸エステル基、クロトン酸エステル基、イソクロトン酸エステル基、マレイン酸エステル基、スチリル基、ビニル基、アリル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基であることが好ましい。
相互作用性基と重合性基とを有するモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、テトラヒドロフタル酸、イタコン酸、シトラコン酸、クロトン酸、ナジック酸などが挙げられる。相互作用性基と重合性基とを有するモノマーは、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸などの、重合性基を有し、かつ、加水分解によって相互作用性基を生成するものであってもよい。相互作用性基と重合性基とを有するモノマーは、金属層の密着性がより優れる理由から、マレイン酸、無水マレイン酸であることが好ましい。

相互作用性基を有する単位（繰り返し単位）の含有量は、ポリマー中の全単位（全繰り返し単位）中、１０モル％以上であることが好ましく、２０モル％以上であることがより好ましく、２５〜６０モル％であることが特に好ましい。該範囲であれば、金属層の密着性がより向上する。

また、ポリマー中には上記以外の繰り返し単位が含まれていてもよい。
例えば、芳香族ビニル単量体（例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ジビニルベンゼンなど）、アミド基含有（メタ）アクリル単量体（例えば、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドンなど）、不飽和カルボン酸単量体（例えば、フマル酸、マレイン酸、アクリル酸、メタクリル酸など）、またはその他単量体（例えば、エチレン、プロピレン、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテルなど）由来の繰り返し単位を有していてもよい。なかでも、金属層の密着性により優れる理由から、芳香族ビニル単量体（好ましくはスチレン）および／または不飽和カルボン酸単量体（好ましくはマレイン酸）由来の繰り返し単位であることが好ましい。

ポリマーの好適な態様としては、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、アクリロニトリル−ブタジエン−イソプレンゴム（ＮＢＩＲ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、スチレンブタジエン共重合体、もしくは、これらの水素添加物（例えば、水素添加アクリロニトリルブタジエンゴム）、またはこれらのカルボン酸変性物（例えば、カルボキシル基含有ニトリルゴム（ＸＮＢＲ）、マレイン酸変性水素添加スチレンブタジエン共重合体（例えば、無水マレイン酸をグラフト共重合させた水素添加スチレンブタジエン共重合体））などが挙げられる。なかでも、熱処理時の形状安定性および／または密着性がより高い理由から、アクリロニトリルとブタジエンとの共重合体、スチレンとブタジエンとの共重合体、もしくは、これらの水素添加物、またはこれらのカルボン酸変性物が好ましい。

ポリマーのムーニー粘度［ＭＬ₁₊₄（１００℃）］は、金属層の応力緩和の観点から、１０〜９０であることが好ましく、２５〜８０であることがより好ましい。ポリマーのムーニー粘度（中心値）は、ＪＩＳ Ｋ ６３００−１「未加硫ゴム-物理特性-第１部：ムーニー粘度計による粘度及びスコーチタイムの求め方」に基づいて測定したものである。

本発明のポリマーの合成方法は特に制限されず、公知の方法（例えば、ラジカル重合、カチオン重合など）を使用できる。例えば、上記ブタジエン骨格を有するモノマーとその他のビニル化合物（アクリロニトリルなど）を共重合させる方法などが挙げられる。

（金属酸化物粒子）
金属酸化物粒子が下地層中に含まれることにより、下地層の弾性率が向上し、金属層の密着性が向上すると共に、粒子表面上の親水基の影響によって下地層中に金属層が入り込みやすくなり、良好なアンカー構造が形成されるやすい。
金属酸化物粒子の種類は特に制限されないが、例えば、周期律表第４Ａ族元素、第５Ａ族元素、第３Ｂ族元素、第４Ｂ族元素、および第８族元素からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む金属酸化物粒子が挙げられる。なかでも、安価に入手でき、本発明の効果がより優れる点で、ケイ素、アルミニウム、チタン、および鉄からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む金属酸化物粒子が好ましく挙げられ、ケイ素を含む金属酸化物粒子がより好ましく挙げられる。
なお、金属酸化物粒子の具体例としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化珪素（シリカ）、酸化鉛、酸化タングステン、酸化錫、酸化インジウム、酸化ニオブ、酸化カドミウム、酸化ビスマス、酸化アルミニウム、酸化ガリウム（III)、酸化第一鉄などが挙げられる。

金属酸化物粒子の平均粒子径は、４００ｎｍ以下であり、３００ｎｍ以下がより好ましく、２００ｎｍ以下がさらに好ましく、１００ｎｍ以下が最も好ましい。下限は特に制限されないが、金属酸化物粒子の合成上の容易さの点より、３ｎｍ以上が好ましい。平均粒子径が上記範囲であれば、金属層の密着性に優れる。
一方、平均粒子径が４００ｎｍ超の場合、金属層の密着性に劣る。
金属酸化物粒子の粒径の測定方法は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による観察によって少なくとも１００個以上の金属酸化物粒子の粒径を測定し、それらを算術平均して粒径を求める。なお、金属酸化物粒子の形状が球状でない場合（例えば、楕円状の場合）、その長径を粒径とする。

（任意成分：キレート剤）
下地層には、キレート剤が含まれていてもよい。キレート剤を使用することにより、下地層中にある金属イオンなどの不純物に起因した異物の発生をより抑制することができる。
特に、本発明者らは、従来技術において金属層の清浄化を妨げる原因について検討を行ったところ、特許文献１で使用されるＮＢＲなどに微量に含まれるＣａやＡｌなどの金属イオンを含む脂肪酸などの乳化剤が大きく影響を及ぼしていることを見出している。該知見に基づいて、下地層中にキレート剤を混合することにより、下地層やめっき触媒液中に含まれる金属イオンなどの微量な不純物がトラップされ、結果として金属層表面上に異物などの発生がより抑制され、その清浄性が維持されることを見出している。

キレート剤としては、金属イオンに対してキレート形成能を有するものであれば特に限定されず、単座配位の化合物であっても、多座配位の化合物であってもよい。
異物の発生がより抑制される点で、キレート剤中に窒素原子を含まないことが好ましい。さらに、異物の発生がより抑制される点で、キレート剤にはカルボン酸基、スルホン酸基、ホスホン酸基およびジケトン基からなる群から選択される少なくとも一種の官能基またはその塩が含まれていることが好ましい。つまり、キレート剤は、カルボン酸系キレート剤（分子内にカルボン酸基（−ＣＯＯＨ）またはその塩を有するキレート剤）、スルホン酸系キレート剤（分子内にスルホン酸基（−ＳＯ₂ＯＨ）またはその塩を有するキレート剤）、ホスホン酸系キレート剤（分子内にホスホン酸基（−ＯＰＯ(ＯＨ)₂）またはその塩を有するキレート剤）、ジケトン系キレート剤（分子内にジケトン基を有するキレート剤）であることが好ましい。
なお、異物の発生がより抑制でき、有機溶剤への溶解性がより優れる点で、ジケトン系キレート剤（ジケトン基を含むキレート剤）であることが好ましい。

キレート剤の具体例としては、例えば、ポリホスフェート類（例えば、トリポリリン酸ナトリウム、ヘキサメタリン酸、酸性ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸四ナトリウム、ヘキサメタリン酸ナトリウム、メタリン酸ナトリウム）；アミノカルボン酸類（例えば、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、１，２−ビス（２−アミノ−フェノキシ）エタン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−四酢酸（ＥＧＴＡ）、エチレンビス（オキシエチレンニトリロ）四酢酸（ＢＡＰＴＡ）、Ｎ−（ヒドロキシエチル）−エチレンジアミン三酢酸（ＨＥＤＴＡ）、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、Ｎ−ジヒドロキシエチルグリシン（２−ＨｘＧ）、エチレンビス（ヒドロキシフェニル−グリシン）（ＥＨＰＧ）、グルタミン酸、アスパラギン酸、グリシン、リジン）；１，３−ジケトン類（例えば、アセチルアセトン、４，４，４−トリフルオロ−１−フェニル−１，３−ブタンジオン、トリフルオロアセチルアセトン、テノイルトリフルオロアセトン、アスコルビン酸）；ヒドロキシカルボン酸類（例えば、酒石酸、クエン酸、リンゴ酸、グルコン酸、フェルラ酸、乳酸、グルクロン酸）；ポリアミン類（例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレントリアミン）；アミノアルコール類（例えば、トリエタノールアミン、Ｎ−ヒドロキシエチレン−ジアミン、アミノエチルエタノールアミン（ＡＥＥＡ）；フェノール類（例えば、ジスルホピロカテコール、クロモトロプ酸）；アミノフェノール類（例えば、オキシンスルホン酸）；シッフ塩基（例えば、ジサリチルアルデヒド１，２−プロピレンジイミン）；テトラピロール類（例えば、テトラフェニルポルフィン、フタロシアニン）；硫黄化合物（例えば、エチルキサントゲン酸カリウム（potassium ethyl xanate）、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（sodium diethyldithiocarbamate）、ジエチルジチオリン酸、チオ尿素、硫酸マグネシウム）；合成大環式化合物（例えば、ヘキサメチル−〔１４〕−４，１１−ジエンＮ₄、２．２．２−クリプタート）；リン酸類（例えば、ニトリロトリメチレンリン酸、エチレンジアミンテトラ−（メチレンリン酸）、ヒドロキシエチリデン二リン酸、ドデシルリン酸）；スルホン酸類（例えば、ドデシルベンゼンスルホン酸）などが挙げられる。

（下地層形成工程の手順）
下地層を形成する方法は特に限定されず、公知の方法を使用することができる。例えば、上述したポリマーおよび金属酸化物粒子を含む下地層形成用組成物を基板上に塗布する方法、下地層形成用組成物に基板を浸漬する方法、下地層形成用組成物を基板上にラミネートする方法、下地層形成用組成物を直接板状またはフィルム状に成形する方法などが挙げられる。得られる下地層の厚みを制御しやすい点から、下地層形成用組成物を基板上に塗布する方法が好ましい。
なお、下地層形成用組成物および基板の態様に関しては、後段で詳述する。

基板上に下地層形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、具体的な方法としては、スピンコーター、ダブルロールコーター、スリットコーター、エアナイフコーター、ワイヤーバーコーター、スライドホッパー、スプレーコーティング、ブレードコーター、ドクターコーター、スクイズコーター、リバースロールコーター、トランスファーロールコーター、エクストロージョンコーター、カーテンコーター、ディップコーター、ダイコーター、グラビアロールによる塗工法、押し出し塗布法、ロール塗布法等の公知の方法を用いることができる。
なお、基板上に下地層形成用組成物を塗布した後、必要に応じて、溶媒を除去するために乾燥処理を施してもよい。乾燥処理を行う際の温度は特に制限されないが、基板の耐熱性の観点から、８０〜１８０℃で実施することが好ましい。

（下地層形成用組成物（被めっき層形成用組成物））
下地層形成用組成物は、上述したポリマーおよび金属酸化物粒子を含有する。また、この組成物より形成される下地層が、後述するように、めっき触媒またはその前駆体を含みアルカリ性であるめっき触媒液との接触に用いられ、下地層にめっき触媒またはその前駆体が付与される。
下地層形成用組成物中におけるポリマーの含有量は特に制限されないが、組成物の取り扱い性が優れ、所定の厚みの下地層をより簡便に形成できる点で、組成物全量に対して、０．１〜９０質量％であることが好ましく、１〜８０質量％であることがより好ましい。

下地層形成用組成物中における金属酸化物粒子の含有量は特に制限されないが、ポリマーと金属酸化物粒子との合計質量に対して、１５〜６５質量％であることが好ましく、２５〜４５質量％であることがより好ましい。該範囲であれば、金属層の密着性が優れる。

下地層形成用組成物中にキレート剤が含まれる場合、組成物中におけるキレート剤の含有量は特に制限されないが、ポリマー１００質量部に対して、０．０５〜２０質量部であることが好ましく、０．１〜１０質量部であることがより好ましい。該範囲であれば、金属層の密着性が優れる。

下地層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。溶媒を含有することにより、組成物の取扱い性が向上する。
使用できる溶媒は特に限定されず、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール系溶媒、酢酸などの酸、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル系溶媒、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートなどのカーボネート系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、この他にも、エーテル系溶媒、グリコール系溶媒、アミン系溶媒、チオール系溶媒、ハロゲン系溶媒などが挙げられる。
この中でも、アミド系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、カーボネート系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒が好ましく、具体的には、アセトン、ジメチルアセトアミド、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトニトリル、プロピオニトリル、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、トルエンが好ましい。

下地層形成用組成物中の溶媒の含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、５０〜９８質量％が好ましく、９０〜９７質量％がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、下地層の層厚の制御などがしやすい。

下地層形成用組成物には、必要に応じて、分散剤（界面活性剤）が含まれていてもよい。分散剤が含まれることにより、金属酸化物粒子の凝集が抑制され、下地層形成用組成物の保存安定性が向上する。
分散剤の種類は特に限定されないが、例えば、高分子系分散剤を用いることができる。高分子系分散剤としては、例えば、塩基性高分子系分散剤、中性高分子系分散剤、酸性高分子系分散剤等が挙げられる。このような高分子系分散剤としては、例えば、アクリル系、変性アクリル系共重合体からなる分散剤、燐酸系分散剤、ウレタン系分散剤、ポリアミノアマイド塩、ポリエーテルエステル、脂肪族ポリエーテル、脂肪族多価カルボン酸等からなる分散剤等が挙げられる。なかでも、燐酸系分散剤は金属や金属酸化物への吸着性に優れており、シリカとの相性も非常に良いため、下地層形成用組成物の保存安定性がより優れる点で、燐酸系分散剤が好ましい。
分散剤としては、例えば、アビシア株式会社製のソルスパース３０００、ソルスパース９０００、ソルスパース１７０００、ソルスパース１８０００、ソルスパース２１０００、ソルスパース２４０００、ソルスパース２４０００ＧＲ、ソルスパース２８０００、ソルスパース３２０００、ソルスパース３５１００、ソルスパース３６０００、ソルスパース４１０００、エフカアディティブズ社製のＥＦＫＡ６２３０、ＥＦＫＡ４００９、ＥＦＫＡ４０４６、ＥＦＫＡ４０４７、ＥＦＫＡ４０８０、ＥＦＫＡ４０１０、ＥＦＫＡ４０１５、ＥＦＫＡ４０５０、ＥＦＫＡ４０５５、ＥＦＫＡ４０６０、ＥＦＫＡ４３３０、ＥＦＫＡ４３００、ＥＦＫＡ７４６２、味の素ファインテクノ株式会社製のアジスパーＰＢ８２１、アジスパーＰＢ７１１、アジスパーＰＢ８２２、アジスパーＰＮ４１１、アジスパーＰＡ１１１、コグニスジャパン株式会社製のＴＥＸＡＰＨＯＲＵＶ２０などが挙げられる。

（基板）
本工程で使用しうる基板としては、従来知られているいずれの基板（例えば、絶縁性基板）も使用することができ、後述する処理条件に耐えることのできるものが好ましい。例えば、プラスチック基板、ガラスエポキシ樹脂基板、ガラス基板、セラミック基板、金属基板などが挙げられる。
プラスチック基板の材料としては、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂など）または熱可塑性樹脂（例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォンなど）が挙げられる。
セラミック基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイドなどが挙げられる。
ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダガラス、カリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミケイ酸ガラス、鉛ガラスなどが挙げられる。
金属基板の材料としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、銅などが挙げられる。
なお、基板は、上述したプラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板、金属基板などが２層以上積層した構造であってもよい。

また、基板は、その片面または両面に金属層を有していてもよい。つまり、金属層付き基板を使用してもよい。金属層は、基板の表面に対してパターン状に形成されていてもよいし、全面に形成されていてもよい。代表的には、エッチング処理を利用したサブトラクティブ法で形成されたものや、電気めっきを利用したセミアディティブ法で形成したものが挙げられ、いずれの工法で形成されたものを用いてもよい。
金属層を構成する材料としては、例えば、銅、銀、錫、パラジウム、金、ニッケル、クロム、タングステン、インジウム、亜鉛、またはガリウムなどが挙げられる。

（下地層）
形成される下地層には、上記ポリマーおよび金属酸化物粒子が含まれる。
下地層の厚みは特に制限されないが、金属層の密着性および厚みの均一性がより優れる点で、０．０５〜５０μｍが好ましく、０．０１〜１０μｍがより好ましく、０．１〜５μｍがさらに好ましい。

下地層中における、金属酸化物粒子とポリマーとの合計質量に対する金属酸化物粒子の含有量は特に制限されないが、その好適範囲は、１５〜６５質量％であることが好ましく、２５〜４５質量％であることがより好ましい。該範囲であれば、金属層の密着性が優れる。
下地層中における、ポリマー１００質量部に対するキレート剤の含有量は特に制限されないが、０．０５〜２０質量部であることが好ましく、０．１〜１０質量部であることがより好ましい。該範囲であれば、金属層の密着性が優れる。

＜アルカリ溶液接触工程＞
アルカリ溶液接触工程は、上記下地層とアルカリ溶液とを接触させる工程である。該工程を実施することにより、下地層表面が活性化され、後述するめっき触媒またはその前駆体が下地層に付着しやすくなる。なお、下地層がすでに所望の特性を有している場合は、本工程は実施しなくてもよい。
以下では、本工程で使用される材料（アルカリ溶液など）について詳述し、その後工程の手順について詳述する。

（アルカリ溶液）
アルカリ溶液は、ｐＨがアルカリ性であれば特にその種類は限定されない。
アルカリ溶液のｐＨは、金属層の密着性がより高い理由から、１０〜１４が好ましく、１２〜１４がより好ましい。
なお、該アルカリ溶液には、めっき触媒またはその前駆体は含まれない。

アルカリ溶液に使用される溶媒は、通常、水が使用される。また、必要に応じて、有機溶媒（メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、２−アミノエタノールなどのアルコール系溶媒、酢酸、ヒドロキシ酢酸、アミノカルボン酸などの酸、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系溶媒、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートなどのカーボネート系溶媒、グリコール系溶媒、ジエチレントリアミンなどのアミン系溶媒、またはこれらの溶媒２種以上の混合物など）を併用してもよい。

なお、アルカリ溶液には、さらに界面活性剤が含まれていてもよい。界面活性剤の種類は特に制限されないが、ノニオン系界面活性剤、両性界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤などが挙げられる。なかでも、めっきの析出性がより優れる点で、アニオン系界面活性剤が好ましい。
ノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリエチレングリコール誘導体、ポリプロピレングリコール誘導体が挙げられる。両性界面活性剤としては、例えば、長鎖アルキルのベタイン類が挙げられる。アニオン系界面活性剤としては、例えば、長鎖アルキル硫酸アンモニウム塩、アルキルアリール硫酸アンモニウム塩、アルキルアリールスルホン酸アンモニウム塩、アルキルリン酸アンモニウム塩、ポリカルボン酸系高分子のアンモニウム塩などが挙げられる。カチオン系界面活性剤としては、例えば、長鎖アルキルアミンアセテート等が挙げられる。

アルカリ溶液としては、その種類は特に制限されず、例えば、水酸化リチウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、炭酸リチウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、炭酸水素リチウム水溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液、炭酸水素カリウム水溶液、水酸化カルシウム水溶液、水酸化ストロンチウム水溶液、水酸化バリウム水溶液、炭酸カルシウム水溶液、炭酸ストロンチウム水溶液、炭酸バリウム水溶液などが挙げられる。

（アルカリ溶液接触工程の手順）
下地層とアルカリ溶液との接触方法は特に制限されず、公知の方法が使用される。例えば、アルカリ溶液を下地層上に塗布する方法（スプレー塗布、スピンコート、印刷法など）や、アルカリ溶液に下地層を有する基板を浸漬する方法（ディップ浸漬）などが挙げられ、処理の簡便さ、処理時間の調整の容易さから、ディップ浸漬、スプレー塗布が好ましい。

接触の際のアルカリ溶液の液温は特に制限されないが、金属層の密着性がより優れる理由から、２０〜９０℃の範囲が好ましく、２５〜６０℃の範囲がより好ましい。
下地層とアルカリ水溶液との接触時間は、金属層の密着性がより高い理由から、５秒〜３０分の範囲が好ましく、３０秒〜２５分の範囲がより好ましく、１〜２０分の範囲がさらに好ましい。
また、金属層の密着性がより優れる理由から、アルカリ水溶液との接触後、下地層に付着したアルカリ水溶液を純水等で洗浄することが好ましい。

＜触媒付与工程＞
触媒付与工程は、めっき触媒またはその前駆体を含みアルカリ性であるめっき触媒液と下地層とを接触させ、下地層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程である。
ここで、めっき触媒またはその前駆体としては、後述するめっき工程における、めっき処理の触媒や電極として機能するものが挙げられる。そのため、めっき触媒またはその前駆体は、めっき工程におけるめっき処理の種類により決定されるが、金属層の密着性がより優れる点で、無電解めっき触媒またはその前駆体であることが好ましい。
まず、本工程で使用される材料（めっき触媒、めっき触媒液など）について詳述し、その後該工程の手順について詳述する。

（無電解めっき触媒）
本工程において用いられる無電解めっき触媒は、無電解めっき時の活性核となるものであれば、如何なるものも用いることができ、具体的には、自己触媒還元反応の触媒能を有する金属（Ｎｉよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるもの）などが挙げられる。具体的には、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｏなどが挙げられる。中でも、触媒能の高さから、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕが特に好ましい。
この無電解めっき触媒としては、金属コロイドを用いてもよい。一般に、金属コロイドは、荷電を持った界面活性剤または荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、金属イオンを還元することにより作製することができる。金属コロイドの荷電は、ここで使用される界面活性剤または保護剤により調節することができる。

（無電解めっき触媒前駆体）
本工程において用いられる無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には、上記無電解めっき触媒として挙げた金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である０価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは下地層へ付与された後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により０価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよい。また、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属（無電解めっき触媒）に変化させてもよい。

無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、金属塩を用いて下地層に付与することが好ましい。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基（陰イオン）とに解離されるものであれば特に制限はなく、Ｍ(ＮＯ₃)_n、ＭＣｌ_n、Ｍ_2/n(ＳＯ₄)、Ｍ_3/n(ＰＯ₄)（Ｍは、ｎ価の金属原子を表す）などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。例えば、Ａｇイオン、Ｃｕイオン、Ｎｉイオン、Ｃｏイオン、Ｐｔイオン、Ｐｄイオンが挙げられる。中でも、多座配位可能なものが好ましく、特に、配位可能な官能基の種類数および触媒能の点で、Ａｇイオン、Ｐｄイオン、Ｃｕイオンが好ましい。

無電解めっき触媒またはその前駆体の好ましい例の一つとして、パラジウム化合物が挙げられる。このパラジウム化合物は、めっき処理時に活性核となり金属を析出させる役割を果たす、めっき触媒（パラジウム）またはその前駆体（パラジウムイオン）として作用する。パラジウム化合物としては、パラジウムを含み、めっき処理の際に核として作用すれば、特に限定されないが、例えば、パラジウム（II）塩、パラジウム（０）錯体、パラジウムコロイドなどが挙げられる。

また、無電解めっき触媒またはその前駆体としては、銀、または銀イオンが好ましい別の例として挙げられる。
銀イオンを用いる場合、以下に示すような銀化合物が解離したものを好適に用いることができる。銀化合物の具体例としては、硝酸銀、酢酸銀、硫酸銀、炭酸銀、シアン化銀、チオシアン酸銀、塩化銀、臭化銀、クロム酸銀、クロラニル酸銀、サリチル酸銀、ジエチルジチオカルバミン酸銀、ジエチルジチオカルバミド酸銀、ｐ−トルエンスルホン酸銀が挙げられる。この中でも、水溶性の観点から硝酸銀が好ましい。

（その他の触媒）
本工程において、無電解めっきを行わず直接電気めっきを行うために用いられる触媒として、上述した以外の０価金属を使用することもできる。

（めっき触媒液）
めっき触媒液は、上記めっき触媒またはその前駆体を溶媒に分散または溶解させた分散液または溶液である。
めっき触媒液で使用される溶媒は、有機溶剤および／または水が用いられる。めっき触媒液が有機溶媒を含有することで、下地層に対するめっき触媒液の浸透性が向上し、相互作用性基に効率よくめっき触媒またはその前駆体を吸着させることができる。

めっき触媒液に用いられる有機溶媒としては、下地層に浸透しうる溶媒であれば特に制限は無いが、具体的には、アセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、エチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、アセトフェノン、２−（１−シクロヘキセニル）シクロヘキサノン、プロピレングリコールジアセテート、トリアセチン、ジエチレングリコールジアセテート、ジオキサン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブなどを用いることができる。

めっき触媒液中におけるめっき触媒およびその前駆体の含有量は特に制限されないが、付着量の制御がより容易となる点、および、生産性の点で、触媒液全量に対して０．０１〜１質量％であることが好ましい。

めっき触媒液のｐＨは、アルカリ性を示す。アルカリ性を示すことにより、該めっき触媒液が下地層中により浸漬することができ、結果として金属層の密着性がより向上する。なかでも、金属層の密着性がより向上する点で、ｐＨは９以上が好ましく、１０以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、下地層の分解を抑制する点で、１３以下が好ましい。
なお、めっき触媒液のｐＨを調整するために、公知のアルカリ成分（例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなど）をめっき触媒液に加えてもよい。

更に、めっき触媒液には、目的に応じて他の添加剤を含有することができる。他の添加剤としては、例えば、膨潤剤や、界面活性剤などが挙げられる。

（触媒付着工程の手順）
めっき触媒またはその前駆体を下地層に付与する方法は、特に制限されない。
例えば、めっき触媒液を下地層上に塗布する方法、または、めっき触媒液中に下地層が形成された基板を浸漬する方法などが挙げられる。
下地層とめっき触媒液との接触時間としては、３０秒〜２４時間程度であることが好ましく、１分〜１時間程度であることがより好ましい。
接触時のめっき触媒液の温度は、５〜８０℃程度であることが好ましく、１５〜６０℃程度であることがより好ましい。

下地層中におけるめっき触媒またはその前駆体の吸着量は特に制限されないが、金属層の均一性および／または密着性がより優れる理由から、１〜２００ｍｇ／ｍ²が好ましく、５〜１００ｍｇ／ｍ²がより好ましい。

＜めっき工程＞
めっき工程は、触媒付与工程でめっき触媒またはその前駆体が付与された下地層に対してめっきを行い、下地層上に金属層を形成する工程である。該工程により形成された金属層は、優れた導電性、密着性を有する。より具体的には、図１（Ｂ）に示すように、下地層１２上に金属層１４が形成され、積層体１６が得られる。
本工程において行われるめっき処理の種類は、無電解めっき、電気めっき等が挙げられ、上記触媒付与工程において、下地層に吸着しためっき触媒またはその前駆体の機能によって、選択することができる。
なかでも、金属層の密着性がより優れる点から、無電解めっきを行うことが好ましい。また、所望の層厚の金属層を得るために、無電解めっきの後に、更に電気めっきを行うことがより好ましい態様である。
以下、本工程において好適に行われるめっきについて説明する。

（無電解めっき）
無電解めっきとは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与された基板を、水洗して余分な無電解めっき触媒（金属）を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行うことが好ましい。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
また、無電解めっき触媒前駆体が付与された基板を、無電解めっき触媒前駆体が下地層に吸着または含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、基板を水洗して余分な前駆体（金属塩など）を除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬させることが好ましい。この場合には、無電解めっき浴中において、めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、公知の無電解めっき浴を使用することができる。

尚、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液（還元液）を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。触媒活性化液は、無電解めっき触媒前駆体（主に金属イオン）を０価金属に還元できる還元剤を溶解した液で、液全体に対する該還元剤の濃度が０．１〜５０質量％が好ましく、１〜３０質量％がより好ましい。還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボランのようなホウ素系還元剤、ホルムアルデヒド、次亜リン酸などを使用することが可能である。
浸漬の際には、無電解めっき触媒またはその前駆体が接触する下地層表面付近の無電解めっき触媒またはその前駆体の濃度を一定に保つ上で、攪拌または揺動を加えながら浸漬することが好ましい。

一般的な無電解めっき浴の組成としては、例えば、溶剤（例えば、水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加物が含まれていてもよい。

めっき浴に用いられる有機溶媒としては、水に可溶な溶媒である必要があり、その点から、アセトンなどのケトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類が好ましく用いられる。

無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、ロジウムが知られており、中でも、導電性の観点からは、銅、金が特に好ましい。また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加物が選択される。

このようにして形成される無電解めっきによる金属層の層厚は、めっき浴の金属イオン濃度、めっき浴への浸漬時間、または、めっき浴の温度などにより制御することができるが、導電性の観点からは、０．１μｍ以上であることが好ましく、０．２〜２μｍであることがより好ましい。
ただし、無電解めっきによる金属層を導通層として、後述する電気めっきを行う場合は、少なくとも０．１μｍ以上の層が均一に付与されていることが好ましい。
また、めっき浴への浸漬時間としては、１分〜６時間程度であることが好ましく、１分〜３時間程度であることがより好ましい。

（電気めっき）
本工程おいては、触媒付与工程において付与されためっき触媒またはその前駆体が電極としての機能を有する場合、その触媒またはその前駆体が付与された下地層に対して、電気めっきを行うことができる。
また、前述の無電解めっきの後、形成された金属層を電極とし、更に、電気めっきを行ってもよい。これにより基板との密着性に優れた無電解めっき層をベースとして、そこに新たに任意の厚みをもつ金属層を容易に形成することができる。このように、無電解めっきの後に、電気めっきを行うことで、金属層を目的に応じた厚みに形成しうるため、金属層を種々の応用に適用するのに好適である。

電気めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。尚、電気めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。

また、電気めっきにより得られる金属層の層厚は、めっき浴中に含まれる金属濃度、または、電流密度などを調整することで制御することができる。
尚、一般的な電気配線などに適用する場合、金属層の層厚は、導電性の観点から、０．５μｍ以上であることが好ましく、１〜３０μｍがより好ましい。
尚、電気配線の厚みは、電気配線の線幅が狭くなる、すなわち微細化するほどアスペクト比を維持するために薄くなる。従って、電気めっきによって形成される金属層の層厚は、上記に限定されず、任意に設定できる。

＜積層体＞
上記工程を経ることにより、図１（Ｂ）に示すように、基板１０と、下地層１２と、金属層１４とをこの順で備える積層体１６（金属層を有する積層体）を得ることができる。
得られた積層体１６は、例えば、金属配線基板用に使用され、より具体的には、プリント配線板、電磁波防止膜、コーティング膜、２層ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）材料、電気配線用材料等の種々の電子デバイス用途に適用することができる。

本発明の積層体においては、積層体の金属層に対する垂直面における断面のＳＥＭ観察にて、下地層と金属層との界面から下地層側方向で５００ｎｍまでの表層領域において金属部分が存在し、表層領域において金属部分の面積率が５％以上である。下地層中に金属成分が所定量含まれることによって、本発明の効果（金属層の密着性、金属層表面の清浄性）が発現される。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、金属部分の面積率は５〜３０％が好ましい。金属部分が所定量含まれることが好ましい詳細な理由は不明であるが、下地層の表層領域においては金属成分が樹木状に連なった構造が形成され、該構造によって所望の効果がもたらされていると推測される。
金属部分の面積率が５％未満の場合、金属層の密着性、または、金属層表面の清浄性の少なくとも一方が劣る。
なお、金属成分の面積率の測定方法は特に制限されず、例えば、ＳＥＭ観察を行い得られた写真を公知の画像解析ソフト（例えば、winROOF）を用いて画像解析し、下地層の表層領域の金属成分の面積を測定する方法がある。なお、ＳＥＭ観察において元素分析を同時に行い、成分の特定を行ってもよい。また、金属成分の面積率は、積層体の任意の３箇所を観察して、写真毎に面積率を測定して平均した値である。
また、下地層の厚みが５００ｎｍ超の場合、表層領域は下地層と金属層との界面から下地層側方向で５００ｎｍまでの領域を意味し、下地層の厚みが５００ｎｍ以下の場合、表層領域は下地層全体を意味する。

＜パターン状金属層を有する積層体およびその製造方法＞
上記積層体中における金属層を、パターン状にエッチングする工程を行うことで、パターン状の金属層を備える積層体を製造することができる。
このエッチング工程の手順について以下に詳述する。

＜エッチング工程＞
エッチング工程は、上記で形成された金属層（めっき膜）をパターン状にエッチングする工程である。即ち、本工程では、形成された金属層の不要部分をエッチングで取り除くことで、所望の金属パターンを形成することができる。より具体的には、図１（Ｃ）に示すように、本工程において、パターン状の金属層１８が形成される。
この金属パターンの形成には、如何なる手法も使用することができ、具体的には一般的に知られているサブトラクティブ法、セミアディティブ法が用いられる。

サブトラクティブ法とは、形成された金属層上にドライフィルムレジスト層を設けパターン露光、現像により金属パターン部と同じパターンを形成し、ドライフィルムレジストパターンをマスクとしてエッチング液で金属層を除去し、金属パターンを形成する方法である。ドライフィルムレジストとしては如何なる材料も使用でき、ネガ型、ポジ型、液状、フィルム状のものが使用できる。また、エッチング方法としては、プリント配線基板の製造時に使用されている方法が何れも使用可能であり、湿式エッチング、ドライエッチング等が使用可能であり、任意に選択すればよい。作業の操作上、湿式エッチングが装置などの簡便性の点で好ましい。エッチング液として、例えば、塩化第二銅、塩化第二鉄等の水溶液を使用することができる。

また、セミアディティブ法とは、形成された金属層上にドライフィルムレジスト層を設け、パターン露光、現像により非金属パターン部と同じパターンを形成し、ドライフィルムレジストパターンをマスクとして電気めっきを行い、ドライフィルムレジストパターンを除去した後にクイックエッチングを実施し、金属層をパターン状に除去することで、金属パターンを形成する方法である。ドライフィルムレジスト、エッチング液等はサブトラクティブ法と同様な材料が使用できる。また、電気めっき手法としては上記記載の手法が使用できる。

なお、図１（Ａ）において、下地層は基板の全面に設けられているが、必要に応じて、パターン状に設けられていてもよい。パターン状の下地層が基板上に配置された場合、上述した工程を実施することにより、パターン状の下地層上にのみ金属層が形成され、金属パターン材料が得られる。

［用途］
得られたパターン状の金属層を有する積層体は、例えば、半導体チップ、各種電気配線板（例えば、プリント配線基板）、ＦＰＣ、ＣＯＦ、ＴＡＢ、アンテナ、多層配線基板、マザーボード、等の種々の用途に適用することができる。なかでも、配線基板として用いる用途が好ましい。

以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

(シリカ分散液の調製)
以下の表１に従って、各成分を１０００ｍｌのＰＰ製のビンに所定量加え、ＴＫ社製ホモディスパを用いて８０００ｒｐｍにて３０分間分散させ、シリカ分散液Ｓ０１〜Ｓ０５を得た。

(下地層形成用組成物の調製)
以下の表２に従って、各成分を混合し、下地層形成用組成物Ｐ０１〜Ｐ１９を調製した。
なお、表２中、化合物Ｘは４，４，４−トリフルオロ−１−フェニル−１，３−ブタンジオンであり、溶媒Ｙはシクロヘキサノンである。

＜水準１〜１９（実施例１〜１７、比較例１〜２）＞
下地層形成用組成物Ｐ０１〜Ｐ１９のいずれかを帝人デュポン製カプトン１００ＥＮの表面上に滴下し、１０００ｒｐｍにて２０秒間スピンコートした。その後、１８０℃にて１５分間ベークして下地層付き基板Ｓ０１〜Ｓ１９を得た。

基板Ｓ０１〜Ｓ１９のいずれかを０．１％のＮａＯＨ溶液に５０℃にて５分間浸漬し、純水にて２回洗浄した。その後、Ｐｄ触媒付与液ＭＡＴ−２（上村工業）に室温にて５分間浸漬し、純水にて２回洗浄した。
なお、Ｐｄ触媒付与液ＭＡＴ−２は、本発明のめっき触媒液に該当し、そのｐＨは１１であった。

次に、上記処理が施された基板を還元剤ＭＡＢ（上村工業）に３６℃にて５分間浸漬し、純水にて２回洗浄した。その後、さらに基板を活性化処理液ＭＥＬ−３（上村工業）に室温にて５分間浸漬し、洗浄することなく無電解めっき液スルカップＰＥＡ（上村工業）に室温にて６０分浸漬し、下地層上に無電解めっき層（厚み：１μｍ）を形成した。
さらに、電解めっき液として、水１２８３ｇ、硫酸銅５水和物１３５ｇ、９８％濃硫酸３４２ｇ、３６％濃塩酸０．２５ｇ、ＥＴ−９０１Ｍ（ロームアンドハース）３９．６ｇの混合溶液を用い、無電解めっき層が形成された基板と銅板とをホルダーに取り付けて電源に接続し、３Ａ／ｄｍ²にて４５分間電解銅めっき処理を行い、約１８μｍの銅めっき層（金属層）を有する積層体（水準１〜１９）を得た。

(密着性評価（その１）)
水準１〜１９（実施例および比較例）で得られた積層体を、１８０℃にて１５分ベークした。得られたサンプルの金属層に１０ｍｍの間隔を開けて、平行に１３０ｍｍの切り込みを入れ、その端部をカッターにて切り込みを入れ１０ｍｍ立ち上げた。剥がした端部をつかんでテンシロン（ＳＨＩＭＡＺＵ）を用いてピール強度を測定した（引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎ）。結果を表３にまとめて示す。
なお、密着性が０．８ｋＮ／ｍ以上の場合を「Ａ」、０．６ｋＮ／ｍ以上０．８ｋＮ／ｍ未満の場合を「Ｂ」、０．６ｋＮ／ｍ未満の場合を「Ｃ」とした。実用上、ＡまたはＢであればよい。

(異物観察)
金属層を有する積層体（水準１〜１９）の金属層表面を日立ハイテクノロジーズ社製Ｓ−３０００にて観察し、異物の有無を評価した。なお、異物の判断は、例えば、図２に示すように金属表面上に物質（凸上物）が観測され、かつ、ＥＤＸ分析を行い、ＣａやＡｌなど金属層を構成する金属イオン以外の成分が含まれている場合、異物として判断した。結果を表３にまとめて示す。

(断面観察)
１ｃｍ²（１ｃｍ×１ｃｍ）の積層体（水準１〜１９）をアクリルブロックに固定し、専用モールドに入れ、アクリル樹脂アクリル・ワン（株式会社マルトー）をモールドに注いだ後、露光装置ＯＮＥ・ＬＩＧＨＴ（株式会社マルトー）にて２時間露光しアクリル樹脂を硬化した。硬化後、アセトンにて洗浄し、研磨装置ＭＬ−１６０Ａ（株式会社マルトー）にて＃４００の研磨紙を用いて基板表面が現れるまで研磨した後、Baikaloy1.0CR(BAIKOWSK INTERNATIONAL CORPORATION)にて鏡面になるまで研磨した。その後、表面にチャージアップ防止用の金を蒸着した後、日立ハイテクノロジーズＳ−３０００にて積層体の断面（金属層に対して垂直面における断面）を観察した。
なお、下地層の表層領域における金属部分の面積率は、断面ＳＥＭ図を画像解析ソフト「winROOF」を用いて解析して算出した。

表３中、「シアノ率」は、ポリマー中におけるシアノ基を有する繰り返し単位の含有量（モル％）を表す。「シリカ粒径」は、下地層中のシリカ粒子の平均粒子径を表す。「シリカ濃度」は、下地層中のポリマーとシリカ粒子（金属酸化物粒子）の合計質量に対する、シリカ粒子の含有量（質量％）を表す。
また、表３中、「表面での異物の有無」は、金属層表面での異物の有無を意味する。

表３に示すように、実施例１〜１７においては、得られた金属層の表面には異物は観察されず、かつ、金属層の密着性にも優れていた。
なかでも、実施例１〜５の比較から分かるように、金属酸化物粒子の含有量が、金属酸化物粒子とポリマーとの合計質量に対して、２５〜４５質量％の場合（実施例２および３）、より金属層の密着性が優れることが確認された。
また、実施例６〜８の比較から分かるように、金属酸化物粒子の平均粒子径が１００ｎｍ以下の場合、より金属層の密着性が優れることが確認された。
また、実施例９〜１２の比較から分かるように、ポリマー中の相互作用性基を有する単位の含有量が、２０モル％以上の場合、より金属層の密着性が優れることが確認された。

一方、本発明の範囲外の比較例１〜２においては、めっきが析出しなかった。

また、実施例２で得られた積層体の断面ＳＥＭ図（図３）においては、金属層から下地層に金属成分が伸びており、アンカー構造が確認された。該構造によって、金属層の密着性が向上したものと推測される。
また、図３の断面ＳＥＭ図を画像解析ソフト「winROOF」を用いて、連続した金属界面から５００ｎｍ以内にある金属部分の面積を解析した図を図４に示す。

＜実施例１８＞
実施例４で得られた無電解めっき金属層を有する積層体に対し１５０℃／１５分の熱処理を行なった後、該積層体の金属層表面に、ドライレジストフィルム（日立化成（株）製；ＲＹ３３１５、膜厚１５μｍ）を真空ラミネーター（（株）名機製作所製：ＭＶＬＰ−６００）で７０℃、０．２ＭＰａでラミネートした。次いで、ドライレジストフィルムがラミネートされた積層体に、ＪＰＣＡ−ＥＴ０１に定める櫛型配線（ＪＰＣＡ−ＢＵ０１−２００７準拠）が形成できるガラスマスクを密着させ、レジストを中心波長４０５ｎｍの露光機にて７０ｍＪの光エネルギーを照射した。露光後の積層体に、１％Ｎａ₂ＣＯ₃水溶液を０．２ＭＰａのスプレー圧で噴きつけ、現像を行なった。その後、積層体の水洗・乾燥を行い、金属層上に、セミアディティブ法用のレジストパターンを形成した。
レジストパターンを形成した積層体のレジストパターン外に電気めっき銅を１０μｍ形成し、３％ＮａＯＨ水溶液を０．２ＭＰａのスプレー圧で積層体上に噴き付けることで、レジストパターンを膨潤剥離した。硫酸/過酸化水素水溶液（エッチング液）にてエッチングを行い、無電解めっき厚分の金属層を除去することで櫛型配線（パターン状金属層）を得た（図５参照）。得られた配線は、Ｌ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍであった。

(下地層形成用組成物の調製)
以下の表４に従って、各成分を混合し、下地層形成用組成物Ｙ１〜Ｙ９およびＸ１〜Ｘ２を調製した。なお、下地層形成用組成物Ｙ４、Ｙ５およびＹ９については、調液後３０分以上撹拌を行った。表４に記載の各成分の詳細は以下のとおりである。なお、表４中の数値は、質量％を表す。
・ポリマー１ ： タフテックＭ１９４３（無水マレイン酸をグラフト共重合させた水素添加スチレンブタジエン共重合体、旭化成製）
・ポリマー２ ： タフテックＨ１０５２Ｘ（水素添加スチレンブタジエン共重合体、旭化成製）
・ポリマー３ ： Ｚｅｔｐｏｌ００２０（水素添加アクリロニトリルブタジエンゴム、日本ゼオン製）
・ポリマー４ ：アクリロニトリル−スチレン共重合樹脂（ＡＳ樹脂）（商品Ｎｏ：１８２８６９、アルドリッチ社製）
・アルミナ ： 酸化アルミニウム（粒径：４０〜５０ｎｍ、和光純薬製）
・酸化鉄 ： 酸化鉄（ＩＩＩ）（酸化第２鉄、粒径：２０〜４０ｎｍ、和光純薬製）
・シリカ ： シルフィルＮＳＳ−４Ｎ（粒径：９０ｎｍ、トクヤマ製）
・分散剤１ ： ソルスパース３６０００（Ｌｕｂｒｉｚｏｌ製）
・分散剤２ ： ソルスパース２４０００（Ｌｕｂｒｉｚｏｌ製）
・ＰＲ５４０４６（クレゾールノボラック樹脂、住友ベークライト製）
・ＫＢＭ−５１０３（シランカップリング剤、信越化学工業製）

＜実施例１９〜２７および比較例３〜４＞
以下の表５に従って、基板上に下地層形成用組成物をスピンコート法により塗布し、１８０℃で６０分間乾燥した。これにより、基板上に下地層（厚み：２．８μｍ）が形成された。
次に、下地層が形成された基板を、アルカップＡＣＬ（２−アミノエタノール：４．９質量％、ジエチレントリアミン：２．４質量％、界面活性剤：４．９質量％、上村工業（株）製）９５ｇと水酸化ナトリウム５ｇとの混合液（ｐＨ：１４）に５０℃にて５分間浸漬し、その後水洗した。さらに、Ｐｄ触媒付与液であるアルカップＭＡＴ−２（上村工業（株）製）に２６℃にて５分間浸漬し、その後、還元剤であるアルカップＭＡＢ（上村工業（株）製）に３７℃にて３分間浸漬し、その後、水洗した。さらに、活性化処理液であるアルカップＭＥＬ（上村工業（株）製）に２６℃にて１分間浸漬し、その後、無電解めっき液であるスルカップＰＥＡに３７℃にて３０分間浸漬し、無電解めっきを行った。これにより、下地層上に無電解めっき層（厚み：約０．７μｍ）が形成された。
続いて、形成された無電解めっき層を給電層として、下記組成の電気銅めっき浴を用いて、３Ａ／ｄｍ²の条件で電気めっきを３０分間行い、金属層を有する積層体を得た。電気銅めっき層の厚みは１３μｍであった。
なお、Ｐｄ触媒付与液アルカップＭＡＴ−２は、本発明のめっき触媒液に該当し、そのｐＨはアルカリ性であった。

（電気めっき浴の組成）
・硫酸銅 ： ３８ｇ
・硫酸 ： ９５ｇ
・塩酸 ： １ｍＬ
・カッパーグリムＰＣＭ（メルテックス（株）製） ： ３ｍＬ
・水 ： ５００ｇ

(異物観察)
実施例１９〜２７および比較例３〜４で得られた積層体について、金属層表面を目視で異物観察を行い、異物の有無を評価した。結果を表５にまとめて示す。

(密着性評価（その２）)
実施例１９〜２７および比較例３〜４で得られた積層体を、１８０℃で１時間保持した後、金属層に５ｍｍの間隔を開けて、平行に１３０ｍｍの切り込みを入れ、その端部をカッターにて切り込みを入れ１０ｍｍ立ち上げた。引張試験機（（株）エー・アンド・ディー製、ＲＴＭ−１００）を用いて、剥がした金属層端部をつかんで９０°ピール強度を測定した（引張速度１０ｍｍ／ｍｉｎ）。結果を表５にまとめて示す。実用上、０．５０ｋＮ／ｍ以上であることが好ましい。

表５中、「金属酸化物濃度」は、下地層中のポリマーと金属酸化物粒子との合計質量に対する、金属酸化物粒子の含有量（質量％）を表す。
また、表５中、「表面での異物の有無」は、金属層表面での異物の有無を意味する。

表５に示すように、実施例１９〜２７においては、得られた金属層の表面には異物は観察されず、かつ、金属層の密着性にも優れていた。
実施例２４と２５との比較から、ポリマーがシアノ基を有する実施例２５の方がより金属層の密着性が優れることが確認された。実施例２５と２６との比較から、金属酸化物粒子がケイ素を含む実施例２５の方がより金属層の密着性が優れることが確認された。
一方、下地層が金属酸化物粒子を含まない比較例３はめっきが析出しなかった。また、ポリマーが共役ジエン化合物単位を有さない比較例４は金属層の密着性が不十分であった。

＜実施例２８〜３４＞
以下の表６の比率に従って仕込んだサンプルを、ロッキングミルＲＭ−０５（（株）セイワ技研）を用いて仕込みサンプル量６０ｇ（２００ｍＬＰＰ瓶使用）、０．５ｍｍφのジルコニアビーズ１００ｇ、５０Ｈｚ、３０ｍｉｎの条件にて分散させ、シリカ分散液Ｗ１〜Ｗ７を得た。
なお、表６中の「アエロジル２００」はアエロジル社製を使用した。

以下の表７に従って、各成分を混合し、ロッキングミルRM−05（（株）セイワ技研）を用いて仕込み量６０ｇ（２００ｍＬＰＰ瓶使用）、０．５ｍｍφのジルコニアビーズ１００g、５０Ｈｚ、３０ｍｉｎの条件にて分散させ、下地層形成用組成物Ｙ１０〜Ｙ１６を調製した。
なお、表７中、「Ｚｅｔｐｏｌ００２０」は日本ゼオン社製を使用した。

水準１〜１９（実施例１〜１７、比較例１〜２）で使用した下地層形成用組成物Ｐ０１〜Ｐ１９の代わりに、上記で製造した下地層形成用組成物Ｙ１０〜１６を使用した以外は、水準１〜１９と同様の手順に従って、銅めっき層（金属層）を有する積層体を製造し、密着性評価（その２）および異物観察を行った。結果を表８にまとめて示す。なお、表８中、「下地層形成用組成物」欄は、各実施例で使用された組成物の種類を表す。
表８に示すように、下地層形成用組成物Ｙ１０〜１６を使用して製造された積層体においては、金属層の表面には異物は観察されず、かつ、金属層の密着性にも優れていた。

（分散安定性評価）
下地層形成用組成物Ｙ１０〜Ｙ１６を、５℃条件下にて１０日間静置保管した。
分散剤（界面活性剤）が含まれていない下地層形成用組成物Ｙ１０においては、時間の経過とともにシリカ粒子の凝集物（以後、シリカ凝集物とも称する）が確認された。ただし、下地層形成用組成物Ｙ１０を定期的に振ることによって、シリカ凝集物の生成は抑制された。
一方、分散剤（界面活性剤）が含まれている下地層形成用組成物Ｙ１１〜Ｙ１６においては、シリカ凝集物の存在は確認されず、保存安定性に優れることが確認された。なお、下地層形成用組成物Ｙ１６では、３０日静置保管した場合であってもシリカ凝集物の存在は確認されず、優れた保存安定性を示した。

１０：基板
１２：下地層
１４：金属層
１６：積層体
１８：パターン状金属層

Claims (15)

1. 水素添加されていてもよい共役ジエン化合物単位を有するポリマーと、平均粒子径４００ｎｍ以下の金属酸化物粒子とを含む下地層を形成する下地層形成工程と、
   めっき触媒またはその前駆体を含みアルカリ性であるめっき触媒液と、前記下地層とを接触させ、前記下地層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、
   前記めっき触媒またはその前駆体が付与された前記下地層に対してめっきを行い、前記下地層上に金属層を形成するめっき工程と、を備える積層体の製造方法。
2. 前記金属酸化物粒子の平均粒子径が、１００ｎｍ以下である、請求項１に記載の積層体の製造方法。
3. 前記下地層中における前記金属酸化物粒子の含有量が、前記ポリマーと前記金属酸化物粒子との合計質量に対して、２５〜４５質量％である、請求項１または２に記載の積層体の製造方法。
4. 前記ポリマーが、相互作用性基を有する単位をさらに有するポリマーである、請求項１〜３のいずれかに記載の積層体の製造方法。
5. 前記ポリマーがアクリロニトリルとブタジエンとの共重合体またはその水素添加物であり、前記金属酸化物粒子がシリカ粒子である、請求項１〜４のいずれかに記載の積層体の製造方法。
6. さらに、前記金属層をパターン状にエッチングする工程を有する、請求項１〜５のいずれかに記載の積層体の製造方法。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法より製造される積層体を有するプリント配線基板。
8. 水素添加されていてもよい共役ジエン化合物単位を有するポリマーと、平均粒子径４００ｎｍ以下の金属酸化物粒子とを含む下地層形成用組成物であって、
   前記下地層形成用組成物より形成される下地層が、めっき触媒またはその前駆体を含みアルカリ性であるめっき触媒液との接触に用いられる下地層形成用組成物。
9. 前記金属酸化物粒子の平均粒子径が、１００ｎｍ以下である、請求項８に記載の下地層形成用組成物。
10. 前記金属酸化物粒子の含有量が、前記ポリマーと前記金属酸化物粒子との合計質量に対して、２５〜４５質量％である、請求項８または９に記載の下地層形成用組成物。
11. 前記ポリマーが、相互作用性基を有する単位をさらに有するポリマーである、請求項８〜１０のいずれかに記載の下地層形成用組成物。
12. 前記ポリマーがアクリロニトリルとブタジエンとの共重合体またはその水素添加物であり、前記金属酸化物粒子がシリカ粒子である、請求項８〜１１のいずれかに記載の下地層形成用組成物。
13. 水素添加されていてもよい共役ジエン化合物単位を有するポリマーおよび平均粒子径４００ｎｍ以下の金属酸化物粒子を含有する下地層と、前記下地層に隣接する金属層を有する積層体であって、
    前記積層体の断面ＳＥＭ観察を行ったとき、前記下地層と前記金属層との界面から前記下地層側方向における５００ｎｍの表層領域において金属部分が存在し、前記表層領域において金属部分の面積率が５％以上である、積層体。
14. 前記金属部分の面積率が５〜３０％である、請求項１３に記載の積層体。
15. 前記ポリマーがアクリロニトリルとブタジエンとの共重合体またはその水素添加物であり、前記金属酸化物粒子がシリカ粒子である、請求項１３または１４に記載の積層体。